JPH04352376A - 半導体レーザ素子用サブマウント - Google Patents
半導体レーザ素子用サブマウントInfo
- Publication number
- JPH04352376A JPH04352376A JP3155900A JP15590091A JPH04352376A JP H04352376 A JPH04352376 A JP H04352376A JP 3155900 A JP3155900 A JP 3155900A JP 15590091 A JP15590091 A JP 15590091A JP H04352376 A JPH04352376 A JP H04352376A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- submount
- semiconductor laser
- laser chip
- die
- bonded
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体レーザ素子用サ
ブマウントに関し、特に半導体レーザ素子のダイボンド
時にはみ出した半田がレーザ動作に与える悪影響を防止
できる半導体レーザ素子用サブマウントに関するもので
ある。
ブマウントに関し、特に半導体レーザ素子のダイボンド
時にはみ出した半田がレーザ動作に与える悪影響を防止
できる半導体レーザ素子用サブマウントに関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】図２は半導体レーザチップを従来の半導
体レーザ素子用サブマウントを用いてダイボンドした状
態を示す斜視図である。図において、１はレーザチップ
、８はサブマウント、４は金属ブロック、５は半田、６
，７はレーザ光である。
体レーザ素子用サブマウントを用いてダイボンドした状
態を示す斜視図である。図において、１はレーザチップ
、８はサブマウント、４は金属ブロック、５は半田、６
，７はレーザ光である。
【０００３】次に動作について説明する。図２に示すよ
うに、一般にレーザチップ１は放熱の良い金属ブロック
４にサブマウント８を介して接着される。レーザチップ
１のサブマウント８への固着には半田５が用いられる。 レーザチップ１の上面及び下面に設けられた図示しない
電極間にレーザチップ内に形成されるｐｎ接合に対して
順方向のバイアスをかけることにより、レーザチップ１
の前端面及び後端面からレーザ光６，７が出射される。 後端面から出射されたレーザ光７は、前端面から出射さ
れたレーザ光６の出力を制御するためのモニタ光として
用いられる。
うに、一般にレーザチップ１は放熱の良い金属ブロック
４にサブマウント８を介して接着される。レーザチップ
１のサブマウント８への固着には半田５が用いられる。 レーザチップ１の上面及び下面に設けられた図示しない
電極間にレーザチップ内に形成されるｐｎ接合に対して
順方向のバイアスをかけることにより、レーザチップ１
の前端面及び後端面からレーザ光６，７が出射される。 後端面から出射されたレーザ光７は、前端面から出射さ
れたレーザ光６の出力を制御するためのモニタ光として
用いられる。
【０００４】ところで、半導体レーザをＯＤＤやプリン
タに使用する場合には、低熱抵抗や低ドループ特性を得
るために、発光領域をサブマウント８に近づけて組み立
てを行うジャンクションダウン（Ｊ／Ｄ）組立が必要不
可欠である。この場合、発光領域が接着から約数μｍの
位置にあるため、ダイボンドした後の半田５が組立上問
題となる。
タに使用する場合には、低熱抵抗や低ドループ特性を得
るために、発光領域をサブマウント８に近づけて組み立
てを行うジャンクションダウン（Ｊ／Ｄ）組立が必要不
可欠である。この場合、発光領域が接着から約数μｍの
位置にあるため、ダイボンドした後の半田５が組立上問
題となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体レーザ素
子用サブマウントは以上のように構成されているので、
ダイボンドした際のサブマウント８の表面にはみ出して
上方向に盛り上がった半田が発光領域のジャンクション
部に接触してショート不良を発生したり、レーザチップ
後端面より出射したレーザ光７がはみ出した半田により
異方向に反射されてモニタ電流が小となる不良が発生す
るといった問題点があった。
子用サブマウントは以上のように構成されているので、
ダイボンドした際のサブマウント８の表面にはみ出して
上方向に盛り上がった半田が発光領域のジャンクション
部に接触してショート不良を発生したり、レーザチップ
後端面より出射したレーザ光７がはみ出した半田により
異方向に反射されてモニタ電流が小となる不良が発生す
るといった問題点があった。
【０００６】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、ダイボンドした際のはみ出した
半田によりショート不良やモニタ光のケラレ不良が発生
することのない歩留り，信頼性の高い半導体レーザ素子
用サブマウントを得ることを目的とする。
ためになされたもので、ダイボンドした際のはみ出した
半田によりショート不良やモニタ光のケラレ不良が発生
することのない歩留り，信頼性の高い半導体レーザ素子
用サブマウントを得ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体レ
ーザ素子用サブマウントは、サブマウントのレーザチッ
プを載置する領域のみを周辺領域よりも高くしたもので
ある。
ーザ素子用サブマウントは、サブマウントのレーザチッ
プを載置する領域のみを周辺領域よりも高くしたもので
ある。
【０００８】
【作用】この発明における半導体レーザ素子用サブマウ
ントは、レーザチップを載置する領域のみを周辺領域よ
り高くしたから、ダイボンドした際の半田が下側周辺に
流れ出し、半田がレーザチップ、特に発光領域を含めた
ジャンクション部に接触することはない。
ントは、レーザチップを載置する領域のみを周辺領域よ
り高くしたから、ダイボンドした際の半田が下側周辺に
流れ出し、半田がレーザチップ、特に発光領域を含めた
ジャンクション部に接触することはない。
【０００９】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１は半導体レーザチップを本発明の一実施例に
よる半導体レーザ素子用サブマウントを用いてダイボン
ドした状態を示す斜視図である。図において、１は半導
体レーザチップ、２は本実施例のサブマウント、３はサ
ブマウント２の主面の半導体レーザチップ１をダイボン
ドする領域のみに形成された凸部、４は金属ブロック、
５は半田、６，７はレーザ光である。
する。図１は半導体レーザチップを本発明の一実施例に
よる半導体レーザ素子用サブマウントを用いてダイボン
ドした状態を示す斜視図である。図において、１は半導
体レーザチップ、２は本実施例のサブマウント、３はサ
ブマウント２の主面の半導体レーザチップ１をダイボン
ドする領域のみに形成された凸部、４は金属ブロック、
５は半田、６，７はレーザ光である。
【００１０】本実施例では、サブマウント２の主面の半
導体レーザチップ１をダイボンドする領域のみに周辺領
域よりも高く形成した凸部３を設けているのが特徴であ
る。このような本実施例によれば、サブマウント２の凸
部３に半導体レーザチップ１がダイボンドされるので、
ダイボンドした際にはみ出した半田５は凸部３より低い
周囲の領域へ流れ、上方に盛り上がらない。よって、低
熱抵抗，低ドループ特性を得るためのＪ／Ｄ組立ての際
にも、レーザチップ１の発光領域を含めたジャンクショ
ン部にダイボンドした半田が接触することはなく、これ
により、ショート不良，モニタ光のケラレにより生ずる
モニタ電流小不良を防止することができる。
導体レーザチップ１をダイボンドする領域のみに周辺領
域よりも高く形成した凸部３を設けているのが特徴であ
る。このような本実施例によれば、サブマウント２の凸
部３に半導体レーザチップ１がダイボンドされるので、
ダイボンドした際にはみ出した半田５は凸部３より低い
周囲の領域へ流れ、上方に盛り上がらない。よって、低
熱抵抗，低ドループ特性を得るためのＪ／Ｄ組立ての際
にも、レーザチップ１の発光領域を含めたジャンクショ
ン部にダイボンドした半田が接触することはなく、これ
により、ショート不良，モニタ光のケラレにより生ずる
モニタ電流小不良を防止することができる。
【００１１】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、サブ
マウント表面にレーザチップをダイボンドする領域のみ
を高くした凸部を形成したので、ダイボンドした際のは
み出した半田が発光領域を含めたジャンクションへ接触
してショートする不良や、レーザ光がケラレてモニタ電
流が小となる不良等を防止でき、歩留り及び信頼性を向
上できる効果がある。
マウント表面にレーザチップをダイボンドする領域のみ
を高くした凸部を形成したので、ダイボンドした際のは
み出した半田が発光領域を含めたジャンクションへ接触
してショートする不良や、レーザ光がケラレてモニタ電
流が小となる不良等を防止でき、歩留り及び信頼性を向
上できる効果がある。
【図１】この発明の一実施例による半導体レーザ素子用
サブマウントを用いてレーザチップをダイボンドした状
態を示す斜視図である。
サブマウントを用いてレーザチップをダイボンドした状
態を示す斜視図である。
【図２】従来の半導体レーザ素子用サブマウントを用い
てレーザチップをダイボンドした状態を示す斜視図であ
る。
てレーザチップをダイボンドした状態を示す斜視図であ
る。
【符号の説明】
１ レーザチップ
２ 本実施例のサブマウント
３ 凸部
４ 金属ブロック
５ 半田
６ レーザ光
７ レーザ光
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体レーザチップを金属ブロックに
接着する際に、該半導体レーザチップと金属ブロックと
の間に配置される半導体レーザ素子用サブマウントにお
いて、前記半導体レーザチップを載置する領域が周辺領
域よりも高く形成されていることを特徴とする半導体レ
ーザ素子用サブマウント。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3155900A JPH04352376A (ja) | 1991-05-29 | 1991-05-29 | 半導体レーザ素子用サブマウント |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3155900A JPH04352376A (ja) | 1991-05-29 | 1991-05-29 | 半導体レーザ素子用サブマウント |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04352376A true JPH04352376A (ja) | 1992-12-07 |
Family
ID=15615969
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3155900A Pending JPH04352376A (ja) | 1991-05-29 | 1991-05-29 | 半導体レーザ素子用サブマウント |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04352376A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005005511A (ja) * | 2003-06-12 | 2005-01-06 | Fanuc Ltd | 半導体レーザ装置 |
-
1991
- 1991-05-29 JP JP3155900A patent/JPH04352376A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005005511A (ja) * | 2003-06-12 | 2005-01-06 | Fanuc Ltd | 半導体レーザ装置 |
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