JPH06274919A - 半導体レーザ駆動制御装置 - Google Patents
半導体レーザ駆動制御装置Info
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- JPH06274919A JPH06274919A JP5067081A JP6708193A JPH06274919A JP H06274919 A JPH06274919 A JP H06274919A JP 5067081 A JP5067081 A JP 5067081A JP 6708193 A JP6708193 A JP 6708193A JP H06274919 A JPH06274919 A JP H06274919A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 戻り光等に起因するノイズを除去するために
高周波電流を重畳してＬＤを駆動力する際に、ＬＤの発
光強度に応じて高周波重畳電流を適切な振幅となるよう
に制御することにより、ＬＤの寿命を確保すると共に、
記録再生信号の安定化に寄与し得るように改良した半導
体レーザ駆動制御装置を提供する。 【構成】 所定の高周波信号を出力する高周波手段と、
所定の対象物にレーザ光を照射する半導体レーザと、前
記半導体レーザからのレーザ光に対応したレーザ電流制
御信号を生成するレーザ制御手段と、前記レーザ制御手
段からのレーザ電流制御信号に従って上記半導体レーザ
に供給するレーザ電流を設定すると共に、上記高周波手
段からの高周波出力を可変して前記設定されたレーザ電
流に重畳するレーザ駆動手段とを具備してなることを特
徴とする。
高周波電流を重畳してＬＤを駆動力する際に、ＬＤの発
光強度に応じて高周波重畳電流を適切な振幅となるよう
に制御することにより、ＬＤの寿命を確保すると共に、
記録再生信号の安定化に寄与し得るように改良した半導
体レーザ駆動制御装置を提供する。 【構成】 所定の高周波信号を出力する高周波手段と、
所定の対象物にレーザ光を照射する半導体レーザと、前
記半導体レーザからのレーザ光に対応したレーザ電流制
御信号を生成するレーザ制御手段と、前記レーザ制御手
段からのレーザ電流制御信号に従って上記半導体レーザ
に供給するレーザ電流を設定すると共に、上記高周波手
段からの高周波出力を可変して前記設定されたレーザ電
流に重畳するレーザ駆動手段とを具備してなることを特
徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は光学式情報記録再生装
置に係り、特にその半導体レーザ駆動制御装置の改良に
関する。
置に係り、特にその半導体レーザ駆動制御装置の改良に
関する。
【０００２】
【従来の技術】周知のように、光学式情報記録再生装置
においては、光ディスク等の光記録媒体に対する情報の
記録再生に関して半導体レーザ（レーザダイオード：以
下単にＬＤと記す）が用いられている。すなわち、ＬＤ
からのレーザ光は対物レンズを介して光記録媒体に照射
されることにより、所定の情報の記録再生がなされる。
においては、光ディスク等の光記録媒体に対する情報の
記録再生に関して半導体レーザ（レーザダイオード：以
下単にＬＤと記す）が用いられている。すなわち、ＬＤ
からのレーザ光は対物レンズを介して光記録媒体に照射
されることにより、所定の情報の記録再生がなされる。
【０００３】この場合、ＬＤ駆動回路は情報記録時には
記録すべき情報に対応したパルス状の大電流でＬＤを駆
動するようにし、且つ情報再生時には所要の直流電流で
ＬＤを駆動するようにしている。ところで、このような
ＬＤの駆動電流はＬＤの寿命に大きな影響を有する。従
って、ＬＤ駆動回路はＬＤの駆動電流を厳密に制御し得
るものであることが要請される。
記録すべき情報に対応したパルス状の大電流でＬＤを駆
動するようにし、且つ情報再生時には所要の直流電流で
ＬＤを駆動するようにしている。ところで、このような
ＬＤの駆動電流はＬＤの寿命に大きな影響を有する。従
って、ＬＤ駆動回路はＬＤの駆動電流を厳密に制御し得
るものであることが要請される。
【０００４】一方、光記録媒体からの反射光成分がＬＤ
に注入される如くしたいわゆる戻り光はＬＤのレーザ光
発光動作に悪影響をもたらし、情報の記録再生に関して
不所望なノイズが発生する大きな原因となっている。
に注入される如くしたいわゆる戻り光はＬＤのレーザ光
発光動作に悪影響をもたらし、情報の記録再生に関して
不所望なノイズが発生する大きな原因となっている。
【０００５】このため、近時のＬＤ駆動回路はＬＤの駆
動電流に対して例えば１ＧＨｚ等の高周波電流を重畳し
てレーザ光を発光せしめることにより、上述したような
戻り光等に起因するノイズを除去するようにしている。
動電流に対して例えば１ＧＨｚ等の高周波電流を重畳し
てレーザ光を発光せしめることにより、上述したような
戻り光等に起因するノイズを除去するようにしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな高周波重畳方式によるＬＤ駆動回路は、図４に示す
ようにＬＤの発光強度の如何にかかわらず常に一定振幅
の高周波電流Ｃを重畳しているため、図４のＣ２として
示すように特に高パワー発光時にピーク値が著しく大パ
ワーレベルに上がりすぎて、ときにはＬＤの破壊をもた
らす如くＬＤの寿命を著しく阻害してしまうという欠点
があった。
うな高周波重畳方式によるＬＤ駆動回路は、図４に示す
ようにＬＤの発光強度の如何にかかわらず常に一定振幅
の高周波電流Ｃを重畳しているため、図４のＣ２として
示すように特に高パワー発光時にピーク値が著しく大パ
ワーレベルに上がりすぎて、ときにはＬＤの破壊をもた
らす如くＬＤの寿命を著しく阻害してしまうという欠点
があった。
【０００７】そこで、この発明は以上のような点に鑑み
てなされたもので、戻り光等に起因するノイズを除去す
るために高周波電流を重畳してＬＤを駆動する際に、Ｌ
Ｄの発光強度に応じて高周波重畳電流を適切な振幅とな
るように制御することにより、ＬＤの寿命を確保すると
共に、記録再生信号の安定化に寄与し得るように改良し
た半導体レーザ駆動制御装置を提供することを目的とし
ている。
てなされたもので、戻り光等に起因するノイズを除去す
るために高周波電流を重畳してＬＤを駆動する際に、Ｌ
Ｄの発光強度に応じて高周波重畳電流を適切な振幅とな
るように制御することにより、ＬＤの寿命を確保すると
共に、記録再生信号の安定化に寄与し得るように改良し
た半導体レーザ駆動制御装置を提供することを目的とし
ている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明によれば、所定の高周波信号を出力する高周
波手段と、所定の対象物にレーザ光を照射する半導体レ
ーザと、前記半導体レーザからのレーザ光に対応したレ
ーザ電流制御信号を生成するレーザ制御手段と、前記レ
ーザ制御手段からのレーザ電流制御信号に従って上記半
導体レーザに供給するレーザ電流を設定すると共に、上
記高周波手段からの高周波出力を可変して前記設定され
たレーザ電流に重畳するレーザ駆動手段とを具備してな
ることを特徴とする半導体レーザ駆動制御装置が提供さ
れる。
に、本発明によれば、所定の高周波信号を出力する高周
波手段と、所定の対象物にレーザ光を照射する半導体レ
ーザと、前記半導体レーザからのレーザ光に対応したレ
ーザ電流制御信号を生成するレーザ制御手段と、前記レ
ーザ制御手段からのレーザ電流制御信号に従って上記半
導体レーザに供給するレーザ電流を設定すると共に、上
記高周波手段からの高周波出力を可変して前記設定され
たレーザ電流に重畳するレーザ駆動手段とを具備してな
ることを特徴とする半導体レーザ駆動制御装置が提供さ
れる。
【０００９】
【作用】上記解決手段によれば、レーザを規定の発光量
で発光させるために検出すべきレーザ電流に対応したレ
ーザ電流制御信号に従って高周波発振器からの高周波出
力の振幅を変化させている。つまり、低パワー発光時に
は、高周波電流の重畳量が多くなって半導体レーザの発
光動作が安定し、且つノイズ発生を抑制することができ
る。また、高パワー発光時には、高周波電流の重畳量が
少なくなるため、半導体レーザの最大出力定格を越える
ことがないので、寿命を確保することができる。
で発光させるために検出すべきレーザ電流に対応したレ
ーザ電流制御信号に従って高周波発振器からの高周波出
力の振幅を変化させている。つまり、低パワー発光時に
は、高周波電流の重畳量が多くなって半導体レーザの発
光動作が安定し、且つノイズ発生を抑制することができ
る。また、高パワー発光時には、高周波電流の重畳量が
少なくなるため、半導体レーザの最大出力定格を越える
ことがないので、寿命を確保することができる。
【００１０】
【実施例】以下、この発明の一実施例について図面を参
照して説明する。図１は、一例として光学式情報記録再
生装置に適用する場合を示すものである。図１におい
て、光ディスク（光記録媒体）１の表面には、スパイラ
ル状あるいは同心円状に溝（トラック）が形成されてい
る。この光ディスク１はモータ２によって、例えば一定
の速度で回転される。このモータ２は、モータ制御回路
１８によって制御されている。光ディスク１に対する情
報の記録再生は、光学ヘッド３によって行われる。この
光学ヘッド３は、リニアモータの可動部を構成する駆動
コイル１３に固定されている。この駆動コイル１３はリ
ニアモータ制御回路１７に接続されている。このリニア
モータ制御回路１７には、リニアモータ位置検出器２６
が接続されている。このリニアモータ位置検出器２６
は、光学ヘッド３に設けられた光学スケール２５を検出
することにより、位置信号を出力するようになってい
る。
照して説明する。図１は、一例として光学式情報記録再
生装置に適用する場合を示すものである。図１におい
て、光ディスク（光記録媒体）１の表面には、スパイラ
ル状あるいは同心円状に溝（トラック）が形成されてい
る。この光ディスク１はモータ２によって、例えば一定
の速度で回転される。このモータ２は、モータ制御回路
１８によって制御されている。光ディスク１に対する情
報の記録再生は、光学ヘッド３によって行われる。この
光学ヘッド３は、リニアモータの可動部を構成する駆動
コイル１３に固定されている。この駆動コイル１３はリ
ニアモータ制御回路１７に接続されている。このリニア
モータ制御回路１７には、リニアモータ位置検出器２６
が接続されている。このリニアモータ位置検出器２６
は、光学ヘッド３に設けられた光学スケール２５を検出
することにより、位置信号を出力するようになってい
る。
【００１１】また、リニアモータの固定部には、図示せ
ぬ永久磁石が設けられており、前記駆動コイル１３がリ
ニアモータ制御回路１７によって励磁されることによ
り、光学ヘッド３が光ディスク１の半径方向に移動され
るようになっている。前記光学ヘッド３には、対物レン
ズ６が図示せぬ板ばねによって保持されている。
ぬ永久磁石が設けられており、前記駆動コイル１３がリ
ニアモータ制御回路１７によって励磁されることによ
り、光学ヘッド３が光ディスク１の半径方向に移動され
るようになっている。前記光学ヘッド３には、対物レン
ズ６が図示せぬ板ばねによって保持されている。
【００１２】この対物レンズ６は、駆動コイル５によっ
てフォーカシング方向（レンズの光軸方向）に移動さ
れ、駆動コイル４によってトラッキング方向（レンズの
光軸と直交方向）に移動可能とされている。
てフォーカシング方向（レンズの光軸方向）に移動さ
れ、駆動コイル４によってトラッキング方向（レンズの
光軸と直交方向）に移動可能とされている。
【００１３】また、レーザ制御回路１４１及びレーザ駆
動回路１４２によって駆動される光源としての半導体レ
ーザ（レーザダイオード：ＬＤ）９より発生されたレー
ザ光は、コリメータレンズ１１ａ、ハーフプリズム１１
ｂ、対物レンズ６を介して光ディスク１上に照射され
る。
動回路１４２によって駆動される光源としての半導体レ
ーザ（レーザダイオード：ＬＤ）９より発生されたレー
ザ光は、コリメータレンズ１１ａ、ハーフプリズム１１
ｂ、対物レンズ６を介して光ディスク１上に照射され
る。
【００１４】この光ディスク１からの反射光は、対物レ
ンズ６、ハーフプリズム１１ｂを介してハーフプリズム
１１ｃに導かれ、このハーフプリズム１１ｃによって分
光された一方の光は、集光レンズ１０を介して一対のト
ラッキング位置センサ８に導かれる。また、前記ハーフ
プリズム１１ｃによって分光された他方の光は、集光レ
ンズ１１ｄ、ナイフエッジ１２を介して一対のフォーカ
ス位置センサ７に導かれる。前記トラッキング位置セン
サ８の出力信号は、差動増幅器ＯＰ１を介してトラッキ
ング制御回路１６に供給される。
ンズ６、ハーフプリズム１１ｂを介してハーフプリズム
１１ｃに導かれ、このハーフプリズム１１ｃによって分
光された一方の光は、集光レンズ１０を介して一対のト
ラッキング位置センサ８に導かれる。また、前記ハーフ
プリズム１１ｃによって分光された他方の光は、集光レ
ンズ１１ｄ、ナイフエッジ１２を介して一対のフォーカ
ス位置センサ７に導かれる。前記トラッキング位置セン
サ８の出力信号は、差動増幅器ＯＰ１を介してトラッキ
ング制御回路１６に供給される。
【００１５】このトラッキング制御回路１６より出力さ
れるトラック差信号（差動信号）は、リニアモータ制御
回路１７に供給されるとともに、増幅器２７を介して前
記トラッキング方向の駆動コイル４に供給される。ま
た、前記フォーカス位置センサ７からは、レーザ光のフ
ォーカス点に関する信号が出力される。この信号は差動
増幅器ＯＰ２を介して、フォーカシング制御回路１５に
供給される。
れるトラック差信号（差動信号）は、リニアモータ制御
回路１７に供給されるとともに、増幅器２７を介して前
記トラッキング方向の駆動コイル４に供給される。ま
た、前記フォーカス位置センサ７からは、レーザ光のフ
ォーカス点に関する信号が出力される。この信号は差動
増幅器ＯＰ２を介して、フォーカシング制御回路１５に
供給される。
【００１６】このフォーカシング制御回路１５の出力信
号は、増幅器２８を介してフォーカシング駆動コイル５
に供給され、レーザ光が光ディスク１上で常時ジャスト
フォーカスとなるように制御される。
号は、増幅器２８を介してフォーカシング駆動コイル５
に供給され、レーザ光が光ディスク１上で常時ジャスト
フォーカスとなるように制御される。
【００１７】上記のようにフォーカシング、トラッキン
グを行った状態でのトラッキング位置センサ８の出力の
和信号は、トラック上に形成されたピット（記録情報）
の凹凸が反映されている。この信号は、デ−タ信号処理
回路１９に供給され、このデ−タ信号処理回路１９にお
いて情報が再生される。
グを行った状態でのトラッキング位置センサ８の出力の
和信号は、トラック上に形成されたピット（記録情報）
の凹凸が反映されている。この信号は、デ−タ信号処理
回路１９に供給され、このデ−タ信号処理回路１９にお
いて情報が再生される。
【００１８】上記レーザ制御回路１４、フォーカシング
制御回路１５、トラッキング制御回路１６、リニアモー
タ制御回路１７、モータ制御回路１８、デ−タ信号処理
回路１９などは、バスライン２０を介してＣＰＵ２３に
よって制御されるようになっている。このＣＰＵ２３は
メモリ２４に記憶されたプログラムによって所定の動作
を行うようになされている。
制御回路１５、トラッキング制御回路１６、リニアモー
タ制御回路１７、モータ制御回路１８、デ−タ信号処理
回路１９などは、バスライン２０を介してＣＰＵ２３に
よって制御されるようになっている。このＣＰＵ２３は
メモリ２４に記憶されたプログラムによって所定の動作
を行うようになされている。
【００１９】なお、２１，２２はそれぞれフォーカシン
グ制御回路１５、トラッキング制御回路１６、リニアモ
ータ制御回路１７とＣＰＵ２３との間で情報の授受を行
うために用いられるＡ／Ｄ変換器、Ｄ／Ａ変換器であ
る。
グ制御回路１５、トラッキング制御回路１６、リニアモ
ータ制御回路１７とＣＰＵ２３との間で情報の授受を行
うために用いられるＡ／Ｄ変換器、Ｄ／Ａ変換器であ
る。
【００２０】また、前記半導体レーザ９の近傍には、半
導体レーザ９の発光量を検知する検知手段としての受光
素子（レーザモニタダイオード）ＰＤが設けられてお
り、この受光素子ＰＤによる検知出力は前記レーザ制御
回路１４１を介してレーザ駆動回路１４２に供給される
ようになっている。図２は、前記レーザ制御回路１４１
の詳細を示すものである。前記受光素子ＰＤのアノード
は接地され、カソードは演算増幅器ＩＣ1 の反転入力端
に接続されている。この演算増幅器ＩＣ1 の非反転入力
端は接地されている。
導体レーザ９の発光量を検知する検知手段としての受光
素子（レーザモニタダイオード）ＰＤが設けられてお
り、この受光素子ＰＤによる検知出力は前記レーザ制御
回路１４１を介してレーザ駆動回路１４２に供給される
ようになっている。図２は、前記レーザ制御回路１４１
の詳細を示すものである。前記受光素子ＰＤのアノード
は接地され、カソードは演算増幅器ＩＣ1 の反転入力端
に接続されている。この演算増幅器ＩＣ1 の非反転入力
端は接地されている。
【００２１】また、演算増幅器にＩＣ1 の出力端は、前
記受光素子ＰＤの光電流を調整する可変抵抗（第１の調
整手段）Ｒｆを介して、演算増幅器ＩＣ1 の反転入力端
に接続されているとともに、前記ＣＰＵ２３によって制
御されるスイッチ回路ＩＣ2の固定接点Ｓ21に接続され
ている。
記受光素子ＰＤの光電流を調整する可変抵抗（第１の調
整手段）Ｒｆを介して、演算増幅器ＩＣ1 の反転入力端
に接続されているとともに、前記ＣＰＵ２３によって制
御されるスイッチ回路ＩＣ2の固定接点Ｓ21に接続され
ている。
【００２２】このスイッチ回路ＩＣ2 を構成する固定接
点Ｓ22は、図示の如く、電源−ＥS1を介して接地されて
おり、可動接片Ｓ23は抵抗Ｒ1 を介して演算増幅器ＩＣ
3 の反転入力端に接続されているとともに、抵抗Ｒ2 お
よび電圧を可変できる電源−ＥS2（第２の調整手段）の
負極に接続されている。この電源−ＥS2に正極は接地さ
れている。この電源−ＥS2によって半導体レーザ９の発
光しきい値に対する調整がなされる。
点Ｓ22は、図示の如く、電源−ＥS1を介して接地されて
おり、可動接片Ｓ23は抵抗Ｒ1 を介して演算増幅器ＩＣ
3 の反転入力端に接続されているとともに、抵抗Ｒ2 お
よび電圧を可変できる電源−ＥS2（第２の調整手段）の
負極に接続されている。この電源−ＥS2に正極は接地さ
れている。この電源−ＥS2によって半導体レーザ９の発
光しきい値に対する調整がなされる。
【００２３】前記演算増幅器ＩＣ3 の非反転入力端は接
地されており、その出力端は抵抗Ｒ3 を介して演算増幅
器ＩＣ3 の反転入力端に接続されているとともに、前記
ＣＰＵ２３からの記録情報に対応する記録信号に応じて
発光されるレーザ光のオン／オフ制御に用いられるスイ
ッチ回路ＩＣ4 の固定接点Ｓ41に接続されている。
地されており、その出力端は抵抗Ｒ3 を介して演算増幅
器ＩＣ3 の反転入力端に接続されているとともに、前記
ＣＰＵ２３からの記録情報に対応する記録信号に応じて
発光されるレーザ光のオン／オフ制御に用いられるスイ
ッチ回路ＩＣ4 の固定接点Ｓ41に接続されている。
【００２４】このスイッチ回路ＩＣ4 を構成する固定接
点Ｓ42は接地されており、可動接片Ｓ43は抵抗Ｒ4 及び
コンデンサＣを介してフィ−ドバック特性を決定して演
算増幅器ＩＣ5 の非反転入力端に接続されている。
点Ｓ42は接地されており、可動接片Ｓ43は抵抗Ｒ4 及び
コンデンサＣを介してフィ−ドバック特性を決定して演
算増幅器ＩＣ5 の非反転入力端に接続されている。
【００２５】この演算増幅器ＩＣ5 の反転入力端はスイ
ッチ回路ＩＣ4 の可動接片Ｓ43に接続されると共に、抵
抗Ｒ5 を介して後述するレーザ駆動回路１４２のトラン
ジスタＱ１のエミッタに接続され、その出力端はレーザ
電流制御信号の出力端として該レーザ駆動回路１４２の
トランジスタＱ１のベ−ス−コレクタを介して前記半導
体レーザ９のカソードに接続されている。この半導体レ
ーザ９のアノードは、電源ＶCCに接続されている。
ッチ回路ＩＣ4 の可動接片Ｓ43に接続されると共に、抵
抗Ｒ5 を介して後述するレーザ駆動回路１４２のトラン
ジスタＱ１のエミッタに接続され、その出力端はレーザ
電流制御信号の出力端として該レーザ駆動回路１４２の
トランジスタＱ１のベ−ス−コレクタを介して前記半導
体レーザ９のカソードに接続されている。この半導体レ
ーザ９のアノードは、電源ＶCCに接続されている。
【００２６】一方、前記スイッチ回路ＩＣ2 の可動接片
Ｓ23と抵抗Ｒ1 との接続点ａは、演算増幅器ＩＣ6 、演
算増幅器ＩＣ7 の反転入力端にそれぞれ接続されてい
る。
Ｓ23と抵抗Ｒ1 との接続点ａは、演算増幅器ＩＣ6 、演
算増幅器ＩＣ7 の反転入力端にそれぞれ接続されてい
る。
【００２７】上記演算増幅器ＩＣ6 の非反転入力端は、
電源ＶEEと接地間に接続された抵抗Ｒ6 ，Ｒ7 ，Ｒ8 の
うち、抵抗Ｒ6 と抵抗Ｒ7 との接続点に接続されてい
る。また、前記演算増幅器ＩＣ7 の非反転入力端は、上
記抵抗Ｒ7 と抵抗Ｒ8 との接続点に接続されている。
電源ＶEEと接地間に接続された抵抗Ｒ6 ，Ｒ7 ，Ｒ8 の
うち、抵抗Ｒ6 と抵抗Ｒ7 との接続点に接続されてい
る。また、前記演算増幅器ＩＣ7 の非反転入力端は、上
記抵抗Ｒ7 と抵抗Ｒ8 との接続点に接続されている。
【００２８】これら演算増幅器ＩＣ6 ，ＩＣ7 は、それ
ぞれ上記抵抗Ｒ6 〜Ｒ8 によって基準電圧が設定される
ようになっている。すなわち、設定された基準電圧と前
記接続点ａにおける電圧とに応じて、演算増幅器ＩＣ6
からはアラーム信号が、また演算増幅器ＩＣ7 からはレ
ディ信号が、それぞれＣＰＵ２３に対して出力される。
上記構成において、通常時には、図２に示す如く、スイ
ッチ回路ＩＣ2 はＣＰＵ２３の制御によって可動接片Ｓ
23が固定接点Ｓ21に接続される。また、スイッチ回路Ｉ
Ｃ4 はＣＰＵ２３の制御によって、たとえば記録情報に
対応する記録信号に応じて可動接片Ｓ43が固定接点Ｓ41
に接続される。このため、演算増幅器ＩＣ5 を介してレ
−ザ駆動回路１４２のトランジスタＱ１がオン状態とさ
れ、半導体レーザ９は所定出力で発光される。
ぞれ上記抵抗Ｒ6 〜Ｒ8 によって基準電圧が設定される
ようになっている。すなわち、設定された基準電圧と前
記接続点ａにおける電圧とに応じて、演算増幅器ＩＣ6
からはアラーム信号が、また演算増幅器ＩＣ7 からはレ
ディ信号が、それぞれＣＰＵ２３に対して出力される。
上記構成において、通常時には、図２に示す如く、スイ
ッチ回路ＩＣ2 はＣＰＵ２３の制御によって可動接片Ｓ
23が固定接点Ｓ21に接続される。また、スイッチ回路Ｉ
Ｃ4 はＣＰＵ２３の制御によって、たとえば記録情報に
対応する記録信号に応じて可動接片Ｓ43が固定接点Ｓ41
に接続される。このため、演算増幅器ＩＣ5 を介してレ
−ザ駆動回路１４２のトランジスタＱ１がオン状態とさ
れ、半導体レーザ９は所定出力で発光される。
【００２９】この半導体レーザ９により発光されたレー
ザ光は、光ディスク１に照射されて記録情報の記録また
は再生に寄与するとともに、受光素子ＰＤによって検知
される。すなわち、半導体レーザ９が発光されると、そ
の発光量に応じて受光素子ＰＤに光電流が流れる。この
光電流をｉM とすると、前記スイッチ回路ＩＣ2 の可動
接片Ｓ23と抵抗Ｒ1 との接続点ａには、−ＩM Ｒｆの電
圧が現われる。これにより、演算増幅器ＩＣ3 の出力端
とスイッチ回路ＩＣ4 の固定接点Ｓ41との接続点ｂの電
圧は、 ＩM Ｒｆ−（−ＥS2）＝ＩM Ｒｆ＋ＥS2 となる。
ザ光は、光ディスク１に照射されて記録情報の記録また
は再生に寄与するとともに、受光素子ＰＤによって検知
される。すなわち、半導体レーザ９が発光されると、そ
の発光量に応じて受光素子ＰＤに光電流が流れる。この
光電流をｉM とすると、前記スイッチ回路ＩＣ2 の可動
接片Ｓ23と抵抗Ｒ1 との接続点ａには、−ＩM Ｒｆの電
圧が現われる。これにより、演算増幅器ＩＣ3 の出力端
とスイッチ回路ＩＣ4 の固定接点Ｓ41との接続点ｂの電
圧は、 ＩM Ｒｆ−（−ＥS2）＝ＩM Ｒｆ＋ＥS2 となる。
【００３０】したがって、半導体レーザ９には、レーザ
駆動回路１４２を介して、上記電圧ＩM Ｒｆ＋ＥS2に対
応するレーザ電流制御信号によるレーザ電流ｉL が流
れ、このレーザ電流ｉL により半導体レーザ９が発光制
御される。但し、実際には後述するレーザ駆動回路１４
２によってレーザ電流ｉL には高周波電流が重畳される
ことになる。ここで、半導体レーザ９の光量が低下する
と、受光素子ＰＤに流れる光電流ｉM が減少される。こ
のため、上記接続点ａにおける電圧（ＩM Ｒｆ＋ＥS2）
が下降される。この場合、演算増幅器ＩＣ5 は反転アン
プである。したがって、半導体レーザ９に対するレーザ
電流制御信号はレーザ電流ｉL を逆に増加する方向にな
されるので、半導体レーザ９の発光強度が増加される。
また、半導体レーザ９の発光強度が増加した場合には、
逆に、受光素子ＰＤの光電流ｉM が増大し、接続点ａの
電圧（ＩM Ｒｆ＋ＥS2）が上昇する。したがってレーザ
電流制御信号はレーザ電流ｉL を減少する方向になされ
るので、半導体レーザ９の発光強度が低下される。
駆動回路１４２を介して、上記電圧ＩM Ｒｆ＋ＥS2に対
応するレーザ電流制御信号によるレーザ電流ｉL が流
れ、このレーザ電流ｉL により半導体レーザ９が発光制
御される。但し、実際には後述するレーザ駆動回路１４
２によってレーザ電流ｉL には高周波電流が重畳される
ことになる。ここで、半導体レーザ９の光量が低下する
と、受光素子ＰＤに流れる光電流ｉM が減少される。こ
のため、上記接続点ａにおける電圧（ＩM Ｒｆ＋ＥS2）
が下降される。この場合、演算増幅器ＩＣ5 は反転アン
プである。したがって、半導体レーザ９に対するレーザ
電流制御信号はレーザ電流ｉL を逆に増加する方向にな
されるので、半導体レーザ９の発光強度が増加される。
また、半導体レーザ９の発光強度が増加した場合には、
逆に、受光素子ＰＤの光電流ｉM が増大し、接続点ａの
電圧（ＩM Ｒｆ＋ＥS2）が上昇する。したがってレーザ
電流制御信号はレーザ電流ｉL を減少する方向になされ
るので、半導体レーザ９の発光強度が低下される。
【００３１】このように、レーザ制御回路１４１では、
受光素子ＰＤの出力に応じて負帰還制御をかけることに
よって、たとえば半導体レーザ９の光量が低下された場
合には、その光量を増加させ、また半導体レーザ９の光
量が増加された場合には、その光量を低下させて、半導
体レーザ９の発光量が一定となるようなレーザ電流制御
信号を出力している。
受光素子ＰＤの出力に応じて負帰還制御をかけることに
よって、たとえば半導体レーザ９の光量が低下された場
合には、その光量を増加させ、また半導体レーザ９の光
量が増加された場合には、その光量を低下させて、半導
体レーザ９の発光量が一定となるようなレーザ電流制御
信号を出力している。
【００３２】一方、調整時には、スイッチ回路ＩＣ2 は
ＣＰＵ２３の制御によって可動接片Ｓ23が固定接点Ｓ22
に接続され、スイッチ回路ＩＣ4 はＣＰＵ２３の制御に
よって可動接片Ｓ43が固定接点Ｓ41に接続される。この
状態において、電源−ＥS2を調整することにより、半導
体レーザ９が規定の光量にて発光されるようにする。こ
れにより、半導体レーザ９の発光しきい値に対する調整
が行われる。
ＣＰＵ２３の制御によって可動接片Ｓ23が固定接点Ｓ22
に接続され、スイッチ回路ＩＣ4 はＣＰＵ２３の制御に
よって可動接片Ｓ43が固定接点Ｓ41に接続される。この
状態において、電源−ＥS2を調整することにより、半導
体レーザ９が規定の光量にて発光されるようにする。こ
れにより、半導体レーザ９の発光しきい値に対する調整
が行われる。
【００３３】次いで、可変抵抗Ｒｆを調整して、演算増
幅器ＩＣ1 の出力端とスイッチ回路ＩＣ2 の固定接点Ｓ
21との接続点ｃにおける電圧が、上記電源−ＥS1の電圧
（疑似モニタ信号）と同一となるようにする。これによ
り、受光素子ＰＤの光電流に対する調整が行われる。そ
して、上記調整を行った後に、スイッチ回路ＩＣ2 の可
動接片Ｓ23をＣＰＵ２３の制御によって固定接点Ｓ21側
に切換える。これにより、系が正常に動作されるように
なり、半導体レーザ９の規定光量に対する接続点ａの電
圧は−ＥS1に設定される。
幅器ＩＣ1 の出力端とスイッチ回路ＩＣ2 の固定接点Ｓ
21との接続点ｃにおける電圧が、上記電源−ＥS1の電圧
（疑似モニタ信号）と同一となるようにする。これによ
り、受光素子ＰＤの光電流に対する調整が行われる。そ
して、上記調整を行った後に、スイッチ回路ＩＣ2 の可
動接片Ｓ23をＣＰＵ２３の制御によって固定接点Ｓ21側
に切換える。これにより、系が正常に動作されるように
なり、半導体レーザ９の規定光量に対する接続点ａの電
圧は−ＥS1に設定される。
【００３４】このように、電源−ＥS2と可変抵抗Ｒｆと
を個々に調整することにより、半導体レーザ９の発光し
きい値と受光素子ＰＤの光電流とが持つ３〜５倍のばら
つきを独立して補正することができる。これにより、接
続点ａの電圧を、半導体レーザ９の発光量に対して正確
に対応させることが可能となる。したがって、レディ信
号の検出値を正常値の約８０％、アラーム信号の検出値
を正常値の約１５０％まで高めることができるものであ
る。
を個々に調整することにより、半導体レーザ９の発光し
きい値と受光素子ＰＤの光電流とが持つ３〜５倍のばら
つきを独立して補正することができる。これにより、接
続点ａの電圧を、半導体レーザ９の発光量に対して正確
に対応させることが可能となる。したがって、レディ信
号の検出値を正常値の約８０％、アラーム信号の検出値
を正常値の約１５０％まで高めることができるものであ
る。
【００３５】このため、半導体レーザ９の異常発光に起
因する種々のトラブル、たとえば過剰出力の発光により
光ディスク１の記録膜（図示しない）を破損するなどの
可能性を、高い精度により回避できるようになる。
因する種々のトラブル、たとえば過剰出力の発光により
光ディスク１の記録膜（図示しない）を破損するなどの
可能性を、高い精度により回避できるようになる。
【００３６】また、疑似モニタ信号（−ＥS1）との切換
えにより、半導体レーザ９の発光しきい値および発光素
子ＰＤの光電流のばらつきを容易に調整することが可能
であり、よって接続点ａの電圧を正確、かつ速やかに設
定することができる。
えにより、半導体レーザ９の発光しきい値および発光素
子ＰＤの光電流のばらつきを容易に調整することが可能
であり、よって接続点ａの電圧を正確、かつ速やかに設
定することができる。
【００３７】したがって、例えば受光素子ＰＤの光電流
のゲインを上げると半導体レーザ９の出力が低下される
など、１つの系の中で独立でない半導体レーザ９の発光
しきい値と受光素子ＰＤの光電流とを個々に調整した際
に起こる種々の問題点を解決し、これらの調整を容易な
ものとすることができる。次に、本発明の要部としての
レーザ駆動回路１４２について図３により説明する。
のゲインを上げると半導体レーザ９の出力が低下される
など、１つの系の中で独立でない半導体レーザ９の発光
しきい値と受光素子ＰＤの光電流とを個々に調整した際
に起こる種々の問題点を解決し、これらの調整を容易な
ものとすることができる。次に、本発明の要部としての
レーザ駆動回路１４２について図３により説明する。
【００３８】図３において、上述したようなレーザ制御
回路１４１からのレーザ電流制御信号を受けてそれに対
応するレーザ電流ｉL に高周波電流を重畳して半導体レ
ーザ９を駆動するレーザ駆動回路１４２は、上記レーザ
制御回路１４１の出力端にベースが接続されたトランジ
スタＱ１を含んでいる。
回路１４１からのレーザ電流制御信号を受けてそれに対
応するレーザ電流ｉL に高周波電流を重畳して半導体レ
ーザ９を駆動するレーザ駆動回路１４２は、上記レーザ
制御回路１４１の出力端にベースが接続されたトランジ
スタＱ１を含んでいる。
【００３９】このトランジスタＱ１のコレクタは半導体
レーザ９のカソードに接続されると共に、コンデンサＣ
１１を介してトランジスタＱ２のコレクタに接続されて
いる。また、トランジスタＱ１のエミッタは抵抗Ｒ１１
を介して接地されると共に、抵抗Ｒ１２を介してトラン
ジスタＱ３のベースに接続されている。前記トランジス
タＱ２は、そのエミッタが接地されると共に、そのコレ
クタがインダクタンスＬ１１を介して電源ＶCCに接続さ
れている。前記トランジスタＱ３は、そのエミッタが接
地されると共に、そのコレクタがトランジスタＱ２のベ
ースに接続されている。
レーザ９のカソードに接続されると共に、コンデンサＣ
１１を介してトランジスタＱ２のコレクタに接続されて
いる。また、トランジスタＱ１のエミッタは抵抗Ｒ１１
を介して接地されると共に、抵抗Ｒ１２を介してトラン
ジスタＱ３のベースに接続されている。前記トランジス
タＱ２は、そのエミッタが接地されると共に、そのコレ
クタがインダクタンスＬ１１を介して電源ＶCCに接続さ
れている。前記トランジスタＱ３は、そのエミッタが接
地されると共に、そのコレクタがトランジスタＱ２のベ
ースに接続されている。
【００４０】また、前記トランジスタＱ３のコレクタは
抵抗Ｒ１３を介して電源ＶCCに接続されると共に、コン
デンサＣ１１を介して高周波発振器ＲＦ ＯＳＣの出力
端に接続されてる。
抵抗Ｒ１３を介して電源ＶCCに接続されると共に、コン
デンサＣ１１を介して高周波発振器ＲＦ ＯＳＣの出力
端に接続されてる。
【００４１】而して、以上の構成においてトランジスタ
Ｑ１のベースにレーザ電流制御信号が供給されると、そ
れに応じたレーザ駆動電流ｉa （前述したレーザ電流Ｉ
L に相当する）が定まると共に、該トランジスタＱ１の
エミッタ電位Ｖは上記レーザ駆動電流ｉa に応じた値と
なる。そして、高周波発振器ＲＦ ＯＳＣの出力はトラ
ンジスタＱ２によって増幅された高周波電流ｉc として
上記レーザ駆動電流ｉa に重畳される。今、レーザ制御
回路１４１からのレーザ電流制御信号が半導体レーザ９
を低パワーで発光させるレベルにあるとする。
Ｑ１のベースにレーザ電流制御信号が供給されると、そ
れに応じたレーザ駆動電流ｉa （前述したレーザ電流Ｉ
L に相当する）が定まると共に、該トランジスタＱ１の
エミッタ電位Ｖは上記レーザ駆動電流ｉa に応じた値と
なる。そして、高周波発振器ＲＦ ＯＳＣの出力はトラ
ンジスタＱ２によって増幅された高周波電流ｉc として
上記レーザ駆動電流ｉa に重畳される。今、レーザ制御
回路１４１からのレーザ電流制御信号が半導体レーザ９
を低パワーで発光させるレベルにあるとする。
【００４２】このとき、トランジスタＱ１のエミッタ電
位Ｖが低下するために、トランジスタＱ３のコレクタ電
流が減少してトランジスタＱ２のベース電流が増加する
ことになる。つまり、このときはトランジスタＱ２の増
幅率が上がるために、高周波電流ｉc の振幅が増加す
る。
位Ｖが低下するために、トランジスタＱ３のコレクタ電
流が減少してトランジスタＱ２のベース電流が増加する
ことになる。つまり、このときはトランジスタＱ２の増
幅率が上がるために、高周波電流ｉc の振幅が増加す
る。
【００４３】すなわち、このときは図４に示すレーザ特
性図において、レーザ電流はａを中心としてそれに高周
波電流Ｃが重畳されたものとなるので、レーザ発光強度
は低パワーレベルにあるａ′を中心とした振幅Ｃ１でも
って与えられるようになる。なお、この低パワーレベル
の発光時における記録再生の信号ノイズ発生は高周波重
畳によって改善されたものとなっている。次に、レーザ
制御回路１４１からのレーザ電流制御信号が半導体レー
ザ９を高パワーで発光させるレベルにあるとする。
性図において、レーザ電流はａを中心としてそれに高周
波電流Ｃが重畳されたものとなるので、レーザ発光強度
は低パワーレベルにあるａ′を中心とした振幅Ｃ１でも
って与えられるようになる。なお、この低パワーレベル
の発光時における記録再生の信号ノイズ発生は高周波重
畳によって改善されたものとなっている。次に、レーザ
制御回路１４１からのレーザ電流制御信号が半導体レー
ザ９を高パワーで発光させるレベルにあるとする。
【００４４】このとき、トランジスタＱ１のエミッタ電
位Ｖが上昇するために、トランジスタＱ３のコレクタ電
流が増加してトランジスタＱ２のベース電流が減少する
ことになる。つまり、このときはトランジスタＱ２の増
幅率が下がるために、高周波電流ｉc の振幅が減少す
る。
位Ｖが上昇するために、トランジスタＱ３のコレクタ電
流が増加してトランジスタＱ２のベース電流が減少する
ことになる。つまり、このときはトランジスタＱ２の増
幅率が下がるために、高周波電流ｉc の振幅が減少す
る。
【００４５】すなわち、このときは図４に示すレーザ特
性図において、レーザ電流はｂを中心としてそれに高周
波電流ｄが重畳されたものとなるので、レーザ発光強度
は低パワーレベルにあるｂ′を中心とした振幅ｄ１でも
って与えられるようになる。なお、この高パワーレベル
の発光時における記録再生の信号ノイズは図４に示す如
く比較的小さな値となっている。
性図において、レーザ電流はｂを中心としてそれに高周
波電流ｄが重畳されたものとなるので、レーザ発光強度
は低パワーレベルにあるｂ′を中心とした振幅ｄ１でも
って与えられるようになる。なお、この高パワーレベル
の発光時における記録再生の信号ノイズは図４に示す如
く比較的小さな値となっている。
【００４６】以上のように、本発明のレーザ駆動回路１
４１は、レーザを規定の発光量で発光させるために検出
すべきレーザ電流に対応したレーザ電流制御信号に従っ
て高周波発振器ＲＦ ＯＳＣからの高周波出力の振幅を
変化させている。つまり、低パワー発光時には、高周波
電流ｉc の重畳量が多くなって半導体レーザ９の発光動
作が安定し、且つノイズ発生を抑制することができる。
４１は、レーザを規定の発光量で発光させるために検出
すべきレーザ電流に対応したレーザ電流制御信号に従っ
て高周波発振器ＲＦ ＯＳＣからの高周波出力の振幅を
変化させている。つまり、低パワー発光時には、高周波
電流ｉc の重畳量が多くなって半導体レーザ９の発光動
作が安定し、且つノイズ発生を抑制することができる。
【００４７】また、高パワー発光時には、高周波電流ｉ
c の重畳量が少なくなるため、半導体レーザの最大出力
定格を越えることがないので、寿命を確保することがで
きる。なお、この発明は、上記実施例に限定されるもの
ではなく、この発明の要旨を変えない範囲において、種
々変形実施可能なことは勿論である。
c の重畳量が少なくなるため、半導体レーザの最大出力
定格を越えることがないので、寿命を確保することがで
きる。なお、この発明は、上記実施例に限定されるもの
ではなく、この発明の要旨を変えない範囲において、種
々変形実施可能なことは勿論である。
【００４８】
【発明の効果】従って、以上詳述したように本発明によ
れば、戻り光等に起因するノイズを除去するために高周
波電流を重畳してＬＤを駆動力する際に、ＬＤの発光強
度に応じて高周波重畳電流を適切な振幅となるように制
御することにより、ＬＤの寿命を確保すると共に、記録
再生信号の安定化に寄与し得るように改良した半導体レ
ーザ駆動制御装置を提供することが可能となる。
れば、戻り光等に起因するノイズを除去するために高周
波電流を重畳してＬＤを駆動力する際に、ＬＤの発光強
度に応じて高周波重畳電流を適切な振幅となるように制
御することにより、ＬＤの寿命を確保すると共に、記録
再生信号の安定化に寄与し得るように改良した半導体レ
ーザ駆動制御装置を提供することが可能となる。
【図１】この発明の一実施例を示す構成図。
【図２】図１の一部の詳細図。
【図３】図１の一部の詳細図。
【図４】本発明の動作と効果を従来との対応において示
す特性図。
す特性図。
１…光ディスク、３…光学ヘッド、９…半導体レーザ、
１４１…レーザ制御回路、１４２…レーザ駆動回路、Ｉ
Ｃ1 ，ＩＣ3 ，ＩＣ5 ，ＩＣ6 ，ＩＣ7 …演算増幅器、
ＩＣ2 ，ＩＣ4 …スイッチ回路、ＰＤ…受光素子、Ｒｆ
…可変抵抗、−ＥS2…電源、ＴＲ，Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３…
トランジスタ、ＲＦ ＯＳＣ…高周波発振器、Ｒ１１，
Ｒ１２，Ｒ１３…抵抗、Ｃ１１，Ｃ１２…コンデンサ、
Ｌ１１…インダクタンス、ＶCC…電源。
１４１…レーザ制御回路、１４２…レーザ駆動回路、Ｉ
Ｃ1 ，ＩＣ3 ，ＩＣ5 ，ＩＣ6 ，ＩＣ7 …演算増幅器、
ＩＣ2 ，ＩＣ4 …スイッチ回路、ＰＤ…受光素子、Ｒｆ
…可変抵抗、−ＥS2…電源、ＴＲ，Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３…
トランジスタ、ＲＦ ＯＳＣ…高周波発振器、Ｒ１１，
Ｒ１２，Ｒ１３…抵抗、Ｃ１１，Ｃ１２…コンデンサ、
Ｌ１１…インダクタンス、ＶCC…電源。
Claims (1)
- 【請求項１】 所定の高周波信号を出力する高周波手段
と、 所定の対象物にレーザ光を照射する半導体レーザと、 前記半導体レーザからのレーザ光に対応したレーザ電流
制御信号を生成するレーザ制御手段と、 前記レーザ制御手段からのレーザ電流制御信号に従って
上記半導体レーザに供給するレーザ電流を設定すると共
に、上記高周波手段からの高周波出力を可変して前記設
定されたレーザ電流に重畳するレーザ駆動手段とを具備
してなることを特徴とする半導体レーザ駆動制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5067081A JPH06274919A (ja) | 1993-03-25 | 1993-03-25 | 半導体レーザ駆動制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5067081A JPH06274919A (ja) | 1993-03-25 | 1993-03-25 | 半導体レーザ駆動制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06274919A true JPH06274919A (ja) | 1994-09-30 |
Family
ID=13334574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5067081A Pending JPH06274919A (ja) | 1993-03-25 | 1993-03-25 | 半導体レーザ駆動制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06274919A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004038711A1 (ja) * | 2002-10-28 | 2004-05-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 半導体レーザ駆動装置、光ヘッド装置、光情報処理装置及び光記録媒体 |
-
1993
- 1993-03-25 JP JP5067081A patent/JPH06274919A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004038711A1 (ja) * | 2002-10-28 | 2004-05-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 半導体レーザ駆動装置、光ヘッド装置、光情報処理装置及び光記録媒体 |
| CN1326132C (zh) * | 2002-10-28 | 2007-07-11 | 松下电器产业株式会社 | 半导体激光驱动装置、光学头装置以及光信息处理装置 |
| US7406012B2 (en) | 2002-10-28 | 2008-07-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser driving device, optical head device, optical information processing device, and optical recording medium |
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