JPS6290260A - サ−マルヘツド用耐摩耗性保護膜 - Google Patents
サ−マルヘツド用耐摩耗性保護膜Info
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- JPS6290260A JPS6290260A JP60228821A JP22882185A JPS6290260A JP S6290260 A JPS6290260 A JP S6290260A JP 60228821 A JP60228821 A JP 60228821A JP 22882185 A JP22882185 A JP 22882185A JP S6290260 A JPS6290260 A JP S6290260A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N97/00—Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明はサーマルヘッド用耐摩耗性保護膜に関する。
サーマルヘッドはコンピュータ、ワードプロセッサ、フ
ァクシミル等の印字ヘッドとして広く用いられている。
ァクシミル等の印字ヘッドとして広く用いられている。
サーマルヘッドはポリシリコン等の抵抗発熱体のドツト
を多数配列し、それらを選択的に通電することにより印
字リボンを用紙に熱転写して印字するように構成したも
のである。用紙はサーマルヘッドの面に摺接しながら移
送されるから、耐摩耗性が高い保護膜により抵抗発熱体
の表面を保設する必要がある。
を多数配列し、それらを選択的に通電することにより印
字リボンを用紙に熱転写して印字するように構成したも
のである。用紙はサーマルヘッドの面に摺接しながら移
送されるから、耐摩耗性が高い保護膜により抵抗発熱体
の表面を保設する必要がある。
サーマルヘッドにおけるスポット状印字要素は第1図に
示されているように、下から順にアルミナ等の基板1、
蓄A8JTIのブレースガラス2、ポリシリコン等の発
熱体層3、i4極4.5、及び耐摩耗性保護膜6より成
る。図の7は発熱部となる。
示されているように、下から順にアルミナ等の基板1、
蓄A8JTIのブレースガラス2、ポリシリコン等の発
熱体層3、i4極4.5、及び耐摩耗性保護膜6より成
る。図の7は発熱部となる。
保護膜6には一般に硬度が高く、熱によるクラックが発
生せず、摩耗し難く、シかも湿気やアルカリ等に対して
安定なことが要求され、従来種々の材料が研究されてい
る。
生せず、摩耗し難く、シかも湿気やアルカリ等に対して
安定なことが要求され、従来種々の材料が研究されてい
る。
従来使用されている耐摩耗性保護膜にはT a、 0.
、S I 0% A I、0m 、B、0% S i
0XNy 等が知られている。しかし、これらの保9
膜には一長一短があって未だ充分に満足でない* TI
L、O,はビッカース硬度がやや低く (600〜80
0kf/mm” ) 、耐摩耗性に問題があり、また抵
抗発熱体を酸化する傾向があるのでs+o、7Δを耐摩
耗性保護膜の下に介在する必要があり、低温で再結晶化
し易く応力変化によるクランクが発生し易い欠点があり
、さらに抵抗発熱体の下地であるアルミナ基板及びグレ
ーズ層より熱膨張係数がかなり小さく熱パルスの印加で
クラックを生じ易い。一方、SiCは電気抵抗が低く、
電気化学的な反応により耐摩耗性が低下するので、si
o、等の膜を下層として形成する必要があり、またクラ
ックが発生し易い。またA 110g 、B4C等は内
部応力が大きくクラックが発生し易い。さらに、S ’
Ox N yは熱膨張係数が下地よりもかなり小さく
、熱パルスの印加によりクラックを生じる問題がある。
、S I 0% A I、0m 、B、0% S i
0XNy 等が知られている。しかし、これらの保9
膜には一長一短があって未だ充分に満足でない* TI
L、O,はビッカース硬度がやや低く (600〜80
0kf/mm” ) 、耐摩耗性に問題があり、また抵
抗発熱体を酸化する傾向があるのでs+o、7Δを耐摩
耗性保護膜の下に介在する必要があり、低温で再結晶化
し易く応力変化によるクランクが発生し易い欠点があり
、さらに抵抗発熱体の下地であるアルミナ基板及びグレ
ーズ層より熱膨張係数がかなり小さく熱パルスの印加で
クラックを生じ易い。一方、SiCは電気抵抗が低く、
電気化学的な反応により耐摩耗性が低下するので、si
o、等の膜を下層として形成する必要があり、またクラ
ックが発生し易い。またA 110g 、B4C等は内
部応力が大きくクラックが発生し易い。さらに、S ’
Ox N yは熱膨張係数が下地よりもかなり小さく
、熱パルスの印加によりクラックを生じる問題がある。
従って、耐摩耗性が高いだけでなく耐クラツク性、耐熱
疲労性にすぐれた保護膜が要請されている。
疲労性にすぐれた保護膜が要請されている。
本発明の目的は、耐クラツク性が高く、耐熱疲労性にす
ぐれたサーマルヘッド用耐摩耗性保護膜を提供すること
である。
ぐれたサーマルヘッド用耐摩耗性保護膜を提供すること
である。
本発明のサーマルヘッド用耐摩耗性保護膜は81、AI
、0、N及びM(ここにMは希土類元素、特にYSLa
qCesGCNd、Sm5Er の少なくとも一種)
を主成分とすることを特徴とする。より具体的には本発
明の保護膜は 5iAllLO,NcMd (ただしMは上記を同じ意味を有し、a==0.05〜
α5、b=Q、05〜α5、c=tO〜2.0及びd=
・Q、01〜Q、2)で表わされる組成を有する物質よ
り成ることを特徴とする。
、0、N及びM(ここにMは希土類元素、特にYSLa
qCesGCNd、Sm5Er の少なくとも一種)
を主成分とすることを特徴とする。より具体的には本発
明の保護膜は 5iAllLO,NcMd (ただしMは上記を同じ意味を有し、a==0.05〜
α5、b=Q、05〜α5、c=tO〜2.0及びd=
・Q、01〜Q、2)で表わされる組成を有する物質よ
り成ることを特徴とする。
本発明の耐摩耗性保護膜はTa、01 よりも高い硬
度及び低い摩耗性を有し、熱膨張係数がアルミナ基板と
ほぼ同等であるため、耐クラツク性が高い。
度及び低い摩耗性を有し、熱膨張係数がアルミナ基板と
ほぼ同等であるため、耐クラツク性が高い。
本発明のサーマルヘッド用耐摩耗性保護膜は、S51−
Al−0−N−系の物!(ただしMは希土類元素の少な
くとも1種、好ましくはYN L a % Ce %G
d1D7%YbsNdSSmSErより選ばれた少なく
とも1橿)より成り、より好ましくはSIAlaObN
cMdで表わされ、a=α05〜0.5、b=l]、0
5〜α5、c=tO〜2.0及びd=0.01〜α2な
る含有割合を有する物質より構成される。AIは少な過
ぎると膜の脆さが増し、多過ぎると熱伝導率が増して印
字の鋭さが減じる。0、Nは膜の硬度を上げるが、少な
過ぎると暎が柔かくなり、多過ぎると多孔となり脆くな
る。Mは引掻きに対する抵抗性を向上し、耐クラツク性
を増す。しかし少な過ぎても多過ぎても引掻き強度は低
くなる。上記を総合すると、上記aXbz Qz d
に対して与えた範囲で種々の特性が満足される。
Al−0−N−系の物!(ただしMは希土類元素の少な
くとも1種、好ましくはYN L a % Ce %G
d1D7%YbsNdSSmSErより選ばれた少なく
とも1橿)より成り、より好ましくはSIAlaObN
cMdで表わされ、a=α05〜0.5、b=l]、0
5〜α5、c=tO〜2.0及びd=0.01〜α2な
る含有割合を有する物質より構成される。AIは少な過
ぎると膜の脆さが増し、多過ぎると熱伝導率が増して印
字の鋭さが減じる。0、Nは膜の硬度を上げるが、少な
過ぎると暎が柔かくなり、多過ぎると多孔となり脆くな
る。Mは引掻きに対する抵抗性を向上し、耐クラツク性
を増す。しかし少な過ぎても多過ぎても引掻き強度は低
くなる。上記を総合すると、上記aXbz Qz d
に対して与えた範囲で種々の特性が満足される。
本発明の保護膜は例えばスパッタ法を用いて成(漢する
ことができる。この方法によるときは、成膜原料として
S I O! % A I2O3・313〜41Yt
O3%L a!oll 、Ce2Q3 、G d 03
等の粉末を用い、これらち11.’i幻虚り一代ドナー
蓄申のソ1シヘ+で配へ1.− プ1)7してターゲッ
トとし、またArガス及び必要ならばざらにO,、N、
ガスを用い、RF?l!力を加えてターゲットをAr
スパッタし、下地例えばアルミナ基板上にガラスグレー
ズ層を設けたものの上にS51−Al−0−N−系の保
護膜を成膜する。
ことができる。この方法によるときは、成膜原料として
S I O! % A I2O3・313〜41Yt
O3%L a!oll 、Ce2Q3 、G d 03
等の粉末を用い、これらち11.’i幻虚り一代ドナー
蓄申のソ1シヘ+で配へ1.− プ1)7してターゲッ
トとし、またArガス及び必要ならばざらにO,、N、
ガスを用い、RF?l!力を加えてターゲットをAr
スパッタし、下地例えばアルミナ基板上にガラスグレー
ズ層を設けたものの上にS51−Al−0−N−系の保
護膜を成膜する。
S I O@ 、A 1101 、S 11N4 、Y
2O2を%/l/比9ニア:8:2の割合で混合し、タ
ーゲットとしたものを、投入電力t 5 KW SA
r圧2P1%基板温度350℃でRFスパッタして4.
5μmの厚さに成膜して耐摩耗性膜とした。Arガスに
適宜01、N、を混入して反応性スパッタとし、組成の
調整をした。
2O2を%/l/比9ニア:8:2の割合で混合し、タ
ーゲットとしたものを、投入電力t 5 KW SA
r圧2P1%基板温度350℃でRFスパッタして4.
5μmの厚さに成膜して耐摩耗性膜とした。Arガスに
適宜01、N、を混入して反応性スパッタとし、組成の
調整をした。
得られた5iA1 aObNcY、 膜に対して種々
の試験を行った6a==α05〜α5、b=0.o5〜
α5、c=10〜2.0及びd=Q、01〜a、2のも
のは次の特性を示した。
の試験を行った6a==α05〜α5、b=0.o5〜
α5、c=10〜2.0及びd=Q、01〜a、2のも
のは次の特性を示した。
t ビッカース硬度は1600〜18001g/yym
!であり、T a 10 B よりも硬い。
!であり、T a 10 B よりも硬い。
2 表面の引掻き強度は460gであり、T1206の
270yよりも大きい。なお、この引掻き強度はダイヤ
モンド針を用いた引掻き試験機(新来科学(株)製HE
IDON−14型)によって測定した。
270yよりも大きい。なお、この引掻き強度はダイヤ
モンド針を用いた引掻き試験機(新来科学(株)製HE
IDON−14型)によって測定した。
h 球径12mmの白球にダイヤモンドペーストを付
着させた耐摩耗試験では30秒であり、’ra!o、
の7秒より長い。
着させた耐摩耗試験では30秒であり、’ra!o、
の7秒より長い。
4、熱パルスを加えても電子線回折でハローが見られず
、再結晶が生じていない。
、再結晶が生じていない。
5、 H,So、(90°C)、HNO3(50℃)
、Na0H(80°C)に1時間浸しても膜べりは起ら
ず化学的に安定であった。
、Na0H(80°C)に1時間浸しても膜べりは起ら
ず化学的に安定であった。
6 比抵抗は1011Ω創以上であり、電気的に安定で
ある。
ある。
Z 線熱膨眼係数が7.2 X f O−”であり、ア
ルミ基板の7.5 X 10−”及びグレーズの6.8
×10−6と近いため、熱疲労によるクラックが生じな
い。また、Yの代りにLa5Ces Gd5D y %
Y b −、N d % S m SE rを用いて
も同様な効果が得られた。
ルミ基板の7.5 X 10−”及びグレーズの6.8
×10−6と近いため、熱疲労によるクラックが生じな
い。また、Yの代りにLa5Ces Gd5D y %
Y b −、N d % S m SE rを用いて
も同様な効果が得られた。
上の実施例から明らかなように、本発明のサーマルヘッ
ド用耐保倣膜は、硬度が高く、引掻き強度も高く、再結
晶化によるクラックが発生し難く、耐酸・耐アルカリ性
にすぐれ、絶縁性も良く、また熱疲労によるクラックの
発生も少ないというすぐれた作用効果を有するものであ
る。
ド用耐保倣膜は、硬度が高く、引掻き強度も高く、再結
晶化によるクラックが発生し難く、耐酸・耐アルカリ性
にすぐれ、絶縁性も良く、また熱疲労によるクラックの
発生も少ないというすぐれた作用効果を有するものであ
る。
第1図はサーマルヘッドの基本構造を示す断面図である
。
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、Si、Al、O、N及びM(ここにMは希土類元素
の少なくとも1種)を主たる構成元素としたサーマルヘ
ッド用耐摩耗性保護膜。 2、SiAl_aO_bN_cM_d(ただしa=0.
05〜0.5、b=0.05〜0.5、c=1.0〜2
.0及びd=0.01〜0.2、MはY、La、Ce、
Gd、Dy、Nd、Sm、Er及びYbの少なくとも1
種)で表わされる組成を有する前記第1項記載の耐摩耗
性保護膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60228821A JPS6290260A (ja) | 1985-10-16 | 1985-10-16 | サ−マルヘツド用耐摩耗性保護膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60228821A JPS6290260A (ja) | 1985-10-16 | 1985-10-16 | サ−マルヘツド用耐摩耗性保護膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6290260A true JPS6290260A (ja) | 1987-04-24 |
Family
ID=16882386
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60228821A Pending JPS6290260A (ja) | 1985-10-16 | 1985-10-16 | サ−マルヘツド用耐摩耗性保護膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6290260A (ja) |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62121069A (ja) * | 1985-11-21 | 1987-06-02 | Mitsubishi Metal Corp | 感熱記録用ヘツド |
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| US4985712A (en) * | 1988-10-31 | 1991-01-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Thermal head |
| US6380687B1 (en) | 1999-06-28 | 2002-04-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device and electric device |
| US6384818B1 (en) | 1996-09-27 | 2002-05-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electrooptical device and method of fabricating the same |
| US6420200B1 (en) | 1999-06-28 | 2002-07-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing an electro-optical device |
| US6433487B1 (en) | 1999-09-03 | 2002-08-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device and manufacturing method thereof |
| US6440877B1 (en) | 1999-06-28 | 2002-08-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing an electro-optical device |
| US6445005B1 (en) | 1999-09-17 | 2002-09-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device |
| US6452341B1 (en) | 1999-06-21 | 2002-09-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device, driving method thereof, and electronic equipment provided with the EL display device |
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| US6689492B1 (en) | 1999-06-04 | 2004-02-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and electronic device |
| US6774574B1 (en) | 1999-06-23 | 2004-08-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device and electronic device |
| US6830494B1 (en) | 1999-10-12 | 2004-12-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and manufacturing method thereof |
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| US9837451B2 (en) | 1999-04-27 | 2017-12-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device and electronic apparatus |
-
1985
- 1985-10-16 JP JP60228821A patent/JPS6290260A/ja active Pending
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