JPH06273940A - リソグラフィー用リンス液 - Google Patents
リソグラフィー用リンス液Info
- Publication number
- JPH06273940A JPH06273940A JP5086972A JP8697293A JPH06273940A JP H06273940 A JPH06273940 A JP H06273940A JP 5086972 A JP5086972 A JP 5086972A JP 8697293 A JP8697293 A JP 8697293A JP H06273940 A JPH06273940 A JP H06273940A
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- JP
- Japan
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- water
- component
- rinse
- carbonate
- rinse liquid
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- Pending
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 （Ａ）エチレンカーボネートやプロピレンカ
ーボネートと、（Ｂ）水溶性界面活性剤と、場合により
用いられる（Ｃ）水混和性有機溶剤及び水とから成るリ
ソグラフィー用リンス液である。 【効果】 引火点が高く、防災上や貯蔵上の問題がなく
て取り扱いやすい上、金属回路パターンの腐食を防止
し、かつリンス効果が高く、リソグラフィー法により半
導体デバイスなどを製造する場合に好適に用いられる。
ーボネートと、（Ｂ）水溶性界面活性剤と、場合により
用いられる（Ｃ）水混和性有機溶剤及び水とから成るリ
ソグラフィー用リンス液である。 【効果】 引火点が高く、防災上や貯蔵上の問題がなく
て取り扱いやすい上、金属回路パターンの腐食を防止
し、かつリンス効果が高く、リソグラフィー法により半
導体デバイスなどを製造する場合に好適に用いられる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は新規なリソグラフィー用
リンス液、さらに詳しくは、リソグラフィー法により半
導体デバイスなどを製造する場合、特に有機アミン系剥
離液で基板上のレジストパターンを除去した後で用いら
れるリンス液に関するものである。
リンス液、さらに詳しくは、リソグラフィー法により半
導体デバイスなどを製造する場合、特に有機アミン系剥
離液で基板上のレジストパターンを除去した後で用いら
れるリンス液に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣやＬＳＩなどの半導体素子をリソグ
ラフィー法により製造する場合には、通常先ずシリコン
ウエハーなどの基板上に酸化膜などの薄膜を形成し、次
いでその表面にレジストを均一に塗布して感光層を設
け、これに露光及び現像処理を施してレジストパターン
を形成し、続いてこのレジストパターンをマスクとして
下層部の薄膜に選択的エッチング法を施すことにより回
路パターンを形成させたのち、基板上のレジストパター
ンを完全に除去するという一連の工程がとられている。
ラフィー法により製造する場合には、通常先ずシリコン
ウエハーなどの基板上に酸化膜などの薄膜を形成し、次
いでその表面にレジストを均一に塗布して感光層を設
け、これに露光及び現像処理を施してレジストパターン
を形成し、続いてこのレジストパターンをマスクとして
下層部の薄膜に選択的エッチング法を施すことにより回
路パターンを形成させたのち、基板上のレジストパター
ンを完全に除去するという一連の工程がとられている。
【０００３】そして、この基板上のレジストパターンの
除去には、これまで無機酸又は無機塩基が使用されてい
たが、作業上の安全性を欠くという問題があり、近年は
モノエタノールアミンに代表される有機アミン系剥離液
がこれに代わりつつある。
除去には、これまで無機酸又は無機塩基が使用されてい
たが、作業上の安全性を欠くという問題があり、近年は
モノエタノールアミンに代表される有機アミン系剥離液
がこれに代わりつつある。
【０００４】ところで、この有機アミン系剥離液でレジ
ストパターンを除去した場合、すぐに基板を水洗する
と、基板上に付着している剥離液中に溶解し、含有され
ているレジストが析出し、基板表面に再付着して汚染す
るため、通常水洗に先立ってリンス処理する必要があ
る。
ストパターンを除去した場合、すぐに基板を水洗する
と、基板上に付着している剥離液中に溶解し、含有され
ているレジストが析出し、基板表面に再付着して汚染す
るため、通常水洗に先立ってリンス処理する必要があ
る。
【０００５】このリンス処理は、基板上に残存している
剥離液を洗い流すことを主たる目的とし、リンス液とし
て従来メタノール、イソプロピルアルコールなどが用い
られている。しかしながら、メタノールやイソプロピル
アルコールでは十分な洗浄ができない上に、これらの溶
剤は引火性であり、防災上や貯蔵上の問題を有するため
に取り扱いにくく、またリンス処理後に行われる水中へ
の浸せきによる水洗工程において基板上に残存する有機
アミン化合物が水中に溶解してアルカリ性水溶液とな
り、基板上のアルミニウムなどの金属回路パターンを腐
食するという欠点を生じるし、また、これらの溶剤では
リンス効果が悪いため、基板上に付着物が残存しやすく
て基板表面を変色させるなどの欠点も伴う。
剥離液を洗い流すことを主たる目的とし、リンス液とし
て従来メタノール、イソプロピルアルコールなどが用い
られている。しかしながら、メタノールやイソプロピル
アルコールでは十分な洗浄ができない上に、これらの溶
剤は引火性であり、防災上や貯蔵上の問題を有するため
に取り扱いにくく、またリンス処理後に行われる水中へ
の浸せきによる水洗工程において基板上に残存する有機
アミン化合物が水中に溶解してアルカリ性水溶液とな
り、基板上のアルミニウムなどの金属回路パターンを腐
食するという欠点を生じるし、また、これらの溶剤では
リンス効果が悪いため、基板上に付着物が残存しやすく
て基板表面を変色させるなどの欠点も伴う。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
従来のリンス液のもつ欠点を克服し、引火点が高く、防
災上や貯蔵上の見地から取り扱いやすく、しかも金属回
路パターンの腐食を防止し、かつリンス効果の高いリソ
グラフィー用リンス液を提供することを目的としてなさ
れたものである。
従来のリンス液のもつ欠点を克服し、引火点が高く、防
災上や貯蔵上の見地から取り扱いやすく、しかも金属回
路パターンの腐食を防止し、かつリンス効果の高いリソ
グラフィー用リンス液を提供することを目的としてなさ
れたものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、特定のア
ルキレンカーボネートと水溶性界面活性剤と場合により
用いられる水混和性有機溶剤や水とから成るリンス液に
より、その目的を達成しうることを見出し、この知見に
基づいて本発明を完成するに至った。
ルキレンカーボネートと水溶性界面活性剤と場合により
用いられる水混和性有機溶剤や水とから成るリンス液に
より、その目的を達成しうることを見出し、この知見に
基づいて本発明を完成するに至った。
【０００８】すなわち、本発明は、（Ａ）エチレンカー
ボネート及びプロピレンカーボネートの中から選ばれた
少なくとも１種と、（Ｂ）水溶性界面活性剤と場合によ
り用いられる（Ｃ）水混和性有機溶剤及び水の中から選
ばれた少なくとも１種とから成るリソグラフィー用リン
ス液を提供するものである。
ボネート及びプロピレンカーボネートの中から選ばれた
少なくとも１種と、（Ｂ）水溶性界面活性剤と場合によ
り用いられる（Ｃ）水混和性有機溶剤及び水の中から選
ばれた少なくとも１種とから成るリソグラフィー用リン
ス液を提供するものである。
【０００９】本発明のリンス液においては、（Ａ）成分
として、一般式
として、一般式
【化１】 （式中のＲは水素原子又はメチル基である）で表される
アルキレンカーボネート、すなわちエチレンカーボネー
ト又はプロピレンカーボネートあるいはその両方を用い
ることが必要である。
アルキレンカーボネート、すなわちエチレンカーボネー
ト又はプロピレンカーボネートあるいはその両方を用い
ることが必要である。
【００１０】該（Ａ）成分として、エチレンカーボネー
トのみを用いる場合には、このもの自体は常温で固体で
あるため、加熱により液体とすることが必要である。こ
の点で融点が低く常温で液体のプロピレンカーボネート
が取り扱いやすく、またエチレンカーボネートはプロピ
レンカーボネートと適当に混合すると常温で液体となる
のでこのような混合液として用いるのがよい。
トのみを用いる場合には、このもの自体は常温で固体で
あるため、加熱により液体とすることが必要である。こ
の点で融点が低く常温で液体のプロピレンカーボネート
が取り扱いやすく、またエチレンカーボネートはプロピ
レンカーボネートと適当に混合すると常温で液体となる
のでこのような混合液として用いるのがよい。
【００１１】本発明のリンス液においては、（Ｂ）成分
として水溶性界面活性剤が用いられる。この水溶性界面
活性剤については特に制限はなく、従来公知のものを用
いることができるが、リンス効果の点でアニオン性及び
カチオン性のものが好適である。このようなものの具体
例としては、アルキルアリールスルホン酸アンモニウム
塩であるパイオニンＡ‐４３Ｎ（竹本油脂社製）、アル
キル第四級アンモニウムクロリドであるアーカードＣ‐
５０（ライオン・アーマー社製）などを挙げることがで
き、これらは単独で用いてもよいし、２種以上を組み合
わせて用いてもよい。
として水溶性界面活性剤が用いられる。この水溶性界面
活性剤については特に制限はなく、従来公知のものを用
いることができるが、リンス効果の点でアニオン性及び
カチオン性のものが好適である。このようなものの具体
例としては、アルキルアリールスルホン酸アンモニウム
塩であるパイオニンＡ‐４３Ｎ（竹本油脂社製）、アル
キル第四級アンモニウムクロリドであるアーカードＣ‐
５０（ライオン・アーマー社製）などを挙げることがで
き、これらは単独で用いてもよいし、２種以上を組み合
わせて用いてもよい。
【００１２】本発明のリンス液においては、所望により
（Ｃ）成分として水混和性有機溶剤又は水あるいはその
両方を用いることができる。該水混和性有機溶剤につい
ては特に制限はないが、レジスト及び有機アミン系化合
物を溶解しうるものが好ましく、このようなものとして
は、例えばγ‐ブチロラクトン、エチレングリコールモ
ノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエー
テル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエ
チレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリ
コールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジメ
チルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリ
コールモノエチルエーテル、ジメチルスルホキシド、Ｎ
‐メチル‐２‐ピロリドン、１，３‐ジメチル‐２‐イ
ミダゾリジノンなどが挙げられ、これらは単独でも、ま
た２種以上を組み合わせて用いてもよい。
（Ｃ）成分として水混和性有機溶剤又は水あるいはその
両方を用いることができる。該水混和性有機溶剤につい
ては特に制限はないが、レジスト及び有機アミン系化合
物を溶解しうるものが好ましく、このようなものとして
は、例えばγ‐ブチロラクトン、エチレングリコールモ
ノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエー
テル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエ
チレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリ
コールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジメ
チルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリ
コールモノエチルエーテル、ジメチルスルホキシド、Ｎ
‐メチル‐２‐ピロリドン、１，３‐ジメチル‐２‐イ
ミダゾリジノンなどが挙げられ、これらは単独でも、ま
た２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００１３】本発明のリンス液においては、該（Ａ）成
分のエチレンカーボネートやプロピレンカーボネート
は、剥離液中の有機アミンと反応し、これを除去しやす
い状態にするものであり、また、（Ｂ）成分の水溶性界
面活性剤はリンス性を高める作用を有する。さらに、所
望により用いられる（Ｃ）成分の水混和性有機溶剤はレ
ジストを溶解除去する作用を有する。
分のエチレンカーボネートやプロピレンカーボネート
は、剥離液中の有機アミンと反応し、これを除去しやす
い状態にするものであり、また、（Ｂ）成分の水溶性界
面活性剤はリンス性を高める作用を有する。さらに、所
望により用いられる（Ｃ）成分の水混和性有機溶剤はレ
ジストを溶解除去する作用を有する。
【００１４】次に、本発明のリンス液における各成分の
含有割合について説明する。該リンス液が（Ａ）成分、
（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分から成り、かつ（Ｃ）成分と
して水混和性有機溶剤又は水を用いる場合、（Ａ）成分
と水混和性有機溶剤又は水との含有割合は、それらの合
計量に基づきそれぞれ１０〜７０重量％及び９０〜３０
重量％の範囲とするのが好ましい。また（Ｃ）成分とし
て水混和性有機溶剤と水とを併用する場合、（Ａ）成分
と水混和性有機溶剤と水との含有割合は、それらの合計
量に基づきそれぞれ１０〜７０重量％、１０〜７０重量
％及び２０〜６０重量％の範囲とするのが好ましい。
含有割合について説明する。該リンス液が（Ａ）成分、
（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分から成り、かつ（Ｃ）成分と
して水混和性有機溶剤又は水を用いる場合、（Ａ）成分
と水混和性有機溶剤又は水との含有割合は、それらの合
計量に基づきそれぞれ１０〜７０重量％及び９０〜３０
重量％の範囲とするのが好ましい。また（Ｃ）成分とし
て水混和性有機溶剤と水とを併用する場合、（Ａ）成分
と水混和性有機溶剤と水との含有割合は、それらの合計
量に基づきそれぞれ１０〜７０重量％、１０〜７０重量
％及び２０〜６０重量％の範囲とするのが好ましい。
【００１５】一方、（Ｂ）成分の含有量は、前記（Ａ）
成分と（Ｃ）成分との合計量に対して、０．５〜１０重
量％、好ましくは、１〜７重量％の範囲とするのが望ま
しい。この（Ｂ）成分の含有量が前記範囲を逸脱すると
リンス効果の優れたリンス液が得られず、好ましくな
い。
成分と（Ｃ）成分との合計量に対して、０．５〜１０重
量％、好ましくは、１〜７重量％の範囲とするのが望ま
しい。この（Ｂ）成分の含有量が前記範囲を逸脱すると
リンス効果の優れたリンス液が得られず、好ましくな
い。
【００１６】本発明のリンス液の使用対象であるレジス
トパターン剥離用有機アミン系化合物についてはレジス
トパターンを剥離可能な液状のものであれば特に制限は
ないが、モノエタノールアミン、エチレンジアミン、３
‐アミノプロパノール、ピペリジン、ジエタノールアミ
ン、イミノビスプロピルアミン、１，４‐ジアザビシク
ロ［２．２．０］オクタンジメチルアミノエタノール、
ジエチルアミノエタノール、８‐ジアザビシクロ［５．
４．０］ウンデク‐７‐エン、ベンジルアミン、ジベン
ジルアミン、Ｎ‐メチルベンジルアミンなどの有機アミ
ン系化合物を主成分とするものが適している。これらの
有機アミン系化合物は単独で用いてもよいし、あるいは
２種以上混合して用いてもよい。
トパターン剥離用有機アミン系化合物についてはレジス
トパターンを剥離可能な液状のものであれば特に制限は
ないが、モノエタノールアミン、エチレンジアミン、３
‐アミノプロパノール、ピペリジン、ジエタノールアミ
ン、イミノビスプロピルアミン、１，４‐ジアザビシク
ロ［２．２．０］オクタンジメチルアミノエタノール、
ジエチルアミノエタノール、８‐ジアザビシクロ［５．
４．０］ウンデク‐７‐エン、ベンジルアミン、ジベン
ジルアミン、Ｎ‐メチルベンジルアミンなどの有機アミ
ン系化合物を主成分とするものが適している。これらの
有機アミン系化合物は単独で用いてもよいし、あるいは
２種以上混合して用いてもよい。
【００１７】このような有機アミン系剥離液で剥離され
るレジストパターンを形成するレジストについては特に
制限されず、ポジ型のものでもネガ型のものでもいずれ
も使用でき、このようなものとしては、例えばアルカリ
可溶性樹脂をバインダーとして用い、アルカリ現像液に
より現像しうるものなどが挙げられる。
るレジストパターンを形成するレジストについては特に
制限されず、ポジ型のものでもネガ型のものでもいずれ
も使用でき、このようなものとしては、例えばアルカリ
可溶性樹脂をバインダーとして用い、アルカリ現像液に
より現像しうるものなどが挙げられる。
【００１８】本発明において、回路パターンの腐食が防
止されるのは、リンス液による除去処理の際、腐食因子
の有機アミン系化合物が一般式（Ｉ）の化合物との反応
でヒドロキシアルキル化され、それにより腐食性が失わ
れるためであると推測される。
止されるのは、リンス液による除去処理の際、腐食因子
の有機アミン系化合物が一般式（Ｉ）の化合物との反応
でヒドロキシアルキル化され、それにより腐食性が失わ
れるためであると推測される。
【００１９】
【発明の効果】本発明のリンス液は、引火点が高く、防
災上や貯蔵上の問題がなくて取り扱いやすい上、回路パ
ターンの腐食を防止し、かつリンス効果が高く、基板表
面に付着物の存在がないため、半導体デバイスの製造過
程、特にリソグラフィー工程に好適に用いられる。
災上や貯蔵上の問題がなくて取り扱いやすい上、回路パ
ターンの腐食を防止し、かつリンス効果が高く、基板表
面に付着物の存在がないため、半導体デバイスの製造過
程、特にリソグラフィー工程に好適に用いられる。
【００２０】
【実施例】次に実施例により本発明をさらに詳細に説明
する。
する。
【００２１】実施例１ アルミニウムが蒸着されたシリコンウエハー上にポジ型
ホトレジストとしてＯＦＰＲ‐８００（東京応化工業社
製）を乾燥膜厚３μｍになるように、スピンナーより塗
布したのち、露光し、２．３８重量％のテトラメチルア
ンモニウムヒドロキシド水溶液により現像処理し、次い
で１２０℃で５分間ポストベークしてレジストパターン
を形成した。
ホトレジストとしてＯＦＰＲ‐８００（東京応化工業社
製）を乾燥膜厚３μｍになるように、スピンナーより塗
布したのち、露光し、２．３８重量％のテトラメチルア
ンモニウムヒドロキシド水溶液により現像処理し、次い
で１２０℃で５分間ポストベークしてレジストパターン
を形成した。
【００２２】次いで、このレジストパターンをマスクと
して露出したアルミニウムの選択エッチング処理を施す
ことで回路パターンを形成した。
して露出したアルミニウムの選択エッチング処理を施す
ことで回路パターンを形成した。
【００２３】次に、レジストパターンを除去するため
に、液温９５℃に保持したモノエタノールアミン７０重
量％とジメチルスルホキシド３０重量％から成る剥離液
に５分間浸せきしたのち、回路パターンの形成された基
板を取り出し、次いでこれをエチレンカーボネート１０
重量％、ジエチレングリコールモノブチルエーテル３５
重量％及び水５５重量％から成る溶液に、パイオニンＡ
−４３Ｎ（竹本油脂社製）３重量％添加して調製したリ
ンス液中に５分間浸せきしてリンス処理を行い、純水中
に５分間浸せきし、純水で洗い流し、乾燥した。
に、液温９５℃に保持したモノエタノールアミン７０重
量％とジメチルスルホキシド３０重量％から成る剥離液
に５分間浸せきしたのち、回路パターンの形成された基
板を取り出し、次いでこれをエチレンカーボネート１０
重量％、ジエチレングリコールモノブチルエーテル３５
重量％及び水５５重量％から成る溶液に、パイオニンＡ
−４３Ｎ（竹本油脂社製）３重量％添加して調製したリ
ンス液中に５分間浸せきしてリンス処理を行い、純水中
に５分間浸せきし、純水で洗い流し、乾燥した。
【００２４】このようにして得られた回路パターンを観
察した結果、アルミニウムの腐食は認められず、また、
基板表面を電子顕微鏡で観察したところ、その表面に付
着物はなかった。
察した結果、アルミニウムの腐食は認められず、また、
基板表面を電子顕微鏡で観察したところ、その表面に付
着物はなかった。
【００２５】実施例２〜２２、比較例１〜３ リンス液組成を表１、表２及び表３に示すものに変えた
以外は、実施例１と同様の操作によりリンス処理後のア
ルミニウムの腐食の有無及び基板上の付着物の有無を観
察した結果を表１、表２及び表３に示した。なお表中、
アルミニウムの腐食が確認できなかったものは○、アル
ミニウムの腐食が確認されたものは×とした。
以外は、実施例１と同様の操作によりリンス処理後のア
ルミニウムの腐食の有無及び基板上の付着物の有無を観
察した結果を表１、表２及び表３に示した。なお表中、
アルミニウムの腐食が確認できなかったものは○、アル
ミニウムの腐食が確認されたものは×とした。
【００２６】
【表１】
【００２７】
【表２】
【００２８】
【表３】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 初幸 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内 (72)発明者 中山 寿昌 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 （Ａ）エチレンカーボネート及びプロピ
レンカーボネートの中から選ばれた少なくとも１種と、
（Ｂ）水溶性界面活性剤とから成るリソグラフィー用リ
ンス液。 - 【請求項２】 （Ａ）エチレンカーボネート及びプロピ
レンカーボネートの中から選ばれた少なくとも１種と、
（Ｂ）水溶性界面活性剤と、（Ｃ）水混和性有機溶剤及
び水の中から選ばれた少なくとも１種とから成るリソグ
ラフィー用リンス液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5086972A JPH06273940A (ja) | 1993-03-23 | 1993-03-23 | リソグラフィー用リンス液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5086972A JPH06273940A (ja) | 1993-03-23 | 1993-03-23 | リソグラフィー用リンス液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06273940A true JPH06273940A (ja) | 1994-09-30 |
Family
ID=13901795
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5086972A Pending JPH06273940A (ja) | 1993-03-23 | 1993-03-23 | リソグラフィー用リンス液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06273940A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024203080A1 (ja) * | 2023-03-31 | 2024-10-03 | 富士フイルム株式会社 | 薬液、パターン形成方法 |
-
1993
- 1993-03-23 JP JP5086972A patent/JPH06273940A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024203080A1 (ja) * | 2023-03-31 | 2024-10-03 | 富士フイルム株式会社 | 薬液、パターン形成方法 |
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