JPH062677U - ホットプレート用リフトピン - Google Patents
ホットプレート用リフトピンInfo
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- JPH062677U JPH062677U JP4485792U JP4485792U JPH062677U JP H062677 U JPH062677 U JP H062677U JP 4485792 U JP4485792 U JP 4485792U JP 4485792 U JP4485792 U JP 4485792U JP H062677 U JPH062677 U JP H062677U
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 板状被処理物をベーク装置内で均一加熱する
ためのリフトピン先端のチップ交換を容易に行なえるよ
うにする。 【構成】 リフトピン４５はピン本体４６の上端に設け
た雄ネジ部４６ａに螺着される受け部４７と、この受け
部４７に着脱自在に嵌め込まれるチップ４８とから構成
される。チップ４８はポリイミド樹脂等の耐熱性樹脂や
ステンレスからなり、その形状は図６の右側部分に示す
ように、上半部４８ａを砲弾形とし、下端部４８ｂを若
干大径とし、これら上半部４８ａと下端部４８ｂの間を
ネック部４８ｃとしたもの、或いは図６の左側部分に示
すように、上半部４８ａを棒状とし、この棒状上半部４
８ａの下端をフランジ部４８ｄとし、このフランジ部４
８ｄと下端部４８ｂの間をネック部４８ｃとしたもので
もよい。受け部４７にはすり割４７ａが形成され、この
すり割４７ａの上端には前記チップ４８のネック部４８
ｃを保持する係止部４７ｂを形成している。
ためのリフトピン先端のチップ交換を容易に行なえるよ
うにする。 【構成】 リフトピン４５はピン本体４６の上端に設け
た雄ネジ部４６ａに螺着される受け部４７と、この受け
部４７に着脱自在に嵌め込まれるチップ４８とから構成
される。チップ４８はポリイミド樹脂等の耐熱性樹脂や
ステンレスからなり、その形状は図６の右側部分に示す
ように、上半部４８ａを砲弾形とし、下端部４８ｂを若
干大径とし、これら上半部４８ａと下端部４８ｂの間を
ネック部４８ｃとしたもの、或いは図６の左側部分に示
すように、上半部４８ａを棒状とし、この棒状上半部４
８ａの下端をフランジ部４８ｄとし、このフランジ部４
８ｄと下端部４８ｂの間をネック部４８ｃとしたもので
もよい。受け部４７にはすり割４７ａが形成され、この
すり割４７ａの上端には前記チップ４８のネック部４８
ｃを保持する係止部４７ｂを形成している。
Description
【０００１】
本考案はガラス基板や半導体ウェハ等の板状被処理物をホットプレートを用い て加熱するリフトピンに関する。
【０００２】
ガラス基板や半導体ウェハ等の板状被処理物の表面に塗布したレジスト液を加 熱して被膜を形成する装置として従来からホットプレートを備えたベーク装置が 用いられている。このベーク装置は、板状被処理物表面にレジスト液を塗布した 後、搬送装置によって板状被処理物をホットプレート上に移載し、ホットプレー トの熱により板状被処理物表面に塗布されたレジスト液を加熱して被膜を形成す るようにしたものである。
【０００３】 上述した従来のベーク装置にあっては、ホットプレート上面に板状被処理物を 直接載置して加熱するため、またホットプレート自体も平面的に全て等しく発熱 するわけではなく温度にムラがあるので、板状被処理物を均一に加熱することが 困難であった。そこで、本出願人は先にリフトピンにて板状被処理物をホットプ レートから持ち上げてベーク処理する装置を提案した。
【０００４】
上記のようにリフトピンを設けることで板状被処理物の均一加熱が可能となる が、ホットプレートは通常２５０℃前後で使用するため、長期間の使用によりリ フトピンの先端が焼き切れる不利が生じた。そこで、リフトピン先端にチップを ネジ込んで着脱自在とすることを試みたが、熱の影響によりチップが外れなくな る場合が生じた。また単にチップを差し込み式にした場合には、板状被処理物の 下面にチップがくっついてリフトピンからチップが抜けてしまった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】 上記課題を解決すべく本考案は、ベーク装置のホットプレートに形成した貫通 孔に挿通されるピン本体上端にチップの受け部を設け、チップにはネック部を形 成し、受け部にはチップの下部が入り込むすり割と、チップのネック部を保持す る係止部を形成した。
【０００６】
受け部に上方からチップを押し込むことでチップを装着でき、受け部のすり割 を広げることでチップを外すことができる。
【０００７】
以下に本考案の実施例を添付図面に基づいて説明する。ここで、図１は本考案 に係るリフトピンを備えたベーク装置を組み込んだ被膜形成装置の平面図、図２ はベーク装置の正面図、図３は図２のＡ−Ａ方向矢示図、図４は図３のＢ−Ｂ方 向矢示図、図５は図４の要部拡大図、図６はリフトピンの分解斜視図である。
【０００８】 被膜形成装置は図１の左側を上流部とし、この上流部にガラス基板等の板状被 処理物Ｗの投入部１を設け、この投入部１の下流側に塗布装置２を配置し、この 塗布装置２の下流側に順次、減圧乾燥装置３、被処理物Ｗの裏面洗浄装置４、本 発明のベーク装置５及び取り出し部６を配置し、投入部１からベーク装置５に至 るまでは搬送装置７にて板状被処理物Ｗを移動させ、また塗布装置２の前面側に は交換可能な塗布液供給装置８を配置し、この塗布液供給装置９から供給される 塗布液を移動可能なノズル９を用いて板状被処理物Ｗ表面に滴下するようにして いる。
【０００９】 ベーク装置５は上流部に板状被処理物Ｗの受け渡し部１０を、下流部に板状被 処理物Ｗの温度を所定温度まで下げるクーリングプレート１１を配置し、これら 受け渡し部１０とクーリングプレート１１との間に板状被処理物Ｗの搬送方向に 沿って３個のホットプレート１２…を配置している。
【００１０】 ホットプレート１２は図４に示すようにベーク装置５の機枠１３の底部から立 設した支柱１４に上面を開放したボックス部１５を設け、このボックス部１５内 に水平に取り付けられている。
【００１１】 また、板状被処理物Ｗは搬送装置１６によって各ホットプレート１２上を順次 移し換えられる。この搬送装置１６は、機枠１３の底部に板状被処理物Ｗの搬送 方向と平行にレール１７，１７を敷設し、このレール１７に支持プレート１８を 走行可能に係合し、この支持プレート１８上に支柱１９を立設し、この支柱１９ 上端からホットプレート１２上面に沿って支持ロッド２０を水平に延出し、この 支持ロッド２０にて板状被処理物Ｗ下面を支持するようにしている。尚、支持ロ ッド２０とホットプレート１２との間隔はできるだけ小さくする。
【００１２】 一方、機枠１３内にはモータ２１を固設し、このモータ２１の回転を機枠１３ の底部に板状被処理物Ｗの搬送方向と直交する方向に配置された軸２２に伝え、 この軸２２の回転をピニオン２３を介して前記支持プレート１８に取り付けたラ ック２４に伝達し、レール１７に沿って支持プレート１８、つまり支持ロッド２ ０が往復動するようにしている。
【００１３】 また、機枠１３には軸２５を介して蓋体２６が開閉自在に支持されている。こ の蓋体２６は一端（図４において右端）に把持部２７を設け、また機枠１３との 間にエアクッション２８を架設して蓋体２６を閉じる時に勢いよく蓋体２６が落 ちないようにするとともに蓋体２６を小さな力で持ち上げることができるように している。
【００１４】 そして、蓋体２６の裏面には蓋体２６を閉じた状態でホットプレート１２に対 向する反射板２９を取り付け、この反射板２９を貫通して反射板２９とホットプ レート１２との間に形成されるパージ室３０に窒素ガス等を導入するノズル３１ を設けている。
【００１５】 また、前記ボックス部１５の下方には図３に示すようにＨ字状のプレート４０ を配置し、各プレート４０に上下方向のシリンダユニット４１…を合計８本配置 している。そして図５に示すように各シリンダユニット４１のロッド４２上端と ホットプレート１２に形成した貫通孔４３の下端開口との間にはベローズ４４を 設け、パージ室３０内のガスが逃げないようにしている。
【００１６】 また、ロッド４２上端にはリフトピン４５を取り付けている。図６に示すよう にリフトピン４５はホットプレート１２の貫通孔４３に挿通されるピン本体４６ と、このピン本体４６の上端に設けた雄ネジ部４６ａに螺着される受け部４７と 、この受け部４７に着脱自在に嵌め込まれるチップ４８とから構成される。
【００１７】 チップ４８はポリイミド樹脂等の耐熱性樹脂やステンレスからなり、その形状 は図６の右側部分に示すように、上半部４８ａを砲弾形とし、下端部４８ｂを若 干大径とし、これら上半部４８ａと下端部４８ｂの間をネック部４８ｃとしたも の、或いは図６の左側部分に示すように、上半部４８ａを棒状とし、この棒状上 半部４８ａの下端をフランジ部４８ｄとし、このフランジ部４８ｄと下端部４８ ｂの間をネック部４８ｃとしたものでもよい。
【００１８】 更に、受け部４７にはすり割４７ａが形成され、このすり割４７ａの上端には 前記チップ４８のネック部４８ｃを保持する係止部４７ｂを形成している。 而して受け部４７にチップ４８を嵌め込むには、チップ４８の下端部４８ｂを すり割４７ａ内に押し込める。すると、ネック部４８ｃが係止部４７ｂに引っ掛 かりチップ４８が抜けなくなる。また、チップ４８を交換するために受け部４７ から取り外すには、治具等を用いてすり割４７ａを左右に広げる。
【００１９】 以上において、ベーク処理を行なう場合には、リフトピン４５を上昇させ、搬 送装置１６の支持ロッド２０から板状被処理物Ｗを支えるようにして受け取り、 ホットプレート１２との間に所定の隙間を形成した状態で行なう。そして、１つ のホットプレート１２におけるベーク処理が終了したら、リフトピン４５を下げ 、再び板状被処理物Ｗを搬送装置１６の支持ロッド２０上に載置し、この状態で 搬送装置により隣のホットプレート１２上に板状被処理物Ｗを移し、同様にして ベーク処理を行なう。
【００２０】
以上に説明したように本考案によれば、ピン本体上端にチップの受け部を設け 、この受け部にチップの下部が入り込むすり割と、チップのネック部を保持する 係止部を形成したので、板状被処理物の均一加熱が可能であるとともに、リフト ピン先端のチップの交換を簡単に行なうことができる。
【図１】本考案に係るリフトピンを備えたベーク装置を
組み込んだ被膜形成装置の平面図
組み込んだ被膜形成装置の平面図
【図２】ベーク装置の正面図
【図３】図２のＡ−Ａ方向矢示図
【図４】図３のＢ−Ｂ方向矢示図
【図５】図４の要部拡大図
【図６】リフトピンの分解斜視図
５…ベーク装置、１２…ホットプレート、１６…搬送装
置、４０…プレート、４１…シリンダユニット、４３…
貫通孔、４５…リフトピン、４６…ピン本体、４７…受
け部、４７ａ…すり割、４７ｂ…係止部、４８…チッ
プ、４８ｃ…ネック部、Ｗ…板状被処理物。
置、４０…プレート、４１…シリンダユニット、４３…
貫通孔、４５…リフトピン、４６…ピン本体、４７…受
け部、４７ａ…すり割、４７ｂ…係止部、４８…チッ
プ、４８ｃ…ネック部、Ｗ…板状被処理物。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 藤山 重美 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 ホットプレート上の板状被処理物を下方
から支持するリフトピンにおいて、このリフトピンはホ
ットプレートに形成した貫通孔に挿通されるピン本体
と、このピン本体の上端に設けられる受け部と、この受
け部に着脱自在に取り付けられるチップとからなり、こ
のチップにはネック部が形成され、また前記受け部には
チップの下部が入り込むすり割と、チップのネック部を
保持する係止部が形成されていることを特徴とするホッ
トプレート用リフトピン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4485792U JP2586680Y2 (ja) | 1992-06-04 | 1992-06-04 | ホットプレート用リフトピン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4485792U JP2586680Y2 (ja) | 1992-06-04 | 1992-06-04 | ホットプレート用リフトピン |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH062677U true JPH062677U (ja) | 1994-01-14 |
| JP2586680Y2 JP2586680Y2 (ja) | 1998-12-09 |
Family
ID=12703157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4485792U Expired - Lifetime JP2586680Y2 (ja) | 1992-06-04 | 1992-06-04 | ホットプレート用リフトピン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2586680Y2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10107129A (ja) * | 1996-09-26 | 1998-04-24 | Shibaura Eng Works Co Ltd | 基板処理装置 |
| WO2003030251A1 (en) * | 2001-09-27 | 2003-04-10 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Silicon monocrystal wafer processing device, and method of manufacturing silicon monocrystal wafer and silicon epitaxial wafer |
| JP2009239006A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Tdk Corp | 密閉容器の蓋開閉装置及び該開閉装置を用いたガス置換装置 |
| JP2011054916A (ja) * | 2008-09-12 | 2011-03-17 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP2019083307A (ja) * | 2017-08-31 | 2019-05-30 | バット ホールディング アーゲー | 動的靭帯バランシングシステム |
| JP2021510010A (ja) * | 2018-01-09 | 2021-04-08 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | ウエハ操作のためのリフトピンシステム |
-
1992
- 1992-06-04 JP JP4485792U patent/JP2586680Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10107129A (ja) * | 1996-09-26 | 1998-04-24 | Shibaura Eng Works Co Ltd | 基板処理装置 |
| WO2003030251A1 (en) * | 2001-09-27 | 2003-04-10 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Silicon monocrystal wafer processing device, and method of manufacturing silicon monocrystal wafer and silicon epitaxial wafer |
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| JP2011054916A (ja) * | 2008-09-12 | 2011-03-17 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び基板処理方法 |
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| JP2021510010A (ja) * | 2018-01-09 | 2021-04-08 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | ウエハ操作のためのリフトピンシステム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2586680Y2 (ja) | 1998-12-09 |
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