JPH06259978A - フラッシュ消去型不揮発性メモリ - Google Patents
フラッシュ消去型不揮発性メモリInfo
- Publication number
- JPH06259978A JPH06259978A JP4163493A JP4163493A JPH06259978A JP H06259978 A JPH06259978 A JP H06259978A JP 4163493 A JP4163493 A JP 4163493A JP 4163493 A JP4163493 A JP 4163493A JP H06259978 A JPH06259978 A JP H06259978A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- erasure
- erasing
- verification
- erase
- volatile memory
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- Withdrawn
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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- Read Only Memory (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】フラッシュ消去型不揮発性メモリにおいて、消
去時間を短縮すること。 【構成】消去，ベリファイ時に、消去が正常終了するま
でに要した消去ベリファイの回数を記憶させて、次の消
去ベリファイ時には記憶している回数までは消去だけを
行う様にした為、消去ベリファイ時間が短くなり、消去
時間の短縮につながる。
去時間を短縮すること。 【構成】消去，ベリファイ時に、消去が正常終了するま
でに要した消去ベリファイの回数を記憶させて、次の消
去ベリファイ時には記憶している回数までは消去だけを
行う様にした為、消去ベリファイ時間が短くなり、消去
時間の短縮につながる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はフラッシュ消去型不揮発
性メモリに関する。
性メモリに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のフラッシュ消去型不揮発性メモリ
は、図３に示す様に、消去が開始されると（ステップＡ
１）、メモリセルが消去されて（ステップＡ２）、消去
が正常に終了したかの確認の為に、ベリファイ（読み出
し）を行う（ステップＡ３）。ここで、消去が出来てい
ないと（ＮＯの場合）、もう一度消去，ベリファイを行
い、消去完了となる迄（ＯＫの場合）、消去，ベリファ
イを繰り返す動作を行い、消去完了（ステップＡ４）と
なる。
は、図３に示す様に、消去が開始されると（ステップＡ
１）、メモリセルが消去されて（ステップＡ２）、消去
が正常に終了したかの確認の為に、ベリファイ（読み出
し）を行う（ステップＡ３）。ここで、消去が出来てい
ないと（ＮＯの場合）、もう一度消去，ベリファイを行
い、消去完了となる迄（ＯＫの場合）、消去，ベリファ
イを繰り返す動作を行い、消去完了（ステップＡ４）と
なる。
【０００３】ここで、ステップＡ１とステップＡ２との
間に、カウンタにｎ＝０をセットし、〔ｎ＋１〕を
〔ｎ〕とするステップがある。
間に、カウンタにｎ＝０をセットし、〔ｎ＋１〕を
〔ｎ〕とするステップがある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のフラッシュ消去
型不揮発性メモリにおいては、消去及び消去ベリファイ
を、消去完了まで繰り返し行っている為、消去及び消去
ベリファイ時間が長くなり、消去，消去ベリファイに要
する消去時間の増大を招いていた。
型不揮発性メモリにおいては、消去及び消去ベリファイ
を、消去完了まで繰り返し行っている為、消去及び消去
ベリファイ時間が長くなり、消去，消去ベリファイに要
する消去時間の増大を招いていた。
【０００５】本発明の目的は、前記問題点を解決し、消
去，消去ベリファイに要する時間を短縮したフラッシュ
消去型不揮発性メモリを提供することにある。
去，消去ベリファイに要する時間を短縮したフラッシュ
消去型不揮発性メモリを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のフラッシュ消去
型不揮発性メモリの構成は、消去完了後、消去を行った
セル領域の消去が正常に終了するまでに要した消去ベリ
ファイの回数を記憶するベリファイカウント記憶部を備
えていることを特徴とする。
型不揮発性メモリの構成は、消去完了後、消去を行った
セル領域の消去が正常に終了するまでに要した消去ベリ
ファイの回数を記憶するベリファイカウント記憶部を備
えていることを特徴とする。
【０００７】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例のメモリにおいて、１回目
の消去，ベリファイを示すフロー図である。図２は本発
明の一実施例のメモリにおいて、２回目以降の消去，ベ
リファイを示すフロー図である。
る。図１は本発明の一実施例のメモリにおいて、１回目
の消去，ベリファイを示すフロー図である。図２は本発
明の一実施例のメモリにおいて、２回目以降の消去，ベ
リファイを示すフロー図である。
【０００８】まず図１を用い、次に図２を参照して、本
実施例の動作について説明する。図１において、消去開
始後（ステップＡ１）、メモリセルが消去され（ステッ
プＡ２）て、メモリセルの消去が正常に終了したかの読
み出し確認のベリファイ（ステップＡ３）を行い、消去
完了になる迄、（ステップＡ２）の消去から行い、（ス
テップＡ３）のベリファイが仮に５回目で完了したら、
ベリファイカウント記憶部（ステップＡ４）に５回と記
憶（ｎ＝ｚ）して、消去終了（ステップＡ５）となる。
実施例の動作について説明する。図１において、消去開
始後（ステップＡ１）、メモリセルが消去され（ステッ
プＡ２）て、メモリセルの消去が正常に終了したかの読
み出し確認のベリファイ（ステップＡ３）を行い、消去
完了になる迄、（ステップＡ２）の消去から行い、（ス
テップＡ３）のベリファイが仮に５回目で完了したら、
ベリファイカウント記憶部（ステップＡ４）に５回と記
憶（ｎ＝ｚ）して、消去終了（ステップＡ５）となる。
【０００９】図２においては、消去開始（ステップＡ
１）、消去（ステップＡ２）までは図１と同じだが、１
回目の消去ベリファイでベリファイカウント記憶部（ス
テップＡ３）に５回と記憶してあるので、５回目までは
消去しか行わず、この後５回目を越えると、ベリファイ
を行う（ステップＡ４）、また記憶部に記憶してある５
回という回数でも消去が終了していない時は、もう一度
消去（ステップＡ２）を行い、消去が終了する迄繰り返
し消去，消去ベリファイを行い、消去完了（ステップＡ
５）となる。
１）、消去（ステップＡ２）までは図１と同じだが、１
回目の消去ベリファイでベリファイカウント記憶部（ス
テップＡ３）に５回と記憶してあるので、５回目までは
消去しか行わず、この後５回目を越えると、ベリファイ
を行う（ステップＡ４）、また記憶部に記憶してある５
回という回数でも消去が終了していない時は、もう一度
消去（ステップＡ２）を行い、消去が終了する迄繰り返
し消去，消去ベリファイを行い、消去完了（ステップＡ
５）となる。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によるフラ
ッシュ消去型不揮発性メモリは、消去の正常終了までに
要した消去ベリファイの回数を記憶させて、次の消去の
時は記憶している回数までは消去だけを行う様にした
為、消去及び消去ベリファイ時間が短くなり、消去時間
が短縮するという効果がある。
ッシュ消去型不揮発性メモリは、消去の正常終了までに
要した消去ベリファイの回数を記憶させて、次の消去の
時は記憶している回数までは消去だけを行う様にした
為、消去及び消去ベリファイ時間が短くなり、消去時間
が短縮するという効果がある。
【図１】本発明の実施例において、一回目の消去，ベリ
ファイのフロー図である。
ファイのフロー図である。
【図２】本発明の実施例において二回目以降の消去，ベ
リファイのフロー図である。
リファイのフロー図である。
【図３】従来の消去，ベリファイのフロー図である。
Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４，Ａ５ ステップ
Claims (2)
- 【請求項１】 消去動作後、消去を行ったセル領域の消
去が正常に終了しているか読み出し確認を行ったのに要
した回数を記憶するベリファイカウント記憶部を備えた
ことを特徴とするフラッシュ消去型不揮発性メモリ。 - 【請求項２】 前記ベリファイカウント記憶部が記憶し
た前記回数までは、ベリファイを行わず、消去だけを行
う手段を設けた請求項１に記載のフラッシュ消去型不揮
発性メモリ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4163493A JPH06259978A (ja) | 1993-03-03 | 1993-03-03 | フラッシュ消去型不揮発性メモリ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4163493A JPH06259978A (ja) | 1993-03-03 | 1993-03-03 | フラッシュ消去型不揮発性メモリ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06259978A true JPH06259978A (ja) | 1994-09-16 |
Family
ID=12613766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4163493A Withdrawn JPH06259978A (ja) | 1993-03-03 | 1993-03-03 | フラッシュ消去型不揮発性メモリ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06259978A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0887894A (ja) * | 1994-09-20 | 1996-04-02 | Mitsubishi Electric Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
| JP2012168996A (ja) * | 2011-02-10 | 2012-09-06 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
-
1993
- 1993-03-03 JP JP4163493A patent/JPH06259978A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0887894A (ja) * | 1994-09-20 | 1996-04-02 | Mitsubishi Electric Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
| JP2012168996A (ja) * | 2011-02-10 | 2012-09-06 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
| US8913429B2 (en) | 2011-02-10 | 2014-12-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile semiconductor memory device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000509 |