JPH06267131A - 光磁気記録媒体用膜及びそれを用いた光磁気記録ディスク - Google Patents
光磁気記録媒体用膜及びそれを用いた光磁気記録ディスクInfo
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- JPH06267131A JPH06267131A JP5403493A JP5403493A JPH06267131A JP H06267131 A JPH06267131 A JP H06267131A JP 5403493 A JP5403493 A JP 5403493A JP 5403493 A JP5403493 A JP 5403493A JP H06267131 A JPH06267131 A JP H06267131A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、多結晶ガーネット膜を利用した光
磁気記録媒体用膜及びそれを用いた光磁気記録ディスク
を提供することを目的とする。 【構成】 本発明の光磁気記録ディスクは、高耐熱ガラ
ス基板上に酸化物アモルファス膜を積層しその上に少な
くとも１層以上のガーネット膜を形成することによって
構成される。この記録膜と下地膜から成る２層のガーネ
ット膜は、ＢｉxＲ3-X ＭY Ｆｅ5-Y Ｏ12（ここで、０
≦Ｘ≦３、０≦Ｙ≦５、Ｒはイットリュウムを含む１種
類以上の希土類元素、Ｍは鉄と置換可能な３価の金属を
表す）の組成で代表される多結晶ガーネットであって、
２層の結晶格子定数が±０．３％以上異なる。この記録
膜には、原子量比で５ａｔ％以上のＣｕが添加される。 【効果】 本発明の光磁気記録ディスクは、クラック発
生が抑制され媒体ノイズが大幅に減少した。
磁気記録媒体用膜及びそれを用いた光磁気記録ディスク
を提供することを目的とする。 【構成】 本発明の光磁気記録ディスクは、高耐熱ガラ
ス基板上に酸化物アモルファス膜を積層しその上に少な
くとも１層以上のガーネット膜を形成することによって
構成される。この記録膜と下地膜から成る２層のガーネ
ット膜は、ＢｉxＲ3-X ＭY Ｆｅ5-Y Ｏ12（ここで、０
≦Ｘ≦３、０≦Ｙ≦５、Ｒはイットリュウムを含む１種
類以上の希土類元素、Ｍは鉄と置換可能な３価の金属を
表す）の組成で代表される多結晶ガーネットであって、
２層の結晶格子定数が±０．３％以上異なる。この記録
膜には、原子量比で５ａｔ％以上のＣｕが添加される。 【効果】 本発明の光磁気記録ディスクは、クラック発
生が抑制され媒体ノイズが大幅に減少した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はガーネット型光磁気記録
媒体用膜及びそれを用いた光磁気記録ディスクに関す
る。
媒体用膜及びそれを用いた光磁気記録ディスクに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】基本組成がＲ3 Ｆｅ5 Ｏ12（ここでＲは
イットリウムを含む希土類元素）で表される希土類鉄ガ
ーネットは希土類サイトにＢｉを置換することにより、
短波長において現行媒体である非晶質希土類遷移金属合
金膜よりも極めて大きな磁気光学効果を示す。さらに鉄
サイトにＧａやＡｌ等の３価の金属を置換することによ
りキュリー温度を調節して、半導体レーザーにて加熱す
ることによりビットの書き込みが可能である。また酸化
物であるため高耐食性を示す。この様なＢｉ置換ガーネ
ットは短波長レーザーを用いた高密度光磁気記録用の媒
体として有望視されている。
イットリウムを含む希土類元素）で表される希土類鉄ガ
ーネットは希土類サイトにＢｉを置換することにより、
短波長において現行媒体である非晶質希土類遷移金属合
金膜よりも極めて大きな磁気光学効果を示す。さらに鉄
サイトにＧａやＡｌ等の３価の金属を置換することによ
りキュリー温度を調節して、半導体レーザーにて加熱す
ることによりビットの書き込みが可能である。また酸化
物であるため高耐食性を示す。この様なＢｉ置換ガーネ
ットは短波長レーザーを用いた高密度光磁気記録用の媒
体として有望視されている。
【０００３】ガラス等の透明基板上に形成したガーネッ
トは多結晶膜であり、粒界に由来する光学的不均一のた
め媒体ノイズが大きいという欠点があった。この欠点を
解消するには、レーザースポットに比べ結晶粒径を十分
微細化することが必須である。結晶粒を微細化する方法
としては５０℃／秒以上の昇温速度で熱処理する高速昇
温法（T. Szuki, G. Zaharchuk, G. Gorman, F. Sequed
a and P. Labun, IEEETrans. Mag., 26(5), 1927(199
0))、Ｒｂ添加した硝酸塩水溶液を乾燥・熱処理結晶化
させる熱分解法（K. Nakagawa, K. Odagawa and A. Ito
h, Jpn. J. Appl.Phys., 29, 1690(1990)) などが提案
されている。また、本発明者らはガラス基板上に記録膜
と下地膜という２層構造の多結晶ガーネット膜を形成
し、記録層ガーネット膜の結晶粒をサブミクロンまで微
細化した光磁気記録媒体膜を発明した（特願平０２−３
０７６００、０３−２９９２８４）。この方法では、ま
ずガーネット多結晶下地膜を熱処理結晶化にて形成して
おき、その上に格子定数が±０．３％以上異なるガーネ
ット記録膜を積層させた。界面エネルギーの低い下地膜
と記録膜の界面よりガーネット記録膜の結晶核を優先的
に発生させ、サブミクロン以下の微細な結晶粒を実現し
た。
トは多結晶膜であり、粒界に由来する光学的不均一のた
め媒体ノイズが大きいという欠点があった。この欠点を
解消するには、レーザースポットに比べ結晶粒径を十分
微細化することが必須である。結晶粒を微細化する方法
としては５０℃／秒以上の昇温速度で熱処理する高速昇
温法（T. Szuki, G. Zaharchuk, G. Gorman, F. Sequed
a and P. Labun, IEEETrans. Mag., 26(5), 1927(199
0))、Ｒｂ添加した硝酸塩水溶液を乾燥・熱処理結晶化
させる熱分解法（K. Nakagawa, K. Odagawa and A. Ito
h, Jpn. J. Appl.Phys., 29, 1690(1990)) などが提案
されている。また、本発明者らはガラス基板上に記録膜
と下地膜という２層構造の多結晶ガーネット膜を形成
し、記録層ガーネット膜の結晶粒をサブミクロンまで微
細化した光磁気記録媒体膜を発明した（特願平０２−３
０７６００、０３−２９９２８４）。この方法では、ま
ずガーネット多結晶下地膜を熱処理結晶化にて形成して
おき、その上に格子定数が±０．３％以上異なるガーネ
ット記録膜を積層させた。界面エネルギーの低い下地膜
と記録膜の界面よりガーネット記録膜の結晶核を優先的
に発生させ、サブミクロン以下の微細な結晶粒を実現し
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
いずれの結晶粒微細化法においても多結晶ガーネット膜
をガラス等の透明基板上に形成するには熱処理によって
結晶化させるプロセスが必須である。Ｂｉ置換ガーネッ
トはＢｉ置換量の減少と共に結晶化温度が顕著に増加す
る。例えばＢｉ2 Ｄｙ1 Ｇａ1 Ｆｅ4 Ｏ12の結晶化温度
は６２０℃であるのに対してＢｉ0.5 Ｄｙ2.5 Ｇａ1 Ｆ
ｅ4 Ｏ12の結晶化温度は７５０℃まで上昇する。Ｂｉ置
換量が多い場合でも異相のない均一なガーネット膜を形
成するために、しばしば７００℃以上の温度で熱処理す
る場合がある。この様な高温での熱処理に耐えられるガ
ラス基板は、種類が限られており例えば低アルカリガラ
ス基板や石英ガラス基板などがある。ところがこの様な
高耐熱ガラスはアルカリ成分が少ないため、必然的に熱
膨張係数がガーネット膜に比べ極めて小さい。例えば、
熱膨張係数は低アルカリガラス基板では４０×１０
-7（／℃）、石英基板では４×１０-7（／℃）である。
一方、ガーネット膜の熱膨張係数は約１００×１０
-7（／℃）である。したがってこの様な高耐熱低熱膨張
基板上にガーネット膜を熱処理結晶化させると、膜にガ
ラス基板からの引っ張り応力がかかりガーネット膜に粒
界に沿ったクラックが発生する。このクラックは光学顕
微鏡で容易に観察されるほどの光学的不均一を誘起し、
クラック上のビット形状は乱れかつ極めて大きな媒体ノ
イズの原因となる。
いずれの結晶粒微細化法においても多結晶ガーネット膜
をガラス等の透明基板上に形成するには熱処理によって
結晶化させるプロセスが必須である。Ｂｉ置換ガーネッ
トはＢｉ置換量の減少と共に結晶化温度が顕著に増加す
る。例えばＢｉ2 Ｄｙ1 Ｇａ1 Ｆｅ4 Ｏ12の結晶化温度
は６２０℃であるのに対してＢｉ0.5 Ｄｙ2.5 Ｇａ1 Ｆ
ｅ4 Ｏ12の結晶化温度は７５０℃まで上昇する。Ｂｉ置
換量が多い場合でも異相のない均一なガーネット膜を形
成するために、しばしば７００℃以上の温度で熱処理す
る場合がある。この様な高温での熱処理に耐えられるガ
ラス基板は、種類が限られており例えば低アルカリガラ
ス基板や石英ガラス基板などがある。ところがこの様な
高耐熱ガラスはアルカリ成分が少ないため、必然的に熱
膨張係数がガーネット膜に比べ極めて小さい。例えば、
熱膨張係数は低アルカリガラス基板では４０×１０
-7（／℃）、石英基板では４×１０-7（／℃）である。
一方、ガーネット膜の熱膨張係数は約１００×１０
-7（／℃）である。したがってこの様な高耐熱低熱膨張
基板上にガーネット膜を熱処理結晶化させると、膜にガ
ラス基板からの引っ張り応力がかかりガーネット膜に粒
界に沿ったクラックが発生する。このクラックは光学顕
微鏡で容易に観察されるほどの光学的不均一を誘起し、
クラック上のビット形状は乱れかつ極めて大きな媒体ノ
イズの原因となる。
【０００５】本発明はガーネット膜よりも小さな熱膨張
係数を示す高耐熱ガラス基板上へのガーネット膜の形成
において発生するクラックを防止し、媒体ノイズを減少
させることを目的とする。
係数を示す高耐熱ガラス基板上へのガーネット膜の形成
において発生するクラックを防止し、媒体ノイズを減少
させることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明によ
れば、透明基板、その上に形成された熱膨張係数が５０
〜１５０×１０-7（／℃）の範囲にある酸化物のアモル
ファス膜、および該アモルファス膜上に形成された少な
くとも１層以上のガーネット膜とからなることを特徴と
する光磁気記録媒体用膜によって達成される。また、上
記目的は、本発明によれば、前記ガーネット膜が２層
（記録膜と下地膜）よりなり、ＢｉX Ｒ3-X Ｍ YＦｅ
5-Y Ｏ12（ここで、０≦Ｘ≦３、０≦Ｙ≦５、Ｒはイッ
トリウムを含む１種類以上の希土類元素、Ｍは鉄と置換
可能な３価の金属を表す）の組成で代表される多結晶ガ
ーネットであって、２層の結晶格子定数が±０．３％以
上異なることを特徴とする請求項１記載の光磁気記録媒
体用膜によって達成される。また、上記目的は、本発明
によれば、前記アモルファス膜上のガーネット２層膜の
記録膜に、酸素を除いた原子量比で５at％以下のＣｕを
添加したことを特徴とする光磁気記録媒体用膜によって
達成される。さらに、上記目的は、本発明によれば、前
記光磁気記録媒体用膜を用いた光磁気記録ディスクによ
って達成される。なお、本発明は、ガラス等透明基板と
ガーネット膜の間に熱膨張係数が５０〜１５０×１０-7
（／℃）の範囲にあるアモルファスの酸化物膜を形成す
ることによってガーネット膜に発生するクラックを抑制
する。ただし、このアモルファス酸化物はその上にガー
ネット膜を形成する際に結晶化してはならない。この様
な酸化物アモルファス膜の例としては結晶化温度が極め
て高くＢｉをほとんど含まないガーネット組成系、スピ
ネル組成系、ペロブスカイト組成系などがある。ここで
アモルファス酸化物の上に形成するガーネット膜とは単
層膜のみならずＢｉ X Ｒ3-X Ｍ YＦｅ5-Y Ｏ12（ここ
で、０≦Ｘ≦３、０≦Ｙ≦５、Ｒはイットリウムを含む
１種類以上の希土類元素、Ｍは鉄と置換可能な３価の金
属を表す）の組成で代表される多結晶ガーネットにあっ
て、結晶格子定数が±０．３％以上異なる２層からなる
多結晶ガーネット膜等も含む。さらにガーネット記録膜
の保磁力を増大させるため、ガーネット２層膜（記録膜
と下地膜）の記録膜に酸素を除いた原子量比で５at％以
下のＣｕを添加しても良い。第１図に本発明による光磁
気記録媒体用ガーネット膜の構成を示す。（１）は透明
基板である。ここで基板とは、高分子、ガラス等の非晶
質、および多結晶質よりなる高耐熱性でかつガーネット
との熱膨張係数値が大きく異なる基板を含む。（２）は
酸化物アモルファス膜、（３）はガーネット膜である。
（４）はガーネットおよび酸化物アモルファス膜が透明
であることから記録／再生に必要な反射膜である。
れば、透明基板、その上に形成された熱膨張係数が５０
〜１５０×１０-7（／℃）の範囲にある酸化物のアモル
ファス膜、および該アモルファス膜上に形成された少な
くとも１層以上のガーネット膜とからなることを特徴と
する光磁気記録媒体用膜によって達成される。また、上
記目的は、本発明によれば、前記ガーネット膜が２層
（記録膜と下地膜）よりなり、ＢｉX Ｒ3-X Ｍ YＦｅ
5-Y Ｏ12（ここで、０≦Ｘ≦３、０≦Ｙ≦５、Ｒはイッ
トリウムを含む１種類以上の希土類元素、Ｍは鉄と置換
可能な３価の金属を表す）の組成で代表される多結晶ガ
ーネットであって、２層の結晶格子定数が±０．３％以
上異なることを特徴とする請求項１記載の光磁気記録媒
体用膜によって達成される。また、上記目的は、本発明
によれば、前記アモルファス膜上のガーネット２層膜の
記録膜に、酸素を除いた原子量比で５at％以下のＣｕを
添加したことを特徴とする光磁気記録媒体用膜によって
達成される。さらに、上記目的は、本発明によれば、前
記光磁気記録媒体用膜を用いた光磁気記録ディスクによ
って達成される。なお、本発明は、ガラス等透明基板と
ガーネット膜の間に熱膨張係数が５０〜１５０×１０-7
（／℃）の範囲にあるアモルファスの酸化物膜を形成す
ることによってガーネット膜に発生するクラックを抑制
する。ただし、このアモルファス酸化物はその上にガー
ネット膜を形成する際に結晶化してはならない。この様
な酸化物アモルファス膜の例としては結晶化温度が極め
て高くＢｉをほとんど含まないガーネット組成系、スピ
ネル組成系、ペロブスカイト組成系などがある。ここで
アモルファス酸化物の上に形成するガーネット膜とは単
層膜のみならずＢｉ X Ｒ3-X Ｍ YＦｅ5-Y Ｏ12（ここ
で、０≦Ｘ≦３、０≦Ｙ≦５、Ｒはイットリウムを含む
１種類以上の希土類元素、Ｍは鉄と置換可能な３価の金
属を表す）の組成で代表される多結晶ガーネットにあっ
て、結晶格子定数が±０．３％以上異なる２層からなる
多結晶ガーネット膜等も含む。さらにガーネット記録膜
の保磁力を増大させるため、ガーネット２層膜（記録膜
と下地膜）の記録膜に酸素を除いた原子量比で５at％以
下のＣｕを添加しても良い。第１図に本発明による光磁
気記録媒体用ガーネット膜の構成を示す。（１）は透明
基板である。ここで基板とは、高分子、ガラス等の非晶
質、および多結晶質よりなる高耐熱性でかつガーネット
との熱膨張係数値が大きく異なる基板を含む。（２）は
酸化物アモルファス膜、（３）はガーネット膜である。
（４）はガーネットおよび酸化物アモルファス膜が透明
であることから記録／再生に必要な反射膜である。
【０００７】
【作用】ガーネット膜に発生するクラックを抑制するに
は、ガーネット膜にかかるガラス基板からの引っ張り応
力を減少させる必要がある。このためにはガラス基板と
ガーネット膜間の応力を緩和させるような第三層を挿入
すれば良い。この第三層の条件としてはガラス基板に
比べ熱膨張係数の値がガーネット膜の値に近いこと（５
０〜１５０×１０-7／℃）、ガラス基板およびガーネ
ット膜との密着性が良いこと、第三層自身にクラック
を発生しやすい粒界を持たないこと、が必須である。条
件を満たす酸化物には、例えばガーネット組成系のア
モルファス膜がある。条件を満たすにはガラスおよび
ガーネットが酸化物であるから同質の酸化物が最適であ
る。条件を満たすには結晶構造を示さないアモルファ
スが最適である。ただしこの場合その上にガーネット膜
を形成する際にアモルファス酸化物膜自身が結晶化しな
いことが必要である。したがって応力を緩和する第三層
としては高結晶化温度ガーネット組成系の酸化物アモル
ファス膜が望ましい。実施例で細述するように酸化物ア
モルファス膜をガラス基板上に形成し、その上にガーネ
ット膜を形成するとガラス基板からの引っ張り応力が緩
和され、クラック発生が抑制される。この様なガーネッ
ト膜ではクラック由来の大きな媒体ノイズは大幅に減少
した。
は、ガーネット膜にかかるガラス基板からの引っ張り応
力を減少させる必要がある。このためにはガラス基板と
ガーネット膜間の応力を緩和させるような第三層を挿入
すれば良い。この第三層の条件としてはガラス基板に
比べ熱膨張係数の値がガーネット膜の値に近いこと（５
０〜１５０×１０-7／℃）、ガラス基板およびガーネ
ット膜との密着性が良いこと、第三層自身にクラック
を発生しやすい粒界を持たないこと、が必須である。条
件を満たす酸化物には、例えばガーネット組成系のア
モルファス膜がある。条件を満たすにはガラスおよび
ガーネットが酸化物であるから同質の酸化物が最適であ
る。条件を満たすには結晶構造を示さないアモルファ
スが最適である。ただしこの場合その上にガーネット膜
を形成する際にアモルファス酸化物膜自身が結晶化しな
いことが必要である。したがって応力を緩和する第三層
としては高結晶化温度ガーネット組成系の酸化物アモル
ファス膜が望ましい。実施例で細述するように酸化物ア
モルファス膜をガラス基板上に形成し、その上にガーネ
ット膜を形成するとガラス基板からの引っ張り応力が緩
和され、クラック発生が抑制される。この様なガーネッ
ト膜ではクラック由来の大きな媒体ノイズは大幅に減少
した。
【０００８】
【実施例】以下に本発明の実施例を挙げる。製膜は高周
波スパッタ法で行った。基板には低アルカリガラス（熱
膨張係数：４０×１０-7（／℃））を使用した。ガーネ
ット膜および酸化物アモルファス膜のスパッタはセラミ
ックターゲットを用いて、３０ｍＴｏｒｒのＡｒ雰囲気
中で実行した。投入高周波パワーは２００Ｗである。酸
化物アモルファス膜上のガーネット膜はアルゴンと酸素
の混合ガス中で７００℃未満にて熱処理結晶化させた。
ここでアモルファス酸化物膜の結晶化温度は７００℃以
上である。
波スパッタ法で行った。基板には低アルカリガラス（熱
膨張係数：４０×１０-7（／℃））を使用した。ガーネ
ット膜および酸化物アモルファス膜のスパッタはセラミ
ックターゲットを用いて、３０ｍＴｏｒｒのＡｒ雰囲気
中で実行した。投入高周波パワーは２００Ｗである。酸
化物アモルファス膜上のガーネット膜はアルゴンと酸素
の混合ガス中で７００℃未満にて熱処理結晶化させた。
ここでアモルファス酸化物膜の結晶化温度は７００℃以
上である。
【０００９】実施例１） 酸化物アモルファス膜：Ｂｉ0.2 Ｄｙ2.8 Ｇａ1.0 Ｆｅ
4.0 Ｏ12組成のアモルファス膜（１００nm） ガーネット膜 ：Ｂｉ1.5 Ｄｙ1.5 Ｇａ1.0 Ｆｅ
4.0 Ｏ12（１５０nm） アモルファス酸化物膜を積層することにより、アモルフ
ァス酸化物膜がない場合に発生したクラックが解消され
た。
4.0 Ｏ12組成のアモルファス膜（１００nm） ガーネット膜 ：Ｂｉ1.5 Ｄｙ1.5 Ｇａ1.0 Ｆｅ
4.0 Ｏ12（１５０nm） アモルファス酸化物膜を積層することにより、アモルフ
ァス酸化物膜がない場合に発生したクラックが解消され
た。
【００１０】実施例２） アモルファス酸化物膜 ：Ｙ3 Ｆｅ5 Ｏ12組成のアモ
ルファス膜（４００nm) ガーネット２層膜〜下地膜：Ｂｉ0.7 Ｄｙ2.3 Ａｌ1.0
Ｆｅ4.0 Ｏ12（１００nm） 記録膜：Ｂｉ2.0 Ｄｙ1.0 Ａｌ1.0 Ｆｅ4.0 Ｏ12（１０
０nm） クラックの発生が解消されたため形状の良好なビットが
書き込み可能であった。
ルファス膜（４００nm) ガーネット２層膜〜下地膜：Ｂｉ0.7 Ｄｙ2.3 Ａｌ1.0
Ｆｅ4.0 Ｏ12（１００nm） 記録膜：Ｂｉ2.0 Ｄｙ1.0 Ａｌ1.0 Ｆｅ4.0 Ｏ12（１０
０nm） クラックの発生が解消されたため形状の良好なビットが
書き込み可能であった。
【００１１】実施例３） アモルファス酸化物膜 ：Ｇｄ3 Ｇａ5 Ｏ12組成のア
モルファス膜（２００nm) ガーネット２層膜〜下地膜：Ｂｉ0.5 Ｄｙ2.5 Ａｌ2.0
Ｆｅ3.0 Ｏ12（１００nm） 記録膜：Ｂｉ2.0 Ｄｙ1.0 Ａｌ1.0 Ｆｅ4.0 Ｏ12、Ｃｕ
０．１at％添加（１００nm) クラック発生が解消され媒体ノイズが３５dBから１５dB
へ大幅に減少した。
モルファス膜（２００nm) ガーネット２層膜〜下地膜：Ｂｉ0.5 Ｄｙ2.5 Ａｌ2.0
Ｆｅ3.0 Ｏ12（１００nm） 記録膜：Ｂｉ2.0 Ｄｙ1.0 Ａｌ1.0 Ｆｅ4.0 Ｏ12、Ｃｕ
０．１at％添加（１００nm) クラック発生が解消され媒体ノイズが３５dBから１５dB
へ大幅に減少した。
【００１２】
【発明の効果】以上、実施例において説明したように、
ガーネット膜を利用した光磁気記録媒体において、高耐
熱ガラス基板とガーネット膜間にアモルファス酸化物膜
を積層することによりガラス基板からの引っ張り応力に
よるクラック発生を抑制し、形状良好なビット書き込み
と低媒体ノイズを実現した。このような本発明によるガ
ーネット膜は、短波長での高密度光磁気記録媒体として
有効である。
ガーネット膜を利用した光磁気記録媒体において、高耐
熱ガラス基板とガーネット膜間にアモルファス酸化物膜
を積層することによりガラス基板からの引っ張り応力に
よるクラック発生を抑制し、形状良好なビット書き込み
と低媒体ノイズを実現した。このような本発明によるガ
ーネット膜は、短波長での高密度光磁気記録媒体として
有効である。
【図１】本発明による光磁気記録媒体の構造を模式的に
示す断面図である。
示す断面図である。
Claims (4)
- 【請求項１】 透明基板、その上に形成された熱膨張係
数が５０〜１５０×１０-7（／℃）の範囲にある酸化物
のアモルファス膜、および該アモルファス膜上に形成さ
れた少なくとも１層以上のガーネット膜とからなること
を特徴とする光磁気記録媒体用膜。 - 【請求項２】 前記ガーネット膜が２層（記録膜と下地
膜）よりなり、Ｂｉ X Ｒ3-X Ｍ YＦｅ5-Y Ｏ12（ここ
で、０≦Ｘ≦３、０≦Ｙ≦５、Ｒはイットリウムを含む
１種類以上の希土類元素、Ｍは鉄と置換可能な３価の金
属を表す）の組成で代表される多結晶ガーネットであっ
て、２層の結晶格子定数が±０．３％以上異なることを
特徴とする請求項１記載の光磁気記録媒体用膜。 - 【請求項３】 前記アモルファス膜上のガーネット２層
膜の記録膜に、酸素を除いた原子量比で５at％以下のＣ
ｕを添加したことを特徴とする請求項２記載の光磁気記
録媒体用膜。 - 【請求項４】 請求項１，２及び３記載の光磁気記録媒
体用膜を用いた光磁気記録ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5403493A JPH06267131A (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | 光磁気記録媒体用膜及びそれを用いた光磁気記録ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5403493A JPH06267131A (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | 光磁気記録媒体用膜及びそれを用いた光磁気記録ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06267131A true JPH06267131A (ja) | 1994-09-22 |
Family
ID=12959310
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5403493A Pending JPH06267131A (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | 光磁気記録媒体用膜及びそれを用いた光磁気記録ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06267131A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1777281A3 (en) * | 2005-10-24 | 2007-10-03 | Fujifilm Corporation | Inorganic compound, composition and molded body containing the same, light emitting device, and solid laser device |
-
1993
- 1993-03-15 JP JP5403493A patent/JPH06267131A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1777281A3 (en) * | 2005-10-24 | 2007-10-03 | Fujifilm Corporation | Inorganic compound, composition and molded body containing the same, light emitting device, and solid laser device |
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