JPH062680U - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH062680U JPH062680U JP4798392U JP4798392U JPH062680U JP H062680 U JPH062680 U JP H062680U JP 4798392 U JP4798392 U JP 4798392U JP 4798392 U JP4798392 U JP 4798392U JP H062680 U JPH062680 U JP H062680U
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- reaction gas
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 反応ガス噴出口を容易に変更できる半導体製
造装置を提供する。 【構成】 反応管１に多数の反応ガス噴出口４を有する
Ｕ字型リターンノズル２を着脱可能に取付けてなること
を特徴とし、Ｕ字型リターンノズル２を交換すること
で、反応ガス噴出口４の数，大きさ等を容易に変更する
ことができ、膜生成の条件変更等に対処することができ
る。
造装置を提供する。 【構成】 反応管１に多数の反応ガス噴出口４を有する
Ｕ字型リターンノズル２を着脱可能に取付けてなること
を特徴とし、Ｕ字型リターンノズル２を交換すること
で、反応ガス噴出口４の数，大きさ等を容易に変更する
ことができ、膜生成の条件変更等に対処することができ
る。
Description
【０００１】
本考案は反応管内に反応ガスを導入してウェーハ上に薄膜を生成する半導体製 造装置に関する。
【０００２】
図３は従来装置の１例の構成を示す説明図、図４は図３のＢ−Ｂ線断面図であ る。 この従来装置は、反応管１内に反応ガスを反応ガス導入ポート部３よりリター ンノズル２Ａを通り、反応管１の側面縦方向に穿設した多数の反応ガス噴出口４ を経て導入し、ヒータ５により加熱されたウェーハ上にリターンノズル２Ａを通 過する迄に加熱された反応ガスにより薄膜を生成するものである。
【０００３】
しかしながら上記従来例にあっては、膜生成の条件変更等により、反応ガス噴 出口４の数，大きさ等を変更する場合、反応管１そのものを修正もしくは再製作 しなければならないという課題がある。
【０００４】
本考案は、反応ガス噴出口４を容易に変更できる半導体製造装置を提供しよう とするものである。 即ち、本考案装置は、反応管１に多数の反応ガス噴出口４を有するＵ字型リタ ーンノズル２を着脱可能に取付けてなる。
【０００５】
反応ガスは、反応ガス導入ポート部３よりＵ字型リターンノズル２の導入側流 路を通り、導出側流路の多数の反応ガス噴出口４に達する迄に、ヒータにより充 分に加熱され、この加熱された反応ガスは、多数の反応ガス噴出口４より反応管 １内に均一に分布されて噴出されることになる。 従って反応管１内で加熱されたウェーハ上に均一な薄膜が生成されることにな る。 又、反応管１にＵ字型リターンノズル２を着脱可能に取付けているため、Ｕ字 型リターンノズル２を交換することで、反応ガス噴出口４の数，大きさ等を容易 に変更することができる。
【０００６】
図１は本考案装置の１実施例の構成を示す説明図、図２（Ａ）は図１のＡ−Ａ 線断面図、図２（Ｂ）は図１のＣ部の詳細断面図である。 反応管１には導出側流路に多数の反応ガス噴出口４を有するＵ字型リターンノ ズル２が着脱可能に取付けられている。３は反応ガス導入ポート部、５はヒータ である。 Ｕ字型リターンノズル２は、テフロン製継手７によって、反応管ポート６に接 続されている。したがって、この継手部７により容易にリターンノズル２を交換 することができる。
【０００７】 反応ガスは、反応ガス導入ポート部３よりＵ字型リターンノズル２の導入側流 路を通り、導出側流路の多数の反応ガス噴出口４に達する迄に、ヒータ５により 充分に加熱され、この加熱された反応ガスは、多数の反応ガス噴出口４より反応 管１内に均一に分布されて噴出されることになる。 従って反応管１内で加熱されたウェーハ上に均一な薄膜が生成されることにな る。 又、反応管１にＵ字型リターンノズル２を着脱可能に取付けているため、Ｕ字 型リターンノズル２を交換することで、反応ガス噴出口４の数，大きさ等を容易 に変更することができる。
【０００８】
上述のように本考案によれば、反応管１にＵ字型リターンノズル２を着脱可能 に取付けたので、Ｕ字型リターンノズル２を交換することで、反応ガス噴出口４ の数，大きさを容易に変更することができ、膜生成の条件変更等に対処すること ができる。リターンノズル２はＵ字型で導入側流路が長いため、反応ガスを，反 応ガス噴出口４に達するまでにヒータ５により充分に加熱することができると共 に、Ｕ字型リターンノズル２の導出側流路に多数の反応ガス噴出口４が穿設され ているので、反応ガスを、反応管１内に均一に分布させて噴出することができ、 ウェーハ上の生成膜を均一にすることができる。
【図１】本考案装置の１実施例の構成を示す説明図であ
る。
る。
【図２】（Ａ）は図１のＡ−Ａ線断面図、（Ｂ）は図１
のＣ部の詳細断面図である。
のＣ部の詳細断面図である。
【図３】従来装置の１例の構成を示す説明図である。
【図４】図３のＢ−Ｂ線断面図である。
１ 反応管 ２ Ｕ字型リターンノズル ４ 反応ガス噴出口
Claims (1)
- 【請求項１】 反応管（１）内に反応ガスを反応ガス導
入ポート部よりリターンノズルを通して導入し、ウェー
ハ上に薄膜を生成する半導体製造装置において、前記反
応管（１）に多数の反応ガス噴出口（４）を有するＵ字
型リターンノズル（２）を着脱可能に取付けてなる半導
体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4798392U JP2579821Y2 (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4798392U JP2579821Y2 (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH062680U true JPH062680U (ja) | 1994-01-14 |
| JP2579821Y2 JP2579821Y2 (ja) | 1998-09-03 |
Family
ID=12790555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4798392U Expired - Fee Related JP2579821Y2 (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2579821Y2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS502218Y1 (ja) * | 1967-08-21 | 1975-01-21 | ||
| JP2015082533A (ja) * | 2013-10-21 | 2015-04-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| WO2020039809A1 (ja) * | 2018-08-24 | 2020-02-27 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 気相成長装置 |
| JP2024049208A (ja) * | 2022-09-28 | 2024-04-09 | 株式会社Kokusai Electric | ガス供給体、処理装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2025096521A (ja) * | 2021-02-02 | 2025-06-26 | 東京エレクトロン株式会社 | インジェクタ及び処理装置 |
-
1992
- 1992-06-15 JP JP4798392U patent/JP2579821Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS502218Y1 (ja) * | 1967-08-21 | 1975-01-21 | ||
| JP2015082533A (ja) * | 2013-10-21 | 2015-04-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US9970110B2 (en) | 2013-10-21 | 2018-05-15 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| WO2020039809A1 (ja) * | 2018-08-24 | 2020-02-27 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 気相成長装置 |
| JP2020031200A (ja) * | 2018-08-24 | 2020-02-27 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 気相成長装置 |
| JP2025096521A (ja) * | 2021-02-02 | 2025-06-26 | 東京エレクトロン株式会社 | インジェクタ及び処理装置 |
| JP2024049208A (ja) * | 2022-09-28 | 2024-04-09 | 株式会社Kokusai Electric | ガス供給体、処理装置及び半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2579821Y2 (ja) | 1998-09-03 |
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|---|---|---|---|
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