JPH06274875A - チタン製磁気ディスク基板のＮｉ−Ｐめっき方法 - Google Patents
チタン製磁気ディスク基板のＮｉ−Ｐめっき方法Info
- Publication number
- JPH06274875A JPH06274875A JP6215293A JP6215293A JPH06274875A JP H06274875 A JPH06274875 A JP H06274875A JP 6215293 A JP6215293 A JP 6215293A JP 6215293 A JP6215293 A JP 6215293A JP H06274875 A JPH06274875 A JP H06274875A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic disk
- titanium
- disk substrate
- plating
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 チタン基板上に形成したＮｉ−Ｐめっき皮膜
のチタン基板への密着性に優れ、且つその皮膜の表面粗
さが小さいＮｉ−Ｐめっき皮膜を付与されたチタン製磁
気ディスク基板の製造方法を目的とする。 【構成】 チタン製磁気ディスク基板と陰極材を用意
し、これらを離隔して所定の濃度のフッ素と、塩素、臭
素、ヨウ素のうちから少なくとも一種以上が所定の濃度
の電解水溶液に浸漬し、所定の直流電圧を印加し陽極処
理を行い、続いて上記陽極処理したディスク基板にＮｉ
−Ｐ皮膜をめっきする。
のチタン基板への密着性に優れ、且つその皮膜の表面粗
さが小さいＮｉ−Ｐめっき皮膜を付与されたチタン製磁
気ディスク基板の製造方法を目的とする。 【構成】 チタン製磁気ディスク基板と陰極材を用意
し、これらを離隔して所定の濃度のフッ素と、塩素、臭
素、ヨウ素のうちから少なくとも一種以上が所定の濃度
の電解水溶液に浸漬し、所定の直流電圧を印加し陽極処
理を行い、続いて上記陽極処理したディスク基板にＮｉ
−Ｐ皮膜をめっきする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、高密度記録再生用磁
気ディスクとして用いる、チタン製磁気ディスク基板の
Ｎｉ−Ｐめっきの方法に関する。
気ディスクとして用いる、チタン製磁気ディスク基板の
Ｎｉ−Ｐめっきの方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気ディスクは高密度記録化が図
られており、そのために素材の薄肉化が試みられてい
る。そこで、新しい技術としてチタンの耐熱性や剛性に
着目し、従来のアルミ磁気ディスク基板の代替材料とし
てチタンを用いることが試みられている。
られており、そのために素材の薄肉化が試みられてい
る。そこで、新しい技術としてチタンの耐熱性や剛性に
着目し、従来のアルミ磁気ディスク基板の代替材料とし
てチタンを用いることが試みられている。
【０００３】しかし、磁気ディスク基板としてチタンを
用いた場合、チタン金属表面が多結晶のままであるた
め、記憶媒体として付与された磁性膜に結晶面の差が反
映され、これに起因すると考えられるシグナルエラーが
多発する。この対策として基板表面に非晶質である陽極
酸化皮膜を付与することが有効であることを、本発明者
らは見いだした。
用いた場合、チタン金属表面が多結晶のままであるた
め、記憶媒体として付与された磁性膜に結晶面の差が反
映され、これに起因すると考えられるシグナルエラーが
多発する。この対策として基板表面に非晶質である陽極
酸化皮膜を付与することが有効であることを、本発明者
らは見いだした。
【０００４】この磁気ディスク基板に非晶質である陽極
酸化皮膜を付与し、その後磁性膜を付与するだけでは問
題がある。この理由は、この磁性膜と磁気ヘッドとの吸
着を防止するため陽極酸化皮膜にテクスチャリング加工
（溝加工）を行うが、上記陽極酸化皮膜はこのテクスチ
ャリング加工には不適当であることが明らかになったか
らである。そこで、チタンディスク基板上に１〜１０ミ
クロン厚さ程度のＮｉ−Ｐめっきをし、その後磁性膜を
付与することが望ましい。
酸化皮膜を付与し、その後磁性膜を付与するだけでは問
題がある。この理由は、この磁性膜と磁気ヘッドとの吸
着を防止するため陽極酸化皮膜にテクスチャリング加工
（溝加工）を行うが、上記陽極酸化皮膜はこのテクスチ
ャリング加工には不適当であることが明らかになったか
らである。そこで、チタンディスク基板上に１〜１０ミ
クロン厚さ程度のＮｉ−Ｐめっきをし、その後磁性膜を
付与することが望ましい。
【０００５】しかし、チタンディスク基板上に直接Ｎｉ
−Ｐ等のめっきを施すことは困難であることが知られて
いる（例えば表面技術協会第８７回講演大会集、１９９
３年、Ｐ１７９）。
−Ｐ等のめっきを施すことは困難であることが知られて
いる（例えば表面技術協会第８７回講演大会集、１９９
３年、Ｐ１７９）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】一般にチタンは大気中
で放置するとその表面に酸化膜を形成する。この酸化膜
を除去せずに公知のＮｉ−Ｐ皮膜処理を施した場合、皮
膜が均一に形成されず、表面粗さが悪化する。このた
め、通常はＮｉ−Ｐ皮膜処理を施すのに先立ち、化学エ
ッチングにより酸化膜の除去を行う。チタン磁気ディス
ク基板にこの方法を適用し、鏡面研磨加工時に形成され
る酸化物層の除去を行うと、結晶面によりエッチング速
度に差があるため素材の表面粗さが悪化し、その後に形
成するＮｉ−Ｐ皮膜の表面粗さは大きい。
で放置するとその表面に酸化膜を形成する。この酸化膜
を除去せずに公知のＮｉ−Ｐ皮膜処理を施した場合、皮
膜が均一に形成されず、表面粗さが悪化する。このた
め、通常はＮｉ−Ｐ皮膜処理を施すのに先立ち、化学エ
ッチングにより酸化膜の除去を行う。チタン磁気ディス
ク基板にこの方法を適用し、鏡面研磨加工時に形成され
る酸化物層の除去を行うと、結晶面によりエッチング速
度に差があるため素材の表面粗さが悪化し、その後に形
成するＮｉ−Ｐ皮膜の表面粗さは大きい。
【０００７】チタン製磁気ディスク基板では、Ｎｉ−Ｐ
皮膜の密着性は重要である。Ｎｉ−Ｐ皮膜上に磁性膜
（記憶媒体）をスパッタリングにより形成し磁気ディス
クとするわけであるが、化学エッチングにより付与され
たＮｉ−Ｐ皮膜ではスパッタリング時に皮膜の剥離が起
こり磁性膜の付与が困難であった。また、磁気ディスク
基板ではＮｉ−Ｐ皮膜の表面粗さが問題となる。通常、
磁気ディスク基板と読み取りヘッドの間隔が０．０５μ
ｍ程度であるため、磁気ディスク基板の表面粗さを全面
にわたり０．０３μｍ以下とする必要がある。
皮膜の密着性は重要である。Ｎｉ−Ｐ皮膜上に磁性膜
（記憶媒体）をスパッタリングにより形成し磁気ディス
クとするわけであるが、化学エッチングにより付与され
たＮｉ−Ｐ皮膜ではスパッタリング時に皮膜の剥離が起
こり磁性膜の付与が困難であった。また、磁気ディスク
基板ではＮｉ−Ｐ皮膜の表面粗さが問題となる。通常、
磁気ディスク基板と読み取りヘッドの間隔が０．０５μ
ｍ程度であるため、磁気ディスク基板の表面粗さを全面
にわたり０．０３μｍ以下とする必要がある。
【０００８】そこで本発明は、チタン製磁気ディスク基
板上に形成されたＮｉ−Ｐ皮膜のチタン基板への密着性
に優れ、かつ前記皮膜の表面粗さが小さいＮｉ−Ｐめっ
き処理方法を目的とする。尚、上記チタン製磁気ディス
ク基板の材質は純チタン材であるが、本発明はチタン合
金の磁気ディスク基板にも応用できる。
板上に形成されたＮｉ−Ｐ皮膜のチタン基板への密着性
に優れ、かつ前記皮膜の表面粗さが小さいＮｉ−Ｐめっ
き処理方法を目的とする。尚、上記チタン製磁気ディス
ク基板の材質は純チタン材であるが、本発明はチタン合
金の磁気ディスク基板にも応用できる。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明においては、上記
目的のために特に開発された陽極処理を施し、続いて公
知の方法によりＮｉ−Ｐめっきを行うことにより、チタ
ン基板への密着性に優れ、かつ前記皮膜の表面粗さが小
さいＮｉ−Ｐめっき皮膜の生成方法を開発することがで
きた。具体的には、下記の手段を採用する。
目的のために特に開発された陽極処理を施し、続いて公
知の方法によりＮｉ−Ｐめっきを行うことにより、チタ
ン基板への密着性に優れ、かつ前記皮膜の表面粗さが小
さいＮｉ−Ｐめっき皮膜の生成方法を開発することがで
きた。具体的には、下記の手段を採用する。
【００１０】（１）請求項１の発明は下記の工程を備え
たチタン製磁気ディスク基板のＮｉ−Ｐめっき方法であ
る。 （ａ）被処理材であるチタン製磁気ディスク基板と陰極
材を用意する工程と、（ｂ）前記磁気ディスク基板と前
記陰極材を隔離して、フッ素（Ｆ) が所定濃度であり、
更に塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）およびヨウ素（Ｉ）の
うちから少なくとも一種以上が所定の濃度である電解水
溶液に浸漬する工程と、（ｃ）前記磁気ディスク基板を
陽極とし、前記陰極材を陰極として所定の直流電圧を印
加し陽極処理を行う工程と、（ｄ）前記陽極処理をした
磁気ディスク基板に、更にＮｉ−Ｐ皮膜をめっきする行
程。
たチタン製磁気ディスク基板のＮｉ−Ｐめっき方法であ
る。 （ａ）被処理材であるチタン製磁気ディスク基板と陰極
材を用意する工程と、（ｂ）前記磁気ディスク基板と前
記陰極材を隔離して、フッ素（Ｆ) が所定濃度であり、
更に塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）およびヨウ素（Ｉ）の
うちから少なくとも一種以上が所定の濃度である電解水
溶液に浸漬する工程と、（ｃ）前記磁気ディスク基板を
陽極とし、前記陰極材を陰極として所定の直流電圧を印
加し陽極処理を行う工程と、（ｄ）前記陽極処理をした
磁気ディスク基板に、更にＮｉ−Ｐ皮膜をめっきする行
程。
【００１１】（２）請求項２の発明はフッ素（Ｆ）の前
記所定濃度と、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）およびヨウ
素（Ｉ）のうちから少なくとも一種以上の前記所定濃度
が下記の範囲である請求項１記載のチタン製磁気ディス
ク基板のＮｉ−Ｐめっき方法である。 Ｆ；０．２ｗｔ％を超え、１０ｗｔ％未満であり、 Ｃｌ＋Ｂｒ＋Ｉ；０．１ｗｔ％を超え、１０ｗｔ％未満
である。 （３）請求項３の発明は前記所定の直流電圧が０．３Ｖ
から１０Ｖの範囲である請求項１又は請求項２記載のチ
タン製磁気ディスク基板のＮｉ−Ｐめっき方法である。
記所定濃度と、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）およびヨウ
素（Ｉ）のうちから少なくとも一種以上の前記所定濃度
が下記の範囲である請求項１記載のチタン製磁気ディス
ク基板のＮｉ−Ｐめっき方法である。 Ｆ；０．２ｗｔ％を超え、１０ｗｔ％未満であり、 Ｃｌ＋Ｂｒ＋Ｉ；０．１ｗｔ％を超え、１０ｗｔ％未満
である。 （３）請求項３の発明は前記所定の直流電圧が０．３Ｖ
から１０Ｖの範囲である請求項１又は請求項２記載のチ
タン製磁気ディスク基板のＮｉ−Ｐめっき方法である。
【００１２】
【作用】前述の通り本発明においては、本発明のために
特に開発された陽極処理を行い、続いて公知の方法によ
りＮｉ−Ｐめっきを施す方法を採用する。ここで、従来
公知のＮｉ−Ｐめっき法とは、無電解または電解により
Ｎｉ−Ｐ皮膜形成を行うものである。
特に開発された陽極処理を行い、続いて公知の方法によ
りＮｉ−Ｐめっきを施す方法を採用する。ここで、従来
公知のＮｉ−Ｐめっき法とは、無電解または電解により
Ｎｉ−Ｐ皮膜形成を行うものである。
【００１３】本発明ではＮｉ−Ｐ皮膜形成に先立って行
う陽極処理がＮｉ−Ｐ皮膜密着性に大きく寄与してい
る。この処理においてはチタンディスク加工時にその表
面に生成した酸化物層の除去され、これに続くＮｉ−Ｐ
めっきで密着性の優れたＮｉ−Ｐ皮膜を形成する。
う陽極処理がＮｉ−Ｐ皮膜密着性に大きく寄与してい
る。この処理においてはチタンディスク加工時にその表
面に生成した酸化物層の除去され、これに続くＮｉ−Ｐ
めっきで密着性の優れたＮｉ−Ｐ皮膜を形成する。
【００１４】陽極処理 本発明では、陽極処理に用いる電解液にフッ素と、塩素
（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）およびヨウ素（Ｉ）のうちから
少なくとも一種以上が含まれることにより、Ｎｉ−Ｐ皮
膜の密着性に優れかつ素材の表面粗さを損なわないチタ
ン材のＮｉ−Ｐめっき処理を可能とする。
（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）およびヨウ素（Ｉ）のうちから
少なくとも一種以上が含まれることにより、Ｎｉ−Ｐ皮
膜の密着性に優れかつ素材の表面粗さを損なわないチタ
ン材のＮｉ−Ｐめっき処理を可能とする。
【００１５】めっきに先立つ陽極処理においては、自然
酸化膜や研磨加工時に形成する酸化物層の除去される。
チタンディスク基板表面に自然酸化膜や研磨加工時に形
成する酸化物層が存在すると、無電解Ｎｉ−Ｐめっきに
おいてはＮｉ置換反応がほとんど起きないためＮｉ−Ｐ
皮膜が得られず、また、電解Ｎｉ−Ｐめっきの場合でも
均一な皮膜は得られない。無電解めっきにおいては、一
般に置換反応速度が大きいと緻密な皮膜が得られず、皮
膜の密着性も悪い。
酸化膜や研磨加工時に形成する酸化物層の除去される。
チタンディスク基板表面に自然酸化膜や研磨加工時に形
成する酸化物層が存在すると、無電解Ｎｉ−Ｐめっきに
おいてはＮｉ置換反応がほとんど起きないためＮｉ−Ｐ
皮膜が得られず、また、電解Ｎｉ−Ｐめっきの場合でも
均一な皮膜は得られない。無電解めっきにおいては、一
般に置換反応速度が大きいと緻密な皮膜が得られず、皮
膜の密着性も悪い。
【００１６】本発明による陽極処理の効果については十
分に解明されていないが、この陽極処理により、自然酸
化膜や研磨加工時に形成する酸化物層の除去とともに、
均一で、極めて薄い酸化膜が形成され、続くＮｉ−Ｐめ
っき処理において密着性の良好なめっき皮膜が形成され
ると考えられる。即ち、酸化物層の除去とともに均一な
酸化皮膜が形成される。この酸化皮膜厚さが適切であれ
ばＮｉ置換反応速度が適度に調節され、緻密かつ均一な
Ｎｉ−Ｐ皮膜が形成されるものと考えられる。
分に解明されていないが、この陽極処理により、自然酸
化膜や研磨加工時に形成する酸化物層の除去とともに、
均一で、極めて薄い酸化膜が形成され、続くＮｉ−Ｐめ
っき処理において密着性の良好なめっき皮膜が形成され
ると考えられる。即ち、酸化物層の除去とともに均一な
酸化皮膜が形成される。この酸化皮膜厚さが適切であれ
ばＮｉ置換反応速度が適度に調節され、緻密かつ均一な
Ｎｉ−Ｐ皮膜が形成されるものと考えられる。
【００１７】電解液の組成と濃度について：フッ素は自
然酸化膜や研磨加工時に形成する酸化物層の除去には必
須である。また、塩素，臭素，ヨウ素の一種以上を共存
させた電解液を使用して陽極処理を行うと、生成した陽
極酸化皮膜はチタン基板への密着性が優れている。この
陽極処理を行うための最適の電解液の組成を見出すた
め、表２に示す様な種々の電解液によりチタン基板を陽
極処理し、その後Ｎｉ−Ｐ皮膜をめっきしＮｉ−Ｐ皮膜
の密着性と表面状態を調査した。
然酸化膜や研磨加工時に形成する酸化物層の除去には必
須である。また、塩素，臭素，ヨウ素の一種以上を共存
させた電解液を使用して陽極処理を行うと、生成した陽
極酸化皮膜はチタン基板への密着性が優れている。この
陽極処理を行うための最適の電解液の組成を見出すた
め、表２に示す様な種々の電解液によりチタン基板を陽
極処理し、その後Ｎｉ−Ｐ皮膜をめっきしＮｉ−Ｐ皮膜
の密着性と表面状態を調査した。
【００１８】その結果、フッ素濃度については、請求項
２の記載した濃度範囲以下では生成皮膜の密着性が望ま
しくなく、この濃度範囲以上では基板が急激にエッチン
グされ表面粗さが著しく悪化する。塩素，臭素，ヨウ素
は少なくとも一種類共存させる必要があり、その総濃度
が本発明の濃度範囲以下では密着性への効果はなく、本
発明の濃度範囲以上では基板表面にピッティングが生
じ、表面粗さが悪化するこたが判明した。
２の記載した濃度範囲以下では生成皮膜の密着性が望ま
しくなく、この濃度範囲以上では基板が急激にエッチン
グされ表面粗さが著しく悪化する。塩素，臭素，ヨウ素
は少なくとも一種類共存させる必要があり、その総濃度
が本発明の濃度範囲以下では密着性への効果はなく、本
発明の濃度範囲以上では基板表面にピッティングが生
じ、表面粗さが悪化するこたが判明した。
【００１９】電圧について：上記陽極処理では、チタン
基板を陽極とし、望ましくは不溶性の電極を陰極とし、
直流電圧を印加して陽極処理を行う。種々検討した結
果、陽極処理電圧を０．３Ｖ（ボルト）から１０Ｖの範
囲に設定すれば、密着性の良い望ましいＮｉ−Ｐ皮膜が
得られる。また皮膜の表面粗さは基板の表面粗さとほぼ
同じである。
基板を陽極とし、望ましくは不溶性の電極を陰極とし、
直流電圧を印加して陽極処理を行う。種々検討した結
果、陽極処理電圧を０．３Ｖ（ボルト）から１０Ｖの範
囲に設定すれば、密着性の良い望ましいＮｉ−Ｐ皮膜が
得られる。また皮膜の表面粗さは基板の表面粗さとほぼ
同じである。
【００２０】その他の条件について：電極間距離は、最
大５０ｃｍまでは任意に設定できるが、電解槽の大きさ
の制限もあるので、通常５〜１０ｃｍ程度が望ましい。
通電時間は、チタン基板全面に陽極酸化皮膜を生成させ
ればよいので特に制限はないが、５秒以上が望ましい。
Ｎｉ−Ｐ皮膜のめっき方法は公知の無電解めっき法で
も、電気めっき法でもよい。皮膜の厚みは１〜１０ミク
ロン程度でよい。
大５０ｃｍまでは任意に設定できるが、電解槽の大きさ
の制限もあるので、通常５〜１０ｃｍ程度が望ましい。
通電時間は、チタン基板全面に陽極酸化皮膜を生成させ
ればよいので特に制限はないが、５秒以上が望ましい。
Ｎｉ−Ｐ皮膜のめっき方法は公知の無電解めっき法で
も、電気めっき法でもよい。皮膜の厚みは１〜１０ミク
ロン程度でよい。
【００２１】陰極材は、純チタン、各種のチタン合金、
ステンレス等の不溶性電極でも難溶製の電極でもよい。
また、チタンディスクへの陽極処理及びＮｉ−Ｐ皮膜の
めっきは通常基板の両面に対して行う。
ステンレス等の不溶性電極でも難溶製の電極でもよい。
また、チタンディスクへの陽極処理及びＮｉ−Ｐ皮膜の
めっきは通常基板の両面に対して行う。
【００２２】
【実施例】以下に本発明の実施例を述べる。 実施例１ チタン製磁気ディスク基板（直径２．５インチ，板厚
０．６ｍｍ）を素材として用いた。陽極処理は、電解液
として０．４ｗｔ％臭素水＋５ｗｔ％ＮａＦ＋１ｖｏｌ
％ＨＦ水溶液を用い、試料を電解液に１５秒間浸漬した
のち５０秒間電解を行った。試料を陽極、陰極には純チ
タン板を用い、極間距離は３ｃｍとした。電解は電解液
を攪拌することなく直流電圧を印加して行った。次に、
基板から電解液を充分水洗除去した後、無電解法により
Ｎｉ−Ｐめっきを行った。めっき液組成およびめっき条
件は下記のとおりである。評価方法として、表面粗さ試
験（素材のＲｍａｘとＮｉ−Ｐめっき処理後のＲｍａｘ
の差）および密着性試験（碁盤目セロテープ剥離試験、
ＪＩＳ Ｈ８６０２による）を用いた。
０．６ｍｍ）を素材として用いた。陽極処理は、電解液
として０．４ｗｔ％臭素水＋５ｗｔ％ＮａＦ＋１ｖｏｌ
％ＨＦ水溶液を用い、試料を電解液に１５秒間浸漬した
のち５０秒間電解を行った。試料を陽極、陰極には純チ
タン板を用い、極間距離は３ｃｍとした。電解は電解液
を攪拌することなく直流電圧を印加して行った。次に、
基板から電解液を充分水洗除去した後、無電解法により
Ｎｉ−Ｐめっきを行った。めっき液組成およびめっき条
件は下記のとおりである。評価方法として、表面粗さ試
験（素材のＲｍａｘとＮｉ−Ｐめっき処理後のＲｍａｘ
の差）および密着性試験（碁盤目セロテープ剥離試験、
ＪＩＳ Ｈ８６０２による）を用いた。
【００２３】無電解Ｎｉ−Ｐめっきの条件は下記の通り
である： めっき液組成： 硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ4 ・６Ｈ2 Ｏ）； ３０ｇ／ｌ 次亜りん酸ナトリウム（ＮａＨ2 ＰＯ2 ・Ｈ2 Ｏ）；２０ｇ／ｌ 乳酸（ＣＨ3 ＣＨ（ＯＨ）ＣＯＯＨ）； ３０ｇ／ｌ プロピオン酸（ＣＨ3 ＣＨ2 ＣＯＯＨ）； ５ｇ／ｌ 鉛； ２ｍｇ／ｌ ｐＨ；４．５めっき条件 液温；９０℃ 処理時間；９０分
である： めっき液組成： 硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ4 ・６Ｈ2 Ｏ）； ３０ｇ／ｌ 次亜りん酸ナトリウム（ＮａＨ2 ＰＯ2 ・Ｈ2 Ｏ）；２０ｇ／ｌ 乳酸（ＣＨ3 ＣＨ（ＯＨ）ＣＯＯＨ）； ３０ｇ／ｌ プロピオン酸（ＣＨ3 ＣＨ2 ＣＯＯＨ）； ５ｇ／ｌ 鉛； ２ｍｇ／ｌ ｐＨ；４．５めっき条件 液温；９０℃ 処理時間；９０分
【００２４】電解Ｎｉ−Ｐめっきの条件は下記の通りで
ある： めっき電解液組成： 硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ4 ・６Ｈ2 Ｏ）； ２４０ｇ／ｌ 塩化ニッケル （ＮｉＣｌ2 ・６Ｈ2 Ｏ）； ４５ｇ／ｌ ほう酸（Ｈ3 ＢＯ3 ）； ３０ｇ／ｌ 亜りん酸（Ｈ3 ＰＯ3 ）； ３５ｇ／ｌ ｐＨ；２めっき条件 陰極；基板、陽極；ニッケル板、極間距離；１０ｃｍ 電流密度；直流１．５Ａ／ｄｍ2 ，電解時間；５分 電解液温；５５℃
ある： めっき電解液組成： 硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ4 ・６Ｈ2 Ｏ）； ２４０ｇ／ｌ 塩化ニッケル （ＮｉＣｌ2 ・６Ｈ2 Ｏ）； ４５ｇ／ｌ ほう酸（Ｈ3 ＢＯ3 ）； ３０ｇ／ｌ 亜りん酸（Ｈ3 ＰＯ3 ）； ３５ｇ／ｌ ｐＨ；２めっき条件 陰極；基板、陽極；ニッケル板、極間距離；１０ｃｍ 電流密度；直流１．５Ａ／ｄｍ2 ，電解時間；５分 電解液温；５５℃
【００２５】表１に処理条件および評価結果を示す。一
段目の陽極処理を施すことにより、陽極処理がない場合
より密着性が改善されており、このとき０．３Ｖ（ボル
ト）以上１０．０Ｖ以下の電解電圧を印加すればＮｉ−
Ｐ皮膜は全く剥離しない。また、基板の表面粗さも保持
されていることが確認された。Ｎｉ−Ｐめっき方法によ
る差はほとんどみられなかった。
段目の陽極処理を施すことにより、陽極処理がない場合
より密着性が改善されており、このとき０．３Ｖ（ボル
ト）以上１０．０Ｖ以下の電解電圧を印加すればＮｉ−
Ｐ皮膜は全く剥離しない。また、基板の表面粗さも保持
されていることが確認された。Ｎｉ−Ｐめっき方法によ
る差はほとんどみられなかった。
【００２６】
【表１】
【００２７】実施例２ チタン製磁気ディスク基板（直径２．５インチ，板厚
０．６ｍｍ）を素材として用いた。一段目の陽極処理
は、試料を陽極、陰極には純チタン板を用い、極間距離
は３ｃｍとした。電解は室温下で行い、電解液を攪拌す
ることなく直流電圧を印加し、種々の組成の電解液を用
いた。各イオン濃度は、ナトリウム塩（ＮａＦ，ＮａＣ
ｌなど）、カリウム塩、アンモニウム塩および水素塩
（ＨＦ，ＨＣｌなど）の市販試薬により適宜調製した。
試料を電解液に１５秒間浸漬したのち４．０Ｖの電圧を
印加し４０秒間電解を行った。次に、基板より電解液を
充分水洗除去した後、電解法によりＮｉ−Ｐめっきを行
った。めっき液組成およびめっき条件は下記のとおりで
ある。評価方法として、表面粗さ（Ｒｍａｘ）および密
着性（碁盤目セロテープ剥離試験、ＪＩＳ Ｈ８６０２
による）を用いた。
０．６ｍｍ）を素材として用いた。一段目の陽極処理
は、試料を陽極、陰極には純チタン板を用い、極間距離
は３ｃｍとした。電解は室温下で行い、電解液を攪拌す
ることなく直流電圧を印加し、種々の組成の電解液を用
いた。各イオン濃度は、ナトリウム塩（ＮａＦ，ＮａＣ
ｌなど）、カリウム塩、アンモニウム塩および水素塩
（ＨＦ，ＨＣｌなど）の市販試薬により適宜調製した。
試料を電解液に１５秒間浸漬したのち４．０Ｖの電圧を
印加し４０秒間電解を行った。次に、基板より電解液を
充分水洗除去した後、電解法によりＮｉ−Ｐめっきを行
った。めっき液組成およびめっき条件は下記のとおりで
ある。評価方法として、表面粗さ（Ｒｍａｘ）および密
着性（碁盤目セロテープ剥離試験、ＪＩＳ Ｈ８６０２
による）を用いた。
【００２８】 Ｎｉ−Ｐめっき電解液組成： 硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ4 ・６Ｈ2 Ｏ）； ２４０ｇ／ｌ 塩化ニッケル （ＮｉＣｌ2 ・６Ｈ2 Ｏ）； ４５ｇ／ｌ ほう酸（Ｈ3 ＢＯ3 ）； ３０ｇ／ｌ 亜りん酸（Ｈ3 ＰＯ3 ）； ３５ｇ／ｌ ｐＨ；２めっき条件 ： 陰極；基板、陽極；ニッケル板、極間距離；１０ｃｍ 電流密度；直流１．５Ａ／ｄｍ2 ，電解時間；５分 電解液温；５５℃
【００２９】表２に処理条件および評価結果を示す。陽
極処理電解液にフッ素と他のハロゲンが共存しない場合
および陽極処理を施さない場合はＮｉ−Ｐ皮膜密着性が
悪く、陽極処理を請求項２に記載の電解液の濃度範囲で
施すと密着性が改善されるが、この範囲よりもフッ素ま
たは他のハロゲン濃度が高い場合は表面に荒れやピット
が生じる傾向がみられた。
極処理電解液にフッ素と他のハロゲンが共存しない場合
および陽極処理を施さない場合はＮｉ−Ｐ皮膜密着性が
悪く、陽極処理を請求項２に記載の電解液の濃度範囲で
施すと密着性が改善されるが、この範囲よりもフッ素ま
たは他のハロゲン濃度が高い場合は表面に荒れやピット
が生じる傾向がみられた。
【００３０】
【表２】
【００３１】
【発明の効果】本発明によれば、Ｎｉ−Ｐ皮膜の密着性
に優れ、かつ、基板の表面粗さを損なわないＮｉ−Ｐめ
っき処理されたチタン製磁気ディスク基板の製造が可能
となる。
に優れ、かつ、基板の表面粗さを損なわないＮｉ−Ｐめ
っき処理されたチタン製磁気ディスク基板の製造が可能
となる。
フロントページの続き (72)発明者 大村 雅紀 東京都千代田区丸の内一丁目１番２号 日 本鋼管株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 下記の工程を備えたチタン製磁気ディス
ク基板のＮｉ−Ｐめっき方法。 （ａ）被処理材であるチタン製磁気ディスク基板と陰極
材を用意する工程と、（ｂ）前記磁気ディスク基板と前
記陰極材を隔離して、フッ素（Ｆ) が所定濃度であり、
更に塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）およびヨウ素（Ｉ）の
うちから少なくとも一種以上が所定の濃度である電解水
溶液に浸漬する工程と、（ｃ）前記磁気ディスク基板を
陽極とし、前記陰極材を陰極として所定の直流電圧を印
加し陽極処理を行う工程と、（ｄ）前記陽極処理をした
磁気ディスク基板に、更にＮｉ−Ｐ皮膜をめっきする行
程。 - 【請求項２】 フッ素（Ｆ）の前記所定濃度と塩素（Ｃ
ｌ）、臭素（Ｂｒ）およびヨウ素（Ｉ）のうちから少な
くとも一種以上の前記所定濃度が下記の範囲である請求
項１記載のチタン製磁気ディスク基板のＮｉ−Ｐめっき
方法。 Ｆ；０．２ｗｔ％を超え、１０ｗｔ％未満であり、 Ｃｌ＋Ｂｒ＋Ｉ；０．１ｗｔ％を超え、１０ｗｔ％未満
である。 - 【請求項３】 前記所定の直流電圧が０．３Ｖから１０
Ｖの範囲である請求項１または請求項２記載のチタン製
磁気ディスク基板のＮｉ−Ｐめっき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6215293A JPH06274875A (ja) | 1993-03-22 | 1993-03-22 | チタン製磁気ディスク基板のＮｉ−Ｐめっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6215293A JPH06274875A (ja) | 1993-03-22 | 1993-03-22 | チタン製磁気ディスク基板のＮｉ−Ｐめっき方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06274875A true JPH06274875A (ja) | 1994-09-30 |
Family
ID=13191854
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6215293A Pending JPH06274875A (ja) | 1993-03-22 | 1993-03-22 | チタン製磁気ディスク基板のＮｉ−Ｐめっき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06274875A (ja) |
-
1993
- 1993-03-22 JP JP6215293A patent/JPH06274875A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0393169B1 (en) | Method for plating on titanium | |
| CN102965719A (zh) | 薄膜金属和合金的低速率电化学蚀刻 | |
| EP1915473B1 (en) | Pretreatment of magnesium substrates for electroplating | |
| US4356069A (en) | Stripping composition and method for preparing and using same | |
| US2811484A (en) | Electrodeposition of zinc on magnesium and its alloys | |
| US2389131A (en) | Electrodeposition of antimony | |
| US3684666A (en) | Copper electroplating in a citric acid bath | |
| US3207679A (en) | Method for electroplating on titanium | |
| Monteiro et al. | Pretreatments of improve the adhesion of electrodeposits on aluminium | |
| US3065154A (en) | Method of plating chromium and the like to titanium, its alloys, and the like | |
| EP0137817B1 (en) | Process for bonding high efficiency chromium electrodeposits | |
| JP3180197B2 (ja) | アルミニウム及びアルミニウム合金の表面処理法 | |
| JPH06274875A (ja) | チタン製磁気ディスク基板のＮｉ−Ｐめっき方法 | |
| US4363705A (en) | Passivating and silver removal method | |
| JPS63317699A (ja) | 金属メッキの前処理方法 | |
| JP2001073166A (ja) | 磁気記録媒体用アルミニウム合金基板およびその製造方法 | |
| CN1685087B (zh) | 用铝、镁或铝镁合金对材料电解涂敷的方法 | |
| JPH11302854A (ja) | アルミニウム又はアルミニウム合金のめっき方法 | |
| JPS61166999A (ja) | 鋼板の表面清浄方法 | |
| Rao et al. | The electrodeposition of copper on film-covered metal surfaces | |
| JPH06248489A (ja) | 耐食性材料のめっき前処理方法 | |
| JPH0734255A (ja) | チタン材のメッキ前処理方法及びメッキ方法 | |
| JPH08337882A (ja) | アルミニウム合金用亜鉛置換処理浴 | |
| JP2001355077A (ja) | 被切削加工用被覆体 | |
| JPH02185981A (ja) | アルミニウム系材料のめっき方法 |