JPH0627330B2 - 気流により固体粒子を被覆するための装置 - Google Patents
気流により固体粒子を被覆するための装置Info
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は粒子状の材料の表面を金属の被膜により覆う操
作に係り、特に気流の流れる反応容器内にて金属カルボ
ニルの熱解離を促がすことにより材料に金属被膜を形成
する装置に関する。
作に係り、特に気流の流れる反応容器内にて金属カルボ
ニルの熱解離を促がすことにより材料に金属被膜を形成
する装置に関する。
（従来の技術） 金属カルボニルの熱による分解を利用して粒子状の材料
を被覆する操作として流動層による反応炉を用いて大規
模に処理する方法（例えばカナダ国特許８３６４８３号
参照）が知られている。
を被覆する操作として流動層による反応炉を用いて大規
模に処理する方法（例えばカナダ国特許８３６４８３号
参照）が知られている。
この方法の要点を述べると、気体状の金属カルボニル、
（多くの場合、ニッケルテトラカルボニルＮｉ（ＣＯ）
４、これに次いでは鉄ペンタカルボニルＦｅ（ＣＯ）５
か、コバルトテトラカルボニルＣｏ２（ＣＯ）８か、コ
バルトリカルボニルＣｏ４（ＣＯ）12が使われる）が流
動層において粒子状の材料と密に接触させられ、温度条
件が約１４９〜３１６℃の範囲にあるとき、金属カルボ
ニルがニッケル（Ｎｉ）と一酸化炭素（ＣＯ）とに分解
し、このときニッケルが粒子状の材料の表面に付着す
る。
（多くの場合、ニッケルテトラカルボニルＮｉ（ＣＯ）
４、これに次いでは鉄ペンタカルボニルＦｅ（ＣＯ）５
か、コバルトテトラカルボニルＣｏ２（ＣＯ）８か、コ
バルトリカルボニルＣｏ４（ＣＯ）12が使われる）が流
動層において粒子状の材料と密に接触させられ、温度条
件が約１４９〜３１６℃の範囲にあるとき、金属カルボ
ニルがニッケル（Ｎｉ）と一酸化炭素（ＣＯ）とに分解
し、このときニッケルが粒子状の材料の表面に付着す
る。
この際、温度がこれよりも高くなると、一酸化炭素は二
酸化炭素（ＣＯ２）と炭素（Ｃ）とに不均衡に解離する
傾向があり、このため被覆された製品が炭素のために汚
染されることがある。したがって、この流動層反応炉で
は温度の監視が欠かせないものとなっている。
酸化炭素（ＣＯ２）と炭素（Ｃ）とに不均衡に解離する
傾向があり、このため被覆された製品が炭素のために汚
染されることがある。したがって、この流動層反応炉で
は温度の監視が欠かせないものとなっている。
（発明が解決しようとする課題） この流動層反応炉の適用には被覆される固体粒子のサイ
ズについて、５０マイクロメートルかそれ以上という等
級上の制限がある。しかしながら、被覆される基体（固
体粒子）の中には約１０マイクロメートルか、それより
も小さい等級のものがあり、このようなサイズの固体粒
子に対して流動層反応炉の適用は不可能である。
ズについて、５０マイクロメートルかそれ以上という等
級上の制限がある。しかしながら、被覆される基体（固
体粒子）の中には約１０マイクロメートルか、それより
も小さい等級のものがあり、このようなサイズの固体粒
子に対して流動層反応炉の適用は不可能である。
また、流動層反応炉では、分解および加熱ゾーンが一つ
の容器に並存している。この場合、材料を流動層反応炉
およびこれに附随する設備の全体に動かし続けるために
気体の圧力が保たれていなければならず、容量の大きさ
が問題になることがある。固体粒子の加熱は容器の下部
にて、そして分解は加熱装置の表面や気体ノズル等に付
着する金属の幾分かを費やしながらその最上部にてそれ
ぞれ行なわれる。
の容器に並存している。この場合、材料を流動層反応炉
およびこれに附随する設備の全体に動かし続けるために
気体の圧力が保たれていなければならず、容量の大きさ
が問題になることがある。固体粒子の加熱は容器の下部
にて、そして分解は加熱装置の表面や気体ノズル等に付
着する金属の幾分かを費やしながらその最上部にてそれ
ぞれ行なわれる。
さらに、問題は金属カルボニルが流動層を形成するため
に使用されるオフガスの再循環を果たすために、完全に
分解するまでに至らないことである。
に使用されるオフガスの再循環を果たすために、完全に
分解するまでに至らないことである。
本発明の目的は、被覆媒体の滞留時間を均一に保つこと
ができる被覆装置を提供するにある。また、別の目的
は、被覆媒体と固体粒子との接触を効果的に果たし、効
率よく被膜を形成し得るようにした被覆装置を提供する
ことにある。
ができる被覆装置を提供するにある。また、別の目的
は、被覆媒体と固体粒子との接触を効果的に果たし、効
率よく被膜を形成し得るようにした被覆装置を提供する
ことにある。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 本発明は少なくとも一種類の金属カルボニルをその選択
された金属と一酸化炭素とに分解せしめ、その際金属を
固体粒子の表面に付着させて固体粒子を被覆するための
装置であって、上側端部と下側端部とを有する反応／輸
送管と、この反応／輸送管の上側端部と連絡している降
下管と、この降下管と反応／輸送管とを連結する装置
と、被覆装置と連絡している固体粒子用ソースと、被覆
装置と連絡している金属カルボニルを含む輸送流体用ソ
ースと、輸送流体から被覆された固体粒子を分離する装
置と、固体粒子を収集する装置と、固体粒子を加熱する
装置と、反応／輸送管に送られる固体粒子の流量を調節
する装置と、被覆された固体粒子を回収する装置とを備
えることを特徴とする。
された金属と一酸化炭素とに分解せしめ、その際金属を
固体粒子の表面に付着させて固体粒子を被覆するための
装置であって、上側端部と下側端部とを有する反応／輸
送管と、この反応／輸送管の上側端部と連絡している降
下管と、この降下管と反応／輸送管とを連結する装置
と、被覆装置と連絡している固体粒子用ソースと、被覆
装置と連絡している金属カルボニルを含む輸送流体用ソ
ースと、輸送流体から被覆された固体粒子を分離する装
置と、固体粒子を収集する装置と、固体粒子を加熱する
装置と、反応／輸送管に送られる固体粒子の流量を調節
する装置と、被覆された固体粒子を回収する装置とを備
えることを特徴とする。
（作 用） 直立導管により形成される反応／輸送管と、降下管とは
互いの頂部が通じ合い、その底部も流量調節装置を介し
て連絡している。したがって、これらの間には閉じた経
路が形成され、固体粒子はこの内部を加圧されて供給さ
れる輸送流体と共に循環する。固体粒子は降下管の上部
に備えられる収集装置から重力によって降下管内を下
り、この途中で加熱装置により所定の温度に加熱され
る。この加熱された固体粒子が反応／輸送管に導入され
るとき、その流量が流量調節装置により調節され、反応
／輸送管に押し込まれる金属カルボニルを含んでいる輸
送流体によって反応／輸送管の底部から頂部にかけて気
流に乗せられて運ばれる。この過程で金属カルボニルが
熱により分解し、金属が固体粒子の表面に付着する。す
なわち、固体粒子は、このとき選ばれた金属によって被
覆される。この被覆された粒子は反応／輸送管を通過し
た後、収集装置に戻され、再び加熱および流量調節を経
ながら、金属被膜の厚さが要求される厚さにまで閉じた
経路を連続的に循環させられる。
互いの頂部が通じ合い、その底部も流量調節装置を介し
て連絡している。したがって、これらの間には閉じた経
路が形成され、固体粒子はこの内部を加圧されて供給さ
れる輸送流体と共に循環する。固体粒子は降下管の上部
に備えられる収集装置から重力によって降下管内を下
り、この途中で加熱装置により所定の温度に加熱され
る。この加熱された固体粒子が反応／輸送管に導入され
るとき、その流量が流量調節装置により調節され、反応
／輸送管に押し込まれる金属カルボニルを含んでいる輸
送流体によって反応／輸送管の底部から頂部にかけて気
流に乗せられて運ばれる。この過程で金属カルボニルが
熱により分解し、金属が固体粒子の表面に付着する。す
なわち、固体粒子は、このとき選ばれた金属によって被
覆される。この被覆された粒子は反応／輸送管を通過し
た後、収集装置に戻され、再び加熱および流量調節を経
ながら、金属被膜の厚さが要求される厚さにまで閉じた
経路を連続的に循環させられる。
（実施例） 本発明の実施例を図面を参照して説明する。符号１０は
カルボニル気体を金属と金属を含まない気体とに分解さ
せ、同時に流される固体粒子にその金属による被膜を形
成させる実質的に閉じている経路を構成する被覆装置を
示している。なお、図中破線で示される矢印は、固体粒
子／カルボニル気体の重なった流れ、実線の矢印は、固
体粒子だけの流れをそれぞれ示している。
カルボニル気体を金属と金属を含まない気体とに分解さ
せ、同時に流される固体粒子にその金属による被膜を形
成させる実質的に閉じている経路を構成する被覆装置を
示している。なお、図中破線で示される矢印は、固体粒
子／カルボニル気体の重なった流れ、実線の矢印は、固
体粒子だけの流れをそれぞれ示している。
被覆装置１０は、導管を連ねてつくられる反応／輸送管
１２と、降下管１４と、双方の連結体としてＬ形に形成
される弁１６とを備える。この反応／輸送管１２の上部
は、ホッパー２０に連なる円筒状の胴１８と連絡してい
る。なお、説明の便宜上、反応／輸送管１２の下部は、
本体から区別して下部区間１２Ａとして示される。ま
た、降下管１４は、胴１８とホッパー２０とに対応する
区域を上部区間１４Ａ、この区域の下側を下部区間１４
Ｂにそれぞれ区別して示される。
１２と、降下管１４と、双方の連結体としてＬ形に形成
される弁１６とを備える。この反応／輸送管１２の上部
は、ホッパー２０に連なる円筒状の胴１８と連絡してい
る。なお、説明の便宜上、反応／輸送管１２の下部は、
本体から区別して下部区間１２Ａとして示される。ま
た、降下管１４は、胴１８とホッパー２０とに対応する
区域を上部区間１４Ａ、この区域の下側を下部区間１４
Ｂにそれぞれ区別して示される。
フランジ構造の標的体２２は、反応／輸送管１２の上部
に配置される。さらに、サイクロン分離器２２が降下管
１４の上部区間１４Ａに設けられる。ホッパー２０の下
端は、ヒーター２６を備える下部区間１４Ｂと連絡して
いる。降下管１４の下部区間１４Ｂは、反応／輸送管１
２の下部区間１２Ａと連絡している弁１６と連絡されて
いる。また、気体ソース３４は弁１６の入口側に連絡し
ており、さらに被覆された固体粒子を集合させて外部に
取り出す容器３０が降下管１４の下端に弁１６を介して
配置されている。なお、図中符号３２は気体ソース、３
６は外部のユニット、３８は粒子ソースをそれぞれ示し
ている。
に配置される。さらに、サイクロン分離器２２が降下管
１４の上部区間１４Ａに設けられる。ホッパー２０の下
端は、ヒーター２６を備える下部区間１４Ｂと連絡して
いる。降下管１４の下部区間１４Ｂは、反応／輸送管１
２の下部区間１２Ａと連絡している弁１６と連絡されて
いる。また、気体ソース３４は弁１６の入口側に連絡し
ており、さらに被覆された固体粒子を集合させて外部に
取り出す容器３０が降下管１４の下端に弁１６を介して
配置されている。なお、図中符号３２は気体ソース、３
６は外部のユニット、３８は粒子ソースをそれぞれ示し
ている。
次に、上記構成によるところの作用を説明する。被覆装
置１０にはその始動に先立って粒子ソース３８からホッ
パー２０に適当な量の固体粒子が供給され、始動の準備
が整えられる。被覆装置１０と系外との連絡を断った
後、気体ソース３２と気体ソース３４とからイナートガ
ス（一般に、窒素ガスと二酸化炭素ガス）が内部に導か
れ、固体粒子の循環が開始される。固体粒子が降下管１
４のヒーター２６部分を通って落ちるとき、加熱されて
温度が上昇する。温度が予め決められた値に達したとこ
ろで、イナートガスの供給は停止され、これに代わって
反応を促がす輸送気体の供給が開始される。被覆装置１
０の運転が行なわれる間、一酸化炭素を可能な範囲で添
加されたカルボニル気体（一般に、ニッケルおよび／ま
たは鉄カルボニル）を含む輸送気体が気体ソース３２か
ら供給される。この混合気体（反応および輸送媒体の双
方の役割りを演じる）は、反応／輸送管１２の下側区間
１２Ａに適当な圧力で押し込まれる。
置１０にはその始動に先立って粒子ソース３８からホッ
パー２０に適当な量の固体粒子が供給され、始動の準備
が整えられる。被覆装置１０と系外との連絡を断った
後、気体ソース３２と気体ソース３４とからイナートガ
ス（一般に、窒素ガスと二酸化炭素ガス）が内部に導か
れ、固体粒子の循環が開始される。固体粒子が降下管１
４のヒーター２６部分を通って落ちるとき、加熱されて
温度が上昇する。温度が予め決められた値に達したとこ
ろで、イナートガスの供給は停止され、これに代わって
反応を促がす輸送気体の供給が開始される。被覆装置１
０の運転が行なわれる間、一酸化炭素を可能な範囲で添
加されたカルボニル気体（一般に、ニッケルおよび／ま
たは鉄カルボニル）を含む輸送気体が気体ソース３２か
ら供給される。この混合気体（反応および輸送媒体の双
方の役割りを演じる）は、反応／輸送管１２の下側区間
１２Ａに適当な圧力で押し込まれる。
弁１６は実質的に１ウェイエルボ型弁として構成され、
降下管１４に流れた気体は図の矢印（実線）で示される
方向に向けられる。なお、本実施例では、Ｌ型弁として
示されるが、例えばＪ型弁により構成してもよい。ま
た、この弁１６はヒーター２６の部分を通って下に流れ
る固体粒子の流量を調節する調節器としても機能する。
気体ソース３４から下側区間１４Ｂに導入される気体の
量と比率とを変えて反応／輸送管１２に送られる固体粒
子の量と比率が調節される。気体ソース３４から供給さ
れる気体にはイナートガスが選ばれ、これはパージ気体
としても働くものである。
降下管１４に流れた気体は図の矢印（実線）で示される
方向に向けられる。なお、本実施例では、Ｌ型弁として
示されるが、例えばＪ型弁により構成してもよい。ま
た、この弁１６はヒーター２６の部分を通って下に流れ
る固体粒子の流量を調節する調節器としても機能する。
気体ソース３４から下側区間１４Ｂに導入される気体の
量と比率とを変えて反応／輸送管１２に送られる固体粒
子の量と比率が調節される。気体ソース３４から供給さ
れる気体にはイナートガスが選ばれ、これはパージ気体
としても働くものである。
固体粒子の温度を選択する際の基準としてカルボニル気
体が分解し、このとき分解された金属が上方に向かって
流れている固体粒子の表面に付着する温度とするのがよ
く、さらに製品の炭素汚染を少なくするためにはその温
度をカルボニルの解離温度範囲の低い方の値にすること
が望ましい。
体が分解し、このとき分解された金属が上方に向かって
流れている固体粒子の表面に付着する温度とするのがよ
く、さらに製品の炭素汚染を少なくするためにはその温
度をカルボニルの解離温度範囲の低い方の値にすること
が望ましい。
このような被覆装置１０に使用される反応／輸送管１２
は、輸送導管および反応容器の双方の機能を果たすもの
で、反応／輸送管と呼ぶものとする。輸送媒体により運
ばれる固体粒子の運動により生じた混合動作は、被膜形
成の効率を高めると同時に、完全な被膜を得ることを確
実にする。
は、輸送導管および反応容器の双方の機能を果たすもの
で、反応／輸送管と呼ぶものとする。輸送媒体により運
ばれる固体粒子の運動により生じた混合動作は、被膜形
成の効率を高めると同時に、完全な被膜を得ることを確
実にする。
固体粒子は胴１８内で反応／輸送管１２を出た直後に気
体から分離され、ホッパー２０の底に向かって落ちて行
く。固体粒子の大きさによりそのうちの一定量は標本的
２２に衝突し、ホッパー２０の方に向きを変えさせられ
る。気流に乗せられた粒径の小さい固体粒子は、サイク
ロン分離器２４に達し、そこで気体から分離され、それ
以外はホッパーの方向に向けられる。一方、固体粒子を
除かれた気体は後処理のために設置される他のユニット
３６か、バッグハウスの方向に向けられる。
体から分離され、ホッパー２０の底に向かって落ちて行
く。固体粒子の大きさによりそのうちの一定量は標本的
２２に衝突し、ホッパー２０の方に向きを変えさせられ
る。気流に乗せられた粒径の小さい固体粒子は、サイク
ロン分離器２４に達し、そこで気体から分離され、それ
以外はホッパーの方向に向けられる。一方、固体粒子を
除かれた気体は後処理のために設置される他のユニット
３６か、バッグハウスの方向に向けられる。
被覆された固体粒子は重力により降下管１４のヒーター
２６部および下側区間１４Ｂをそれぞれ通過して流れ、
続いて次の循環のために弁１６を通り、反応／輸送管１
２を通り抜ける。
２６部および下側区間１４Ｂをそれぞれ通過して流れ、
続いて次の循環のために弁１６を通り、反応／輸送管１
２を通り抜ける。
ここで、ヒーター２６は金属カルボニルの分解を促進す
るために予め決められた温度範囲に固体粒子の温度を保
ち、結果的に固体粒子に被膜を形成させる自由金属を生
じさせる。その温度は用いられるカルボニル混合気体の
作用、投入される固体粒子の形やサイズ（それは、また
触媒表面として機能する）および気体ソース３４から被
覆装置１０の系内に供給される気体の有無で決められ
る。
るために予め決められた温度範囲に固体粒子の温度を保
ち、結果的に固体粒子に被膜を形成させる自由金属を生
じさせる。その温度は用いられるカルボニル混合気体の
作用、投入される固体粒子の形やサイズ（それは、また
触媒表面として機能する）および気体ソース３４から被
覆装置１０の系内に供給される気体の有無で決められ
る。
一方、それぞれ固体粒子は反応／輸送管１２を通過する
ときに金属の薄い被膜で覆われる。したがって、たとえ
ばニッケル微粒は１０−２０マイクロメートルの種子粒
子から４００マイクロメートルまで成長させることが可
能である。同様に、金属粒子は材料の異なった粒子から
も成長させることもできる。このような微粒の連続的な
生産は粒子ソース３８を用いて定期的に固体粒子を供給
すると共に、容器３０にこの分野でよく知られた抽出装
置を付加し、予め決められた大きさの固体粒子を連続し
て回収することにより達成される。
ときに金属の薄い被膜で覆われる。したがって、たとえ
ばニッケル微粒は１０−２０マイクロメートルの種子粒
子から４００マイクロメートルまで成長させることが可
能である。同様に、金属粒子は材料の異なった粒子から
も成長させることもできる。このような微粒の連続的な
生産は粒子ソース３８を用いて定期的に固体粒子を供給
すると共に、容器３０にこの分野でよく知られた抽出装
置を付加し、予め決められた大きさの固体粒子を連続し
て回収することにより達成される。
この被覆装置１０はバッチプロセス用設備として用いら
れる。このような操作に適する粒子状材料は仕分けされ
たグラファイト、タングステン、シリカ、ガラス、タン
グステンカーバイト、シリコンカーバイト、銅などの材
料である。
れる。このような操作に適する粒子状材料は仕分けされ
たグラファイト、タングステン、シリカ、ガラス、タン
グステンカーバイト、シリコンカーバイト、銅などの材
料である。
この反応／輸送管１２を使用した場合は、粒子の極く小
さい固体粒子であっても、大きな固体粒子（４０マイク
ロメートルないしそれ以上）を被覆する場合と同じ程度
に均一な被膜形成を可能にする掻乱された被覆媒体と固
体粒子との接触を生じさせることができる。このような
乱れを生じさせる動作は気流に乗った固体粒子が反応／
輸送管１２を通って上方に向かって流れるときに生じ、
気体／固体粒子の接触を確実なものとする。本発明の導
管方式は反応容器を小型化するのに役立つ。一方、加熱
および反応ゾーンにおける固体粒子の迅速な分離も可能
にする。
さい固体粒子であっても、大きな固体粒子（４０マイク
ロメートルないしそれ以上）を被覆する場合と同じ程度
に均一な被膜形成を可能にする掻乱された被覆媒体と固
体粒子との接触を生じさせることができる。このような
乱れを生じさせる動作は気流に乗った固体粒子が反応／
輸送管１２を通って上方に向かって流れるときに生じ、
気体／固体粒子の接触を確実なものとする。本発明の導
管方式は反応容器を小型化するのに役立つ。一方、加熱
および反応ゾーンにおける固体粒子の迅速な分離も可能
にする。
固体粒子に形成される被膜は広い範囲、具体的には最終
的にその製品に付着した金属の比率で１−９０％の範囲
にわたって調節することができる。粒子密度および粒子
サイズの変化に対しては被覆された固体粒子を運ぶため
に与えられる気流の速度が増減し、装置が柔軟に対応す
る。したがって金属付着速度は気流の速度によって変わ
ることになる。同様に、固体粒子のサイズ、熱容量、密
度および被覆された材料の他の特性が変われば、気体と
金属との比率および反応／輸送管１２の直径は、これと
適合させるために気流の速度と金属付着率とが単独に調
節されて変えられる。材料の焼結および酸化は、カルボ
ニルの分解のために必要とされる最低の温度を保つよう
に操作することにより減少させることができる。炭素の
付着については装置の浄化を図る気体ソース３４からの
イナートパージガスの注入、あるいは降下管１４から流
れる一酸化炭素とカルボニルとを排除するか何れかの方
法により炭素を制限して行われる。
的にその製品に付着した金属の比率で１−９０％の範囲
にわたって調節することができる。粒子密度および粒子
サイズの変化に対しては被覆された固体粒子を運ぶため
に与えられる気流の速度が増減し、装置が柔軟に対応す
る。したがって金属付着速度は気流の速度によって変わ
ることになる。同様に、固体粒子のサイズ、熱容量、密
度および被覆された材料の他の特性が変われば、気体と
金属との比率および反応／輸送管１２の直径は、これと
適合させるために気流の速度と金属付着率とが単独に調
節されて変えられる。材料の焼結および酸化は、カルボ
ニルの分解のために必要とされる最低の温度を保つよう
に操作することにより減少させることができる。炭素の
付着については装置の浄化を図る気体ソース３４からの
イナートパージガスの注入、あるいは降下管１４から流
れる一酸化炭素とカルボニルとを排除するか何れかの方
法により炭素を制限して行われる。
本発明を卓上規模で実現した装置を用いる操作では、種
類の異なった基体に対してニッケルを付着させるのに成
功している。
類の異なった基体に対してニッケルを付着させるのに成
功している。
その操作で得られたデータは下記の通りである。
ここに、本発明の実施例は法律の規定に従い図示され、
かつ説明されるが、特許請求の範囲により保護された発
明の形式を変更すること、発明の一部の特徴を用いるこ
となく、ある特徴についてその利益を得るため利用する
ことなどは当業者が等しく了解するところである。
かつ説明されるが、特許請求の範囲により保護された発
明の形式を変更すること、発明の一部の特徴を用いるこ
となく、ある特徴についてその利益を得るため利用する
ことなどは当業者が等しく了解するところである。
［発明の効果］ 以上説明したように本発明は金属カルボニルを含む輸送
気体および予め加熱された固体粒子を反応／輸送管に導
いて輸送気体中に含まれる金属カルボニルを熱により分
解させ、固体粒子の表面にこの分解された金属を付着さ
せ、実質的に閉じている経路を連続的に循環させて固体
粒子を所望の厚さの金属被膜で被覆するようにしている
から、反応／輸送管内での被覆媒体の滞留時間を均一に
保つことができ、しかも被覆媒体と固体粒子との接触を
効率よく果たすことが可能である。
気体および予め加熱された固体粒子を反応／輸送管に導
いて輸送気体中に含まれる金属カルボニルを熱により分
解させ、固体粒子の表面にこの分解された金属を付着さ
せ、実質的に閉じている経路を連続的に循環させて固体
粒子を所望の厚さの金属被膜で被覆するようにしている
から、反応／輸送管内での被覆媒体の滞留時間を均一に
保つことができ、しかも被覆媒体と固体粒子との接触を
効率よく果たすことが可能である。
図面は本発明による被覆装置の系統図である。 １２……反応／輸送管 １４……降下管 １６……弁 １８……胴 ２０……ホッパー ２４……サイクロン分離器 ２６……ヒーター ３２、３４……気体ソース ３８……粒子ソース
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジョン、ウイリアム、ガリク カナダ国オンタリオ州、ライブリー、メル ビン、アベニュ、52 (56)参考文献 特開 平１−100271（ＪＰ，Ａ) 特開 昭42−24993（ＪＰ，Ａ)
Claims (5)
- 【請求項１】少なくとも一種類の金属カルボニルをその
選択された金属と一酸化炭素とに分解せしめ、前記金属
を固体粒子の表面に付着させて前記固体粒子を被覆する
ための装置であって、上側端部と下側端部とを有する反
応／輸送管と、この反応／輸送管の前記上側端部と連絡
している降下管と、この降下管と前記反応／輸送管とを
連結する装置と、前記被覆装置と連絡している固体粒子
用ソースと、前記被覆装置と連絡している金属カルボニ
ルを含む輸送流体用ソースと、輸送流体から被覆された
固体粒子を分離する装置と、固体粒子を収集する装置
と、固体粒子を加熱する装置と、前記反応／輸送管に送
られる固体粒子の流量を調節する装置と、被覆された固
体粒子を回収する装置とを備えることを特徴とする気流
による固体粒子を被覆するための装置。 - 【請求項２】前記降下管が固体粒子分離装置および前記
加熱装置を備えることを特徴とする請求項１に記載の被
覆装置。 - 【請求項３】前記反応／輸送管は直立導管により形成さ
れ、その下側端部が前記輸送流体用ソースと、また前記
上側端部が前記分離装置とそれぞれ連絡していることを
特徴とする請求項１に記載の被覆装置。 - 【請求項４】前記収集装置が前記分離装置の下側に配置
されたホッパーを備えることを特徴とする請求項１に記
載の被覆装置。 - 【請求項５】前記流量調節装置が前記降下管と連絡して
いる第２の輸送流体用ソースを備えることを特徴とする
請求項１に記載の被覆装置。
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|---|---|---|---|
| CA000556749A CA1304572C (en) | 1988-01-18 | 1988-01-18 | System for coating particles employing a pneumatic transport reactor |
| CA556749 | 1988-01-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01294865A JPH01294865A (ja) | 1989-11-28 |
| JPH0627330B2 true JPH0627330B2 (ja) | 1994-04-13 |
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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|---|---|
| US (1) | US4936250A (ja) |
| JP (1) | JPH0627330B2 (ja) |
| CA (1) | CA1304572C (ja) |
| GB (1) | GB2214195B (ja) |
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| US5536485A (en) * | 1993-08-12 | 1996-07-16 | Agency Of Industrial Science & Technology | Diamond sinter, high-pressure phase boron nitride sinter, and processes for producing those sinters |
| DE69433791T2 (de) * | 1994-11-18 | 2005-06-09 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Diamant-Sinterkörper, Hochdruckphasen-Bornitrid-Sinterkörper sowie Verfahren zur Herstellung dieser Sinterkörper |
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| CN102717067A (zh) * | 2012-06-05 | 2012-10-10 | 金川集团股份有限公司 | 一种制备镍包覆粉的方法 |
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| US4469050A (en) * | 1981-12-17 | 1984-09-04 | York-Shipley, Inc. | Fast fluidized bed reactor and method of operating the reactor |
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| FI85184C (fi) * | 1986-05-19 | 1992-03-10 | Ahlstroem Oy | Virvelbaeddsreaktor. |
-
1988
- 1988-01-18 CA CA000556749A patent/CA1304572C/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-12-22 JP JP63324688A patent/JPH0627330B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-01-06 US US07/293,983 patent/US4936250A/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-01-13 GB GB8900758A patent/GB2214195B/en not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
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| GB2214195B (en) | 1992-05-06 |
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