JPH0322417A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
- Publication number
- JPH0322417A JPH0322417A JP15772489A JP15772489A JPH0322417A JP H0322417 A JPH0322417 A JP H0322417A JP 15772489 A JP15772489 A JP 15772489A JP 15772489 A JP15772489 A JP 15772489A JP H0322417 A JPH0322417 A JP H0322417A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- core tube
- semiconductor
- tube
- semiconductor substrate
- furnace core
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 14
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路の製造装置に関し、特にガス導
入部と開放部を有する円筒型炉芯管及び円筒型炉芯管を
外部より加熱する外部ヒーターを有する半導体基板の熱
処理装置に関する。
入部と開放部を有する円筒型炉芯管及び円筒型炉芯管を
外部より加熱する外部ヒーターを有する半導体基板の熱
処理装置に関する。
従来、この種の熱処理装置は半導体基板の酸化や拡散の
工程で用いられているが、例えば酸化膜の形成に用いら
れるような熱処理装置では円筒型炉芯管を固定とし半導
体基板支持台をその内部に置き炉芯管の外部から外部ヒ
ーターで半導体基板を加熱し同時にガスを導入して酸化
膜を形戒していた。
工程で用いられているが、例えば酸化膜の形成に用いら
れるような熱処理装置では円筒型炉芯管を固定とし半導
体基板支持台をその内部に置き炉芯管の外部から外部ヒ
ーターで半導体基板を加熱し同時にガスを導入して酸化
膜を形戒していた。
ところが従来の装置では、外部ヒーターの出力ばらつき
により半導体基板の温度均一性が悪く半導体基板上に成
長する酸化膜の不均一な形成や拡散の不均一性の要因と
なっている。
により半導体基板の温度均一性が悪く半導体基板上に成
長する酸化膜の不均一な形成や拡散の不均一性の要因と
なっている。
よって本発明の目的は半導体基板の温度均一性が良好な
熱処理装置を提供することにある。
熱処理装置を提供することにある。
本発明の半導体集積回路の製造装置は、半導体基板支持
体固定機構を内部にもつ円筒形炉芯管と外部ヒーターに
対して円筒形炉芯管を回転させる駆動機構を有している
， 〔実施例〕 次に、本発明について図面を参照して説明する。第１図
および第２図を参照すると、本発明の一実施例の熱処理
装置は片側（図面右端）にガス導入部６を持ち反対側（
図面左側）は開放部となっている回転可能な炉芯管５と
、炉芯管５の周囲をとりかこむように固定配置された外
部ヒーター３と、モーター４と、モーター４からの駆動
力を用いて炉芯管を回転させる機構１０とを有し、炉芯
管５の内壁には固定機構１が固定されそれに半導体基板
９の支持体２がひっかけ止めで固定されている。この装
置は、半導体基板支持体２を炉芯管内固定装置１に固定
したのちこれを外部ヒーター３で加熱し、駆動モーター
４９回転駆動力により回転機構１０を用いて炉芯管５を
第２図に示す角度Ａだけ往復回転運動をおこなわせる。
体固定機構を内部にもつ円筒形炉芯管と外部ヒーターに
対して円筒形炉芯管を回転させる駆動機構を有している
， 〔実施例〕 次に、本発明について図面を参照して説明する。第１図
および第２図を参照すると、本発明の一実施例の熱処理
装置は片側（図面右端）にガス導入部６を持ち反対側（
図面左側）は開放部となっている回転可能な炉芯管５と
、炉芯管５の周囲をとりかこむように固定配置された外
部ヒーター３と、モーター４と、モーター４からの駆動
力を用いて炉芯管を回転させる機構１０とを有し、炉芯
管５の内壁には固定機構１が固定されそれに半導体基板
９の支持体２がひっかけ止めで固定されている。この装
置は、半導体基板支持体２を炉芯管内固定装置１に固定
したのちこれを外部ヒーター３で加熱し、駆動モーター
４９回転駆動力により回転機構１０を用いて炉芯管５を
第２図に示す角度Ａだけ往復回転運動をおこなわせる。
これにより半導体基板上の温度均一性が向上する。支持
体２は角度Ａの回転に対し半導体基板９が落ちないよう
な深さの皿状の収容部を持っている。
体２は角度Ａの回転に対し半導体基板９が落ちないよう
な深さの皿状の収容部を持っている。
第３図および第４図を参照すると、本発明の他の実施例
は第１図の実施例と比べて炉芯管５内壁にガス導入部６
から導入されたガスの攪拌用フィン７を取り付けたこと
および半導体基板支持体８を半導体基板９の全周囲をと
り囲む構造のものにした点で異なっている。本実施例で
は炉芯管５に３６０゜の回転運動をおこなわせることが
でき、フィン７の存在とあいまって導入ガスの循環性を
向上させ管内ガス濃度の均一化を保つことができ、半導
体基板上の温度均一性も向上する。
は第１図の実施例と比べて炉芯管５内壁にガス導入部６
から導入されたガスの攪拌用フィン７を取り付けたこと
および半導体基板支持体８を半導体基板９の全周囲をと
り囲む構造のものにした点で異なっている。本実施例で
は炉芯管５に３６０゜の回転運動をおこなわせることが
でき、フィン７の存在とあいまって導入ガスの循環性を
向上させ管内ガス濃度の均一化を保つことができ、半導
体基板上の温度均一性も向上する。
以上説明したように、本発明は炉芯管を回転させること
により半導体基板上の温度を均一にする効果がある。さ
らに回転運動によって炉内ガス濃度が均一となり加えて
半導体基板面に常に新しいガスが接触する。これらのこ
とにより例えば、半導体基板上の酸化膜の均一な形戒を
促すことができる効果がある。
により半導体基板上の温度を均一にする効果がある。さ
らに回転運動によって炉内ガス濃度が均一となり加えて
半導体基板面に常に新しいガスが接触する。これらのこ
とにより例えば、半導体基板上の酸化膜の均一な形戒を
促すことができる効果がある。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図、第２図はその横
断面図、第３図は本発明の他の実施例の縦断面図、第４
図はその横断面図である。 １・・・半導体基板支持体固定機構、２，８・・・半導
体基板支持体、３・・・外部ヒーター、４．駆動モータ
ー、５・・・円筒炉芯管、６・・・ガス導入部、７・・
・攪拌用フィン、９・・・半導体基板、１０・・・回転
機構。
断面図、第３図は本発明の他の実施例の縦断面図、第４
図はその横断面図である。 １・・・半導体基板支持体固定機構、２，８・・・半導
体基板支持体、３・・・外部ヒーター、４．駆動モータ
ー、５・・・円筒炉芯管、６・・・ガス導入部、７・・
・攪拌用フィン、９・・・半導体基板、１０・・・回転
機構。
Claims (1)
- ガス導入部と開放部とを有する円筒型炉芯管を外部ヒー
ターにより熱する機構を備えた半導体装置の製造装置に
おいて、半導体基板を収容する半導体支持体を円筒型炉
芯管内で該炉芯管に固定する機構と前記円筒型炉芯管を
外部ヒーターに対して相対的に回転させる機構とを有す
ることを特徴とする半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15772489A JPH0322417A (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15772489A JPH0322417A (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0322417A true JPH0322417A (ja) | 1991-01-30 |
Family
ID=15655982
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15772489A Pending JPH0322417A (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0322417A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04299828A (ja) * | 1991-03-28 | 1992-10-23 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体基板処理装置 |
-
1989
- 1989-06-19 JP JP15772489A patent/JPH0322417A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04299828A (ja) * | 1991-03-28 | 1992-10-23 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体基板処理装置 |
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