JPH11238840A - リードフレーム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 Ｐｂを使用せずに、半導体装置のリード部と
プリント配線板などの基板との接合信頼性を向上させ
る。 【解決手段】 Ｃｕ素材により構成されたリードフレー
ム基材１０と、リードフレーム基材１０の表面に設けら
れたＳｎ−Ｎｉ合金膜１２と、Ｓｎ−Ｎｉ合金膜１２の
表面に設けられたＰｄ膜１４と、から構成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、リードフレームに
関し、特に、Ｐｄよりなる金属膜またはＰｄを含む合金
よりなる金属膜が施されたリードフレームに関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体素子が装着されるリード
フレームは、図６に示したように、中央に半導体素子を
載置するダイパッド４０が連結されたダイパッドサポー
ト４４と、複数のリード部（インナーリード４２ａとア
ウターリード４２ｂとから構成されている。）とをフレ
ーム部４６により一体化して複数個連結した金属製のリ
ボンで構成されている。このリードフレームには、電流
の導通作用の他に、放熱作用や、構造保持等の役割があ
り、これらのことから電気伝導率や熱伝導率の高いＦｅ
素材やＣｕ素材（Ｃｕと微量の他の金属成分からなる金
属）が用いられ、目的に応じて選択されている。

【０００３】従来より半導体装置は、リードフレームに
半導体素子を搭載して樹脂やセラミックで封止し、半導
体装置の外部端子となるアウターリードをフレームから
分離した後、メッキ或いはコーティングによりＳｎまた
はＳｎ−Ｐｂ合金膜を設けることにより接合信頼性を向
上させ、アウターリードを所望の形状となるように折り
曲げることにより製造されている。この様な半導体装置
は、端子部が実装基板の接合端子部に半田付けされて実
装される。

【０００４】近年、環境や人体に対する影響を考慮して
Ｐｂを用いない方法が提案されており、その中でも予め
リードフレームにＰｄ膜を形成してから半導体装置を組
み立てることにより端子部表面にＳｎまたはＳｎ−Ｐｂ
合金膜を形成させる必要のない方法が脚光を浴びてい
る。

【０００５】この方法でＣｕ素材を用いる場合には、図
７に示したように、Ｃｕ素材６０の表面に局部電池の発
生を抑えるバリアメタルとして膜厚１μｍ程度のＮｉ膜
７０をメッキにより形成してから、膜厚０．１μｍ程度
のＰｄ膜６４を形成した二膜の金属膜を形成する方法
や、図８に示したように、Ｃｕ素材６０の表面にメッキ
により膜厚１μｍ程度ののＮｉ膜６２と膜厚０．１μｍ
のＰｄ膜６４とを形成した後に膜厚数ｎｍのＡｕ膜６６
を形成してさらにリード部と基板との接合信頼性を向上
させたものが提案されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ｐｄや
Ａｕは高価であり、あまり膜を厚く形成するとコストが
掛かるという難点がある。

【０００７】また、プリント配線板などの実装基板との
接合信頼性（または実装信頼性）においても、Ｓｎまた
はＳｎ−Ｐｂ合金を用いた場合と比べて劣るという欠点
がある。さらに、半導体装置製造工程中における端子部
の折り曲げ工程において、端子部表面のＡｕ膜などの耐
食性の良い金属膜が剥がれて、端子部が部分的に腐食が
進んでしまい、接合信頼性を損ねる場合がある。

【０００８】また、Ｐｄ膜をＦｅ素材の基材に設けた場
合、Ｃｕ素材の基材に設けた場合と比較して密着性、お
よび耐食性が悪く劣化か速いため、Ｎｉを４２ｗｔ％含
む４２アロイ材等のＦｅ素材の基材には、Ｐｄ膜を設け
ることができないという難点もある。

【０００９】以上のことから本発明は、Ｐｂを使用せず
に、半導体装置のリード部とプリント配線板などの実装
基板との接合信頼性（または実装信頼性）を向上したリ
ードフレームを提供することを第１の目的とする。ま
た、製造コストを抑えることができるリードフレームを
提供することを第２の目的とする。さらに、Ｐｄまたは
Ｐｄ合金よりなる膜をを表面に備え、基材としてＣｕ素
材を用いた場合はもちろんＦｅ素材を用いた場合であっ
ても良好な膜密着性及び耐食性を有するリードフレーム
を提供することも第３の目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記第１の目的を達成す
るために、請求項１の発明のリードフレームは、Ｃｕ素
材からなる基材と、前記基材の表面に形成されＳｎとＮ
ｉとからなるＳｎ−Ｎｉ合金膜と、前記Ｓｎ−Ｎｉ合金
膜の表面に形成されＰｄ膜または表面にＡｕ膜が形成さ
れたＰｄ膜と、を備えている。

【００１１】上記Ｓｎ−Ｎｉ合金膜はレベリング効果が
ないため、表面に微少な凹凸が形成されやすく、この微
少な凹凸によるアンカー効果によって密着力が高くな
る。そのため、Ｓｎ−Ｎｉ合金からなる膜を、リードフ
レームの基材であるＣｕ素材とＰｄ膜、または表面にＡ
ｕ膜が形成されたＰｄ膜との間に設けることにより、基
材の表面とＰｄ膜との両方に対してＳｎ−Ｎｉ合金膜が
良好に密着してＰｄ膜の剥離を防ぐ働きをする。従っ
て、実装基板の接合信頼性を向上したリードフレームを
提供することができる。

【００１２】また、Ｓｎ−Ｎｉ合金からなる膜を用いて
いることからＰｄ膜が剥離する厚さ分を考慮してＰｄ膜
の膜厚を厚くする必要がないため、Ｐｄ膜の膜厚を薄く
しても、従来と同様の接合信頼性を得ることができる。
従って、材料コストを低くできるという利点がある。ま
た、表面にＰｄ膜が良好に維持されることとなるので、
十分に良好な耐食性および耐摩耗性を確保できる。さら
に、Ｐｄ膜の表面にＡｕ膜を設ける場合では、Ａｕ膜の
膜厚も薄くすることができるのでその分コストを低くで
きる。

【００１３】なお、Ｓｎ−Ｎｉ合金膜の表面に設けたＰ
ｄ膜が何らかの理由で剥離したり、クラックが生じた場
合であってもＳｎ−Ｎｉ合金膜はＮｉ膜よりも耐食性お
よび耐摩耗性が優れているため、従来のＮｉ膜を施した
場合と比較して端子の寿命を延ばすことができる。

【００１４】また、Ｓｎ−Ｎｉ合金は、標準電極電位
が、基材を構成するＣｕ素材の標準電極電位とＰｄの標
準電極電位との中間の値であるので、Ｓｎ−Ｎｉ合金か
らなる膜を、リードフレームの基材であるＣｕ素材とＰ
ｄ膜との間、またはＣｕ素材と表面にＡｕ膜が形成され
たＰｄ膜との間に設けることにより、基材とＳｎ−Ｎｉ
合金膜との間、及びＳｎ−Ｎｉ合金膜とＰｄ膜、または
表面にＡｕ膜が形成されたＰｄ膜との間における局部電
池の発生が抑えられ、これに起因して生じる腐食を抑え
ることができる。したがって、リードフレームの寿命が
従来よりも長くでき、半導体装置の端子部の接合信頼性
を長い期間確保できる。

【００１５】また、請求項２の発明のリードフレーム
は、Ｃｕ素材からなる基材と、前記基材の表面に形成さ
れＮｉ膜またはＳｎとＮｉとからなるＳｎ−Ｎｉ合金膜
からなる下地膜と、前記下地膜の表面に形成されＰｄと
ＡｕとからなるＰｄ−Ａｕ合金膜と、を備えている。

【００１６】すなわち、請求項２の発明では、ＰｄとＡ
ｕとをＰｄ−Ａｕ合金膜として同じ膜内に含む構成とす
ることにより、端子折り曲げ工程などでＰｄ−Ａｕ合金
膜が多少剥がれても残留したＰｄ−Ａｕ合金膜内には耐
食性及び耐摩耗性が良好なＡｕも含まれることとなる。
そのため、Ｐｄ膜とＡｕ膜とを重ねて形成したときに最
表面となるＡｕ膜が剥がれた場合と比べて、十分にその
接合信頼性を確保できる。また、膜形成処理工程がＰｄ
膜とＡｕ膜とを重ねて形成する場合と比べて少ないので
その分のコストを抑えることができるという利点もあ
る。

【００１７】また、Ｓｎ−Ｎｉ合金膜をＰｄ−Ａｕ合金
膜の下地膜として設ける場合では、上記請求項１におい
て説明したように接合信頼性を向上することができると
共に、接合信頼性を従来と同程度とする場合にＰｄ−Ａ
ｕ合金膜の膜厚を従来のＰｄ膜及びＡｕ膜の合計の膜厚
よりも薄くすることができるので材料コストが抑えられ
るという利点もある。

【００１８】さらに、請求項３の発明のリードフレーム
は、Ｆｅ素材またはＣｕ素材からなる基材と、前記基材
の表面に形成されＣｕとＳｎとからなるＣｕ−Ｓｎ合金
膜と、前記Ｃｕ−Ｓｎ合金膜の表面に形成されＳｎとＮ
ｉとからなるＳｎ−Ｎｉ合金膜またはＮｉ膜からなる下
地膜と、Ｐｄ−Ａｕ合金膜、Ｐｄ膜、及び表面にＡｕ膜
を備えたＰｄ膜の何れか１つの膜と、を備えている。

【００１９】すなわち、請求項３の発明では、リードフ
レームの基材を構成するＦｅ素材及びＣｕ素材と、リー
ドフレームの最表面となる膜（すなわち、Ｐｄ−Ａｕ合
金膜または、Ｐｄ膜または、表面にＡｕ膜を備えたＰｄ
膜）との間に、Ｓｎ−Ｎｉ合金膜またはＮｉ膜からなる
下地膜を設けることに加えて、標準電極電位が前記基材
と前記下地膜との間の値を持つＣｕ−Ｓｎ合金からなる
膜を設けているので、基材とＣｕ−Ｓｎ合金膜との間、
下地膜としてＳｎ−Ｎｉ合金膜を用いた場合ではＳｎ−
Ｎｉ合金膜とＣとｕ−Ｓｎ合金膜との間、下地膜として
Ｎｉ膜を用いた場合ではＮｉ膜とＣｕ−Ｓｎ合金膜との
間、の標準電極電位差がそれぞれＣｕ−Ｓｎ合金膜を設
けずに基材表面に下地膜を設けた場合の標準電極電位差
に比較して小さくなる。これにより、基材と下地膜との
間での局部電流の発生が抑えられ、これに起因する腐食
が防止されて耐食性を高めることができる。

【００２０】特に、Ｃｕ素材よりも下地膜との標準電極
電位差の大きいＦｅ素材を基材とした場合に、Ｆｅ素材
とＳｎ−Ｎｉ合金膜との間の異種金属接触部、またはＦ
ｅ素材とＮｉ膜との間の異種金属接触部での標準電極電
位差が局部電池の発生を抑える範囲内となるので、従来
では電気的な腐食が激しくて設けることのできなかった
４２アロイ材などのＦｅ素材の基材に対してもＰｄ膜や
Ｐｄ−Ａｕ合金膜等のＰｄを含む金属を設けることがで
きる。そのため、Ｆｅ素材の基材の使用可能範囲を従来
よりも広げることができる。

【００２１】また、下地膜としてＳｎ−Ｎｉ合金膜を選
択すれば、請求項１と同様に、接合信頼性を向上させる
ことができると共に、接合信頼性を向上する場合に最表
面に設けられる膜の膜厚を従来より薄くできるという利
点がある。また、最表面に設ける膜としてＰｄ−Ａｕ合
金膜を選択すれぱ、請求項２と同様に、Ｐｄ膜とＡｕ膜
とを重ねて形成する場合に比べて耐食性および耐摩耗性
が保持され、十分にその接合信頼性を確保することがで
きる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図１か
ら図５を参照して説明する。

【００２３】（第１の実施形態）図１に示したリードフ
レーム基材１０は、Ｃｕ素材（Ｃｕと１０ｗｔ％程度の
微量の他の金属成分からなる金属）より構成されてい
る。本第１の実施形態では、リードフレーム基材１０の
表面にＳｎを５０ｗｔ％含有するＳｎ−Ｎｉ合金膜１２
をメッキにより１〜２μｍ程度施し、さらにその表面に
Ｐｄ膜１４をメッキにより０．１μｍ程度施している。

【００２４】本第１の実施形態では、リードフレーム基
材１０とＰｄ膜１４との間にＳｎ−Ｎｉ合金膜１２を設
けることにより、良好な密着性を確保しているので、耐
食性および耐摩耗性を向上でき、従って実装基板との接
合信頼性を向上することができる。

【００２５】下地膜としてＳｎ−Ｎｉ合金膜１２を施し
た場合、下地膜としてＮｉ膜をＳｎ−Ｎｉ合金膜１２と
同じ膜厚に施すよりも良好な膜密着性が得られる。その
ため、Ｓｎ−Ｎｉ合金膜１２の膜厚を１〜２μｍ程度と
した場合、Ｐｄ膜１４の膜厚を従来より薄くしても従来
と同程度の接合信頼性を得ることが可能である。すなわ
ち、Ｐｄ膜の剥離する厚さ分を考慮して膜厚を厚くしな
くても従来と同程度の接合信頼性が得られるのでその分
Ｐｄ膜の膜厚を薄くすることができ、材料コストを低く
できる。

【００２６】（第２の実施形態）図２は、第１の実施形
態で示したリードフレームの表面膜であるＰｄ膜の表面
に厚さ数ｎｍのＡｕ膜１６を形成した構成のリードフレ
ームを示している。この構成の場合、Ｓｎ−Ｎｉ合金膜
１２の良好な耐食性および耐摩耗性とＡｕ膜の耐食性と
によって接合信頼性をさらに向上することができる。

【００２７】また、Ｓｎ−Ｎｉ合金膜１２の膜厚を１〜
２μｍ程度とした場合、Ｐｄ膜１４の膜厚を薄くしても
従来と同程度の接合信頼性を得ることができる。すなわ
ち、Ｐｄ膜及びＡｕ膜の剥離する厚さ分を考慮して膜厚
を厚くしなくても従来と同程度の接合信頼性が得られる
ので、高価なＰｄ膜１４及びＡｕ膜１６の膜厚を薄くで
きでき、コストを抑えることができる。

【００２８】（第３の実施形態）図３に示したリードフ
レーム基材１０は、Ｃｕ素材により構成されている。本
第３の実施形態では、リードフレーム基材１０の表面に
Ｎｉ膜２０をメッキにより１〜２μｍ程度施し、さらに
その表面に厚さ０．１μｍのＡｕを少なくとも１０ｗｔ
％含有するＰｄ−Ａｕ合金膜１８をメッキにより施して
いる。

【００２９】この構成によれば、ＰｄとＡｕとをＰｄ−
Ａｕ合金膜１８として同時に形成しているため、端子折
り曲げ工程などでＰｄ−Ａｕ合金膜１８の表膜部分が多
少剥がれてもリードフレーム基材に密着して残っている
膜にはＰｄもＡｕも含まれる。そのため、Ｐｄ膜１４と
Ａｕ膜１６とを重ねて形成する場合に最表面となるＡｕ
膜１６が剥がれた場合と比べて耐食性および耐摩耗性を
良好に維持でき、十分にその接合信頼性を確保すること
ができる。

【００３０】もちろん、Ｐｄ膜１４とＡｕ膜１６とを重
ねて形成する場合は２工程の膜形成工程が必要である
が、本第３実施例のようにＰｄとＡｕとをＰｄ−Ａｕ合
金膜１８として同時に形成する場合は１工程で済むので
その分のコストを抑えることができるという利点もあ
る。

【００３１】（第４の実施形態）図４は、第３の実施形
態で示したリードフレームにおいてＮｉ膜２０の代わり
に厚さ１〜２μｍ程度のＳｎを５０ｗｔ％含有するＳｎ
−Ｎｉ合金膜１２をメッキにより施したものである。こ
の構成の場合は、上記第３の実施形態で得られる効果に
加えて、Ｓｎ−Ｎｉ合金膜１２の良好な耐食性および耐
摩耗性によってＳｎ−Ｎｉ合金膜１２の表面のＰｄ−Ａ
ｕ合金膜１８の膜厚を薄くしても従来と同程度の接合信
頼性を得ることができる。

【００３２】すなわち、Ｐｄ膜の剥離する厚さ分を考慮
して膜厚を厚くしなくても従来と同程度の接合信頼性が
得られるのでその分Ｐｄ膜の膜厚を薄くすることがで
き、材料コストを低くできる。

【００３３】（第５の実施形態）図５に示したリードフ
レーム基材３０は、Ｆｅ素材としてＮｉを４２ｗｔ％の
含むＦｅ−Ｎｉ合金、すなわち、４２アロイ材により構
成されている。本第５の実施形態では、リードフレーム
基材３０の表面に、厚さ１〜３μｍ程度のＣｕ−Ｓｎ合
金膜３２と、その表面に厚さ１〜２μｍ程度のＳｎを５
０ｗｔ％含有するＳｎ−Ｎｉ合金膜１２とをメッキによ
り施し、さらにその表面にＡｕを少なくとも１０ｗｔ％
Ｐｄ−Ａｕ合金膜１８を厚さ０．１μｍ程度となるよう
にメッキにより施している。

【００３４】リードフレーム基材３０とＳｎ−Ｎｉ合金
膜１２との間に設けたＣｕ−Ｓｎ合金膜３２により、リ
ードフレーム基材３０とＣｕ−Ｓｎ合金膜３２との間及
びＳｎ−Ｎｉ合金膜１２とＣｕ−Ｓｎ合金膜３２との間
での標準電極電位差が小さくなるので局部電流の発生が
抑えられ、これに起因する腐食が防止されて耐食性が高
まる。

【００３５】また、下地膜としてＳｎ−Ｎｉ合金膜１２
を用いているので接合信頼性を向上でき、Ｓｎ−Ｎｉ合
金膜１２の表面のＰｄ−Ａｕ合金膜１８の膜厚を薄くし
ても従来と同程度の接合信頼性が得られるので、コスト
を低減することができる。

【００３６】さらに、最表面にＰｄ−Ａｕ合金膜１８を
設けているため、端子折り曲げ工程などでＰｄ−Ａｕ合
金膜１８の表膜部分が多少剥がれても耐食性および耐摩
耗性を良好に維持でき、十分にその接合信頼性を確保す
ることができる。もちろんＰｄ−Ａｕ合金膜としてＰｄ
とＡｕとを同じ膜内に形成するため、膜形成工程が１工
程で済むのでその分のコストを抑えることができるとい
う利点もある。

【００３７】なお、この実施形態において特定の比率の
Ｃｕ−Ｓｎ合金に対するＳｎ−Ｎｉ合金の比率およびＰ
ｄ−Ａｕ合金の比率の組み合わせについては限定的では
なく、熱膨張率等を考慮して必要に応じ比率と組み合わ
せとを適宜選択することができる。

【００３８】さらに、第５の実施形態では基材としてＦ
ｅ素材である４２アロイ材を用いたが他のＦｅ素材を用
いても良い。また、別の基材として上述した第１から第
４の実施形態のように、Ｃｕ素材を用いることもでき
る。

【００３９】また、第５の実施形態では、４２アロイ材
よりなる基材にＰｄ−Ａｕ合金膜を施す場合に、基材の
表面にＣｕ−Ｓｎ合金膜、Ｃｕ−Ｓｎ合金膜の表面にＳ
ｎ−Ｎｉ合金膜を施してからＰｄ−Ａｕ合金膜を施して
いるが、この他の構成として、４２アロイ材よりなる基
材の表面に１μｍ程度のＣｕ−Ｓｎ合金膜、１μｍ程度
のＮｉ膜、０．１μｍ程度のＰｄ−Ａｕ合金膜をメッキ
により設けるようにしてもよい。

【００４０】また、４２アロイ材よりなる基材の表面に
１μｍ程度のＣｕ−Ｓｎ合金膜、１μｍ程度のＮｉ膜、
０．１μｍ程度のＰｄ膜をメッキにより設けるようにし
ても、４２アロイ材に１μｍ程度のＣｕ−Ｓｎ合金膜、
１μｍ程度のＮｉ膜、０．１μｍ程度のＰｄ膜、数ｎｍ
のＡｕ膜をメッキにより設けるようにしてもよい。

【００４１】さらに、４２アロイ材に１μｍ程度のＣｕ
−Ｓｎ合金膜、１μｍ程度のＳｎ−Ｎｉ合金膜、０．１
μｍ程度のＰｄ膜をメッキにより設けるようにしても、
４２アロイ材に１μｍ程度のＣｕ−Ｓｎ合金膜、１μｍ
程度のＳｎ−Ｎｉ合金膜、０．１μｍ程度のＰｄ膜、数
ｎｍのＡｕ膜をメッキにより設けるようにしてもよい。

【００４２】なお、以上説明した第１の実施形態から第
５の実施形態において、Ｃｕ素材としては、銅と微量の
金属成分からなる合金であればよく、例えば、ＣｕとＺ
ｒとからなるＣｕ−Ｚｒ合金や、ＣｕとＺｎとからなる
Ｃｕ−Ｚｎ合金などが挙げられる。

【００４３】なお、上記第１、第２、第４及び第５の実
施形態ではＳｎ−Ｎｉ合金膜１２を構成するＳｎ−Ｎｉ
合金として、Ｓｎを５０ｗｔ％含有するＳｎ−Ｎｉ合金
を使用しているが、この組成のＳｎ−Ｎｉ合金に限ら
ず、Ｓｎを３０〜７０ｗｔ％程度含有するＳｎ−Ｎｉ合
金を使用できる。

【００４４】また、上記第３、第４及び第５の実施形態
ではＰｄ−Ｎｉ合金膜１８を構成するＰｄ−Ａｕ合金と
して、Ａｕを少なくとも１０ｗｔ％含有するＰｄ−Ａｕ
合金を使用しているが、この組成のＰｄ−Ａｕ合金に限
らず、Ｐｄを３０〜７０ｗｔ％程度含有するＰｄ−Ａｕ
合金を使用できる。

【００４５】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明に
よれば、基材の表面とＰｄ膜との両方に対してＳｎ−Ｎ
ｉ合金膜が良好に密着してＰｄ膜が剥がれ落ちるのを防
ぐので接合信頼性を向上することができる、という効果
がある。

【００４６】また、請求項２の発明によれば、端子折り
曲げ工程などでＰｄ−Ａｕ合金膜の表膜部分が多少剥が
れても残留した膜内にはＰｄもＡｕも含まれるので、Ｐ
ｄ膜とＡｕ膜とを重ねて形成する場合に最表面となるＡ
ｕ膜が剥がれた場合と比べて耐食性および耐摩耗性が保
持され、十分にその接合信頼性を確保できる、という効
果がある。

【００４７】さらに、請求項３の発明によれば、基材と
下地膜との間での局部電流の発生が抑えられ、これに起
因する腐食が防止されて耐食性がより一層高まったもの
とできる。これにより、Ｃｕ素材はもちろん、４２アロ
イ材などのＦｅ素材からなる基材には設けられなかった
Ｐｄ膜やＰｄ合金膜を設けることが可能となる、という
効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態におけるリードフレー
ムの部分断面図である。

【図２】本発明の第２の実施形態におけるリードフレー
ムの部分断面図である。

【図３】本発明の第３の実施形態におけるリードフレー
ムの部分断面図である。

【図４】本発明の第４の実施形態におけるリードフレー
ムの部分断面図である。

【図５】本発明の第５の実施形態におけるリードフレー
ムの部分断面図である。

【図６】リードフレームを示す上面図である。

【図７】従来のリードフレームの部分断面図である。

【図８】従来のリードフレームの別の部分断面図であ
る。

【符号の説明】

１０、３０ リードフレーム基材 １２ Ｓｎ−Ｎｉ合金膜１２ １４ Ｐｄ膜 １６ Ａｕ膜 １８ Ｐｄ−Ａｕ合金膜 ２０ Ｎｉ膜 ３２ Ｃｕ−Ｓｎ合金膜

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 Ｃｕ素材からなる基材と、 前記基材の表面に形成されＳｎとＮｉとからなるＳｎ−
   Ｎｉ合金膜と、 前記Ｓｎ−Ｎｉ合金膜の表面に形成されたＰｄ膜または
   表面にＡｕ膜が形成されたＰｄ膜と、 を備えたリードフレーム。
2. 【請求項２】 Ｃｕ素材からなる基材と、 前記基材の表面に形成されＮｉ膜またはＳｎとＮｉとか
   らなるＳｎ−Ｎｉ合金膜からなる下地膜と、 前記下地膜の表面に形成されたＰｄとＡｕとからなるＰ
   ｄ−Ａｕ合金膜と、 を備えたリードフレーム。
3. 【請求項３】 Ｆｅ素材またはＣｕ素材からなる基材
   と、 前記基材の表面に形成されＣｕとＳｎとからなるＣｕ−
   Ｓｎ合金膜と、 前記Ｃｕ−Ｓｎ合金膜の表面に形成されＳｎとＮｉとか
   らなるＳｎ−Ｎｉ合金膜またはＮｉ膜からなる下地膜
   と、 Ｐｄ−Ａｕ合金膜、Ｐｄ膜、及び表面にＡｕ膜を備えた
   Ｐｄ膜の何れか１つの膜と、 を備えたリードフレーム。