JPH06267943A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH06267943A JPH06267943A JP5053723A JP5372393A JPH06267943A JP H06267943 A JPH06267943 A JP H06267943A JP 5053723 A JP5053723 A JP 5053723A JP 5372393 A JP5372393 A JP 5372393A JP H06267943 A JPH06267943 A JP H06267943A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 スタンパ１０６の凹凸面をゲル薄膜１０４に
押しつけて凹凸面を転写した後ゲル薄膜を加熱硬化し、
ゲル薄膜の表面をエッチングしてゲル薄膜の凹部底面を
必要に応じ清浄化した後、その凹部に金属を埋め込んで
配線とする。 【効果】 レジストを用いずに多層配線を形成できるの
で、従来レジストを除去する工程で生じていたゲル薄膜
の吸湿がなく、信頼度の高い多層配線構造を少ない工程
数で形成できる。
押しつけて凹凸面を転写した後ゲル薄膜を加熱硬化し、
ゲル薄膜の表面をエッチングしてゲル薄膜の凹部底面を
必要に応じ清浄化した後、その凹部に金属を埋め込んで
配線とする。 【効果】 レジストを用いずに多層配線を形成できるの
で、従来レジストを除去する工程で生じていたゲル薄膜
の吸湿がなく、信頼度の高い多層配線構造を少ない工程
数で形成できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、多層配線構造を持つ半
導体装置の製造方法に関する。
導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置の製造方法を図１８か
ら図２４に示す。まず、半導体基板３０１に下層配線用
導電膜を形成し、公知のドライエッチング技術を用いて
パターニングして下層配線３０２とする（図１８）。つ
いで、第一のプラズマ酸化膜３０３を形成し（図１
９）、平坦化のために有機塗布ガラス膜（有機スピンオ
ングラス）３０４を形成した後（図２０）、下層配線３
０２の上部に塗布ガラス膜３０４が残らないようにエッ
チバック３０８を行なう（図２１）。更に、第二のプラ
ズマ酸化膜３０９を形成する（図２２）。ついで、公知
のドライエッチング技術を用いて、上層配線と下層配線
の接続孔３１０を形成する（図２３）。その上に上層配
線用導電膜を形成し、公知のドライエッチング技術を用
いてパターニングして上層配線３１５とする（図２
４）。
ら図２４に示す。まず、半導体基板３０１に下層配線用
導電膜を形成し、公知のドライエッチング技術を用いて
パターニングして下層配線３０２とする（図１８）。つ
いで、第一のプラズマ酸化膜３０３を形成し（図１
９）、平坦化のために有機塗布ガラス膜（有機スピンオ
ングラス）３０４を形成した後（図２０）、下層配線３
０２の上部に塗布ガラス膜３０４が残らないようにエッ
チバック３０８を行なう（図２１）。更に、第二のプラ
ズマ酸化膜３０９を形成する（図２２）。ついで、公知
のドライエッチング技術を用いて、上層配線と下層配線
の接続孔３１０を形成する（図２３）。その上に上層配
線用導電膜を形成し、公知のドライエッチング技術を用
いてパターニングして上層配線３１５とする（図２
４）。
【０００３】ここで有機塗布ガラス膜とは、ポリオルガ
ノシロキサン塗布膜の通称であり、珪素と酸素のシロキ
サン結合の主鎖に、側基としてアルキル基やアリル基等
が結合したものである。
ノシロキサン塗布膜の通称であり、珪素と酸素のシロキ
サン結合の主鎖に、側基としてアルキル基やアリル基等
が結合したものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の半
導体装置の問題点は、工程数が多いことである。三層層
間絶縁膜構造では、三回の膜形成に加えて、エッチバッ
ク、接続孔３１０形成のためのドライエッチング工程を
含むため、単層層間絶縁膜構造に比べてかなり工程数が
多く、製造コスト増大に拍車がかかる。
導体装置の問題点は、工程数が多いことである。三層層
間絶縁膜構造では、三回の膜形成に加えて、エッチバッ
ク、接続孔３１０形成のためのドライエッチング工程を
含むため、単層層間絶縁膜構造に比べてかなり工程数が
多く、製造コスト増大に拍車がかかる。
【０００５】工程数が多くなる原因は、接続孔３１０と
上層配線３１５を形成した後、プラズマ酸化膜３０９上
のレジストを除去する時のアッシャ処理による有機塗布
ガラス膜３０４の変質を避けなければならないことにあ
る。すなわち、上記の従来の製造方法の例では、有機塗
布ガラス膜３０４の上下をプラズマ酸化膜３０３と３０
９で挟んで、上層配線３１５と下層配線３０２に有機塗
布ガラス膜３０４が接触しない構造にして、その変質を
避けている。有機塗布ガラス膜３０４は、有機基により
有機塗布ガラスの表面が疎水性になり含有水分量が少な
くなるので、吸湿性は低く通常水分は殆ど含まないが、
上記レジストを除去する工程では、バレル型ドライエッ
チング装置における酸素プラズマ処理（アッシャ処理）
によって、有機基が取れて水分を含むようになる。この
吸湿した有機塗布ガラス膜３０４から出る水分が、配線
の信頼性を低下させるのである。したがって、上記のレ
ジストを除去する工程がなければ、三層層間絶縁膜構造
を用いる必要はないので、工程数を低減できる。
上層配線３１５を形成した後、プラズマ酸化膜３０９上
のレジストを除去する時のアッシャ処理による有機塗布
ガラス膜３０４の変質を避けなければならないことにあ
る。すなわち、上記の従来の製造方法の例では、有機塗
布ガラス膜３０４の上下をプラズマ酸化膜３０３と３０
９で挟んで、上層配線３１５と下層配線３０２に有機塗
布ガラス膜３０４が接触しない構造にして、その変質を
避けている。有機塗布ガラス膜３０４は、有機基により
有機塗布ガラスの表面が疎水性になり含有水分量が少な
くなるので、吸湿性は低く通常水分は殆ど含まないが、
上記レジストを除去する工程では、バレル型ドライエッ
チング装置における酸素プラズマ処理（アッシャ処理）
によって、有機基が取れて水分を含むようになる。この
吸湿した有機塗布ガラス膜３０４から出る水分が、配線
の信頼性を低下させるのである。したがって、上記のレ
ジストを除去する工程がなければ、三層層間絶縁膜構造
を用いる必要はないので、工程数を低減できる。
【０００６】本発明の目的は、層間絶縁膜の吸湿による
配線の信頼度低下のない多層配線構造を、少ない工程数
で形成することにある。
配線の信頼度低下のない多層配線構造を、少ない工程数
で形成することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】有機系溶媒中にオルガノ
シロキサンを分散させた溶液を基板に回転塗布してゲル
薄膜（有機塗布ガラス膜）を形成した後、スタンパを前
記ゲル薄膜に押しつけて凹凸面を転写した後、窒素気流
中で３００℃以上６００℃以下の温度で加熱硬化する。
さらにゲル薄膜の表面をエッチングしてスタンパの凸部
に対応するゲル薄膜の凹部底面を必要に応じて清浄化
し、その凹部に金属を埋め込んで配線とする。
シロキサンを分散させた溶液を基板に回転塗布してゲル
薄膜（有機塗布ガラス膜）を形成した後、スタンパを前
記ゲル薄膜に押しつけて凹凸面を転写した後、窒素気流
中で３００℃以上６００℃以下の温度で加熱硬化する。
さらにゲル薄膜の表面をエッチングしてスタンパの凸部
に対応するゲル薄膜の凹部底面を必要に応じて清浄化
し、その凹部に金属を埋め込んで配線とする。
【０００８】上記のスタンパとは、表面にパターニング
された凹凸面をもつものであり、これをゲル薄膜に押し
つけることで、ゲル薄膜に凹凸面を転写するものであ
る。スタンパの材料は、微細加工により凹凸面を作りや
すく、ゲル薄膜との接着性が悪くて剥離しやすいもので
ある必要がある。このような材料の例として、アルミニ
ウムやタングステン等が挙げられる。また、スタンパの
表面処理によって、ゲル薄膜との接着性を悪くする方法
でもよい。このような表面処理の例として、スパッタ法
によってテフロン薄膜を形成する方法がある。
された凹凸面をもつものであり、これをゲル薄膜に押し
つけることで、ゲル薄膜に凹凸面を転写するものであ
る。スタンパの材料は、微細加工により凹凸面を作りや
すく、ゲル薄膜との接着性が悪くて剥離しやすいもので
ある必要がある。このような材料の例として、アルミニ
ウムやタングステン等が挙げられる。また、スタンパの
表面処理によって、ゲル薄膜との接着性を悪くする方法
でもよい。このような表面処理の例として、スパッタ法
によってテフロン薄膜を形成する方法がある。
【０００９】また、転写するスタンパの凹凸面と下層の
配線層等との位置合わせのためには、上記のスタンパに
位置合わせマークを形成しておき、これと半導体基板の
位置合わせマークによって双方の位置を検出して、位置
合わせを行う。
配線層等との位置合わせのためには、上記のスタンパに
位置合わせマークを形成しておき、これと半導体基板の
位置合わせマークによって双方の位置を検出して、位置
合わせを行う。
【００１０】
【作用】本発明によれば、上記レジストを除去する工程
がないので三層層間絶縁膜構造をとる必要はなく、有機
塗布ガラス膜による単層層間絶縁膜を用いた多層配線構
造を少ない工程数で形成できる。なお、有機塗布ガラス
膜中の含有水分量は１％以下とすることにより、層間絶
縁膜（有機塗布ガラス膜）の吸湿による配線の信頼度低
下を防止できる。
がないので三層層間絶縁膜構造をとる必要はなく、有機
塗布ガラス膜による単層層間絶縁膜を用いた多層配線構
造を少ない工程数で形成できる。なお、有機塗布ガラス
膜中の含有水分量は１％以下とすることにより、層間絶
縁膜（有機塗布ガラス膜）の吸湿による配線の信頼度低
下を防止できる。
【００１１】
＜実施例１＞本発明による半導体装置の製造方法の実施
例を図１から図６に示す。まず、半導体基板１０１に厚
さ０．５μｍの下層配線用導電膜を形成し、公知のドラ
イエッチング技術を用いてパターニングして下層配線１
０２とした（図１）。ついで、回転塗布法によって、ゲ
ル状の有機塗布ガラス膜１０４を形成した。この有機塗
布ガラスは有機基濃度が１０重量％以上のものを用い、
含有水分量は１％以下であった。有機塗布ガラス膜１０
４の膜厚は１．５μｍである（図２）。次いで、スタン
パ１０６を、２Ｐａの荷重で有機塗布ガラス膜１０４に
押しつけて（図３）、上層配線と接続孔に対応する深さ
０．５μｍと１．０μｍの凹面１１１と１１０を転写し
た。その後、窒素気流中で４５０℃で３０分間熱処理
し、有機塗布ガラス膜１０４を硬化させた。さらに、平
行平板型ドライエッチング装置中でエッチバックを行な
い、接続孔底部の下層配線を完全に露出させた（図
４）。ついで、上層配線用導電膜として厚さ０．５μｍ
のアルミニウム膜１１４をＣＶＤ法によって形成した
（図５）。さらに化学的機械研磨法によって、有機塗布
ガラス膜１０４の凹面以外のアルミニウムを取り除き、
凹面中のアルミニウムを上層配線１１５とした（図
６）。
例を図１から図６に示す。まず、半導体基板１０１に厚
さ０．５μｍの下層配線用導電膜を形成し、公知のドラ
イエッチング技術を用いてパターニングして下層配線１
０２とした（図１）。ついで、回転塗布法によって、ゲ
ル状の有機塗布ガラス膜１０４を形成した。この有機塗
布ガラスは有機基濃度が１０重量％以上のものを用い、
含有水分量は１％以下であった。有機塗布ガラス膜１０
４の膜厚は１．５μｍである（図２）。次いで、スタン
パ１０６を、２Ｐａの荷重で有機塗布ガラス膜１０４に
押しつけて（図３）、上層配線と接続孔に対応する深さ
０．５μｍと１．０μｍの凹面１１１と１１０を転写し
た。その後、窒素気流中で４５０℃で３０分間熱処理
し、有機塗布ガラス膜１０４を硬化させた。さらに、平
行平板型ドライエッチング装置中でエッチバックを行な
い、接続孔底部の下層配線を完全に露出させた（図
４）。ついで、上層配線用導電膜として厚さ０．５μｍ
のアルミニウム膜１１４をＣＶＤ法によって形成した
（図５）。さらに化学的機械研磨法によって、有機塗布
ガラス膜１０４の凹面以外のアルミニウムを取り除き、
凹面中のアルミニウムを上層配線１１５とした（図
６）。
【００１２】本実施例中で用いたスタンパは、スパッタ
法によって厚さ２μｍのアルミニウム４０６を石英基板
４１６上に形成し、このアルミニウム４０６に公知のド
ライエッチング技術を用いてパターニングして凸面をも
たせたものである（図２５）。このスタンパには、石英
基板４１６を通して裏面から確認可能なアルミニウムよ
りなる位置合わせ用マーク４１７が、上記と同様の方法
で形成してある。このスタンパ上の位置合わせ用マーク
４１７と、半導体基板上にアルミニウムにより形成され
た位置合わせ用マーク４１８の位置を計測しながら、両
者の位置合わせを行った。また、有機塗布ガラス膜４０
４を回転塗布直後の、半導体基板４０１がまだ回転して
いる間に、半導体基板端部にメチルアルコールを吹き付
けることにより、半導体基板上の位置合わせ用マーク４
１８付近のゲル状の有機塗布ガラス膜４０４を取り除
き、スタンパ上の位置合わせ用マーク４１７に有機塗布
ガラス膜４０４が接触しないようにした。
法によって厚さ２μｍのアルミニウム４０６を石英基板
４１６上に形成し、このアルミニウム４０６に公知のド
ライエッチング技術を用いてパターニングして凸面をも
たせたものである（図２５）。このスタンパには、石英
基板４１６を通して裏面から確認可能なアルミニウムよ
りなる位置合わせ用マーク４１７が、上記と同様の方法
で形成してある。このスタンパ上の位置合わせ用マーク
４１７と、半導体基板上にアルミニウムにより形成され
た位置合わせ用マーク４１８の位置を計測しながら、両
者の位置合わせを行った。また、有機塗布ガラス膜４０
４を回転塗布直後の、半導体基板４０１がまだ回転して
いる間に、半導体基板端部にメチルアルコールを吹き付
けることにより、半導体基板上の位置合わせ用マーク４
１８付近のゲル状の有機塗布ガラス膜４０４を取り除
き、スタンパ上の位置合わせ用マーク４１７に有機塗布
ガラス膜４０４が接触しないようにした。
【００１３】＜実施例２＞本発明による半導体装置の製
造方法の実施例を図７から図１７に示す。スタンパの材
質と製法、荷重、位置合わせ法は実施例１と同じであ
る。まず、半導体基板２０１に厚さ０．５μｍの下層配
線用導電膜を形成し、公知のドライエッチング技術を用
いてパターニングして下層配線２０２とした（図７）。
ついで、回転塗布法によって、ゲル状の第一の有機塗布
ガラス膜２０４を形成した（図８）。この第一の有機塗
布ガラス膜２０４の厚さは１．０μｍであった。この第
一の有機塗布ガラス膜２０４に、高さ０．５μｍ凸面を
もつ第一のスタンパ２０６を押しつけて、接続孔２１０
に対応する凹面を転写した（図９）。なお、スタンパの
位置あわせについては、実施例１と同様にした。８０℃
で３分間、１８０℃で３分間、空気中で熱処理した後、
窒素気流中で４５０℃で３０分間熱処理し、第一の有機
塗布ガラス膜２０４を硬化させた。さらに、平行平板型
ドライエッチング装置中でエッチバックを行ない、接続
孔底部の下層配線を完全に露出させた（図１０）。つい
で、プラグ用導電膜２１２として厚さ０．５μｍのアル
ミニウム膜をＣＶＤ法によって形成した（図１１）。さ
らに化学的機械研磨法によって、接続孔２１０の内部以
外のアルミニウムを取り除き、プラグ２１３を形成した
（図１２）。ついで、回転塗布法によって、ゲル状の第
二の有機塗布ガラス膜２０５を形成した（図１３）。こ
の第二の有機塗布ガラス膜２０５の厚さは０．５μｍで
あった。この第二の有機塗布ガラス膜２０５に、実施例
１と同様に位置あわせを行い高さ０．５μｍ凸面をもつ
第二のスタンパ２０７を押しつけて（図１４）、上層配
線に対応する凹面２１１を転写した。８０℃で３分間、
１８０℃で３分間、空気中で熱処理した後、窒素気流中
で４５０℃で３０分間熱処理し、第二の有機塗布ガラス
膜２０５を硬化させた。さらに、平行平板型ドライエッ
チング装置中でエッチバック２０８を行ない、プラグ２
１３上部を完全に露出させた（図１５）。ついで、上層
配線用導電膜２１４として厚さ０．５μｍのアルミニウ
ム膜をＣＶＤ法によって形成した（図１６）。さらに化
学的機械研磨法によって、上層配線に対応する凹面２１
１以外のアルミニウムを取り除き、上層配線２１５を形
成した（図１７）。
造方法の実施例を図７から図１７に示す。スタンパの材
質と製法、荷重、位置合わせ法は実施例１と同じであ
る。まず、半導体基板２０１に厚さ０．５μｍの下層配
線用導電膜を形成し、公知のドライエッチング技術を用
いてパターニングして下層配線２０２とした（図７）。
ついで、回転塗布法によって、ゲル状の第一の有機塗布
ガラス膜２０４を形成した（図８）。この第一の有機塗
布ガラス膜２０４の厚さは１．０μｍであった。この第
一の有機塗布ガラス膜２０４に、高さ０．５μｍ凸面を
もつ第一のスタンパ２０６を押しつけて、接続孔２１０
に対応する凹面を転写した（図９）。なお、スタンパの
位置あわせについては、実施例１と同様にした。８０℃
で３分間、１８０℃で３分間、空気中で熱処理した後、
窒素気流中で４５０℃で３０分間熱処理し、第一の有機
塗布ガラス膜２０４を硬化させた。さらに、平行平板型
ドライエッチング装置中でエッチバックを行ない、接続
孔底部の下層配線を完全に露出させた（図１０）。つい
で、プラグ用導電膜２１２として厚さ０．５μｍのアル
ミニウム膜をＣＶＤ法によって形成した（図１１）。さ
らに化学的機械研磨法によって、接続孔２１０の内部以
外のアルミニウムを取り除き、プラグ２１３を形成した
（図１２）。ついで、回転塗布法によって、ゲル状の第
二の有機塗布ガラス膜２０５を形成した（図１３）。こ
の第二の有機塗布ガラス膜２０５の厚さは０．５μｍで
あった。この第二の有機塗布ガラス膜２０５に、実施例
１と同様に位置あわせを行い高さ０．５μｍ凸面をもつ
第二のスタンパ２０７を押しつけて（図１４）、上層配
線に対応する凹面２１１を転写した。８０℃で３分間、
１８０℃で３分間、空気中で熱処理した後、窒素気流中
で４５０℃で３０分間熱処理し、第二の有機塗布ガラス
膜２０５を硬化させた。さらに、平行平板型ドライエッ
チング装置中でエッチバック２０８を行ない、プラグ２
１３上部を完全に露出させた（図１５）。ついで、上層
配線用導電膜２１４として厚さ０．５μｍのアルミニウ
ム膜をＣＶＤ法によって形成した（図１６）。さらに化
学的機械研磨法によって、上層配線に対応する凹面２１
１以外のアルミニウムを取り除き、上層配線２１５を形
成した（図１７）。
【００１４】実施例１及び実施例２で用いた有機塗布ガ
ラス膜の有機基含有量は１９重量％である。この有機塗
布ガラスの含有水分量は０．３％未満であり、含有水分
が配線に悪影響を及ぼすことはなかった。また、実施例
１及び実施例２では、上層配線とプラグとしてアルミニ
ウムを用いたが、ＣＶＤ法によって形成した銅またはタ
ングステンを用いても同様に製造することができた。有
機塗布ガラス膜に転写する凹面のアスペクト比が小さい
場合には、スパッタ法またはバイアススパッタ法で形成
した、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金の
いずれを用いても同様に製造することができた。また、
上層配線とプラグとしてアルミニウム、アルミニウム合
金、銅、銅合金のいずれかと他の導電性物質の積層膜で
あっても良い。有機塗布ガラス膜の凹面が導電膜によっ
て完全に埋め込まれた場合には、化学的機械研磨法の代
わりにエッチバック法を用いても上層配線を形成でき
た。なお、スタンパの凹凸面の側壁は、垂直に近くても
十分にパターンを転写できたが、順テーパになっていた
場合は更に良好に転写することができた。
ラス膜の有機基含有量は１９重量％である。この有機塗
布ガラスの含有水分量は０．３％未満であり、含有水分
が配線に悪影響を及ぼすことはなかった。また、実施例
１及び実施例２では、上層配線とプラグとしてアルミニ
ウムを用いたが、ＣＶＤ法によって形成した銅またはタ
ングステンを用いても同様に製造することができた。有
機塗布ガラス膜に転写する凹面のアスペクト比が小さい
場合には、スパッタ法またはバイアススパッタ法で形成
した、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金の
いずれを用いても同様に製造することができた。また、
上層配線とプラグとしてアルミニウム、アルミニウム合
金、銅、銅合金のいずれかと他の導電性物質の積層膜で
あっても良い。有機塗布ガラス膜の凹面が導電膜によっ
て完全に埋め込まれた場合には、化学的機械研磨法の代
わりにエッチバック法を用いても上層配線を形成でき
た。なお、スタンパの凹凸面の側壁は、垂直に近くても
十分にパターンを転写できたが、順テーパになっていた
場合は更に良好に転写することができた。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、単層層間絶縁膜構造を
とり、絶縁膜の吸湿による配線の信頼度低下のない多層
配線構造を少ない工程数で形成できるため、製造コスト
の抑制に寄与する。
とり、絶縁膜の吸湿による配線の信頼度低下のない多層
配線構造を少ない工程数で形成できるため、製造コスト
の抑制に寄与する。
【図１】本発明の実施例１を示す製造工程断面図であ
る。
る。
【図２】本発明の実施例１を示す製造工程断面図であ
る。
る。
【図３】本発明の実施例１を示す製造工程断面図であ
る。
る。
【図４】本発明の実施例１を示す製造工程断面図であ
る。
る。
【図５】本発明の実施例１を示す製造工程断面図であ
る。
る。
【図６】本発明の実施例１を示す製造工程断面図であ
る。
る。
【図７】本発明の実施例２を示す製造工程断面図であ
る。
る。
【図８】本発明の実施例２を示す製造工程断面図であ
る。
る。
【図９】本発明の実施例２を示す製造工程断面図であ
る。
る。
【図１０】本発明の実施例２を示す製造工程断面図であ
る。
る。
【図１１】本発明の実施例２を示す製造工程断面図であ
る。
る。
【図１２】本発明の実施例２を示す製造工程断面図であ
る。
る。
【図１３】本発明の実施例２を示す製造工程断面図であ
る。
る。
【図１４】本発明の実施例２を示す製造工程断面図であ
る。
る。
【図１５】本発明の実施例２を示す製造工程断面図であ
る。
る。
【図１６】本発明の実施例２を示す製造工程断面図であ
る。
る。
【図１７】本発明の実施例２を示す製造工程断面図であ
る。
る。
【図１８】従来の半導体装置の製造方法を示す工程断面
図である。
図である。
【図１９】従来の半導体装置の製造方法を示す工程断面
図である。
図である。
【図２０】従来の半導体装置の製造方法を示す工程断面
図である。
図である。
【図２１】従来の半導体装置の製造方法を示す工程断面
図である。
図である。
【図２２】従来の半導体装置の製造方法を示す工程断面
図である。
図である。
【図２３】従来の半導体装置の製造方法を示す工程断面
図である。
図である。
【図２４】従来の半導体装置の製造方法を示す工程断面
図である。
図である。
【図２５】本発明の実施例１及び２で用いたスタンパを
示す断面図である。
示す断面図である。
１０１，２０１，３０１，４０１…半導体基板、１０
２，２０２，３０２…下層配線、３０３…第一のプラズ
マ酸化膜、１０４，３０４，４０４…有機塗布ガラス
膜、２０４…第一の有機塗布ガラス膜、２０５…第二の
有機塗布ガラス膜、１０６，４０６…スタンパ、２０６
…第一のスタンパ、２０７…第二のスタンパ、１０８，
２０８，３０８…エッチバック、３０９…第二のプラズ
マ酸化膜、１１０，２１０，３１０…接続孔、１１１，
２１１…スタンパの凸部に対応する凹部、２１２…プラ
グ用導電膜、２１３…プラグ、１１４，２１４，３１４
…上層配線用導電膜、１１５，２１５，３１５…上層配
線、４１６…スタンパ用石英基板、４１７…スタンパ基
板上位置合わせマーク、４１８…半導体基板上位置合わ
せマーク。
２，２０２，３０２…下層配線、３０３…第一のプラズ
マ酸化膜、１０４，３０４，４０４…有機塗布ガラス
膜、２０４…第一の有機塗布ガラス膜、２０５…第二の
有機塗布ガラス膜、１０６，４０６…スタンパ、２０６
…第一のスタンパ、２０７…第二のスタンパ、１０８，
２０８，３０８…エッチバック、３０９…第二のプラズ
マ酸化膜、１１０，２１０，３１０…接続孔、１１１，
２１１…スタンパの凸部に対応する凹部、２１２…プラ
グ用導電膜、２１３…プラグ、１１４，２１４，３１４
…上層配線用導電膜、１１５，２１５，３１５…上層配
線、４１６…スタンパ用石英基板、４１７…スタンパ基
板上位置合わせマーク、４１８…半導体基板上位置合わ
せマーク。
Claims (6)
- 【請求項１】電極を有する基板上にゲル薄膜を形成する
第１の工程と、スタンパの凹凸面を前記ゲル薄膜に押し
つけて前記凹凸面を転写する第２の工程と、前記ゲル薄
膜に熱処理を加える第３の工程と、前記スタンパの凸部
が転写された領域上に金属膜を堆積する第４の工程とを
有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】請求項１記載の半導体装置の製造方法にお
いて、前記ゲル薄膜は回転塗布することにより形成され
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】請求項１または請求項２記載の半導体装置
の製造方法において、前記第３の工程の後に前記ゲル薄
膜の少なくとも一部をエッチングする工程を含むことを
特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】請求項１乃至請求項３の何れかに記載の半
導体装置の製造方法において、前記ゲル薄膜の材料は有
機塗布ガラスであることを特徴とする半導体装置の製造
方法。 - 【請求項５】請求項４記載の半導体装置の製造方法にお
いて、前記熱処理の温度は３００℃以上６００℃以下で
あることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】請求項１乃至請求項５記載の半導体装置の
製造方法において、前記金属膜はアルミニウム、アルミ
ニウム合金、銅、銅合金、タングステンのうち、少なく
とも１つを含むことを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5053723A JPH06267943A (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5053723A JPH06267943A (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06267943A true JPH06267943A (ja) | 1994-09-22 |
Family
ID=12950757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5053723A Pending JPH06267943A (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06267943A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1993
- 1993-03-15 JP JP5053723A patent/JPH06267943A/ja active Pending
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