JPH06263531A - ムライト−コージライト複合焼結体およびこれを用いた半導体装置用部材 - Google Patents
ムライト−コージライト複合焼結体およびこれを用いた半導体装置用部材Info
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- JPH06263531A JPH06263531A JP5050841A JP5084193A JPH06263531A JP H06263531 A JPH06263531 A JP H06263531A JP 5050841 A JP5050841 A JP 5050841A JP 5084193 A JP5084193 A JP 5084193A JP H06263531 A JPH06263531 A JP H06263531A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】ムライト１００重量部に対してコ−ジライト２
０〜１００重量部添加し、さらにこれら合計１００重量
部に対して焼結助剤を５〜３０重量部添加して複合焼結
体を得る。 【効果】この複合焼結体は熱膨張係数が３０〜４５×１
０-7／℃とシリコンに近いことから、ダミーウェハ５０
等の各種半導体装置用部材に用いた場合に、シリコンウ
ェハとの熱膨張差による不都合がなく、高精度の加工等
を可能とすることができる。
０〜１００重量部添加し、さらにこれら合計１００重量
部に対して焼結助剤を５〜３０重量部添加して複合焼結
体を得る。 【効果】この複合焼結体は熱膨張係数が３０〜４５×１
０-7／℃とシリコンに近いことから、ダミーウェハ５０
等の各種半導体装置用部材に用いた場合に、シリコンウ
ェハとの熱膨張差による不都合がなく、高精度の加工等
を可能とすることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、各種半導体装置や圧力
センサー等に用いるためのムライトとコージライトの複
合焼結体に関するものである。
センサー等に用いるためのムライトとコージライトの複
合焼結体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体装置の製造工程におい
て、シリコンウェハを保持するチャックやアーム、ある
いは各種治具等の半導体製造装置用部品には主にアルミ
ナセラミックスが使用されており、特に不純物を嫌う部
品には例えばＡｌ2 Ｏ3 含有量９９．９重量％以上の高
純度アルミナセラミックスなどが用いられている。この
アルミナセラミックスは、比較的安価で緻密な焼結体が
得られ、機械強度が強く、また化学的にも安定なことか
ら半導体製造装置の部品として広く使用されている（例
えば実開昭６２−７２０６２号公報、特開昭５３−９６
７６２号公報等参照）。
て、シリコンウェハを保持するチャックやアーム、ある
いは各種治具等の半導体製造装置用部品には主にアルミ
ナセラミックスが使用されており、特に不純物を嫌う部
品には例えばＡｌ2 Ｏ3 含有量９９．９重量％以上の高
純度アルミナセラミックスなどが用いられている。この
アルミナセラミックスは、比較的安価で緻密な焼結体が
得られ、機械強度が強く、また化学的にも安定なことか
ら半導体製造装置の部品として広く使用されている（例
えば実開昭６２−７２０６２号公報、特開昭５３−９６
７６２号公報等参照）。
【０００３】また、半導体装置自体を成すパッケージに
もセラミックスが使用されている。例えば、アルミナセ
ラミックスからなるベースに半導体素子を載置して、ア
ルミナセラミックス製のキャップで封止することで半導
体装置を構成するようになっている。
もセラミックスが使用されている。例えば、アルミナセ
ラミックスからなるベースに半導体素子を載置して、ア
ルミナセラミックス製のキャップで封止することで半導
体装置を構成するようになっている。
【０００４】さらに、ウェハ上に成膜を行う場合に、予
めダミーウェハを用いて成膜条件等を決定することが行
われているが、このダミーウェハとしてはＡｌ2 Ｏ3 の
単結晶体であるサファイアが用いられている。
めダミーウェハを用いて成膜条件等を決定することが行
われているが、このダミーウェハとしてはＡｌ2 Ｏ3 の
単結晶体であるサファイアが用いられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記アルミナ
セラミックスは、熱膨張係数が７０〜７５×１０-7／℃
程度であり、シリコンの熱膨張係数（３５×１０-7／
℃）よりも大きいものであった。そのため、例えば半導
体装置の製造工程において、シリコンウェハを接触支持
するような部品をアルミナセラミックスで形成すると、
温度変化が生じた場合に互いの熱膨張差により、支持す
る位置がずれてしまい、高精度の加工ができないなどの
不都合があった。
セラミックスは、熱膨張係数が７０〜７５×１０-7／℃
程度であり、シリコンの熱膨張係数（３５×１０-7／
℃）よりも大きいものであった。そのため、例えば半導
体装置の製造工程において、シリコンウェハを接触支持
するような部品をアルミナセラミックスで形成すると、
温度変化が生じた場合に互いの熱膨張差により、支持す
る位置がずれてしまい、高精度の加工ができないなどの
不都合があった。
【０００６】また、半導体パッケージをアルミナセラミ
ックスで形成すると、シリコンからなる半導体素子を接
合、固定した後、温度変化が生じるとシリコンとアルミ
ナセラミックスとの熱膨張差により半導体素子が剥離す
る恐れがあるという問題点があった。
ックスで形成すると、シリコンからなる半導体素子を接
合、固定した後、温度変化が生じるとシリコンとアルミ
ナセラミックスとの熱膨張差により半導体素子が剥離す
る恐れがあるという問題点があった。
【０００７】また、ダミーウエハとして用いられるサフ
ァイアも熱膨張係数が４５〜５３×１０-7／℃とシリコ
ンよりも大きいため、サファイア製のダミーウェハを用
いた場合は、成膜条件等を厳密に決定できないという問
題点があった。
ァイアも熱膨張係数が４５〜５３×１０-7／℃とシリコ
ンよりも大きいため、サファイア製のダミーウェハを用
いた場合は、成膜条件等を厳密に決定できないという問
題点があった。
【０００８】本発明はこれらの問題を解決するために、
シリコンに近い熱膨張係数をもったムライト−コージラ
イト複合焼結体を使用するようにしたものである。
シリコンに近い熱膨張係数をもったムライト−コージラ
イト複合焼結体を使用するようにしたものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、主成分
としてムライト１００重量部に対してコ−ジライト２０
〜１００重量部添加し、さらにこれら合計１００重量部
に対して焼結助剤を５〜３０重量部添加することによっ
て、熱膨張係数が３０〜４５×１０-7／℃の焼結体を得
ることができ、しかも上記ムライトとコージライトの混
合比を変化させることで自由に熱膨張係数を調整するこ
とができる。
としてムライト１００重量部に対してコ−ジライト２０
〜１００重量部添加し、さらにこれら合計１００重量部
に対して焼結助剤を５〜３０重量部添加することによっ
て、熱膨張係数が３０〜４５×１０-7／℃の焼結体を得
ることができ、しかも上記ムライトとコージライトの混
合比を変化させることで自由に熱膨張係数を調整するこ
とができる。
【００１０】また、本発明は、上記ムライト−コージラ
イト複合焼結体を半導体装置用部材として用いるように
したものであるが、ここで半導体装置用部材とは、半導
体装置の製造工程中でシリコンウェハを接触支持するよ
うな部材、または半導体素子を収納するパッケージや成
膜条件等を決定するためのダミーウェハなどを意味す
る。
イト複合焼結体を半導体装置用部材として用いるように
したものであるが、ここで半導体装置用部材とは、半導
体装置の製造工程中でシリコンウェハを接触支持するよ
うな部材、または半導体素子を収納するパッケージや成
膜条件等を決定するためのダミーウェハなどを意味す
る。
【００１１】さらに、本発明のムライト−コージライト
複合焼結体の製造方法は、ムライト粉末１００重量部に
対し、コージライト粉末２０〜１００重量部を添加し、
さらに焼結助剤としての粘土鉱物を５〜３０重量部添加
した混合粉末を平均粒子径１〜２μｍまで粉砕した後、
所望の形状に成形し、得られた成形体を１４５０℃以下
の温度で焼結させることによって、熱膨張係数が３０〜
４５×１０-7／℃の焼結体を任意に得ることができる。
複合焼結体の製造方法は、ムライト粉末１００重量部に
対し、コージライト粉末２０〜１００重量部を添加し、
さらに焼結助剤としての粘土鉱物を５〜３０重量部添加
した混合粉末を平均粒子径１〜２μｍまで粉砕した後、
所望の形状に成形し、得られた成形体を１４５０℃以下
の温度で焼結させることによって、熱膨張係数が３０〜
４５×１０-7／℃の焼結体を任意に得ることができる。
【００１２】なお、上記コージライトの割合がムライト
に対して２０重量部未満であると熱膨張係数が４５×１
０-7／℃以上となり、逆に１００重量部より多いと熱膨
張係数が３０×１０-7／℃以下となり、いずれの場合も
シリコンの熱膨張係数と大きく異なるため目的を達する
ことができない。したがって、コージライトの割合はム
ライトに対して２０〜１００重量部の範囲が良い。
に対して２０重量部未満であると熱膨張係数が４５×１
０-7／℃以上となり、逆に１００重量部より多いと熱膨
張係数が３０×１０-7／℃以下となり、いずれの場合も
シリコンの熱膨張係数と大きく異なるため目的を達する
ことができない。したがって、コージライトの割合はム
ライトに対して２０〜１００重量部の範囲が良い。
【００１３】また、本発明において焼結助剤としては、
粘土鉱物や長石、あるいはシリカ（ＳｉＯ2 ）、カルシ
ア（ＣａＯ）、マグネシア（ＭｇＯ）の混合物などが好
適に用いることができる。この焼結助剤の割合はムライ
トとコージライトの混合粉末に対して５〜３０重量部で
あることが望ましい。これは、焼結助剤の量が５重量部
未満であると１４５０℃以上の焼成温度が必要となり、
目的の熱膨張係数をもった磁器を得ることができず、逆
に焼結助剤の量が３０重量部を超えると機械強度の低下
や、焼成時の台板との反応などが生じ、好ましくないた
めである。
粘土鉱物や長石、あるいはシリカ（ＳｉＯ2 ）、カルシ
ア（ＣａＯ）、マグネシア（ＭｇＯ）の混合物などが好
適に用いることができる。この焼結助剤の割合はムライ
トとコージライトの混合粉末に対して５〜３０重量部で
あることが望ましい。これは、焼結助剤の量が５重量部
未満であると１４５０℃以上の焼成温度が必要となり、
目的の熱膨張係数をもった磁器を得ることができず、逆
に焼結助剤の量が３０重量部を超えると機械強度の低下
や、焼成時の台板との反応などが生じ、好ましくないた
めである。
【００１４】さらに、好ましくは焼結助剤の量は１０〜
２０重量部としたものが良く、この範囲内とすること
で、焼結体表面のボイド占有率を２％以下とすることが
でき、しかも焼結体の抗折強度を２０ｋｇ／ｍｍ2 以上
とすることができる。
２０重量部としたものが良く、この範囲内とすること
で、焼結体表面のボイド占有率を２％以下とすることが
でき、しかも焼結体の抗折強度を２０ｋｇ／ｍｍ2 以上
とすることができる。
【００１５】また、本発明の複合焼結体は、１４５０℃
以下の温度で焼結させる必要がある。これは、１４５０
℃より高い温度であるとコージライトがガラス化し、非
晶質になったりムライト化するため目的の熱膨張係数を
もった焼結体が得られないためである。一方、焼成温度
が低いと充分な強度をもった焼結体が得られないため、
一般には１３００℃以上とすることが望ましい。
以下の温度で焼結させる必要がある。これは、１４５０
℃より高い温度であるとコージライトがガラス化し、非
晶質になったりムライト化するため目的の熱膨張係数を
もった焼結体が得られないためである。一方、焼成温度
が低いと充分な強度をもった焼結体が得られないため、
一般には１３００℃以上とすることが望ましい。
【００１６】さらに、本発明で用いるムライト粉、コ−
ジライト粉は予め合成されたものを使用するが、その粒
子径はできるだけ細かいものが望ましく、平均粒子径で
２μｍ以下が特に良い。これは、粒子径の大きい粉末を
用いた場合、反応性が低下するため焼成温度を高くする
必要があるが、上記のように焼成温度が１４５０℃を超
えるとコ−ジライトがガラス化したりムライト化が進む
ことから目的の熱膨張係数の磁器が得られないためであ
る。
ジライト粉は予め合成されたものを使用するが、その粒
子径はできるだけ細かいものが望ましく、平均粒子径で
２μｍ以下が特に良い。これは、粒子径の大きい粉末を
用いた場合、反応性が低下するため焼成温度を高くする
必要があるが、上記のように焼成温度が１４５０℃を超
えるとコ−ジライトがガラス化したりムライト化が進む
ことから目的の熱膨張係数の磁器が得られないためであ
る。
【００１７】また、所定の形状に成形するためには、上
記混合原料粉末に例えばポリビニルアルコ−ルやアクリ
ル酸のような結合剤やポリエチレングリコ−ルのような
可塑剤を添加したのち、例えばスプレ−ドライヤ−で噴
霧乾燥した粉末を、プレス成形や押出成形等の公知の方
法によって所望の形状に成形すれば良い。
記混合原料粉末に例えばポリビニルアルコ−ルやアクリ
ル酸のような結合剤やポリエチレングリコ−ルのような
可塑剤を添加したのち、例えばスプレ−ドライヤ−で噴
霧乾燥した粉末を、プレス成形や押出成形等の公知の方
法によって所望の形状に成形すれば良い。
【００１８】
【実施例】実施例１ １５０メッシュパスのムライト粉末、８メッシュパスの
コ−ジライト粉末、および焼結助剤を表１に示す種々の
割合で混合し、これをボ−ルミルで粉砕を行なった後、
結合剤としてポリビニルアルコ−ルとパラフィンワック
スを添加してスプレ−ドライヤ−にて乾燥造粒した。な
お、焼結助剤としては長石と陶石を６対４に混合したも
のを用い、ムライトとコージライトの合計１００重量部
に対する割合で表した。こうして得られた粉末を成形し
て得られたテストピ−スを焼結して、その焼結体の特性
を確認した。この結果を表１に示す。
コ−ジライト粉末、および焼結助剤を表１に示す種々の
割合で混合し、これをボ−ルミルで粉砕を行なった後、
結合剤としてポリビニルアルコ−ルとパラフィンワック
スを添加してスプレ−ドライヤ−にて乾燥造粒した。な
お、焼結助剤としては長石と陶石を６対４に混合したも
のを用い、ムライトとコージライトの合計１００重量部
に対する割合で表した。こうして得られた粉末を成形し
て得られたテストピ−スを焼結して、その焼結体の特性
を確認した。この結果を表１に示す。
【００１９】
【表１】
【００２０】表１中、Ｎｏ．１はコージライトの量を２
０重量部よりも少なくしたものであり、逆にＮｏ．８は
１００重量部よりも多くしたものであるが、いずれも熱
膨張係数が求める範囲（３０〜４５×１０-7／℃）を外
れている。また、焼成温度を１４５０℃より高くした場
合（Ｎｏ．１１、１３）も熱膨張係数は求める範囲を外
れている。さらに、焼結助剤を含まない場合（Ｎｏ．１
２、１３）は、見掛比重が低く充分な焼結体が得られな
かった。
０重量部よりも少なくしたものであり、逆にＮｏ．８は
１００重量部よりも多くしたものであるが、いずれも熱
膨張係数が求める範囲（３０〜４５×１０-7／℃）を外
れている。また、焼成温度を１４５０℃より高くした場
合（Ｎｏ．１１、１３）も熱膨張係数は求める範囲を外
れている。さらに、焼結助剤を含まない場合（Ｎｏ．１
２、１３）は、見掛比重が低く充分な焼結体が得られな
かった。
【００２１】これらに対し、本発明実施例である、Ｎ
ｏ．２〜７、９、１０、１４、１５では、熱膨張係数
（５０〜４００℃の間、および５０〜７２０℃の間）が
３０〜４５×１０-7／℃の範囲内となることがわかる。
ｏ．２〜７、９、１０、１４、１５では、熱膨張係数
（５０〜４００℃の間、および５０〜７２０℃の間）が
３０〜４５×１０-7／℃の範囲内となることがわかる。
【００２２】実施例２ 次に、上記表１中Ｎｏ．６の試料を用いて、焼結助剤の
量を変化させた時の、焼結体表面の平均ボイド径、ボイ
ド占有率、抗折強度を測定した。なお、表面のボイドに
ついては画像解析（ルーゼックス）により、測定面積９
×１０5 μｍ2、１０視野で測定した。結果は表２に示
す通りである。
量を変化させた時の、焼結体表面の平均ボイド径、ボイ
ド占有率、抗折強度を測定した。なお、表面のボイドに
ついては画像解析（ルーゼックス）により、測定面積９
×１０5 μｍ2、１０視野で測定した。結果は表２に示
す通りである。
【００２３】
【表２】
【００２４】表２の結果より、ムライト−コージライト
混合物１００重量部に対する焼結助剤の量を１０〜２０
重量部の範囲内とすれば、焼結体のボイド占有率を２％
以下とし、かつ抗折強度を２０ｋｇ／ｍｍ2 以上とで
き、より優れた特性となることがわかる。これは、焼結
助剤の量が１０重量部よりも少ないと完全に焼結せずに
細かいボイドが増加し、抗折強度が低下するためであっ
て、一方焼結助剤の量が２０重量部よりも多いと大きな
ボイドが増加して抗折強度が低下するためである。この
ようにボイド占有率が２％以下の焼結体は、ゴミなどの
不純物がボイド中に付着しにくいため、ウェハに対する
汚染を防止することができる。
混合物１００重量部に対する焼結助剤の量を１０〜２０
重量部の範囲内とすれば、焼結体のボイド占有率を２％
以下とし、かつ抗折強度を２０ｋｇ／ｍｍ2 以上とで
き、より優れた特性となることがわかる。これは、焼結
助剤の量が１０重量部よりも少ないと完全に焼結せずに
細かいボイドが増加し、抗折強度が低下するためであっ
て、一方焼結助剤の量が２０重量部よりも多いと大きな
ボイドが増加して抗折強度が低下するためである。この
ようにボイド占有率が２％以下の焼結体は、ゴミなどの
不純物がボイド中に付着しにくいため、ウェハに対する
汚染を防止することができる。
【００２５】実施例３ 次に、上記表１中Ｎｏ．６の試料を用いて、さまざまな
製品を試作した。たとえば、図１に示すハンドリングア
ーム１０は、板状体の内部に連通孔１１を有しており、
後端の吸入孔１２より真空吸引することで、先端側の吸
着面１３にシリコンウェハＷを吸着し、搬送するように
したものである。このハンドリングアーム１０の全体ま
たは少なくとも吸着面１３を本発明のムライト−コージ
ライト複合焼結体で形成すれば、温度変化が生じた場合
でも吸着面１３とシリコンウェハＷとの間のずれを防止
できる。
製品を試作した。たとえば、図１に示すハンドリングア
ーム１０は、板状体の内部に連通孔１１を有しており、
後端の吸入孔１２より真空吸引することで、先端側の吸
着面１３にシリコンウェハＷを吸着し、搬送するように
したものである。このハンドリングアーム１０の全体ま
たは少なくとも吸着面１３を本発明のムライト−コージ
ライト複合焼結体で形成すれば、温度変化が生じた場合
でも吸着面１３とシリコンウェハＷとの間のずれを防止
できる。
【００２６】また、図２に示す真空チャック２０は、複
数の貫通個２１ａを有する吸着板２１を基体２２に取り
付けたものであり、基体２２の吸引孔２２ａより真空吸
引することで、吸着板２１上にシリコンウェハＷを吸着
し、様々な加工を行うことができる。そして、上記吸着
板２１を本発明のムライト−コージライト複合焼結体で
形成すれば、温度変化が生じた場合でも吸着板２１とシ
リコンウェハＷとの間のずれを防止できる。
数の貫通個２１ａを有する吸着板２１を基体２２に取り
付けたものであり、基体２２の吸引孔２２ａより真空吸
引することで、吸着板２１上にシリコンウェハＷを吸着
し、様々な加工を行うことができる。そして、上記吸着
板２１を本発明のムライト−コージライト複合焼結体で
形成すれば、温度変化が生じた場合でも吸着板２１とシ
リコンウェハＷとの間のずれを防止できる。
【００２７】さらに、図３に示す静電チャック３０は、
板状体３１に内部電極３２を埋設し、この内部電極３２
とシリコンウェハＷ間に電源３３より直流電圧を印加す
れば、板状体３０の吸着面３１ａにシリコンウェハＷを
吸着することができ、様々な加工を行うことができる。
そして、上記板状体３１の全体または少なくとも吸着面
３１ａを本発明のムライト−コージライト複合焼結体で
形成すれば、温度変化が生じた場合でも吸着板２１とシ
リコンウェハＷとの間のずれを防止できる。
板状体３１に内部電極３２を埋設し、この内部電極３２
とシリコンウェハＷ間に電源３３より直流電圧を印加す
れば、板状体３０の吸着面３１ａにシリコンウェハＷを
吸着することができ、様々な加工を行うことができる。
そして、上記板状体３１の全体または少なくとも吸着面
３１ａを本発明のムライト−コージライト複合焼結体で
形成すれば、温度変化が生じた場合でも吸着板２１とシ
リコンウェハＷとの間のずれを防止できる。
【００２８】また、図４に示す半導体素子収納用パッケ
ージ４０は、本発明のムライト−コージライト複合焼結
体からなるベース４１とキャップ４２からなり、このベ
ース４１に半導体素子４３を接合固定して外部リード
（不図示）とワイヤボンディングした後、キャップ４２
で封止することで半導体装置を構成するようになってい
る。そして、ベース４１とシリコン製の半導体素子４３
との熱膨張差が極めて小さいため、温度変化が生じた場
合でも半導体素子４３が剥離する恐れはない。
ージ４０は、本発明のムライト−コージライト複合焼結
体からなるベース４１とキャップ４２からなり、このベ
ース４１に半導体素子４３を接合固定して外部リード
（不図示）とワイヤボンディングした後、キャップ４２
で封止することで半導体装置を構成するようになってい
る。そして、ベース４１とシリコン製の半導体素子４３
との熱膨張差が極めて小さいため、温度変化が生じた場
合でも半導体素子４３が剥離する恐れはない。
【００２９】また、図５に示すダミーウェハ５０は、通
常のシリコンウェハと同じ形状、大きさの板状体を本発
明のムライト−コージライト複合焼結体で形成したもの
である。そして、シリコンウェハに成膜等を行う際に、
予めこのダミーウェハ５０を用いて成膜条件等の初期設
定を行ったところ、シリコンウェハとの熱膨張差がない
ため、極めて高精度の設定を行うことができ、しかも従
来のサファイア製のものに比べてはるかに低コストであ
った。
常のシリコンウェハと同じ形状、大きさの板状体を本発
明のムライト−コージライト複合焼結体で形成したもの
である。そして、シリコンウェハに成膜等を行う際に、
予めこのダミーウェハ５０を用いて成膜条件等の初期設
定を行ったところ、シリコンウェハとの熱膨張差がない
ため、極めて高精度の設定を行うことができ、しかも従
来のサファイア製のものに比べてはるかに低コストであ
った。
【００３０】以上のように、本発明のムライト−コージ
ライト複合焼結体は、半導体製造装置用の各種部品に好
適に用いることができるが、この他にもシリコンを接合
するような用途に用いることができ、例えばダイアフラ
ムを用いた圧力センサー用部品として用いることができ
る。
ライト複合焼結体は、半導体製造装置用の各種部品に好
適に用いることができるが、この他にもシリコンを接合
するような用途に用いることができ、例えばダイアフラ
ムを用いた圧力センサー用部品として用いることができ
る。
【００３１】
【発明の効果】このように、本発明によれば、ムライト
１００重量部に対してコ−ジライト２０〜１００重量部
添加し、さらにこれら合計１００重量部に対して焼結助
剤を５〜３０重量部添加してムライト−コージライト複
合焼結体を得たことにより、この複合焼結体は熱膨張係
数が３０〜４５×１０-7／℃とシリコンに近いことか
ら、各種半導体装置用部材に用いた場合に、シリコンと
接触した状態で温度変化が生じても、熱膨張差による不
都合がなく、高精度の加工等を可能とすることができ
る。
１００重量部に対してコ−ジライト２０〜１００重量部
添加し、さらにこれら合計１００重量部に対して焼結助
剤を５〜３０重量部添加してムライト−コージライト複
合焼結体を得たことにより、この複合焼結体は熱膨張係
数が３０〜４５×１０-7／℃とシリコンに近いことか
ら、各種半導体装置用部材に用いた場合に、シリコンと
接触した状態で温度変化が生じても、熱膨張差による不
都合がなく、高精度の加工等を可能とすることができ
る。
【図１】本発明のムライト−コージライト複合焼結体を
用いたハンドリングアームを示す斜視図である。
用いたハンドリングアームを示す斜視図である。
【図２】本発明のムライト−コージライト複合焼結体を
用いた真空チャックを示す縦断面図である。
用いた真空チャックを示す縦断面図である。
【図３】本発明のムライト−コージライト複合焼結体を
用いた静電チャックを示す縦断面図である。
用いた静電チャックを示す縦断面図である。
【図４】本発明のムライト−コージライト複合焼結体を
用いた半導体素子収納用パッケージを示す断面図であ
る。
用いた半導体素子収納用パッケージを示す断面図であ
る。
【図５】本発明のムライト−コージライト複合焼結体を
用いたダミーウェハを示す斜視図である。
用いたダミーウェハを示す斜視図である。
１０：ハンドリングアーム １１：連通孔 １２：吸入孔 １３：吸着面 ２０：真空チャック ２１：吸着板 ２２：基体 ３０：静電チャック ３１：板状体 ３２：内部電極 ３３：電源 ４０：半導体素子収納用パッケージ ４１：ベース ４２：キャップ ４３：半導体素子 ５０：ダミーウェハ Ｗ：シリコンウェハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/08 Ｄ // Ｈ０１Ｌ 29/84 Ｚ 9278−4Ｍ
Claims (2)
- 【請求項１】ムライト１００重量部に対してコ−ジライ
ト２０〜１００重量部と、これら合計１００重量部に対
して焼結助剤を５〜３０重量部添加混合した原料を焼成
してなるムライト−コージライト複合焼結体。 - 【請求項２】ムライト１００重量部に対してコ−ジライ
ト２０〜１００重量部と、これら合計１００重量部に対
して焼結助剤を５〜３０重量部添加混合した原料を焼成
してなるムライト−コージライト複合焼結体により形成
したことを特徴とする半導体装置用部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5050841A JPH06263531A (ja) | 1993-03-11 | 1993-03-11 | ムライト−コージライト複合焼結体およびこれを用いた半導体装置用部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5050841A JPH06263531A (ja) | 1993-03-11 | 1993-03-11 | ムライト−コージライト複合焼結体およびこれを用いた半導体装置用部材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06263531A true JPH06263531A (ja) | 1994-09-20 |
Family
ID=12869975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5050841A Pending JPH06263531A (ja) | 1993-03-11 | 1993-03-11 | ムライト−コージライト複合焼結体およびこれを用いた半導体装置用部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06263531A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001284442A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Lam Res Corp | 静電チャック及びその製造方法 |
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-
1993
- 1993-03-11 JP JP5050841A patent/JPH06263531A/ja active Pending
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