JPH06259729A

JPH06259729A - 磁気ヘッド

Info

Publication number: JPH06259729A
Application number: JP5067487A
Authority: JP
Inventors: Koichi Terunuma; 幸一照沼; Hiroaki Kawashima; 宏明川島
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1993-03-03
Filing date: 1993-03-03
Publication date: 1994-09-16
Also published as: US5473492A

Abstract

(57)【要約】【目的】シールド型ＭＲヘッドを有する磁気ヘッドに
おいて、耐久性を向上させ、しかも製造歩留りおよび生
産性を向上させる。【構成】基体からトレーリング方向に向かって、リー
ディング側磁気シールド膜、絶縁材、磁気抵抗効果膜、
絶縁材およびトレーリング側磁気シールド膜が形成され
た再生ヘッドを有し、リーディング側磁気シールド膜の
組成を、Ｔ₁₀ _0-x-y Ｍ_x Ｎ_y （ＴはＦｅ、ＣｏおよびＮ
ｉの１種以上、ＭはＢ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、
Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｈｆ、ＴａおよびＷ１種
以上、Ｎは窒素、０．１≦ｘ≦２５、０．１≦ｙ≦２５
である）またはＦｅ：６０〜８０原子％、Ａｌ：５〜１
５原子％、Ｓｉ：１０〜２５原子％、Ｎ：０．１〜２０
原子％とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気抵抗効果を利用し
た再生ヘッドを有する磁気ヘッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、磁気センサの高感度化や磁気記録
における高密度化が進められている。これに伴ない、磁
気抵抗効果を用いた磁気抵抗効果型磁気センサ（ＭＲセ
ンサ）や磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＭＲヘッド）等の
ＭＲ素子の開発が盛んに進められている。ＭＲセンサも
ＭＲヘッドも、磁性材料を用いた読み取りセンサ部の抵
抗変化により外部磁気信号を読み出すものである。ＭＲ
ヘッドでは再生出力が記録媒体に対する相対速度に依存
しないことから、線記録密度の高い磁気記録においても
高い出力が得られるという特長がある。ＭＲヘッドで
は、分解能を上げ、良好な高周波特性を得るために、通
常、磁気抵抗効果膜を一対の磁気シールド材で挟む構成
（シールド型ＭＲヘッド）とされる。

【０００３】特開平２−１１６００９号公報には、シー
ルド型ＭＲヘッドを改良した遮蔽磁気抵抗センサが開示
されている。このセンサは剛性磁気ディスク記憶システ
ム、すなわちハードディスク装置に適用されるものであ
る。ハードディスク装置の磁気ヘッドではスライダの空
気ベアリング面にＭＲヘッドが露出しているため、ディ
スクとの接触によりＭＲヘッドが損傷しやすい。具体的
には、磁気シールド膜として通常用いられているＮｉＦ
ｅ合金（パーマロイ）を使った場合、ディスクとの接触
によりリーディング側のシールド膜（先導シールド）が
延伸されて磁気抵抗効果膜との間に短絡導電路が形成さ
れ、センサ機能の低下が生じてしまう。そこで特開平２
−１１６００９号公報では、リーディング側のシールド
膜に延伸されにくいＦｅＳｉＡｌ合金（センダスト）を
用いることにより、短絡を防いでいる。

【０００４】しかし、スパッタ法などによって形成され
た直後のセンダスト膜はパーマロイに比べ軟磁気特性が
悪いため、パーマロイと同等のシールド特性を得るため
には４００℃以上の温度で焼鈍を行なう必要がある。リ
ーディング側の磁気シールド膜は非磁性基体や絶縁膜の
上に形成されるが、これらはセラミックスでありセンダ
ストとは熱膨張率が大きく異なるので、焼鈍の際にセン
ダスト膜や絶縁膜が剥離しやすく、歩留りが低くなって
しまう。

【０００５】また、特公平４−７３２０９号公報、特開
昭５９−９０２２２号公報、特開昭５９−９８３１８号
公報、特開平１−１２５７１２号公報、特開昭５９−５
２４２５号公報、特開昭５９−３６３１９号公報、特開
昭６０−２３９９１１号公報には、ＭＲヘッドの磁気シ
ールド膜に非晶質合金を用いることが提案されている。
しかし、特開昭６１−２５８３２３号公報に開示されて
いるように、ＭＲヘッドでは磁気抵抗効果膜に常時流れ
る電流により発熱が生じるため、非晶質合金が劣化して
磁気シールド特性が劣化してしまう。そこで、特開昭６
１−２５８３２３号公報では非晶質高透磁率軟磁性材料
と結晶質高透磁率軟磁性材料との積層膜を磁気シールド
として用いているが、やはり１０００時間経過後に透磁
率が２０％減少してしまっている。また、非晶質膜にお
いて良好な軟磁性を得るためには、特開昭５９−９０２
２２号公報や特開昭５９−９８３１８号公報に示される
ように３００℃以上の熱処理が必要であり、高い生産性
が得られない。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような事
情からなされたものであり、シールド型ＭＲヘッドを有
する磁気ヘッドにおいて、耐久性を向上させ、しかも製
造歩留りおよび生産性を向上させることを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（５）の本発明により達成される。（１）基体からトレーリング方向に向かって、リーディ
ング側磁気シールド膜、絶縁材、磁気抵抗効果膜、絶縁
材およびトレーリング側磁気シールド膜が形成された再
生ヘッドを有し、リーディング側磁気シールド膜に下記
式で表わされる原子比組成を有する軟磁性薄膜を用いた
ことを特徴とする磁気ヘッド。式Ｔ_100-x-y Ｍ_x Ｎ_y （上式において、ＴはＦｅ、ＣｏおよびＮｉからなる群
から選択される少なくとも１種、ＭはＢ、Ａｌ、Ｓｉ、
Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｈｆ、
ＴａおよびＷからなる群から選択される少なくとも１
種、Ｎは窒素であり、０．１≦ｘ≦２５、０．１≦ｙ≦
２５である。）（２）基体からトレーリング方向に向かって、リーディ
ング側磁気シールド膜、絶縁材、磁気抵抗効果膜、絶縁
材およびトレーリング側磁気シールド膜が形成された再
生ヘッドを有し、リーディング側磁気シールド膜にＦ
ｅ：６０〜８０原子％、Ａｌ：５〜１５原子％、Ｓｉ：
１０〜２５原子％およびＮ：０．１〜２０原子％を含
有する軟磁性薄膜を用いたことを特徴とする磁気ヘッ
ド。（３）前記トレーリング側磁気シールド膜に前記軟磁性
薄膜を用いた上記（１）または（２）の磁気ヘッド。（４）前記トレーリング側磁気シールド膜を記録ヘッド
のリーディング側コアとして利用する上記（１）ないし
（３）のいずれかの磁気ヘッド。（５）前記トレーリング側磁気シールド膜のトレーリン
グ側に記録ヘッドを有する上記（１）ないし（３）のい
ずれかの磁気ヘッド。

【０００８】

【作用および効果】本発明の磁気ヘッドの磁気シールド
膜は、センダスト膜や非晶質膜と同様に展延性が低く延
伸されにくいので、磁気記録媒体との接触や衝突による
短絡が生じにくく耐久性が良好である。センダスト膜や
非晶質膜では高温での熱処理が必要であるが、本発明の
磁気シールド膜は熱処理が不要で、しかも熱処理後のセ
ンダスト膜や非晶質膜と同等以上の磁気シールド性能を
示す。従って、熱膨張率のマッチング不良による膜剥離
を防げ、また、熱処理をしないために生産性も向上す
る。そして、熱処理による磁気抵抗効果膜のダメージを
考慮する必要がないので、トレーリング側の磁気シール
ド膜にも本発明を適用することができ、さらに良好な磁
気シールド特性が得られる。

【０００９】本発明の磁気シールド膜は非晶質の磁気シ
ールド膜と異なり耐熱性が高く、磁気抵抗効果膜の発熱
により長時間持続的に加熱された場合でも軟磁気特性は
殆ど劣化しないので、信頼性が極めて高い。また、ヘッ
ド製造の際のレジストのベーキングによる温度上昇、他
の膜を形成する際の温度上昇、他の膜の熱処理の際の温
度上昇などによる特性劣化も抑えられる。

【００１０】また、本発明の磁気シールド膜はパーマロ
イやセンダストに比べ耐食性も良好である。

【００１１】

【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。

【００１２】本発明では、磁気シールド膜に下記式で示
される原子比組成を有する軟磁性薄膜を用いる。

【００１３】式Ｔ_100-x-y Ｍ_x Ｎ_y 上式において、ＴはＦｅ、ＣｏおよびＮｉからなる群か
ら選択される少なくとも１種であり、ＭはＢ、Ａｌ、Ｓ
ｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｈ
ｆ、ＴａおよびＷからなる群から選択される少なくとも
１種であり、０．１≦ｘ≦２５、好ましくは０．５≦ｘ
≦２０、０．１≦ｙ≦２５、好ましくは０．５≦ｙ≦２
０である。

【００１４】Ｔ中の各元素の比率に特に制限はなく適宜
選択すればよい。

【００１５】Ｔの主成分をＦｅとする場合には、（１０
０）面配向性を高める上で、Ｍは、Ｚｒ単独ないしＶ単
独、とりわけＺｒ単独か、あるいはＺｒおよび／または
ＶがＭ中の２０％以上を占め、これに上記のうちのＺ
ｒ、Ｖ以外の元素とを組み合わせる構成とすることが好
ましく、また、この場合、６．５≦ｘ≦２０、６．５≦
ｙ≦２０とすることが好ましい。例えばＭとしてＺｒを
用いた場合、Ｆｅ結晶の成長過程においてＺｒＮがイン
ヒビターとなるため、優先的に（１００）配向する。こ
の場合、成膜直後の膜のｙ／ｘが１近傍となることが必
要である。また、ＺｒＮの生成によりＦｅの結晶粒成長
が抑制されるので熱安定性が向上する。

【００１６】ｘが前記範囲未満では（１００）面配向が
得られない。前記範囲を超えると飽和磁束密度Ｂs が低
下する。また、ｘが前記範囲を外れると硬度が低下して
展延性が増大し、磁歪も増大する。そして、前記範囲で
（１００）配向性ないし配向度を強くしやすくなり、軟
磁気特性が格段と向上する。

【００１７】ｙが前記範囲未満では、Ｎによる結晶粒の
微細化が不十分で軟磁気特性が得られない傾向にある。
前記範囲を超えるとＴ、Ｍの窒化物が必要以上に生成さ
れるため、軟磁気特性が得られない。そして、前記範囲
にて（１００）面配向性はより一層好ましいものとな
る。なお、必要に応じて窒素に加え、酸素が全体の５原
子％以下含有されていてもよい。

【００１８】ｙ／ｘの下限値は、好ましくは０．６、よ
り好ましくは０．６５、さらに好ましくは０．７、最も
好ましくは０．８である。またｙ／ｘの上限値は、好ま
しくは２．０、より好ましくは１．８、さらに好ましく
は１．５、最も好ましくは１．２である。ｙ／ｘをこの
範囲に規制することにより、（１００）配向膜が得やす
くなる。

【００１９】軟磁性薄膜被着時の組成は、例えば、Elec
tron Probe Micro Analysis (EPMA)法により測定すれば
よい。

【００２０】上記組成の軟磁性薄膜を成膜するには、蒸
着、スパッタリング、イオンプレーティング、ＣＶＤ等
の各種気相法を用いればよい。このうち特にスパッタ法
により成膜することが好ましく、例えば以下のように成
膜すればよい。ターゲットには、合金鋳造体や焼結体さ
らには多元ターゲット等を用いる。そして、Ａｒ等の不
活性ガス雰囲気下でスパッタリングを行なう。また、反
応性スパッタを行なう場合には、ターゲットの組成は前
述の式においてＮが含有されないものとほぼ同一とすれ
ばよく、Ａｒ中にＮ₂ を０．１〜１５体積％、好ましく
は２〜１０体積％含有する雰囲気下でスパッタする。前
記範囲外であると、軟磁気特性が得られない傾向にあ
る。

【００２１】スパッタの方式に特に制限はなく、また、
使用するスパッタ装置にも制限はなく、通常のものを用
いればよい。なお、動作圧力は通常０．１〜１．０ Pa
程度とすればよい。この場合、スパッタ投入電圧や電流
等の諸条件は、スパッタ方式等に応じ適宜決定するが、
（１００）配向性を高める上で、ターゲットの漏洩磁界
１００〜５００ Oe 程度の条件で行なうマグネトロンス
パッタを用いることが好ましい。マグネトロンスパッタ
は高周波で行なっても直流で行なってもよい。

【００２２】成膜直後の膜は、それ自体（１００）配向
性をもつ。また、膜面（基板表面）と平行に（２００）
面が配向しており、Ｘ線回折チャートには、ブロードな
Ｆｅ（２００）ピークが存在する。この場合、例えば、
フェライト等の磁性体、非磁性セラミックス、高分子フ
ィルム等のいかなる基板上に成膜しても、（１００）配
向性が強い膜となる。Ｘ線回折チャートにおけるＦｅ
（２００）ピークの２θ（θは回折角）は、ＣｕＫαを
用いた場合、６５度程度である。

【００２３】なお、通常、磁気シールド膜形成時の温度
と絶縁材形成時の温度とは異なり、このために積層体中
においてストレスが発生することがある。このようなス
トレスを緩和するため、全てを成膜後に必要に応じて熱
処理を施してもよい。この場合の熱処理条件は、昇温速度：２〜８℃／分間程度、保持温度：２００〜３５０℃程度、温度保持時間：３０分間〜２時間程度、冷却速度：２〜８℃／分間程度とすることが好ましい。

【００２４】なお、熱処理は真空中あるいはＡｒ等の不
活性ガス雰囲気中で行なうことが好ましい。

【００２５】上記組成の軟磁性薄膜の平均結晶粒径は、
５０〜５００A 程度、特に１００〜３００A 程度、さら
には１５０〜２５０A 程度である。平均結晶粒径は、Ｘ
線回折でのＦｅ（２００）ピーク半値巾Ｗ₅₀を測定し
て、下記のシェラーの式から求めればよい。

【００２６】式Ｄ＝０．９λ／Ｗ₅₀ cosθ 上式において、λは用いたＸ線の波長であり、θは回折
角である。なお、前記のとおりＣｕＫαを用いた場合、
Ｆｅ（２００）ピークの２θは、６５度程度である。

【００２７】上記組成の軟磁性薄膜のマイクロビッカー
ス硬度は、７００以上であり、熱処理により１１００以
上、特に１１５０以上１５００以下に向上する。マイク
ロビッカース硬度は、ＪＩＳに従い測定すればよい。

【００２８】本発明では、上記組成の他にＦｅ：６０〜
８０原子％、好ましくは６３〜７０原子％、Ａｌ：５〜
１５原子％、好ましくは６〜１０原子％、Ｓｉ：１０〜
２５原子％、好ましくは８〜１５原子％およびＮ：
０．１〜２０原子％、好ましくは５〜２０原子％を含有
する軟磁性薄膜も磁気シールド膜として用いることがで
きる。

【００２９】この組成において、Ｆｅ、ＡｌおよびＳｉ
の少なくとも１種が前記範囲を外れると良好な軟磁気特
性が得られなくなり、磁気シールド膜としての効果が低
くなってしまう。Ｎが前記範囲未満であると結晶粒の微
細化が不十分となって成膜直後において良好な軟磁気特
性が得られない。Ｎが前記範囲を超えているとＦｅ、Ａ
ｌ、Ｓｉの窒化物が必要以上に生成されてしまうため、
良好な軟磁気特性が得られない。

【００３０】この組成では、マイクロビッカース硬度と
して一般に７００以上、特に８００〜１５００程度の値
が得られ、平均結晶粒径は、５０〜２００A 程度であ
る。

【００３１】この組成の軟磁性薄膜は、前述したＴ−Ｍ
−Ｎ系組成の軟磁性薄膜と同様にして製造すればよい。
また、必要に応じ前述した熱処理を施してもよい。

【００３２】次に、本発明の磁気ヘッドの構成について
説明する。

【００３３】本発明の磁気ヘッドの構成例である再生ヘ
ッドを、図１に示す。図１は磁気記録媒体側から見た平
面図であり、媒体に対するヘッドの相対的移動方向は図
中下側である。したがって、図中下側がリーディング側
となり、上側がトレーリング側となる。図１の再生ヘッ
ドは、基体２からトレーリング方向に向かって、リーデ
ィング側磁気シールド膜４、一対のリード５１が接続さ
れた磁気抵抗効果膜５およびトレーリング側磁気シール
ド膜６を有し、これらの間には絶縁材３が設けられてい
る。

【００３４】このような構成の再生ヘッドでは、ヘッド
の媒体対向面が媒体と接触ないし衝突したときにリーデ
ィング側磁気シールド膜４の露出面がトレーリング側に
延伸される力を受けるので、上記組成の軟磁性薄膜を、
少なくともリーディング側磁気シールド膜４に用いる。

【００３５】なお、図１に示される再生ヘッドは、磁気
抵抗効果膜５が媒体対向面に露出する通常のシールド型
ＭＲヘッドであるが、本発明では図２に示されるような
構成のヨーク型ＭＲヘッドにも適用することができる。
図２に示される再生ヘッドは、基体２からトレーリング
方向に向かってリーディング側磁気シールド膜４、絶縁
材３１、ヨーク７１、絶縁材３２、磁気抵抗効果膜５、
ヨーク７２、絶縁材３３およびトレーリング側磁気シー
ルド膜６を有する。この再生ヘッドでは図中右側の側面
が媒体対向面となり、磁束はヨーク７１、磁気抵抗効果
膜５、ヨーク７２を通ることになる。この構成では磁気
抵抗効果膜５が媒体対向面に露出していないため、磁気
抵抗効果膜５を媒体との接触や衝突から保護することが
できる。ヨーク７１や７２には、接触や衝突に対する耐
久性の良好な上記組成の軟磁性薄膜を用いることが好ま
しい。

【００３６】本発明は、記録ヘッドおよび再生ヘッドを
具備する複合ヘッドにも好適である。

【００３７】図３に示される記録再生ヘッドは、図１に
示される再生ヘッドのトレーリング側に、絶縁材を介し
て記録ヘッドを有する。この記録ヘッドは、リーディン
グ側コア８１とトレーリングコア８２とを有する通常の
薄膜ヘッドである。

【００３８】図４に示される記録再生ヘッドは、図１に
示される再生ヘッドのトレーリング側磁気シールド膜６
を記録ヘッドのリーディング側コアとして用い、さらに
このトレーリング側磁気シールド膜６のトレーリング側
に記録ヘッドのトレーリング側コア８２を設けた構成で
ある。

【００３９】本発明の磁気ヘッドにおいて、磁気シール
ド膜以外の構成は特に限定されず、通常のＭＲヘッドや
ＭＲ複合ヘッドと同様な構成であってよい。

【００４０】例えば、磁気抵抗効果膜には、パーマロイ
やＮｉ−Ｃｏ合金の他、磁気抵抗効果を有する各種材料
を用いることができる。磁気抵抗効果膜に接続されるリ
ードには、ＴａやＷ等、磁気抵抗効果膜に拡散しない材
料を用いることが好ましい。絶縁材には、Ａｌ₂ Ｏ₃ 、
ＳｉＯ₂ 等の各種セラミックスなど、通常の絶縁材料を
用いることができる。トレーリング側磁気シールド膜や
記録ヘッドの各コアに前述した軟磁性薄膜を用いない場
合には、パーマロイなどの各種軟磁性材料を用いればよ
い。また、セラミックスなどから構成される基体２は、
通常、磁気ヘッドのスライダに固定されるが、基体２自
体をスライダとして用いてもよい。

【００４１】各部の寸法も特に限定されず、組み合わさ
れる磁気記録媒体の構成などに応じて適宜決定すればよ
いが、通常、磁気シールド膜は厚さ１〜５μm 、幅３０
〜２００μm 、磁気抵抗効果膜は厚さ１００〜６００A
、幅２〜１０μm 、磁気シールド膜と磁気抵抗効果膜
との距離は０．１〜１．０μm 、記録ヘッドのコアは厚
さ１〜５μm 、幅２〜１０μm 、トレーリング側磁気シ
ールド膜と記録ヘッドのコアとの距離は０．５〜５μm
である。

【００４２】本発明の磁気ヘッドにおいて、磁気抵抗効
果膜の線形動作化の方式は特に限定されず、電流バイア
ス法、ハードフィルムバイアス法、ソフトフィルムバイ
アス法、形状バイアス法などの各種方式から適宜選択す
ることができる。

【００４３】本発明の磁気ヘッドは、通常、薄膜作製と
パターン形成とによって製造される。各膜の形成には、
スパッタ法、真空蒸着法等の気相被着法や、めっき法等
を用いればよい。パターン形成は、選択エッチングや選
択デポジションなどにより行なうことができる。

【００４４】本発明の磁気ヘッドは、アーム等の従来公
知のアセンブリーと組み合わせて使用される。

【００４５】

【実施例】以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明
をさらに詳細に説明する。

【００４６】図３に示される構成を有する磁気ヘッドを
作製した。

【００４７】まず、基板２（Ａｌ₂ Ｏ₃ −ＴｉＣ）上
に、絶縁材（Ａｌ₂ Ｏ₃ ：厚さ１０μm ）、リーディン
グ側磁気シールド膜４（表１の組成：厚さ３μm ）、絶
縁材（Ａｌ₂ Ｏ₃ ：厚さ０．５μm ）、磁気抵抗効果膜
５（パーマロイ：厚さ３００A、高さ３．５μm ）、リ
ード５１（Ｔａ：厚さ０．２μm ）、絶縁材（Ａｌ₂ Ｏ
₃ ：厚さ０．５μm ）、トレーリング側磁気シールド膜
６（厚さ３μm ）および絶縁材（Ａｌ₂ Ｏ₃ ：厚さ３μ
m ）をそれぞれスパッタ法により形成した。なお、パタ
ーン形成にはイオンミリングを用いた。

【００４８】次いで、リーディング側コア８１（パーマ
ロイ：厚さ３μm ）を液相めっき法により形成し、絶縁
材（Ａｌ₂ Ｏ₃ ：厚さ０．３μm ）をスパッタ法により
形成してギャップとし、さらにトレーリング側コア８２
（パーマロイ：厚さ３μm ）を液相めっき法により形成
した後、絶縁材（Ａｌ₂ Ｏ₃ ：厚さ５０μm ）を形成し
て保護膜とした。保護膜形成後、基板２をスライダに固
定し、ハードディスク駆動装置に組み込んだ。

【００４９】表１に示される磁気シールド膜のうち、磁
気ヘッドNo. ２のＦｅＡｌＳｉ（センダスト）は、形成
後に真空中において４５０℃で２時間熱処理した。ま
た、磁気ヘッドNo. ３のＣｏＭｏＺｒ（非晶質）は、形
成後に真空中において３００ Oe の回転磁界を印加しな
がら４００℃で２時間熱処理した。

【００５０】各磁気ヘッドについて、耐久性を調べるた
めにＣＳＳ（コンタクト・スタート・ストップ）試験を
行ない、初期出力とＣＳＳ後の出力を測定した。また、
５×１０⁴ 回のＣＳＳ後に、磁気シールド膜の媒体対向
面の塑性流動を走査型電子顕微鏡により観察した。ま
た、シールド効果の良否を調べるために、孤立再生波形
の半値幅を測定した。これらの結果を表１に示す。な
お、ＣＳＳ後の出力は、初期出力を１００％としたとき
の相対値で表わした。また、塑性流動については、シー
ルド膜のトレーリング側への延伸が認められたものを
×、認められなかったものを○で示した。

【００５１】

【表１】

【００５２】表１に示される結果から本発明の効果が明
らかである。すなわち、本発明の磁気ヘッドであるNo.
４〜９では、それぞれパーマロイ、センダスト、ＣｏＭ
ｏＺｒ非晶質をリーディング側磁気シールド膜４に用い
たNo. １〜３と同等かそれ以上の出力が得られており、
また、半値幅も同等かそれ以上に小さく、磁気シールド
効果が良好である。そして、本発明の磁気ヘッドの磁気
シールド膜はＣＳＳに対する耐久性もセンダストや非晶
質と同等かそれ以上である。特に、トレーリング側磁気
シールド膜にも本発明範囲の組成を用いたNo. ６、７お
よび９では、極めて良好な磁気シールド効果が得られて
おり、ＣＳＳに対する耐久性も極めて良好である。

【００５３】なお、図１、図２および図４にそれぞれ示
される構成の磁気ヘッドを作製して上記と同様な実験を
行なった結果、表１と同様な結果が得られた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気ヘッドの構成例を媒体側から見た
平面図である。

【図２】本発明の磁気ヘッドの構成例の断面図である。

【図３】本発明の磁気ヘッドの構成例を媒体側から見た
平面図である。

【図４】本発明の磁気ヘッドの構成例を媒体側から見た
平面図である。

【符号の説明】

２基体３、３１、３２、３３絶縁材４リーディング側磁気シールド膜５磁気抵抗効果膜５１リード６トレーリング側磁気シールド膜７１、７２ヨーク８１リーディング側コア８２トレーリング側コア

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基体からトレーリング方向に向かって、
リーディング側磁気シールド膜、絶縁材、磁気抵抗効果
膜、絶縁材およびトレーリング側磁気シールド膜が形成
された再生ヘッドを有し、リーディング側磁気シールド
膜に下記式で表わされる原子比組成を有する軟磁性薄膜
を用いたことを特徴とする磁気ヘッド。式Ｔ_100-x-y Ｍ_x Ｎ_y （上式において、ＴはＦｅ、ＣｏおよびＮｉからなる群
から選択される少なくとも１種、ＭはＢ、Ａｌ、Ｓｉ、
Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｈｆ、
ＴａおよびＷからなる群から選択される少なくとも１
種、Ｎは窒素であり、０．１≦ｘ≦２５、０．１≦ｙ≦２５である。）
【請求項２】基体からトレーリング方向に向かって、
リーディング側磁気シールド膜、絶縁材、磁気抵抗効果
膜、絶縁材およびトレーリング側磁気シールド膜が形成
された再生ヘッドを有し、リーディング側磁気シールド
膜にＦｅ：６０〜８０原子％、Ａｌ：５〜１５原子％、Ｓｉ：１０〜２５原子％およびＮ：０．１〜２０原子％を含有する軟磁性薄膜を用いたことを特徴とする磁気ヘ
ッド。
【請求項３】前記トレーリング側磁気シールド膜に前
記軟磁性薄膜を用いた請求項１または２の磁気ヘッド。
【請求項４】前記トレーリング側磁気シールド膜を記
録ヘッドのリーディング側コアとして利用する請求項１
ないし３のいずれかの磁気ヘッド。
【請求項５】前記トレーリング側磁気シールド膜のト
レーリング側に記録ヘッドを有する請求項１ないし３の
いずれかの磁気ヘッド。