JPH06268132A - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents
半導体装置用リードフレームInfo
- Publication number
- JPH06268132A JPH06268132A JP5082646A JP8264693A JPH06268132A JP H06268132 A JPH06268132 A JP H06268132A JP 5082646 A JP5082646 A JP 5082646A JP 8264693 A JP8264693 A JP 8264693A JP H06268132 A JPH06268132 A JP H06268132A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- plating
- semiconductor device
- nickel
- gold
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 金の優れた特性を生かしつつ、比較的安価に
製造できる半導体装置用リードフレームを提供する。 【構成】 下地ニッケルめっきをした銅系合金あるいは
ニッケル系合金からなる導電部材１１の全面あるいは所
要部分に０．１５μｍ以下の金めっき１３をした。
製造できる半導体装置用リードフレームを提供する。 【構成】 下地ニッケルめっきをした銅系合金あるいは
ニッケル系合金からなる導電部材１１の全面あるいは所
要部分に０．１５μｍ以下の金めっき１３をした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、めっき処理された半導
体装置用リードフレームに関する。
体装置用リードフレームに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置用リードフレームは、半導体
素子との良好な接合性、半導体素子とインナーリードを
接続するワイヤとのワイヤボンディング性、及びアウタ
ーリードを外部機器に接続する為にはんだ付け性が良い
ことを要求される。この為、リードフレームの表面の全
部あるいは一部には、金めっき皮膜を形成している。
素子との良好な接合性、半導体素子とインナーリードを
接続するワイヤとのワイヤボンディング性、及びアウタ
ーリードを外部機器に接続する為にはんだ付け性が良い
ことを要求される。この為、リードフレームの表面の全
部あるいは一部には、金めっき皮膜を形成している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
金めっき皮膜は比較的皮膜の厚みが１μｍ以上と厚く、
このため高価な金を大量に使用するという問題点があっ
た。そこで、一部においては、銀めっき皮膜も使用され
ているが、マイグレーションの問題があり、近年のよう
に隣合うリードのピッチが極めて小さいリードフレーム
においては、使用中に故障を生じる等の問題点があっ
た。本発明はかかる事情に鑑みてなされたもので、金の
優れた特性を生かしつつ、比較的安価に製造できる半導
体装置用リードフレームを提供することを目的とする。
金めっき皮膜は比較的皮膜の厚みが１μｍ以上と厚く、
このため高価な金を大量に使用するという問題点があっ
た。そこで、一部においては、銀めっき皮膜も使用され
ているが、マイグレーションの問題があり、近年のよう
に隣合うリードのピッチが極めて小さいリードフレーム
においては、使用中に故障を生じる等の問題点があっ
た。本発明はかかる事情に鑑みてなされたもので、金の
優れた特性を生かしつつ、比較的安価に製造できる半導
体装置用リードフレームを提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記目的に沿う請求項１
記載の半導体装置用リードフレームは、下地ニッケルめ
っきをした銅系合金からなる導電部材の全面あるいは所
要部分に０．１５μｍ以下の金めっきをして構成されて
いる。請求項２記載の半導体装置用リードフレームは、
請求項１記載の半導体装置用リードフレームにおいて、
下地ニッケルめっきは、２層以上となっている。請求項
３記載の半導体装置用リードフレームは、下地銅めっき
をしたニッケル系合金からなる導電部材にニッケルめっ
きを行い、しかる後その全面あるいは所要部分に０．１
５μｍ以下の金めっきをして構成されている。請求項４
記載の半導体装置用リードフレームは、請求項３記載の
半導体装置用リードフレームにおいて、ニッケルめっき
は、２層以上となっている。なお、所要部分とは、該リ
ードフレームに他の機器を接続するワイヤボンディング
及び／又ははんだ付けを行うアウターリード等をいう。
また、銅めっき及びニッケルめっきには電解めっきで行
う場合の他、無電解めっきで行う場合も含む。
記載の半導体装置用リードフレームは、下地ニッケルめ
っきをした銅系合金からなる導電部材の全面あるいは所
要部分に０．１５μｍ以下の金めっきをして構成されて
いる。請求項２記載の半導体装置用リードフレームは、
請求項１記載の半導体装置用リードフレームにおいて、
下地ニッケルめっきは、２層以上となっている。請求項
３記載の半導体装置用リードフレームは、下地銅めっき
をしたニッケル系合金からなる導電部材にニッケルめっ
きを行い、しかる後その全面あるいは所要部分に０．１
５μｍ以下の金めっきをして構成されている。請求項４
記載の半導体装置用リードフレームは、請求項３記載の
半導体装置用リードフレームにおいて、ニッケルめっき
は、２層以上となっている。なお、所要部分とは、該リ
ードフレームに他の機器を接続するワイヤボンディング
及び／又ははんだ付けを行うアウターリード等をいう。
また、銅めっき及びニッケルめっきには電解めっきで行
う場合の他、無電解めっきで行う場合も含む。
【０００５】
【作用】請求項１〜４記載の半導体装置用リードフレー
ムにおいては、表面には金めっきが全部あるいは所要部
分に行われているので、ワイヤボンディング性及びはん
だ濡れ性が良く、更にはその厚みが０．１５μｍ以下で
あるので極めて薄く、これによって高価な金の使用量が
大幅に減少する。そして、薄い金めっきの下層にはニッ
ケルめっきが行われているので、表面の薄い金めっき層
を通して下地の銅が拡散するのを防止できる。特に、請
求項２及び４記載の半導体装置用リードフレームにおい
ては、ニッケルめっきの処理過程で発生するピンホール
を最小限に押さえ、下層の銅あるいは鉄の腐食が防止さ
れる。
ムにおいては、表面には金めっきが全部あるいは所要部
分に行われているので、ワイヤボンディング性及びはん
だ濡れ性が良く、更にはその厚みが０．１５μｍ以下で
あるので極めて薄く、これによって高価な金の使用量が
大幅に減少する。そして、薄い金めっきの下層にはニッ
ケルめっきが行われているので、表面の薄い金めっき層
を通して下地の銅が拡散するのを防止できる。特に、請
求項２及び４記載の半導体装置用リードフレームにおい
ては、ニッケルめっきの処理過程で発生するピンホール
を最小限に押さえ、下層の銅あるいは鉄の腐食が防止さ
れる。
【０００６】
【実施例】続いて、本発明を具体化した実施例につき説
明する。ここに、図１は本発明の第１の実施例に係る半
導体装置用リードフレームの使用状況を示す断面図、図
２は本発明の第２の実施例に係る半導体装置用リードフ
レームの部分断面図、図３は本発明の第３の実施例に係
る半導体装置用リードフレームの部分断面図である。図
１に示すように、本発明の第１の実施例に係る半導体装
置用リードフレーム１０は、基材１１が銅系合金からな
って、下地ニッケルめっき１２が施され、その表面には
金めっき１３が施されている。前記下地ニッケルめっき
１２はその厚みが０．２〜１μｍ程度となって、前記金
めっき１３は厚みが０．１μｍ程度となっている。
明する。ここに、図１は本発明の第１の実施例に係る半
導体装置用リードフレームの使用状況を示す断面図、図
２は本発明の第２の実施例に係る半導体装置用リードフ
レームの部分断面図、図３は本発明の第３の実施例に係
る半導体装置用リードフレームの部分断面図である。図
１に示すように、本発明の第１の実施例に係る半導体装
置用リードフレーム１０は、基材１１が銅系合金からな
って、下地ニッケルめっき１２が施され、その表面には
金めっき１３が施されている。前記下地ニッケルめっき
１２はその厚みが０．２〜１μｍ程度となって、前記金
めっき１３は厚みが０．１μｍ程度となっている。
【０００７】前述のように、薄い金めっき１３の下地に
ニッケルめっき１２を行うことによって仮に金めっき１
３の表面にピンホール等があった場合にでも、銅合金か
らなる基材１１と金との作用によって局部電池が形成さ
れ、基材１１が陽極となって急速に腐食するのを防止で
きる。なお、図１において、１４は半導体素子を、１５
はボンディングワイヤを示す。
ニッケルめっき１２を行うことによって仮に金めっき１
３の表面にピンホール等があった場合にでも、銅合金か
らなる基材１１と金との作用によって局部電池が形成さ
れ、基材１１が陽極となって急速に腐食するのを防止で
きる。なお、図１において、１４は半導体素子を、１５
はボンディングワイヤを示す。
【０００８】この為、下地ニッケルめっきはピンホール
が極めて少ない状態で行う必要があり、緻密なめっき層
が形成される無電解めっきによって行うのが好ましい
が、図２の第２の実施例に示すように、基材１１の表面
に無電解めっき法あるいは電解めっき法を用いて下地ニ
ッケルめっき１６、１７を２層あるいは多層に渡って行
い、その上に金めっき１３を行うのが好ましく、これに
よってめっき処理中に発生するピンホールを無くし、基
材１１の腐食を防止する。
が極めて少ない状態で行う必要があり、緻密なめっき層
が形成される無電解めっきによって行うのが好ましい
が、図２の第２の実施例に示すように、基材１１の表面
に無電解めっき法あるいは電解めっき法を用いて下地ニ
ッケルめっき１６、１７を２層あるいは多層に渡って行
い、その上に金めっき１３を行うのが好ましく、これに
よってめっき処理中に発生するピンホールを無くし、基
材１１の腐食を防止する。
【０００９】次に、図３に示す本発明の第３の実施例に
ついて説明するが、ニッケル合金系からなるリードフレ
ームの基材１８の表面には下地銅めっき１９が施され、
中間層としてニッケルめっき２０が施され、表面には薄
い金めっき２１が行われている。前記金めっき２１は
０．１μｍ程度となって、下地銅めっき１９、ニッケル
めっき２０は０．２〜１μｍ程度の厚みとなっている。
ついて説明するが、ニッケル合金系からなるリードフレ
ームの基材１８の表面には下地銅めっき１９が施され、
中間層としてニッケルめっき２０が施され、表面には薄
い金めっき２１が行われている。前記金めっき２１は
０．１μｍ程度となって、下地銅めっき１９、ニッケル
めっき２０は０．２〜１μｍ程度の厚みとなっている。
【００１０】ここで、下地銅めっき１９、ニッケルめっ
き２０は、上部にイオン化傾向の小さい金がめっきされ
ていることによる金と基材との電池作用による腐食を防
止する為のものである。また、前記ニッケルめっき２０
は一層で行うと、ピンホール等が生じ易いので、多層で
行う方が好ましく、更には、前記銅めっき１９及びニッ
ケルめっき２０は、無電解めっきで行うのが好ましい。
これによって緻密なめっき層を形成し、ピンホール等が
形成されるのを防止できる。
き２０は、上部にイオン化傾向の小さい金がめっきされ
ていることによる金と基材との電池作用による腐食を防
止する為のものである。また、前記ニッケルめっき２０
は一層で行うと、ピンホール等が生じ易いので、多層で
行う方が好ましく、更には、前記銅めっき１９及びニッ
ケルめっき２０は、無電解めっきで行うのが好ましい。
これによって緻密なめっき層を形成し、ピンホール等が
形成されるのを防止できる。
【００１１】
【発明の効果】請求項１〜４記載の半導体装置用リード
フレームにおいては、表面には金めっきが全部あるいは
所要部分に行われているので、ワイヤボンディング性及
びはんだ濡れ性が良く、半導体素子と連結するワイヤ、
アウターリードに更にはんだめっきを行ったり、はんだ
付けすることが容易にできる。更には、金めっきの厚み
が０．１５μｍ以下であるので極めて薄く、これによっ
て高価な金の使用量が大幅に減少でき、廉価な半導体装
置用リードフレームを提供できる。そして、薄い金めっ
きの下層にはニッケルめっきが行われているので、表面
の薄い金めっき層を通して下地の銅が拡散するのを防止
でき、これによってリードフレームの腐食を防止でき、
長期の寿命を有する半導体装置を提供できる。特に、請
求項２及び４記載の半導体装置用リードフレームにおい
ては、ニッケルめっきの処理過程で発生するピンホール
を最小限に押さえ、下層の銅あるいは鉄の腐食が防止さ
れ、これによってリードフレームの腐食、マイグレーシ
ョンによるリード間短絡等を防止できる。
フレームにおいては、表面には金めっきが全部あるいは
所要部分に行われているので、ワイヤボンディング性及
びはんだ濡れ性が良く、半導体素子と連結するワイヤ、
アウターリードに更にはんだめっきを行ったり、はんだ
付けすることが容易にできる。更には、金めっきの厚み
が０．１５μｍ以下であるので極めて薄く、これによっ
て高価な金の使用量が大幅に減少でき、廉価な半導体装
置用リードフレームを提供できる。そして、薄い金めっ
きの下層にはニッケルめっきが行われているので、表面
の薄い金めっき層を通して下地の銅が拡散するのを防止
でき、これによってリードフレームの腐食を防止でき、
長期の寿命を有する半導体装置を提供できる。特に、請
求項２及び４記載の半導体装置用リードフレームにおい
ては、ニッケルめっきの処理過程で発生するピンホール
を最小限に押さえ、下層の銅あるいは鉄の腐食が防止さ
れ、これによってリードフレームの腐食、マイグレーシ
ョンによるリード間短絡等を防止できる。
【図１】本発明の第１の実施例に係る半導体装置用リー
ドフレームの使用状況を示す断面図である。
ドフレームの使用状況を示す断面図である。
【図２】本発明の第２の実施例に係る半導体装置用リー
ドフレームの部分断面図である。
ドフレームの部分断面図である。
【図３】本発明の第３の実施例に係る半導体装置用リー
ドフレームの部分断面図である。
ドフレームの部分断面図である。
１０ リードフレーム １１ 基材 １２ 下地ニッケルめっき １３ 金めっき １４ 半導体素子 １５ ボンディングワイヤ １６ ニッケルめっき １７ ニッケルめっき １８ 基材 １９ 下地銅めっき ２０ ニッケルめっき ２１ 金めっき
Claims (4)
- 【請求項１】 下地ニッケルめっきをした銅系合金から
なる導電部材の全面あるいは所要部分に０．１５μｍ以
下の金めっきをしたことを特徴とする半導体装置用リー
ドフレーム。 - 【請求項２】 下地ニッケルめっきは、２層以上となっ
ている請求項１記載の半導体装置用リードフレーム。 - 【請求項３】 下地銅めっきをしたニッケル系合金から
なる導電部材にニッケルめっきを行い、しかる後その全
面あるいは所要部分に０．１５μｍ以下の金めっきをし
たことを特徴とする半導体装置用リードフレーム。 - 【請求項４】 ニッケルめっきは、２層以上となってい
る請求項３記載の半導体装置用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5082646A JP2826650B2 (ja) | 1993-03-16 | 1993-03-16 | 半導体装置用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5082646A JP2826650B2 (ja) | 1993-03-16 | 1993-03-16 | 半導体装置用リードフレーム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06268132A true JPH06268132A (ja) | 1994-09-22 |
| JP2826650B2 JP2826650B2 (ja) | 1998-11-18 |
Family
ID=13780200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5082646A Expired - Lifetime JP2826650B2 (ja) | 1993-03-16 | 1993-03-16 | 半導体装置用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2826650B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009007656A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-15 | Japan Pure Chemical Co Ltd | 電解金めっき液及びそれを用いて得られた金皮膜 |
| US7843700B2 (en) | 2004-04-14 | 2010-11-30 | Denso Corporation | Semiconductor device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4949264A (ja) * | 1972-05-17 | 1974-05-13 | ||
| JPH04174546A (ja) * | 1990-11-07 | 1992-06-22 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 銅合金製半導体リードフレームの製造方法 |
-
1993
- 1993-03-16 JP JP5082646A patent/JP2826650B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4949264A (ja) * | 1972-05-17 | 1974-05-13 | ||
| JPH04174546A (ja) * | 1990-11-07 | 1992-06-22 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 銅合金製半導体リードフレームの製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7843700B2 (en) | 2004-04-14 | 2010-11-30 | Denso Corporation | Semiconductor device |
| US8179688B2 (en) | 2004-04-14 | 2012-05-15 | Denso Corporation | Semiconductor device |
| JP2009007656A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-15 | Japan Pure Chemical Co Ltd | 電解金めっき液及びそれを用いて得られた金皮膜 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2826650B2 (ja) | 1998-11-18 |
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