JPH0627977Y2 - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 本考案は光学デイスク読取装置等の光源として最適な半
導体レーザ装置に関する。

(ロ)従来の技術 現在、光学デイスク読取用の光源として、消去用、読出
用、書込用の各ビームを個々に出力できるように３つの
独立した共振器を約１００μｍの間隔で並列させてなる
３ビーム型の半導体レーザ装置が提案されている（実願
昭６１−４０９５２号）。

(ハ)考案が解決しようとする問題点 このように近接した共振器から出射されるレーザ光を夫
々独立にモニタするためには特開昭５８−１０２５９０
号公報に開示されている如く共振器近傍に共振器個々に
対応してモニタ用の受光素子を配する方法が考えられ
る。

然るに、半導体レーザチツプ（共振器）から出力される
レーザ光のビーム広がり各θ_１１は少なくとも１０°程
度あるため、上記チツプと受光素子との間隔は５００μ
ｍ以下としない限り正確にモニタすることはできない。

即ち、第３図に示す如く、１００μｍ間隔（具体的には
各チツプから出力されるレーザ光の光軸(4)間距離）で
並列された半導レーザチツプ(1)〜(3)の各々の出射面に
対向して複数の受光領域(5)〜(7)を有する受光素子が配
され、更に上記各チツプから出力されるレーザ光（１
ａ）〜（３ａ）の各広がり角が１０°でかつ各チツプ
(1)〜(3)と受光素子(5)〜(7)との距離が５００μｍ以上
である際、受光素子側において各レーザ光が重畳するこ
ととなる。従って各受光領域(5)〜(7)は夫々対向するレ
ーザチツプ以外のチツプから出力されるレーザ光をも受
光することとなり、個々のレーザチツプ毎のモニタが不
可能となる。

尚、各チツプ(1)〜(3)と受光領域(5)〜(7)との距離を５
００μｍ以下とすると上記問題は確決できるが、このよ
うに近接させることはレーザチツプと受光素子との光軸
合せ及びワイヤボンドによる配線等が繁雑となり実用的
ではない。

そこで、本願出願人は実願昭６１−１８５２７３号にお
いてシリコン基板上に溝幅が同一の複数の導波溝が末広
がり状に形成された導波部材を各レーザチツプと受光素
子との間に配し、上記導波溝により各レーザチツプから
出力されるレーザ光を完全に分離する構成を提案した。

第４図は実願昭６１−１８５２７３号において提案され
た装置を示し(8)は導波部材であり、(9)〜(11)は該導波
部材に形成された導波溝である。尚、第４図中、第３図
と同一箇所には同一番号を付し、説明を省略する。

然るに、斯る構成では導波部材(8)と受光素子との間に
は間隙があるため、デイスク等で反射された戻り光が斯
る間隙を介して受光領域(5)〜(7)に入射し、受光素子の
出力のＳ／Ｎ比を低減させるという問題があった。

尚、上記間隙は導波部材(8)と受光素子とを密着配置す
ればなくなるが、実際には斯る間隙内に上記受光素子に
接続された金線が存在するので密着配置することはでき
ない。

(ニ)問題点を解決するための手段 本考案は斯る点に鑑みてなされたもので、その構成的特
徴は、夫々２方向にレーザビームを出射する複数の半導
体レーザ共振器をアレイ状に構成した半導体レーザアレ
イと、該半導体レーザアレイの各共振器から出射され同
一方向へ進行する各レーザビームを夫々個々に検出する
複数の受光領域が配されてなる受光素子と、上記半導体
レーザアレイと上記受光素子との間に配置され、上記各
レーザビームを上記各領域へ導く複数の導波溝が形成さ
れた導波部材と、上記受光素子と上記導波部材との間に
充填された透光性樹脂と、該透光性樹脂の露出表面を被
覆する遮光部材とからなることにある。

(ホ)作用 斯る構成によれば、半導体レーザチツプから出力された
レーザ光は導波溝、透光性樹脂を介して受光領域に達す
るが、戻り光等は遮光性樹脂により遮光されるため受光
領域には入射しない。

(ヘ)実施例 第１図及び第２図は本考案の一実施例を示し、(21)はヒ
ートシンクであり、シリコン等の半導体もしくは金属等
の良放熱体からなる。(22)はヒートシンク(21)の一主面
上に積層されたＩｎ層、(23)は１対のレーザ光出射面を
有する第１〜第３半導体レーザチツプ(24)〜(26)からな
るレーザアレイであり、該アレイはヒートシンク(21)の
一主面の左端側に各チツプ(24)〜(26)から出力されるレ
ーザ光（２４ａ）〜（２６ａ）の光軸（２４ｂ）〜（２
６ｂ）が平行となるように整列配置される。(27)はシリ
コンからなる受光素子、(28)〜(30)は該受光素子の一主
面に形成された第１〜第３受光領域であり、上記受光素
子(27)はその一主面が各レーザチツプ(24)〜(26)の１方
のレーザ光出射面と対向するようにヒートシンク(21)の
右側に配される。尚、上記領域(28)〜(30)の間隔は上記
光軸（２４ｂ）〜（２６ｂ）の間隔より大である。(31)
はシリコンからなる導波手段であり、該手段は上記レー
ザチツプ(24)〜(26)に隣接してヒートシンク(21)上に固
着される。(32)〜(34)は上記導波手段(31)の固着面側に
ダイシングもしくはエツチングにより形成された第１〜
第３導波溝であり、該溝は上記レーザアレイ(23)側から
受光素子(27)側へ延在し、その開口はレーザアレイ(23)
側では上記光軸（２４ｂ）〜（２６ｂ）の間隔と、また
受光素子(23)側では受光領域(28)〜(30)の間隔と夫々同
一となるように形成される。従って、第２図に示す如く
第２レーザチツプ(25)のレーザ光出射面と第２受光領域
(29)とが対向する場合、第２導波溝(33)は光軸（２４
ｂ）〜（２６ｂ）と平行に延在し、第１、第３導波溝(3
2)(34)は光軸（２４ｂ）〜（２６ｂ）と平行に延在しな
いこととなる。また、上記第１、３導波溝(32)(34)の溝
幅は第１導波溝(33)のそれの約２倍とすると共に各溝(3
2)〜(34)の内面には金等を蒸着し、光反射性を高めてい
る。

また、(41)の導波手段(31)と受光素子(27)との間に充填
された透光性樹脂、(42)は該透光性樹脂表面を被覆する
遮光性樹脂であり、上記透光性樹脂(41)及び遮光性樹脂
(42)としては例えば透明なシリコン系樹脂及び黒色のエ
ポキシ系樹脂が最適である。

斯る装置では、第１〜第３レーザチツプ(24)〜(26)から
出射されるレーザ光（２４ａ）〜（２６ａ）は夫々第１
〜第３導波溝(32)〜(34)及び透光性樹脂(41)を伝わって
第１〜第３受光領域(28)〜(30)に入射することとなる。

また、上記透光性樹脂(41)は遮光性樹脂(42)によりその
表面が被覆されているため戻り光等の導波手段(31)と受
光素子(27)との間隙からの受光領域(28)〜(30)への入射
を防止できる。

(ト)考案の効果 本考案によれば、戻り光等の受光領域への入射を防止で
きるので、従来の如き戻り光による受光素子出力のＳ／
Ｎ比低減は抑止できる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本考案の実施例を示し、第１図は第
２図のＢ−Ｂ′線断面図、第２図は第１図のＡ−Ａ′線
断面図、第３図及び第４図は夫々従来例を説明するため
の模式図及び断面図である。 (23)……レーザアレイ、(24)〜(26)……第１〜第３半導
体レーザチツプ、(27)……受光素子、(28)〜(30)……第
１〜第３受光領域、(31)……導波部材、(32)〜(34)……
第１〜第３導波溝、(41)……透光性樹脂、(42)……遮光
性樹脂

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】夫々２方向にレーザビームを出射する複数
   の半導体レーザ共振器をアレイ状に構成した半導体レー
   ザアレイと、該半導体レーザアレイの各共振器から出射
   され同一方向へ進行する各レーザビームを夫々個々に検
   出する複数の受光領域が配されてなる受光素子と、上記
   半導体レーザアレイと上記受光素子との間に配置され、
   上記各レーザビームを上記各領域へ導く複数の導波溝が
   形成された導波部材と、上記受光素子と上記導波部材と
   の間に充填された透光性樹脂と、該透光性樹脂の露出表
   面を被覆する遮光部材とからなることを特徴とする半導
   体レーザ装置。