JPH062682U - 縦型拡散・ｃｖｄ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】縦型拡散・ＣＶＤ装置に於いて、反応炉の余熱
の放出効果を向上させ、該反応炉の高速降温を実現し、
スループットの向上及び自然酸化膜の生成を抑止しウェ
ーハの品質向上を図る。 【構成】ボート１１に装填されたウェーハ１０が装入さ
れる反応管４、該反応管を囲繞する均熱管１２、該均熱
管を囲繞するヒータ層２を順次同心多重に配設した縦型
拡散・ＣＶＤ装置に於いて、前記均熱管の下部に下通気
孔１３を穿設し、又前記均熱管の上部に上通気孔１４を
穿設し、前記均熱管と前記反応管とが成す内側空気流路
１５と前記均熱管と前記ヒータ層とが成す空気流路５と
を連通させ、該空気流路の上部より排気可能とし、ウェ
ーハ処理完了後の降温時に、空気を内側空気流路と空気
流路とに流通させ、反応管、均熱管周辺の余熱を迅速に
排熱する。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、半導体製造装置の１つである縦型拡散・ＣＶＤ装置に関するもので ある。

【０００２】

【従来の技術】

半導体製造装置の１つに縦型拡散・ＣＶＤ装置がある。

【０００３】 縦型拡散・ＣＶＤ装置は半導体製造工程の１つであるウェーハに不純物の拡散 或はウェーハ表面に化学気相蒸着（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓ ｉｔ）等の表面処理を行うものである。

【０００４】 図２に於いて従来の縦型拡散・ＣＶＤ装置について説明する。

【０００５】 図２は縦型拡散・ＣＶＤ装置の特に反応炉の断面を示しており、外周を外被断 熱層１で覆われた筒状のヒータ層２の内部に均熱管３、更に該均熱管３の内部に 反応管４を同心状に配設し、前記ヒータ層２と前記均熱管３との間に形成される 空気流路５は上端部に設けられたヒータ内熱排気ゲート６を介して排気ダクト７ に連通され、該排気ダクト７には冷却器８、排気ファン９が設けられている。

【０００６】 ウェーハ１０はウェーハ保持具１１に所要のピッチで多段に保持される様にな っており、該ウェーハ１０は前記ウェーハ保持具１１に保持された状態で前記反 応管４内に装入され、更に処理される様になっている。

【０００７】 ウェーハ１０は前記ヒータ層２によって半導体膜形成温度迄加熱され、且密閉 された状態で処理される。処理が完了すると前記ヒータ内熱排気ゲート６が開放 され、前記排気ファン９が駆動して空気流路５の空気を吸引排気して、前記反応 管４及びその周囲を冷却し、ウェーハ１０を前記反応管４より取出しても自然酸 化を誘起しない雰囲気となったところで前記ウェーハ保持具１１が引出されてい た。

【０００８】 前記した様に、ウェーハを前記反応管４より引出す場合、雰囲気温度がウェー ハの自然酸化が生じない温度迄下がっていることが要求される。従って、前記ウ ェーハ保持具１１を引出す前に前記ヒータ内熱排気ゲート６を開放し、前記排気 ファン９により吸引し、冷却用の空気を前記空気流路５に流通させ、前記排気ダ クト７、冷却器８を経て排気し、ヒータ層２、均熱管３を冷却していた。

【０００９】

【考案が解決しようとする課題】

ところが前記した従来の縦型拡散・ＣＶＤ装置では冷却時に均熱管３と反応管 ４との間は空気の流通がなく、反応炉の余熱の放出効果が充分でなく前記ウェー ハを引出す迄に多くの時間を要していた。

【００１０】 本考案は斯かる実情に鑑み、反応炉の余熱の放出効果を向上させ、該反応炉の 高速降温を実現し、スループットの向上及び自然酸化膜の生成を抑止しウェーハ の品質向上を図るものである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】

本考案は、ボートに装填されたウェーハが装入される反応管、該反応管を囲繞 する均熱管、該均熱管を囲繞するヒータ層を順次同心多重に配設した縦型拡散・ ＣＶＤ装置に於いて、前記均熱管の下部に下通気孔を穿設し、又前記均熱管の上 部に上通気孔を穿設し、前記均熱管と前記反応管とが成す内側空気流路と前記均 熱管と前記ヒータ層とが成す空気流路とを連通させ、該空気流路の上部より排気 可能としたことを特徴とするものである。

【００１２】

【作用】

ウェーハ処理完了後の降温時に、空気を内側空気流路と空気流路とに流通させ 、反応管、均熱管周辺の余熱を迅速に排熱する。

【００１３】

【実施例】

以下、図面に基づき本考案の一実施例を説明する。

【００１４】 図１は、図２同様縦型拡散・ＣＶＤ装置の特に反応炉の断面を示しており、図 １中、図２中で示したものと同一のものは同符号を付し、その説明を省略する。

【００１５】 均熱管１２の下部に下通気孔１３を穿設し、均熱管１２の上部に上通気孔１４ を穿設する。

【００１６】 前記均熱管１２の上下に下通気孔１３、上通気孔１４を穿設することで、均熱 管１２と反応管４との間に形成される空間が前記空気流路５と連通し、内側空気 流路１５として機能する。而して前記ウェーハ処理が完了し、前記ヒータ内熱排 気ゲート６が開放され、前記排気ファン９が駆動して空気流路５の空気を吸引排 気すると、炉下端から吸引された空気は前記空気流路５を上昇してヒータ内熱排 気ゲート６を経て排気ダクト７に至るが、前記吸引された空気の１部は前記下通 気孔１３を通って前記内側空気流路１５に入り、該内側空気流路１５を上昇し、 前記上通気孔１４より出て、前記空気流路５を流れる空気と合流し、前記排気ダ クト７に至る。

【００１７】 上述した様に、本実施例では空気が前記空気流路５のみならず、前記内側空気 流路１５を流通する様にしたので、反応管４、均熱管１２周辺の余熱を効果的に 且迅速に排熱することができる。

【００１８】 尚、前記下通気孔１３、上通気孔１４の数は適宜選択することができる。

【００１９】

【考案の効果】

以上述べた如く本考案によれば、炉内の余熱を効果的に排熱することができる ので、降温速度を増加させ得、ウェーハ処理完了からウェーハ出入れ可能な状態 迄の時間を短縮することができ、スループットの向上を図ることができると共に ウェーハの自然酸化膜生成を抑止できウェーハの製品品質の安定性を増大できる という優れた効果を発揮する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案の一実施例を示す断面図である。

【図２】従来例を示す断面図である。

【符号の説明】

２ ヒータ層 ４ 反応管 ５ 空気流路 １０ ウェーハ １１ ボート １２ 均熱管 １３ 下通気孔 １４ 上通気孔 １５ 内側空気流路

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 ボートに装填されたウェーハが装入され
   る反応管、該反応管を囲繞する均熱管、該均熱管を囲繞
   するヒータ層を順次同心多重に配設した縦型拡散・ＣＶ
   Ｄ装置に於いて、前記均熱管の下部に下通気孔を穿設
   し、又前記均熱管の上部に上通気孔を穿設し、前記均熱
   管と前記反応管とが成す内側空気流路と前記均熱管と前
   記ヒータ層とが成す空気流路とを連通させ、該空気流路
   の上部より排気可能としたことを特徴とする縦型拡散・
   ＣＶＤ装置。