JPH0628083B2 - 磁気テ−プ用薄膜磁気ヘツド - Google Patents
磁気テ−プ用薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPH0628083B2 JPH0628083B2 JP60185162A JP18516285A JPH0628083B2 JP H0628083 B2 JPH0628083 B2 JP H0628083B2 JP 60185162 A JP60185162 A JP 60185162A JP 18516285 A JP18516285 A JP 18516285A JP H0628083 B2 JPH0628083 B2 JP H0628083B2
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- magnetic film
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3113—Details for improving the magnetic domain structure or avoiding the formation or displacement of undesirable magnetic domains
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、薄膜磁気ヘツドに係り、特に磁気誘導型の磁
気テープ用薄膜磁気ヘツドに関する。
気テープ用薄膜磁気ヘツドに関する。
〔発明の背景〕 先行技術において、高記録密度化を達成するためには高
速に応答出来る事及び記録媒体を高保磁力化する事が必
要である事は周知である。高速応答性を向上するには磁
気コア材料の高周波領域での透磁率を高くする事であ
り、パーマロイ膜を磁気コアに用いた磁気誘導型薄膜磁
気ヘツドが適している事も周知である。一方、記録媒体
を高保磁力化すると、書込み過程で磁気コア材料の飽和
が問題となり、従来は磁気コア材料を高飽和磁速密度化
する事及び磁性膜を厚くする事で対策していた。
速に応答出来る事及び記録媒体を高保磁力化する事が必
要である事は周知である。高速応答性を向上するには磁
気コア材料の高周波領域での透磁率を高くする事であ
り、パーマロイ膜を磁気コアに用いた磁気誘導型薄膜磁
気ヘツドが適している事も周知である。一方、記録媒体
を高保磁力化すると、書込み過程で磁気コア材料の飽和
が問題となり、従来は磁気コア材料を高飽和磁速密度化
する事及び磁性膜を厚くする事で対策していた。
一方、薄膜磁気ヘツドの課題に電磁変換特性の不安定さ
がある。これは、磁性膜の大きさが磁区の大きさに比較
して余り差がない事及びメガＨz 以上の高周波領域で使
用する事に起因して生じるものと考えられており、通常
のバルクの磁気ヘツドでは生じないものである。この課
題を解決するために、従来から種々の方法が提案されて
いる。
がある。これは、磁性膜の大きさが磁区の大きさに比較
して余り差がない事及びメガＨz 以上の高周波領域で使
用する事に起因して生じるものと考えられており、通常
のバルクの磁気ヘツドでは生じないものである。この課
題を解決するために、従来から種々の方法が提案されて
いる。
従来は、例えば、特開昭５５−101124に示されている様
に磁気デイスク用磁気誘導型薄膜磁気ヘツドの磁気コア
材料に負の磁歪定数を有する磁性膜を使用する事が知ら
れている。更に、我々で検討した結果によると、この磁
歪定数の絶対値は６×１０-7より小さい磁性膜を使用し
た方が良い事もわかつている。磁性膜が上記特性を持つ
事が好ましいのは、磁気デイスク用磁気誘導型薄膜磁気
ヘツドの様にトラツク幅がフロントギヤツプとバツクギ
ヤツプとの間隔より短かくなつている場合であり、パタ
ーニングした時に生じる応力誘起異方性が逆磁歪効果に
より特定の方向に磁区を揃える事が出来る為である。
に磁気デイスク用磁気誘導型薄膜磁気ヘツドの磁気コア
材料に負の磁歪定数を有する磁性膜を使用する事が知ら
れている。更に、我々で検討した結果によると、この磁
歪定数の絶対値は６×１０-7より小さい磁性膜を使用し
た方が良い事もわかつている。磁性膜が上記特性を持つ
事が好ましいのは、磁気デイスク用磁気誘導型薄膜磁気
ヘツドの様にトラツク幅がフロントギヤツプとバツクギ
ヤツプとの間隔より短かくなつている場合であり、パタ
ーニングした時に生じる応力誘起異方性が逆磁歪効果に
より特定の方向に磁区を揃える事が出来る為である。
本発明に係る磁気ヘツド用薄膜磁気ヘツドは磁気デイス
ク用と違い、磁気コアのトラツク幅がフロントギヤツプ
とバツクギヤツプとの間隔より長くなつている。これ
は、テープの走行に蛇行があり、記録面積をかせぐ必要
がある為である。その結果、ヘツド形状が異なる為磁気
デイスク用薄膜磁気ヘツドに係る技術を単純に踏襲出来
ない事は本発明者らが実験によつて別途確認してある。
即ち、磁性膜にはトラツク幅方向及びトラツク幅方向と
直角方向に引張応力が作用しているが、ヘツド形状寸法
上、トラツク幅方向の引張応力が支配的となり、磁歪定
数が正であれば磁化容易軸がトラツク幅方向に出来る
事、従つてトラツク幅方向と直角に励磁する本ヘツドに
おいては磁化の進行が磁区の回転によつて進行する為に
高速応答性に優れる。更に、磁歪定数が正の大きな値を
持つ場合には引張応力に対して透磁率が減少する事等が
明らかとなつた。従つて、磁性膜の磁歪定数を単に正に
する事のみでは安定した磁区構造で、しかも高速応答性
を持つ薄膜磁気ヘツドを得る事は出来ない。
ク用と違い、磁気コアのトラツク幅がフロントギヤツプ
とバツクギヤツプとの間隔より長くなつている。これ
は、テープの走行に蛇行があり、記録面積をかせぐ必要
がある為である。その結果、ヘツド形状が異なる為磁気
デイスク用薄膜磁気ヘツドに係る技術を単純に踏襲出来
ない事は本発明者らが実験によつて別途確認してある。
即ち、磁性膜にはトラツク幅方向及びトラツク幅方向と
直角方向に引張応力が作用しているが、ヘツド形状寸法
上、トラツク幅方向の引張応力が支配的となり、磁歪定
数が正であれば磁化容易軸がトラツク幅方向に出来る
事、従つてトラツク幅方向と直角に励磁する本ヘツドに
おいては磁化の進行が磁区の回転によつて進行する為に
高速応答性に優れる。更に、磁歪定数が正の大きな値を
持つ場合には引張応力に対して透磁率が減少する事等が
明らかとなつた。従つて、磁性膜の磁歪定数を単に正に
する事のみでは安定した磁区構造で、しかも高速応答性
を持つ薄膜磁気ヘツドを得る事は出来ない。
ところで、磁性膜の磁歪定数だけを考慮するならば、圧
の特性を有し、１×１０-6以下の値を持つ磁性膜を用い
た磁気ヘツドが特開昭５５−105822に示されている。上
記磁気ヘツドは再生時に磁気抵抗効果を利用するもので
あり、磁性膜が上記特性を示すのが好ましいのは磁気抵
抗効果を利用する事に限定されており、本発明の様な磁
気誘導型薄膜磁気ヘツドのコア用磁性膜に適用されるも
のではない。
の特性を有し、１×１０-6以下の値を持つ磁性膜を用い
た磁気ヘツドが特開昭５５−105822に示されている。上
記磁気ヘツドは再生時に磁気抵抗効果を利用するもので
あり、磁性膜が上記特性を示すのが好ましいのは磁気抵
抗効果を利用する事に限定されており、本発明の様な磁
気誘導型薄膜磁気ヘツドのコア用磁性膜に適用されるも
のではない。
本発明の目的は、高速で応答することのできる磁気テー
プ用薄膜磁気ヘツドを提供することにある。
プ用薄膜磁気ヘツドを提供することにある。
本発明は、下部磁性膜と、該下部磁性膜上に絶縁材を介
して積層されその一端が前記下部磁性膜に接続され他端
が、前記下部磁性膜に前記絶縁材を介して対向し前記下
部磁性膜と磁気回路を形成する上部磁性膜とより構成さ
れる薄膜磁気ヘツドにおいて、磁気コアのトラツク幅を
フロントギヤツプとバツクギヤツプとの間隔より長くす
ると共に上記上部磁性膜を正の磁歪特性を有し磁歪定数
値が１×１０-6より小さくしたことを特徴とするもので
ある。
して積層されその一端が前記下部磁性膜に接続され他端
が、前記下部磁性膜に前記絶縁材を介して対向し前記下
部磁性膜と磁気回路を形成する上部磁性膜とより構成さ
れる薄膜磁気ヘツドにおいて、磁気コアのトラツク幅を
フロントギヤツプとバツクギヤツプとの間隔より長くす
ると共に上記上部磁性膜を正の磁歪特性を有し磁歪定数
値が１×１０-6より小さくしたことを特徴とするもので
ある。
以下、本発明の実施例について説明する。
第１図には、本発明の一実施例が示されている。
図において、１は例えばＡｌ2Ｏ3−TiO 系セラミツクス
板１１表面上に面粗さを小さくするためのＡｌ2Ｏ3膜１
２を形成した基板、２は基板１のＡｌ2Ｏ3膜１２上に形
成された所定形状の下部磁性膜、３は一端３１が下部磁
性膜２の一端２１に接し、他端３２が下部磁性膜２２の
他端に磁気ギヤツプＧを介して対向する様に下部磁性膜
２上に形成され、下部磁性膜２と共に一部に磁気ギヤツ
プＧを有する磁気回路を構成する上部磁性膜で、この上
部磁性膜は正の磁歪特性で、磁歪定数値が１×１０-6以
下となる。４は下部磁性膜２と上部磁性膜３との間を通
り磁気回路と交差する所定ターン数のコイルを形成する
導体膜、５は導体膜間、下部磁性膜と導体膜間及び導体
膜と上部磁性膜間を電気的に絶縁する絶縁部材である。
６は保護部材である。
板１１表面上に面粗さを小さくするためのＡｌ2Ｏ3膜１
２を形成した基板、２は基板１のＡｌ2Ｏ3膜１２上に形
成された所定形状の下部磁性膜、３は一端３１が下部磁
性膜２の一端２１に接し、他端３２が下部磁性膜２２の
他端に磁気ギヤツプＧを介して対向する様に下部磁性膜
２上に形成され、下部磁性膜２と共に一部に磁気ギヤツ
プＧを有する磁気回路を構成する上部磁性膜で、この上
部磁性膜は正の磁歪特性で、磁歪定数値が１×１０-6以
下となる。４は下部磁性膜２と上部磁性膜３との間を通
り磁気回路と交差する所定ターン数のコイルを形成する
導体膜、５は導体膜間、下部磁性膜と導体膜間及び導体
膜と上部磁性膜間を電気的に絶縁する絶縁部材である。
６は保護部材である。
かかる構成の薄膜磁気ヘツドによれば、書込特性の高速
応答の安定化が図れるわけであるが、その理由を説明す
る。
応答の安定化が図れるわけであるが、その理由を説明す
る。
薄膜磁気ヘツドの書込特性の高速応答の不安定性は磁性
膜の透磁率の不安定性に原因しており、透磁率の不安定
性は磁区構造の不安定性に基づくものである。磁性膜の
磁区構造は誘導単軸磁気異方性エネルギー、静磁エネル
ギー及び磁気弾性エネルギーの和で出来るだけ小さくな
る様に決る。そして磁区構造の不安定性は磁気弾性効果
が主要な役割りを果している事が知られている。磁気弾
性効果を理解するには磁性膜に作用している応力の種類
と方向を知らねばならない。
膜の透磁率の不安定性に原因しており、透磁率の不安定
性は磁区構造の不安定性に基づくものである。磁性膜の
磁区構造は誘導単軸磁気異方性エネルギー、静磁エネル
ギー及び磁気弾性エネルギーの和で出来るだけ小さくな
る様に決る。そして磁区構造の不安定性は磁気弾性効果
が主要な役割りを果している事が知られている。磁気弾
性効果を理解するには磁性膜に作用している応力の種類
と方向を知らねばならない。
下部磁性膜２に作用する応力は磁性膜を大面積から所定
形状にパターニングする事により生じるため、下部磁性
膜のエツジに沿つた方向の引張応力となる。下部磁性膜
２の形状ではトラツク幅がフロントギヤツプとバツクギ
ヤツプとの間隔より長いため、この応力は平均的にはト
ラツク幅方向の引張り応力となる。従つて、磁区構造も
その方向に揃う。
形状にパターニングする事により生じるため、下部磁性
膜のエツジに沿つた方向の引張応力となる。下部磁性膜
２の形状ではトラツク幅がフロントギヤツプとバツクギ
ヤツプとの間隔より長いため、この応力は平均的にはト
ラツク幅方向の引張り応力となる。従つて、磁区構造も
その方向に揃う。
上部磁性膜３に作用する応力は次のような４種類の応力
が作用しており下部磁性膜２に比較して複雑である。４
種類の応力とは、(1)下部磁性膜２の場合と同様、パタ
ーニングする事により発生するエツジに沿う方向に作用
する引張応力、(2)フロントギヤツプ、バツクギヤツプ
近傍の段差部への磁性膜形成に起因してトラツク幅方向
に沿つて作用する引張応力、(3)上部磁性膜上に形成さ
れる保護部材６に起因してエツジに沿つて作用する圧縮
応力、(4)上部磁性膜上に形成される保護部材６に起因
して段差部近傍にトラツク幅方向に沿つて作用する圧縮
応力をいう。この様に、上部磁性膜にはエツジ部ではパ
ターニングによる引張応力と保護部材により圧縮応力と
の合成された応力が、段差部では磁性膜形成に起因する
引張応力と保護部材による圧縮応力との合成された応力
がそれぞれ作用している。これらの応力を実質的に零に
する事は現在の薄膜磁気ヘツドの製造技術では不可能で
ある。このため磁歪定数が零でない上部磁性膜において
は、エツジ部及び段差部で誘導単軸異方性に加えて磁気
弾性異方性が生じる。第２図は上記考察を例証した実験
結果である。縦軸の透磁率は全異方性に基づく物理量で
ある。横軸の磁歪定数は逆磁歪効果により磁気弾性異方
性に基づく物理量である。シート状では磁歪定数に差が
生じても磁性膜の全異方性に変化がない事が分る。一
方、段差上に形成した磁性膜では段差部での応力変化に
より、磁歪定数が大きくなると全異方性が変化する事が
分る。この様に上部磁性膜は応力の変化に基づく磁気弾
性異方性による磁区構造が不安定となりその結果、磁性
膜の透磁率が不安定となる。以上の点から推察すると、
薄膜磁気ヘツドの書込特性の高速応答性の不安定性は磁
気弾性異方性の変化に起因しており、高速応答性を安定
にするためには磁歪定数を小さくする必要がある。第２
図より磁歪定数の絶対値を１×１０−６以下にすれば透
磁率をシート状の場合より大きな値として得る事が出
来、高速応答性を期待出来る。
が作用しており下部磁性膜２に比較して複雑である。４
種類の応力とは、(1)下部磁性膜２の場合と同様、パタ
ーニングする事により発生するエツジに沿う方向に作用
する引張応力、(2)フロントギヤツプ、バツクギヤツプ
近傍の段差部への磁性膜形成に起因してトラツク幅方向
に沿つて作用する引張応力、(3)上部磁性膜上に形成さ
れる保護部材６に起因してエツジに沿つて作用する圧縮
応力、(4)上部磁性膜上に形成される保護部材６に起因
して段差部近傍にトラツク幅方向に沿つて作用する圧縮
応力をいう。この様に、上部磁性膜にはエツジ部ではパ
ターニングによる引張応力と保護部材により圧縮応力と
の合成された応力が、段差部では磁性膜形成に起因する
引張応力と保護部材による圧縮応力との合成された応力
がそれぞれ作用している。これらの応力を実質的に零に
する事は現在の薄膜磁気ヘツドの製造技術では不可能で
ある。このため磁歪定数が零でない上部磁性膜において
は、エツジ部及び段差部で誘導単軸異方性に加えて磁気
弾性異方性が生じる。第２図は上記考察を例証した実験
結果である。縦軸の透磁率は全異方性に基づく物理量で
ある。横軸の磁歪定数は逆磁歪効果により磁気弾性異方
性に基づく物理量である。シート状では磁歪定数に差が
生じても磁性膜の全異方性に変化がない事が分る。一
方、段差上に形成した磁性膜では段差部での応力変化に
より、磁歪定数が大きくなると全異方性が変化する事が
分る。この様に上部磁性膜は応力の変化に基づく磁気弾
性異方性による磁区構造が不安定となりその結果、磁性
膜の透磁率が不安定となる。以上の点から推察すると、
薄膜磁気ヘツドの書込特性の高速応答性の不安定性は磁
気弾性異方性の変化に起因しており、高速応答性を安定
にするためには磁歪定数を小さくする必要がある。第２
図より磁歪定数の絶対値を１×１０−６以下にすれば透
磁率をシート状の場合より大きな値として得る事が出
来、高速応答性を期待出来る。
しかしながら、第１図の構成の薄膜磁気ヘツドの磁性膜
はトラツク幅方向に長い寸法形状となつているため、パ
ターニングするとトラツク幅方向に大きい引張応力が生
じる。磁性膜の磁歪定数が正であればトラツク幅方向に
磁気弾性異方性が生じ、磁区構造は更に安定になり易い
事となる。従つて磁性膜の磁歪定数は正である必要があ
る。しかし、磁歪定数が負になるとトラツク幅方向と直
角方向に磁気弾性異方性が生じ、磁区構造が不安定とな
ると思われる。第３図にその傍証を示す。第３図にＮｉ
量が重量％で８２．０８％、８２．３３％及び８２．９
１％のパーマロイ膜をマイクロカー効果法で測定したト
ラツク幅方向励磁の直交磁化曲線を示す。測定領域は５
ミクロン径である。この結果より、３種類の組成のパー
マロイ膜ともパターンエツジ部に沿つて生じる応力が無
視出来る中央部では磁区構造は安定である、磁化容易軸
はほぼトラツク幅方向にある事が分る。一方、パターン
エツジ部に沿つて生じる応力が無視出来ない膜端部では
磁歪定数が−４×１０-7と負の８２．９１重量％Ｎｉの
パーマロイ膜のみ磁区構造が不安定となり、磁化容易軸
がトラツク軸方向から傾いている事が分る。この事よ
り、磁歪定数が負の膜ではパターン端部で磁化容易軸が
トラツク幅方向から傾いており、磁気コアとしては不適
当と推定される。一方、磁歪定数が正の膜では磁化容易
軸はトラツク幅方向にあると解釈出来るので、磁気コア
としては適していると推定される。
はトラツク幅方向に長い寸法形状となつているため、パ
ターニングするとトラツク幅方向に大きい引張応力が生
じる。磁性膜の磁歪定数が正であればトラツク幅方向に
磁気弾性異方性が生じ、磁区構造は更に安定になり易い
事となる。従つて磁性膜の磁歪定数は正である必要があ
る。しかし、磁歪定数が負になるとトラツク幅方向と直
角方向に磁気弾性異方性が生じ、磁区構造が不安定とな
ると思われる。第３図にその傍証を示す。第３図にＮｉ
量が重量％で８２．０８％、８２．３３％及び８２．９
１％のパーマロイ膜をマイクロカー効果法で測定したト
ラツク幅方向励磁の直交磁化曲線を示す。測定領域は５
ミクロン径である。この結果より、３種類の組成のパー
マロイ膜ともパターンエツジ部に沿つて生じる応力が無
視出来る中央部では磁区構造は安定である、磁化容易軸
はほぼトラツク幅方向にある事が分る。一方、パターン
エツジ部に沿つて生じる応力が無視出来ない膜端部では
磁歪定数が−４×１０-7と負の８２．９１重量％Ｎｉの
パーマロイ膜のみ磁区構造が不安定となり、磁化容易軸
がトラツク軸方向から傾いている事が分る。この事よ
り、磁歪定数が負の膜ではパターン端部で磁化容易軸が
トラツク幅方向から傾いており、磁気コアとしては不適
当と推定される。一方、磁歪定数が正の膜では磁化容易
軸はトラツク幅方向にあると解釈出来るので、磁気コア
としては適していると推定される。
このように磁気コアとして用いるパーマロイ膜の磁歪定
数を正の値とし、しかも１×１０−６以下とする事によ
り、磁区構造が安定で更に高速応答性が安定な薄膜磁気
ヘツドを得る事が出来る。かかる薄膜磁気ヘツドの実現
のためには、正の値で大きさが１×１０−６以下の磁歪
定数を持つ磁性膜が工業的に再現性良く得る事が前提と
なる。そこでＮｉ−Ｆｅ系合金を例にとつて上記磁歪定
数を持つ磁性膜を再現性良く得る方法を説明する。
数を正の値とし、しかも１×１０−６以下とする事によ
り、磁区構造が安定で更に高速応答性が安定な薄膜磁気
ヘツドを得る事が出来る。かかる薄膜磁気ヘツドの実現
のためには、正の値で大きさが１×１０−６以下の磁歪
定数を持つ磁性膜が工業的に再現性良く得る事が前提と
なる。そこでＮｉ−Ｆｅ系合金を例にとつて上記磁歪定
数を持つ磁性膜を再現性良く得る方法を説明する。
薄膜磁気ヘツドに使用されるＮｉ−Ｆｅ系合金膜は多結
晶であり、多結晶Ｎｉ−Ｆｅ系合金膜の磁歪定数は組成
と結晶の配向度合によつて決まる事は良く知られてい
る。膜面に平行な結晶面として（１１１）面が多いＮｉ
−Ｆｅ合金膜では８０．２重量％Ｎｉ−Ｆｅで磁歪定数
が零となり、膜面に平行な結晶面として（１００）面が
多いＮｉ−Ｆｅ合金膜では８１．７重量％Ｎｉ−Ｆｅで
磁歪定数が零となり、この様に、Ｎｉ−Ｆｅ合金膜の磁
歪定数の絶対値を工業的に再現性良く、正で１×１０
−６以下とするためには、組成と結晶の配向性の両方を
厳密に制御しなければならない。例えば、Ｎｉ−Ｆｅ合
金膜をスパツタリングで製造する場合に組成と結晶の配
向を所望の条件にするためには、ターゲツトの組成、基
板温度、到達真空度、ターゲツトと基板との距離、高周
波出力、スパツタ時のアルゴン圧力及び基板に印加され
るバイアス電位を重点的に管理する必要がある。
晶であり、多結晶Ｎｉ−Ｆｅ系合金膜の磁歪定数は組成
と結晶の配向度合によつて決まる事は良く知られてい
る。膜面に平行な結晶面として（１１１）面が多いＮｉ
−Ｆｅ合金膜では８０．２重量％Ｎｉ−Ｆｅで磁歪定数
が零となり、膜面に平行な結晶面として（１００）面が
多いＮｉ−Ｆｅ合金膜では８１．７重量％Ｎｉ−Ｆｅで
磁歪定数が零となり、この様に、Ｎｉ−Ｆｅ合金膜の磁
歪定数の絶対値を工業的に再現性良く、正で１×１０
−６以下とするためには、組成と結晶の配向性の両方を
厳密に制御しなければならない。例えば、Ｎｉ−Ｆｅ合
金膜をスパツタリングで製造する場合に組成と結晶の配
向を所望の条件にするためには、ターゲツトの組成、基
板温度、到達真空度、ターゲツトと基板との距離、高周
波出力、スパツタ時のアルゴン圧力及び基板に印加され
るバイアス電位を重点的に管理する必要がある。
以上は本発明を一実施例として示した図面に基づいて説
明したが、本発明はこれに拘束される事なく種々の変形
が可能である。代表的な変形例を以下に列挙する。
明したが、本発明はこれに拘束される事なく種々の変形
が可能である。代表的な変形例を以下に列挙する。
(1)下部磁性膜及び上部磁性膜の磁歪定数を共に正の値
で１×１０−６以下とした薄膜磁気ヘツド。
で１×１０−６以下とした薄膜磁気ヘツド。
(2)第１図では導体膜は一層構造であるが、これを多層
構造とした薄膜磁気ヘツド。
構造とした薄膜磁気ヘツド。
以上説明したように、本発明によれば、磁気コアに用い
るパーマロイ膜の磁区構造を安定にできるので高速安定
性を持つ磁気テープ用薄膜磁気ヘツドを得ることができ
る。
るパーマロイ膜の磁区構造を安定にできるので高速安定
性を持つ磁気テープ用薄膜磁気ヘツドを得ることができ
る。
第１図は本発明薄膜磁気ヘツドの一実施例を示す概略斜
視図、第２図は平坦部に膜形成した時の透磁率に対する
段差部に膜形成した時の透磁率の比を磁歪定数との関
係、第３図は組成（磁歪定数の値）が異なる膜をパター
ニングしてマイクロカー効果法により測定した直交磁化
曲線を示す図である。 １……基板、１１……セラミツクス板、１２……アルミ
ナ膜、２……下部磁性膜、２１……バツクギヤツプ部の
下部磁性膜、２２……フロントギヤツプ部の下部磁性
膜、３……上部磁性膜、３１……バツクギヤツプ部の上
部磁性膜、３２……フロントギヤツプ部の上部磁性膜、
４……導体コイル、５……絶縁部材、６……保護部材。
視図、第２図は平坦部に膜形成した時の透磁率に対する
段差部に膜形成した時の透磁率の比を磁歪定数との関
係、第３図は組成（磁歪定数の値）が異なる膜をパター
ニングしてマイクロカー効果法により測定した直交磁化
曲線を示す図である。 １……基板、１１……セラミツクス板、１２……アルミ
ナ膜、２……下部磁性膜、２１……バツクギヤツプ部の
下部磁性膜、２２……フロントギヤツプ部の下部磁性
膜、３……上部磁性膜、３１……バツクギヤツプ部の上
部磁性膜、３２……フロントギヤツプ部の上部磁性膜、
４……導体コイル、５……絶縁部材、６……保護部材。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 満雄 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 熊谷 昭 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 華園 雅信 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 原 真一 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (56)参考文献 特開 昭61−39915（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−239909（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−57520（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−90919（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】下部磁性膜と、前記下部磁性膜上に絶縁材
を介して積層されその一端が前記下部磁性膜に前記絶縁
材を介して対向し前記下部磁性膜とによつて磁気回路を
形成する上部磁性膜とから構成される薄膜磁気ヘツドに
おいて、磁気コアのトラツク幅をフロントギヤツプとバ
ツクギヤツプとの間隔より長くすると共に上記上部磁性
膜を正の磁歪特性でかつ磁歪定数値が１×１０-6より小
さくしたことを特徴とする磁気テープ用薄膜磁気ヘツ
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60185162A JPH0628083B2 (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | 磁気テ−プ用薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60185162A JPH0628083B2 (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | 磁気テ−プ用薄膜磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6246412A JPS6246412A (ja) | 1987-02-28 |
| JPH0628083B2 true JPH0628083B2 (ja) | 1994-04-13 |
Family
ID=16165913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60185162A Expired - Lifetime JPH0628083B2 (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | 磁気テ−プ用薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0628083B2 (ja) |
-
1985
- 1985-08-23 JP JP60185162A patent/JPH0628083B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6246412A (ja) | 1987-02-28 |
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