JPH0626914B2 - サーマルヘッド - Google Patents
サーマルヘッドInfo
- Publication number
- JPH0626914B2 JPH0626914B2 JP63272943A JP27294388A JPH0626914B2 JP H0626914 B2 JPH0626914 B2 JP H0626914B2 JP 63272943 A JP63272943 A JP 63272943A JP 27294388 A JP27294388 A JP 27294388A JP H0626914 B2 JPH0626914 B2 JP H0626914B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- thermal head
- film
- protective layer
- heating resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/335—Structure of thermal heads
- B41J2/33505—Constructional details
- B41J2/3353—Protective layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/335—Structure of thermal heads
- B41J2/3355—Structure of thermal heads characterised by materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
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- B41J2/335—Structure of thermal heads
- B41J2/33555—Structure of thermal heads characterised by type
- B41J2/3357—Surface type resistors
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明はサーマルヘッドに係り、特にサーマルヘッドの
保護層の改良に関する。
保護層の改良に関する。
（従来の技術） 近年、サーマルヘッドは少音，省保守，低ランニングコ
スト等の利点を生かして、ファクシミリ，ワードプロセ
ッサ用プリンタ等の各種記録装置に多用されるようにな
ってきている。一方、これらの機器は小型化，低価格
化，低電力化が要請されており、このためサーマルヘッ
ドにも小型で安価で、かつ高効率のものが望まれてい
る。
スト等の利点を生かして、ファクシミリ，ワードプロセ
ッサ用プリンタ等の各種記録装置に多用されるようにな
ってきている。一方、これらの機器は小型化，低価格
化，低電力化が要請されており、このためサーマルヘッ
ドにも小型で安価で、かつ高効率のものが望まれてい
る。
この様な要望を満たすものとして、特開昭52−100245号
公報に記載されているように、保温層としてグレーズガ
ラスの代りに熱伝導率の小さな樹脂例えばポリイミド樹
脂やエポキシを用いればよいことが従来より提案されて
いた。しかしながら耐熱性や、付着力の面でサーマルヘ
ッドの動作に耐えられるものが得られず実用化に至らな
かった。
公報に記載されているように、保温層としてグレーズガ
ラスの代りに熱伝導率の小さな樹脂例えばポリイミド樹
脂やエポキシを用いればよいことが従来より提案されて
いた。しかしながら耐熱性や、付着力の面でサーマルヘ
ッドの動作に耐えられるものが得られず実用化に至らな
かった。
最近本発明者らは、（式１）に示すような分子構造を有
するシロキサン変成芳香族ポリイミド樹脂を開発するに
至り、保温層として樹脂を用いるサーマルヘッドの実用
化に目途をつけた。
するシロキサン変成芳香族ポリイミド樹脂を開発するに
至り、保温層として樹脂を用いるサーマルヘッドの実用
化に目途をつけた。
この様なサーマルヘッドの一例を第２図を参照して説明
する。第２図において(1)は例えばFe−Cr合金よりなる
金属基板、(2)はビフェニルテトラカルボン酸二無水物
とｐ−フェニレンジアミンとの等モル混合物の開環重付
加反応時にｐ−フェニレンジアミンの0.05〜10mol ％を
ビスアミノシロキサンで置き換えて合成したポリアミッ
ク酸を塗布、焼き付けすることにより得られた（式−
１）で示されるポリイミド樹脂層、(3)はポリイミド樹
脂層をＣＤＥやアッシング（Ashing）から保護するた
め、抵抗層形成時の抵抗値制御を容易にするためワイヤ
ーボンディング性改善のために設けられたSiO2，SiN，S
iC等からなる下地層、(4)はTa−SiO2，Ti−SiO2等から
なる発熱抵抗体で、この発熱抵抗体(4)上には発熱部(5)
となる開口部を形成する如く、Al，Al−Si−Cu等からな
る個別電極(6)及び共通電極(7)が形成され少なくともこ
の発熱部(5)を被覆するようにSi−Ｏ−Ｎを含有する非
晶質化合物，Si3N4，SiC等からなる保護層(8)が形成さ
れている。第２図において保護層(8)は１層として示し
てあるが、酸化防止層と耐摩耗層を別々の層として設け
る場合や、酸化防止層兼耐摩耗層であっても、接着層を
設ける必要がある場合もある。
する。第２図において(1)は例えばFe−Cr合金よりなる
金属基板、(2)はビフェニルテトラカルボン酸二無水物
とｐ−フェニレンジアミンとの等モル混合物の開環重付
加反応時にｐ−フェニレンジアミンの0.05〜10mol ％を
ビスアミノシロキサンで置き換えて合成したポリアミッ
ク酸を塗布、焼き付けすることにより得られた（式−
１）で示されるポリイミド樹脂層、(3)はポリイミド樹
脂層をＣＤＥやアッシング（Ashing）から保護するた
め、抵抗層形成時の抵抗値制御を容易にするためワイヤ
ーボンディング性改善のために設けられたSiO2，SiN，S
iC等からなる下地層、(4)はTa−SiO2，Ti−SiO2等から
なる発熱抵抗体で、この発熱抵抗体(4)上には発熱部(5)
となる開口部を形成する如く、Al，Al−Si−Cu等からな
る個別電極(6)及び共通電極(7)が形成され少なくともこ
の発熱部(5)を被覆するようにSi−Ｏ−Ｎを含有する非
晶質化合物，Si3N4，SiC等からなる保護層(8)が形成さ
れている。第２図において保護層(8)は１層として示し
てあるが、酸化防止層と耐摩耗層を別々の層として設け
る場合や、酸化防止層兼耐摩耗層であっても、接着層を
設ける必要がある場合もある。
この様なサーマルヘッドは、耐熱性及び付着力の面では
充分にサーマルヘッドの動作に耐えられることは確認さ
れている。しかしながら、本サーマルヘッドをファクシ
ミリ等の装置に組み込んで走行テストを行なった結果、
走行中に異常な抵抗値変化を示し、印字に影響を及ぼす
現象が多々認められた。この様な異常な抵抗値変化を示
した特異点を詳細に調べた結果、サーマルヘッドと感熱
紙の間に巻き込まれた塵芥等の異物がサーマルヘッドの
保護膜に亀裂（クラック）を生じさせ、亀裂が発熱抵抗
体まで達した場合に、特異点が生じることが判った。し
かも、Al2O3 上にグレーズガラスを形成した従来の高抵
抗基体を用いた場合、あるいは金属基体上にガラス層を
形成した高抵抗基体を用いた場合には、他の構成が同じ
場合でも、この様な現象は認められず、保温層として樹
脂を用いた場合に特有であることが判った。これはガラ
ス層を保温層に用いた場合、硬度が高く、また、保護膜
と同様の変形しかないために保護膜の局部的な変形が阻
止されるのに対し、ポリイミド等の樹脂を用いた場合に
は軟かく弾性が大きく変形能が保護膜より著しく大きい
ため、保護膜に局所的な集中荷重が加わった場合、ポリ
イミド層は大きく変形するが、保護膜はこの変形に追随
できず、保護膜が割れてしまうためと考えられた。
充分にサーマルヘッドの動作に耐えられることは確認さ
れている。しかしながら、本サーマルヘッドをファクシ
ミリ等の装置に組み込んで走行テストを行なった結果、
走行中に異常な抵抗値変化を示し、印字に影響を及ぼす
現象が多々認められた。この様な異常な抵抗値変化を示
した特異点を詳細に調べた結果、サーマルヘッドと感熱
紙の間に巻き込まれた塵芥等の異物がサーマルヘッドの
保護膜に亀裂（クラック）を生じさせ、亀裂が発熱抵抗
体まで達した場合に、特異点が生じることが判った。し
かも、Al2O3 上にグレーズガラスを形成した従来の高抵
抗基体を用いた場合、あるいは金属基体上にガラス層を
形成した高抵抗基体を用いた場合には、他の構成が同じ
場合でも、この様な現象は認められず、保温層として樹
脂を用いた場合に特有であることが判った。これはガラ
ス層を保温層に用いた場合、硬度が高く、また、保護膜
と同様の変形しかないために保護膜の局部的な変形が阻
止されるのに対し、ポリイミド等の樹脂を用いた場合に
は軟かく弾性が大きく変形能が保護膜より著しく大きい
ため、保護膜に局所的な集中荷重が加わった場合、ポリ
イミド層は大きく変形するが、保護膜はこの変形に追随
できず、保護膜が割れてしまうためと考えられた。
このため、種々の保護膜材料についてテストを行なった
が、Ta2O3やSiO2は硬度に乏しく、Si3N4，SiC，Al2O3は
靱性に乏しく、いずれもクラックが発生し、使用に耐え
るものではなかった。唯一、亀裂の発生を防止できたの
が特開昭60−4077号公報，同62−3968号公報に示された
高硬度，高靭３性のSi−Al−Ｏ−Ｎを主体とするサイア
ロン膜である。このサイアロン膜は非晶質なので結晶粒
界が実質的に存在せず、空気中の酸素が膜中に侵入せず
安定した保護膜となる。しかしながら、このサイアロン
膜はArガス雰囲気中でもスパッタリングレートが遅い
上、この雰囲気中ではAlが金属成分として析出しやすく
絶縁性に乏しいという問題があった。これはArガスに５
％〜１０％程度O2またはN2を添加することにより改善さ
れるが、更にスパッタリングレートが低下するという問
題が生じる。
が、Ta2O3やSiO2は硬度に乏しく、Si3N4，SiC，Al2O3は
靱性に乏しく、いずれもクラックが発生し、使用に耐え
るものではなかった。唯一、亀裂の発生を防止できたの
が特開昭60−4077号公報，同62−3968号公報に示された
高硬度，高靭３性のSi−Al−Ｏ−Ｎを主体とするサイア
ロン膜である。このサイアロン膜は非晶質なので結晶粒
界が実質的に存在せず、空気中の酸素が膜中に侵入せず
安定した保護膜となる。しかしながら、このサイアロン
膜はArガス雰囲気中でもスパッタリングレートが遅い
上、この雰囲気中ではAlが金属成分として析出しやすく
絶縁性に乏しいという問題があった。これはArガスに５
％〜１０％程度O2またはN2を添加することにより改善さ
れるが、更にスパッタリングレートが低下するという問
題が生じる。
（発明が解決しようとする課題） この様に、ポリイミド樹脂等の樹脂層上に多数の発熱抵
抗体を形成してなるサーマルヘッドでは、ポリイミド樹
脂の低い熱拡散率により熱効率に優れ、また曲げ加工が
可能で小型化し易いという長所を有する反面、樹脂層が
軟かいために塵芥等の巻き込みにより保護層に局所的応
力が加わった時、樹脂層は大きく変形するが、保護層は
この変形に追随できず、亀裂が生じ、これが発熱抵抗体
層まで達すると、抵抗値異常を起こし、印字性能を劣化
させてしまうという課題があった。
抗体を形成してなるサーマルヘッドでは、ポリイミド樹
脂の低い熱拡散率により熱効率に優れ、また曲げ加工が
可能で小型化し易いという長所を有する反面、樹脂層が
軟かいために塵芥等の巻き込みにより保護層に局所的応
力が加わった時、樹脂層は大きく変形するが、保護層は
この変形に追随できず、亀裂が生じ、これが発熱抵抗体
層まで達すると、抵抗値異常を起こし、印字性能を劣化
させてしまうという課題があった。
本発明は上述の課題を解決するためになされたもので、
高硬度かつ高靭性でしかも量産性に優れた保護層を有す
るサーマルヘッドを提供することにある。
高硬度かつ高靭性でしかも量産性に優れた保護層を有す
るサーマルヘッドを提供することにある。
（課題を解決するための手段） 本発明は、高抵抗基体と、この高抵抗基体上に設けられ
た発熱抵抗体層と、この発熱抵抗体層に電気的に接続す
るように前記高抵抗基体上に設けられた電極層と、前記
発熱抵抗体層の少なくとも発熱部を被覆するように設け
られた保護層とを具備するサーマルヘッドにおいて、前
記保護層は少なくともSi，Zr，Ｎ，Ｏを含有する非晶質
化合物又はこの化合物に少なくともＹを含有する非晶質
化合物からなることを特徴とするサーマルヘッドであ
る。
た発熱抵抗体層と、この発熱抵抗体層に電気的に接続す
るように前記高抵抗基体上に設けられた電極層と、前記
発熱抵抗体層の少なくとも発熱部を被覆するように設け
られた保護層とを具備するサーマルヘッドにおいて、前
記保護層は少なくともSi，Zr，Ｎ，Ｏを含有する非晶質
化合物又はこの化合物に少なくともＹを含有する非晶質
化合物からなることを特徴とするサーマルヘッドであ
る。
なお、化合物の成分として更に、保護層の硬度、靭性を
高めるための添加元素又は保護層を得るために使用され
るスパッタリングターゲットの製造時にスパッタリング
ターゲットの焼結助剤として添加される微量成分が保護
層中へ取り込まれてもかまわない。
高めるための添加元素又は保護層を得るために使用され
るスパッタリングターゲットの製造時にスパッタリング
ターゲットの焼結助剤として添加される微量成分が保護
層中へ取り込まれてもかまわない。
このスパッタリングターゲットの焼結助剤としてＹとＺ
ｒの添加量としてはY2O3として約0.1〜10mol％，ZrO2と
して約1.0〜40mol％，望ましくはY2O3として約0.5〜２m
ol％，ZrO2として約5.0〜20mol％である。
ｒの添加量としてはY2O3として約0.1〜10mol％，ZrO2と
して約1.0〜40mol％，望ましくはY2O3として約0.5〜２m
ol％，ZrO2として約5.0〜20mol％である。
尚、ＹとＺｒを同時添加する場合、ＺｒＯ２とＹ２Ｏ３
の比が安定化ジルコニアに用いられる範囲で使用すると
特に効果を発揮する。
の比が安定化ジルコニアに用いられる範囲で使用すると
特に効果を発揮する。
Y2O3及びZrO2がそれぞれ0.1mol％及び1.0mol％以下では
十分な硬度，靭性が得られず、またそれぞれ10mol％及
び40mol％以上では、Ｙ及びZrが保護層中で金属成分と
してかなりの量が存在するようになり、保護層の絶縁性
を著しく損なう恐れがある。
十分な硬度，靭性が得られず、またそれぞれ10mol％及
び40mol％以上では、Ｙ及びZrが保護層中で金属成分と
してかなりの量が存在するようになり、保護層の絶縁性
を著しく損なう恐れがある。
（作用） 本発明のサーマルヘッドの保護層形成材料により得られ
る非晶質化合物は、Si−Al−Ｏ−Ｎを主体とするサイア
ロン膜を形成する場合に比べてスパッタリングレートが
早く、またO2やN2を添加してもスパッタリングレートの
低下がなく、量産性に優れている。また、サイアロン膜
に比べ、高硬度である。さらに、サイアロン膜中のAl同
様、Zr及びＹが保護層中で金属成分として適度に分散し
て靭性を高めているが、サイアロン膜中のAlに比べ、Zr
及びＹはＮ及びＯと結合している部分が多く、保護層の
絶縁性の低下が小さい。
る非晶質化合物は、Si−Al−Ｏ−Ｎを主体とするサイア
ロン膜を形成する場合に比べてスパッタリングレートが
早く、またO2やN2を添加してもスパッタリングレートの
低下がなく、量産性に優れている。また、サイアロン膜
に比べ、高硬度である。さらに、サイアロン膜中のAl同
様、Zr及びＹが保護層中で金属成分として適度に分散し
て靭性を高めているが、サイアロン膜中のAlに比べ、Zr
及びＹはＮ及びＯと結合している部分が多く、保護層の
絶縁性の低下が小さい。
（実施例） 以下、本発明の一実施例を第１図を参照しながら説明す
る。
る。
この実施例のサーマルヘッドは、Fe−Cr合金からなる金
属基板上(1)にビフェニルテトラカルボン酸二無水物と
ｐ−フェニレンアミンとの等モル混合物の開環重付加反
応時にｐ−フェニレンジアミンの５mol％をビスアミノ
シロキサンで置き換えて合成したポリアミック酸を有機
溶剤に溶かしたポリアミック酸ワニスを塗布焼き付けす
ることにより得られた（式−１）で表わされる芳香族ポ
リイミド樹脂からなる約５〜50μｍ、好ましくは10〜30
μｍの耐熱樹脂層(2)が形成されており、その上にプラ
ズマＣＶＤにより形成した１〜５μｍ（好ましくは２〜
４μｍ）のSiN(31)及び１μｍ程度のSiN(32)の二層より
なる下地層(3)が形成され、この下地層(3)上には、Ta−
SiO2からなる発熱抵抗体(4)，Alよりなる個別電極(6)及
び共通電極(7)が形成され、少なくともこの発熱部(5)を
被覆するように少なくともSi，Zr，Ｎ，Ｏを含有する非
晶質化合物又はこの化合物に少なくともＹを含有する非
晶質化合物よりなる酸化防止層及び耐摩耗層を兼ねた保
護層(8)が形成されている。このサーマルヘッドは個別
電極(6)と共通電極(7)との間に所定の時間間隔でパルス
電圧を印加することにより発熱部(5)の発熱抵抗体(4)が
発熱し印字記録が行なわれる。
属基板上(1)にビフェニルテトラカルボン酸二無水物と
ｐ−フェニレンアミンとの等モル混合物の開環重付加反
応時にｐ−フェニレンジアミンの５mol％をビスアミノ
シロキサンで置き換えて合成したポリアミック酸を有機
溶剤に溶かしたポリアミック酸ワニスを塗布焼き付けす
ることにより得られた（式−１）で表わされる芳香族ポ
リイミド樹脂からなる約５〜50μｍ、好ましくは10〜30
μｍの耐熱樹脂層(2)が形成されており、その上にプラ
ズマＣＶＤにより形成した１〜５μｍ（好ましくは２〜
４μｍ）のSiN(31)及び１μｍ程度のSiN(32)の二層より
なる下地層(3)が形成され、この下地層(3)上には、Ta−
SiO2からなる発熱抵抗体(4)，Alよりなる個別電極(6)及
び共通電極(7)が形成され、少なくともこの発熱部(5)を
被覆するように少なくともSi，Zr，Ｎ，Ｏを含有する非
晶質化合物又はこの化合物に少なくともＹを含有する非
晶質化合物よりなる酸化防止層及び耐摩耗層を兼ねた保
護層(8)が形成されている。このサーマルヘッドは個別
電極(6)と共通電極(7)との間に所定の時間間隔でパルス
電圧を印加することにより発熱部(5)の発熱抵抗体(4)が
発熱し印字記録が行なわれる。
このサーマルヘッドは、例えば次のようにして製造され
る。
る。
まず、例えばCrを18重量％含有する厚さ0.5mm程度のFe
合金からなる金属基板(1)をレベリング後、所定の寸法
に切断し、ばりの除去した後、有機溶剤中にて脱脂洗浄
後、50℃〜70℃に保持した希硫酸中に浸漬し、表面に形
成されている酸化物層を除去するとともに表面をミクロ
的に荒すための活性化処理を行なう。この後、純水中に
て洗浄，乾燥後前述したポリアミック酸をＮ−メチル−
２−ピロリドン等の溶剤を用いて所定の粘度に調整し
て、ロールコーターやスピンコーターを用いて、金属基
板(1)上に所定の膜厚に塗布し、焼成炉を用いて50℃で
１時間，80℃で30分，次いで120℃で30分，250℃で１時
間，450℃で１時間の加熱を行ない溶剤成分を除去する
とともに、脱水環化反応を進行させて成膜し、耐熱樹脂
層(2)を形成する。
合金からなる金属基板(1)をレベリング後、所定の寸法
に切断し、ばりの除去した後、有機溶剤中にて脱脂洗浄
後、50℃〜70℃に保持した希硫酸中に浸漬し、表面に形
成されている酸化物層を除去するとともに表面をミクロ
的に荒すための活性化処理を行なう。この後、純水中に
て洗浄，乾燥後前述したポリアミック酸をＮ−メチル−
２−ピロリドン等の溶剤を用いて所定の粘度に調整し
て、ロールコーターやスピンコーターを用いて、金属基
板(1)上に所定の膜厚に塗布し、焼成炉を用いて50℃で
１時間，80℃で30分，次いで120℃で30分，250℃で１時
間，450℃で１時間の加熱を行ない溶剤成分を除去する
とともに、脱水環化反応を進行させて成膜し、耐熱樹脂
層(2)を形成する。
しかる後、この耐熱樹脂層(2)上に、SiH4ガスとN2ガス
及びSiH4ガスとCH4ガスを用いて、基板温度150〜300℃
でプラズマＣＶＤで連続してSiN層(31)及びSiC層(32)
よりなる下地膜(3)を形成した。この後、Ta−SiO2から
なる発熱抵抗体(4)、更にAlからなる個別電極(6)及び共
通電極(7)を形成し、次いで発熱部(5)となる開口部を形
成するためマスキング後、ウェットエッチングやドライ
エッチングにより所定のパターンを形成することにより
得る。
及びSiH4ガスとCH4ガスを用いて、基板温度150〜300℃
でプラズマＣＶＤで連続してSiN層(31)及びSiC層(32)
よりなる下地膜(3)を形成した。この後、Ta−SiO2から
なる発熱抵抗体(4)、更にAlからなる個別電極(6)及び共
通電極(7)を形成し、次いで発熱部(5)となる開口部を形
成するためマスキング後、ウェットエッチングやドライ
エッチングにより所定のパターンを形成することにより
得る。
次に、保護膜形成のため、第１表に示すターゲット組成
材料やスパッタリング条件（第１表にはスパッタリング
速度のみ表示）を設定し、スパッタリングを実施してＳ
ｉ，Ｚｒ，Ｎ，Ｏを含有する非晶質化合物や、この化合
物にＹを含有する非晶質化合物からなる各種の保護膜を
形する。尚、表中、比較例としてＳｉ，Ｎ，Ｏ，Ｔａ，
Ａｌ等を適宜組合わせた従来の非晶質化合物からなる各
種の保護膜も作製した。
材料やスパッタリング条件（第１表にはスパッタリング
速度のみ表示）を設定し、スパッタリングを実施してＳ
ｉ，Ｚｒ，Ｎ，Ｏを含有する非晶質化合物や、この化合
物にＹを含有する非晶質化合物からなる各種の保護膜を
形する。尚、表中、比較例としてＳｉ，Ｎ，Ｏ，Ｔａ，
Ａｌ等を適宜組合わせた従来の非晶質化合物からなる各
種の保護膜も作製した。
こうして得たサーマルヘッドを用いて薄膜用超微少ヌ
ープ硬度計を用いた硬度評価，膜破壊時に発生するア
コースティックエミッションを検知するセンサーを持っ
たスクラッチ試験機を用いた膜破壊強度の測定，実機
を用いて、プラテン圧160ｇ／cm印加エネルギー0.23mJ
／dot，パルス幅2.2msで10kmの走行テストを行なった。
この結果を第１表に示す。層厚は、比較例中のSiO2(2μ
ｍ)＋Ta2O5(3μｍ)を除いて全て３μｍとした。
ープ硬度計を用いた硬度評価，膜破壊時に発生するア
コースティックエミッションを検知するセンサーを持っ
たスクラッチ試験機を用いた膜破壊強度の測定，実機
を用いて、プラテン圧160ｇ／cm印加エネルギー0.23mJ
／dot，パルス幅2.2msで10kmの走行テストを行なった。
この結果を第１表に示す。層厚は、比較例中のSiO2(2μ
ｍ)＋Ta2O5(3μｍ)を除いて全て３μｍとした。
前表より明らかなように本発明に係る保護層は、高硬
度，高靭性で保温層として樹脂を使用した場合に発生し
易い亀裂（クラック）を防止する他、非晶質化合物から
なる保護膜のため、空気中の酸素が結晶粒界を通って膜
中に侵入し、発熱抵抗体を酸化することのない安定した
保護層が得られる。ができるとともに量産性に優れる。
度，高靭性で保温層として樹脂を使用した場合に発生し
易い亀裂（クラック）を防止する他、非晶質化合物から
なる保護膜のため、空気中の酸素が結晶粒界を通って膜
中に侵入し、発熱抵抗体を酸化することのない安定した
保護層が得られる。ができるとともに量産性に優れる。
尚、本実施例では支持体として金属基板を用いた場合に
ついて説明したが、本発明はこれに限定されるものでは
なく、セラミック基板等でも構わない。また保温層とし
グレーズガラスを用いた場合にも、優れた効果を得るこ
とができる。さらに、下地層(3)は、SiO2，Si−Ｏ−
Ｎ，Si−Ｎ，SiC，Ｉ−Carbonの少なくとも一種類から
構成されていれば良い。
ついて説明したが、本発明はこれに限定されるものでは
なく、セラミック基板等でも構わない。また保温層とし
グレーズガラスを用いた場合にも、優れた効果を得るこ
とができる。さらに、下地層(3)は、SiO2，Si−Ｏ−
Ｎ，Si−Ｎ，SiC，Ｉ−Carbonの少なくとも一種類から
構成されていれば良い。
〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明のサーマルヘッドによれ
ば、高硬度でかつ高靭性を有し、量産性に優れ空気中の
酸素に対しても安定した保護層を備えているため、印字
性能を劣化させることなく、この信頼性が格段に向上す
る。
ば、高硬度でかつ高靭性を有し、量産性に優れ空気中の
酸素に対しても安定した保護層を備えているため、印字
性能を劣化させることなく、この信頼性が格段に向上す
る。
第１図は本発明のサーマルヘッドの一実施例を示す模式
斜視図、第２図は従来のサーマルヘッドを示す模式斜視
図である。 １……金属基板、２……耐熱樹脂層 ３……下地層、４……発熱抵抗体 ５……発熱部、６……個別電極 ７……共通電極 ８……酸化防止層兼耐摩耗層（保護層）
斜視図、第２図は従来のサーマルヘッドを示す模式斜視
図である。 １……金属基板、２……耐熱樹脂層 ３……下地層、４……発熱抵抗体 ５……発熱部、６……個別電極 ７……共通電極 ８……酸化防止層兼耐摩耗層（保護層）
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−275067（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−74963（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−82677（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−252101（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】高抵抗基体と、この高抵抗基体上に設けら
れた発熱抵抗体層と、この発熱抵抗体層に電気的に接続
するように前記高抵抗基体上に設けられた電極層と、前
記発熱抵抗体層の少なくとも発熱部を被覆するように設
けられた保護層とを具備するサーマルヘッドにおいて、 前記保護層は少なくともＳｉ，Ｚｒ，Ｎ，Ｏを含有する
非晶質化合物又はの化合物に少なくともＹを含有する非
晶質化合物からなることを特徴とするサーマルヘッド。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63272943A JPH0626914B2 (ja) | 1988-10-31 | 1988-10-31 | サーマルヘッド |
| EP89119935A EP0367122B1 (en) | 1988-10-31 | 1989-10-26 | Thermal head |
| DE68916748T DE68916748T2 (de) | 1988-10-31 | 1989-10-26 | Wärmekopf. |
| US07/426,865 US4985712A (en) | 1988-10-31 | 1989-10-26 | Thermal head |
| KR1019890015675A KR920010608B1 (ko) | 1988-10-31 | 1989-10-31 | 열프린트 헤드 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63272943A JPH0626914B2 (ja) | 1988-10-31 | 1988-10-31 | サーマルヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02120057A JPH02120057A (ja) | 1990-05-08 |
| JPH0626914B2 true JPH0626914B2 (ja) | 1994-04-13 |
Family
ID=17520931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63272943A Expired - Lifetime JPH0626914B2 (ja) | 1988-10-31 | 1988-10-31 | サーマルヘッド |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4985712A (ja) |
| EP (1) | EP0367122B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0626914B2 (ja) |
| KR (1) | KR920010608B1 (ja) |
| DE (1) | DE68916748T2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3965508B2 (ja) * | 1996-02-08 | 2007-08-29 | 株式会社東芝 | サーマルプリントヘッド、サーマルプリントヘッドの製造方法、記録装置、焼結体およびターゲット |
| EP1226951A3 (en) | 2001-01-29 | 2003-03-12 | Alps Electric Co., Ltd. | Power-saving thermal head |
Family Cites Families (11)
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|---|---|---|---|---|
| JPS52100245A (en) * | 1976-02-19 | 1977-08-23 | Oki Electric Ind Co Ltd | Thermal head of high heat efficiency |
| JPS5582677A (en) * | 1978-12-18 | 1980-06-21 | Toshiba Corp | Thermal head |
| JPS609770A (ja) * | 1983-06-29 | 1985-01-18 | Kyocera Corp | サ−マルヘツド |
| JPS6135973A (ja) * | 1984-07-30 | 1986-02-20 | Hitachi Ltd | 感熱ヘツド |
| JPS623968A (ja) * | 1985-06-29 | 1987-01-09 | Noritake Co Ltd | 耐摩耗性薄膜サ−マルヘツド |
| GB2179007B (en) * | 1985-08-12 | 1990-09-12 | Mitsubishi Electric Corp | Thermal head for printer |
| JPS6290260A (ja) * | 1985-10-16 | 1987-04-24 | Tdk Corp | サ−マルヘツド用耐摩耗性保護膜 |
| JPS62252101A (ja) * | 1986-04-25 | 1987-11-02 | ティーディーケイ株式会社 | 抵抗発熱体 |
| EP0251036B1 (en) * | 1986-06-25 | 1991-05-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Thermal head |
| JPS6374963A (ja) * | 1986-09-16 | 1988-04-05 | 株式会社豊田中央研究所 | 耐摩耗材用窒化けい素質焼結体 |
| JPS62275067A (ja) * | 1987-05-16 | 1987-11-30 | 日本碍子株式会社 | 窒化珪素焼結体の製造法 |
-
1988
- 1988-10-31 JP JP63272943A patent/JPH0626914B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-10-26 DE DE68916748T patent/DE68916748T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-10-26 EP EP89119935A patent/EP0367122B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-10-26 US US07/426,865 patent/US4985712A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-10-31 KR KR1019890015675A patent/KR920010608B1/ko not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE68916748D1 (de) | 1994-08-18 |
| EP0367122A1 (en) | 1990-05-09 |
| JPH02120057A (ja) | 1990-05-08 |
| DE68916748T2 (de) | 1994-12-22 |
| EP0367122B1 (en) | 1994-07-13 |
| US4985712A (en) | 1991-01-15 |
| KR900006133A (ko) | 1990-05-07 |
| KR920010608B1 (ko) | 1992-12-12 |
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Legal Events
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