JPH062683U - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH062683U JPH062683U JP4640492U JP4640492U JPH062683U JP H062683 U JPH062683 U JP H062683U JP 4640492 U JP4640492 U JP 4640492U JP 4640492 U JP4640492 U JP 4640492U JP H062683 U JPH062683 U JP H062683U
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ランプアニール装置によるアニール時のウェ
ハ温度ばらつきを抑制する。 【構成】 サセプタ３に回転力を与えてウェハ２を回転
させつつアニール処理を行い、ウェハ温度ばらつきを抑
制する。
ハ温度ばらつきを抑制する。 【構成】 サセプタ３に回転力を与えてウェハ２を回転
させつつアニール処理を行い、ウェハ温度ばらつきを抑
制する。
Description
【０００１】
本考案は、半導体製造装置に関し、特にランプアニール装置に関する。
【０００２】
従来の技術を図面を用いて説明する。図３（ａ）は、従来例を示す平面図、図 ３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ−Ａ′線断面図である。
【０００３】 従来の装置は図３に示すように、石英ガラスで構成された炉４の内部に、石英 ガラスで構成されたサセプタ８を有し、炉４の上下に円筒形のハロゲンランプ１ を１０〜２０本程度有し、炉４の奥には窒素パージ用のガス管５を有している。
【０００４】 また炉４の入口には、ウェハ２をサセプタ８に乗せるためのウェハ搬送装置７ を有している。
【０００５】
この従来のランプアニール装置において、アニール時、ウェハ２は炉４内のサ セプタ８上に支持されている。そのため、炉４を洗浄した時などにサセプタ８と ランプ１の相対的位置のずれ、ウェハ搬送装置７の位置合わせ精度の狂いにより サセプタ８上にセットするウェハ２の位置がずれ、それに伴いウェハ内温度ばら つきが大きくなってしまい、このためウェハ特性のばらつきが大きくなってしま うという問題があった。
【０００６】 本考案の目的は、アニール時のウェハ内温度ばらつきを抑制した半導体製造装 置を提供することにある。
【０００７】
前記目的を達成するため、本考案に係る半導体製造装置は、サセプタと、回転 機構とを有し、炉内のウェハにアニール処理を行う半導体製造装置であって、 サセプタは、炉内にウェハを支持するものであり、 回転機構は、サセプタに連結し、サセプタを炉内で回転させるものである。
【０００８】
ウェハを回転させながらアニールすることにより、ウェハ内温度ばらつきを抑 制する。
【０００９】
以下、本考案の一実施例を図により説明する。
【００１０】 （実施例１）図１（ａ）は、本考案の実施例１を示す平面図、（ｂ）は、図１ （ａ）のＡ−Ａ′線断面図である。
【００１１】 図において、石英ガラス製の炉４の内部には、ウェハ２を支持するサセプタ３ が配置されている。サセプタ３は、モータにより駆動される回転機構６に支持し てあり、ウェハ２を炉４内で回転する。
【００１２】 また、炉４の上下面には、円筒形のハロゲンランプ１を１０〜２０本程度設置 してあり、炉４には、窒素パージ用のガス管５を備えている。
【００１３】 また、炉４の入口には、ウェハ２をサセプタ３に搬出入するウェハ搬送装置７ を有している。
【００１４】 実施例において、ハロゲンランプ１にて炉４を加熱しているアニール状態で、 ウェハ２を支持したサセプタ３を回転機構６により回動させてウェハ２を回転（ １００〜３００ｒｐｍ程度）させることにより、ウェハ２内の温度ばらつきを抑 制する。
【００１５】 （実施例２）図２（ａ）は、本考案の実施例２を示す平面図、（ｂ）は図２（ ａ）のＡ−Ａ′線断面図である。
【００１６】 本実施例は、回転機構６を回動可能に支持する別の回転機構９を有している。 回転機構６と９の関係は、回転機構９の回転軸に対して回転機構６の回転軸が偏 心して支持されており、回転機構６の回転軸は、回転機構９の回転軸を中心とす る円上を自転しながら公転する軌跡を描くこととなる。
【００１７】 したがって、サセプタ３上のウェハ２は、自転しながら公転する軌跡を描くこ ととなり、ウェハ内温度ばらつきをより有効に抑制できるという利点がある。
【００１８】 ウェハを回転させない従来のランプアニール装置では考案者の実験によると、 ばらつきを、 ばらつき［％］＝標準偏差／平均値×１００ とすると、ウェハ内温度ばらつきは４％である。
【００１９】 これに対し本考案のランプアニール装置では、サセプタやウェハの位置のずれ に関係なく、１％以下にすることができた。
【００２０】
以上説明したように本考案によれば、ウェハを回転しながらアニール処理を行 うため、炉洗浄時にサセプタとランプの相対的位置ずれ等が生じたとしても、ウ ェハ内温度のばらつきを抑制できるという効果を有する。
【図１】（ａ）は本考案の実施例１を示す平面図、
（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ′線断面図である。
（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ′線断面図である。
【図２】（ａ）は、本考案の実施例２を示す平面図、
（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ′線断面図である。
（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ′線断面図である。
【図３】（ａ）は、従来例を示す平面図、（ｂ）は図３
（ａ）のＡ−Ａ′線断面図である。
（ａ）のＡ−Ａ′線断面図である。
１ ハロゲンランプ ２ ウェハ ３ サセプタ ４ 炉 ５ ガス管 ６，９ 回転機構 ７ ウェハ搬送装置
Claims (1)
- 【請求項１】 サセプタと、回転機構とを有し、炉内の
ウェハにアニール処理を行う半導体製造装置であって、 サセプタは、炉内にウェハを支持するものであり、 回転機構は、サセプタに連結し、サセプタを炉内で回転
させるものであることを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4640492U JPH062683U (ja) | 1992-06-10 | 1992-06-10 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4640492U JPH062683U (ja) | 1992-06-10 | 1992-06-10 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH062683U true JPH062683U (ja) | 1994-01-14 |
Family
ID=12746220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4640492U Pending JPH062683U (ja) | 1992-06-10 | 1992-06-10 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH062683U (ja) |
-
1992
- 1992-06-10 JP JP4640492U patent/JPH062683U/ja active Pending
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