JPH0628129B2 - 電気回路保護装置及び製法 - Google Patents
電気回路保護装置及び製法Info
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- JPH0628129B2 JPH0628129B2 JP61067010A JP6701086A JPH0628129B2 JP H0628129 B2 JPH0628129 B2 JP H0628129B2 JP 61067010 A JP61067010 A JP 61067010A JP 6701086 A JP6701086 A JP 6701086A JP H0628129 B2 JPH0628129 B2 JP H0628129B2
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H85/00—Protective devices in which the current flows through a part of fusible material and this current is interrupted by displacement of the fusible material when this current becomes excessive
- H01H85/02—Details
- H01H85/04—Fuses, i.e. expendable parts of the protective device, e.g. cartridges
- H01H85/041—Fuses, i.e. expendable parts of the protective device, e.g. cartridges characterised by the type
- H01H85/0411—Miniature fuses
- H01H85/0415—Miniature fuses cartridge type
- H01H85/0417—Miniature fuses cartridge type with parallel side contacts
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- H01H85/38—Means for extinguishing or suppressing arc
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- H01H85/003—Means for preventing damage, e.g. by ambient influences to the fuse water or dustproof devices casings for the fusible element
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は一般にはヒユーズに関し、より詳細には限られ
た空間にて使用する電気回路保護のために使用する超小
型の電気ヒユーズに関する。この種のヒユーズは特にプ
リント回路基板上の空間を節約するため有用である。
た空間にて使用する電気回路保護のために使用する超小
型の電気ヒユーズに関する。この種のヒユーズは特にプ
リント回路基板上の空間を節約するため有用である。
従来の技術及び発明が解決しようとする問題点 回路を流れる余分の電流により発生する損害から回路部
品を保護するために超小型ヒユーズ及び同様のその他の
ヒユーズが使用されている。一般に余分の電流は過負荷
電流又はシヨート回路電流と呼ばれる。過負荷電流は一
般に通常の定格電流の 135〜 200％の範囲と考えられ
る。シヨート回路電流は定格電流の 1000 ％又はそれ以
上となるかもしれない。
品を保護するために超小型ヒユーズ及び同様のその他の
ヒユーズが使用されている。一般に余分の電流は過負荷
電流又はシヨート回路電流と呼ばれる。過負荷電流は一
般に通常の定格電流の 135〜 200％の範囲と考えられ
る。シヨート回路電流は定格電流の 1000 ％又はそれ以
上となるかもしれない。
多くの公知のヒユーズは、ヒユーズ部品と、キヤツプ及
び基部から成る２体のヒユーズハウジング、とから成つ
ている。シヨート回路の状態ではハウジング内の圧力が
増大する。超小型ヒユーズの小さな寸法及びシヨートア
ーク除去間隔のため、このようなヒユーズ用ハウジング
は、通常物理的に大寸法のヒユーズにおいては一般的で
ないような大きい問題を生じる。例えばヒユーズハウジ
ングは破損又は破裂の危険がある。２体から成るハウジ
ングにおいては通常キヤツプと基部との間のシール部に
てこのような問題が多く発生する。もしハウジングが破
裂すると、流動するアークが露出するだけでなく音が生
じこのためそのアークは回路を完全に阻止するに必要な
付加的時間によりヒユーズの下流の回路要素に対する損
害を潜在的に発生する。
び基部から成る２体のヒユーズハウジング、とから成つ
ている。シヨート回路の状態ではハウジング内の圧力が
増大する。超小型ヒユーズの小さな寸法及びシヨートア
ーク除去間隔のため、このようなヒユーズ用ハウジング
は、通常物理的に大寸法のヒユーズにおいては一般的で
ないような大きい問題を生じる。例えばヒユーズハウジ
ングは破損又は破裂の危険がある。２体から成るハウジ
ングにおいては通常キヤツプと基部との間のシール部に
てこのような問題が多く発生する。もしハウジングが破
裂すると、流動するアークが露出するだけでなく音が生
じこのためそのアークは回路を完全に阻止するに必要な
付加的時間によりヒユーズの下流の回路要素に対する損
害を潜在的に発生する。
一旦ハウジングが漏れを生じると、該ハウジング内の圧
力が減じはじめる。このため中断時間の増加が発生す
る。
力が減じはじめる。このため中断時間の増加が発生す
る。
当業者が知つているようにヒユーズはシヨート回路電流
を受けるとヒユーズはヒユーズ導体の溶融点に達するま
で温度上昇する。この熱上昇の速度は他の要素中におい
て、余剰電流の大きさの関数となつている。導体の温度
が一旦その溶融点まで達すると、導体材料は迅速に蒸発
し気化した金属原子導体を取囲んでいる気体又は電気媒
体と混合する。気化によりアークはヒユーズの気化によ
つて発生したガス混合体中に形成される。こうして生じ
たプラズマはアークのための導体通路として作用する。
このアークプラズマの上昇した温度はまたヒユーズハウ
ジング内の圧力を増大する。もしこのアークプラズマが
濃くなるとプラズマ内の荷電粒子の移動が制限される。
荷電粒子の減速された動きは間隔の抵抗を増しその結果
アークを消すよう作用する。
を受けるとヒユーズはヒユーズ導体の溶融点に達するま
で温度上昇する。この熱上昇の速度は他の要素中におい
て、余剰電流の大きさの関数となつている。導体の温度
が一旦その溶融点まで達すると、導体材料は迅速に蒸発
し気化した金属原子導体を取囲んでいる気体又は電気媒
体と混合する。気化によりアークはヒユーズの気化によ
つて発生したガス混合体中に形成される。こうして生じ
たプラズマはアークのための導体通路として作用する。
このアークプラズマの上昇した温度はまたヒユーズハウ
ジング内の圧力を増大する。もしこのアークプラズマが
濃くなるとプラズマ内の荷電粒子の移動が制限される。
荷電粒子の減速された動きは間隔の抵抗を増しその結果
アークを消すよう作用する。
超小型ヒユーズのこの問題を解消するためいくつかの試
みがなされた。例えば米国特許第4,417,226号がある。
この米国特許においてはシヨート回路状態中に生じた熱
からプラスチツク本体を断絶するため２体のヒユーズハ
ウジングの内面にセラミツクのライニングを使用してい
る。空気充填ヒユーズハウジングの内部をセラミツクの
ライニングで単にコートすることは迅速除去ヒユーズを
提供するものではない。かなり大量の空気量とガス抜き
特性の弱いセラミツクライニングとが迅速なアーク除去
に必要な圧力の迅速な上昇を妨げている。ヒユーズハウ
ジング内の低圧力は、シヨート回路状態中のアークの中
断中プラズマ内における荷電粒子の移動を容易化する傾
向がある。このため高圧の金属富ガス中に生じる長いア
ーク時間をもたらす。このように長時間のアークは大き
いヒユーズの欠点による危険を発生する。
みがなされた。例えば米国特許第4,417,226号がある。
この米国特許においてはシヨート回路状態中に生じた熱
からプラスチツク本体を断絶するため２体のヒユーズハ
ウジングの内面にセラミツクのライニングを使用してい
る。空気充填ヒユーズハウジングの内部をセラミツクの
ライニングで単にコートすることは迅速除去ヒユーズを
提供するものではない。かなり大量の空気量とガス抜き
特性の弱いセラミツクライニングとが迅速なアーク除去
に必要な圧力の迅速な上昇を妨げている。ヒユーズハウ
ジング内の低圧力は、シヨート回路状態中のアークの中
断中プラズマ内における荷電粒子の移動を容易化する傾
向がある。このため高圧の金属富ガス中に生じる長いア
ーク時間をもたらす。このように長時間のアークは大き
いヒユーズの欠点による危険を発生する。
他の超小型ヒユーズの例が米国特許第2,941,059号、及
び同第3,775,723号に示してある。その他にも試みられ
たが、ヒユーズハウジングの破裂を妨げるためヒユーズ
ハウジングの強度を改良することにより、この重大な欠
陥の危険を減じることに失敗した。
び同第3,775,723号に示してある。その他にも試みられ
たが、ヒユーズハウジングの破裂を妨げるためヒユーズ
ハウジングの強度を改良することにより、この重大な欠
陥の危険を減じることに失敗した。
好ましい実施例に基づくヒユーズ組立体は絶縁コーテン
グがコートしてある。適切な絶縁コーテングはセラミツ
ク接着剤以外に磁製砂(stone sand)水硝子又はその他の
粘着充填剤を含む。この絶縁コーテングはプラズマを吸
収しその温度を減少する。セラミツクコーテングはヒユ
ーズ要素をコートしこれにより該ヒユーズを実質的に空
気から保護する。より重要なことには溶融可能導体の蒸
発により発生するセラミツク内の開放溝は圧力を受ける
小さい体積を有する。開放溝はかなり小さくそのためそ
の内部圧力は大きくなり改良されたヒユーズ性能を発生
する。またこのセラミツクコーテングはアーク冷却によ
りアーク抵抗を増大することによつてヒユーズ性能を改
良する。
グがコートしてある。適切な絶縁コーテングはセラミツ
ク接着剤以外に磁製砂(stone sand)水硝子又はその他の
粘着充填剤を含む。この絶縁コーテングはプラズマを吸
収しその温度を減少する。セラミツクコーテングはヒユ
ーズ要素をコートしこれにより該ヒユーズを実質的に空
気から保護する。より重要なことには溶融可能導体の蒸
発により発生するセラミツク内の開放溝は圧力を受ける
小さい体積を有する。開放溝はかなり小さくそのためそ
の内部圧力は大きくなり改良されたヒユーズ性能を発生
する。またこのセラミツクコーテングはアーク冷却によ
りアーク抵抗を増大することによつてヒユーズ性能を改
良する。
本発明のいくつかの実施例は、ヒユーズ端子の電気的、
熱的絶縁を提供するための基材を使用している。余分な
電流を阻止する間中所望のスパーク間隔を維持すること
が必要である。この阻止中にヒユーズハウジング内の温
度は約２０５゜Ｃ〜２６０゜Ｃ（４００゜Ｆ〜５００゜
Ｆ）まで上昇するかもしれないためこのセラミツク基材
は望ましくは約１、１００゜Ｃ（約２、０００゜Ｆ）ま
で耐えることができる。またある実施例では、基材は穴
を有している。この穴は、ヒユーズ要素がセラミツクを
コートされていないときに該ヒユーズと連通するように
設計されている。ヒユーズ要素導体がこの穴と連通でき
ることにより過負荷開放特性が強化される。
熱的絶縁を提供するための基材を使用している。余分な
電流を阻止する間中所望のスパーク間隔を維持すること
が必要である。この阻止中にヒユーズハウジング内の温
度は約２０５゜Ｃ〜２６０゜Ｃ（４００゜Ｆ〜５００゜
Ｆ）まで上昇するかもしれないためこのセラミツク基材
は望ましくは約１、１００゜Ｃ（約２、０００゜Ｆ）ま
で耐えることができる。またある実施例では、基材は穴
を有している。この穴は、ヒユーズ要素がセラミツクを
コートされていないときに該ヒユーズと連通するように
設計されている。ヒユーズ要素導体がこの穴と連通でき
ることにより過負荷開放特性が強化される。
よつて大きい災害を最小の危険でもつてシヨート回路電
流を適切に阻止できる超小型のヒユーズを提供する必要
があつた。短かい耐久アーク時間を有する超小型のヒユ
ーズ装置は産業界において広く受入れられよう。
流を適切に阻止できる超小型のヒユーズを提供する必要
があつた。短かい耐久アーク時間を有する超小型のヒユ
ーズ装置は産業界において広く受入れられよう。
問題を解決するための手段 本発明によれば電気要素のための空間が限定されている
基本的回路板上で及びその他で使用するための超小型の
電気ヒユーズを提供する。このヒユーズ装置は、２つの
端子と、基体と、溶融可能な導体と、から成り、一体成
形のプラスチツク本体へ包囲されている。好ましい実施
例ではこの一体のプラスチツクハウジングは互いに締付
けられ超音波溶着でプラスチツクのリフローを生じた２
つのリツプを有している。この一体のハウジングは独立
した蓋と基部とを使用した公知の２体ハウジングに比し
驚くほど勝れていることが証明されている。この一体の
ハウジングは安全かつ迅速にアークを除去するために十
分な時間だけヒユーズの内圧を維持できる。
基本的回路板上で及びその他で使用するための超小型の
電気ヒユーズを提供する。このヒユーズ装置は、２つの
端子と、基体と、溶融可能な導体と、から成り、一体成
形のプラスチツク本体へ包囲されている。好ましい実施
例ではこの一体のプラスチツクハウジングは互いに締付
けられ超音波溶着でプラスチツクのリフローを生じた２
つのリツプを有している。この一体のハウジングは独立
した蓋と基部とを使用した公知の２体ハウジングに比し
驚くほど勝れていることが証明されている。この一体の
ハウジングは安全かつ迅速にアークを除去するために十
分な時間だけヒユーズの内圧を維持できる。
公知の超小型ヒユーズはシヨート回路電流を中断してい
る間中重大な欠陥の危険を伴なつている。この危険は長
時間のアーク中断の間中ヒユーズハウジング内に発生す
る圧力によつて発生している。しかして出来るだけ迅速
にアークを除去することが望ましくこれにより重大な欠
陥の危険を減じるのである。
る間中重大な欠陥の危険を伴なつている。この危険は長
時間のアーク中断の間中ヒユーズハウジング内に発生す
る圧力によつて発生している。しかして出来るだけ迅速
にアークを除去することが望ましくこれにより重大な欠
陥の危険を減じるのである。
本発明の多数のその他の利点・特徴は本発明の下記記載
及びその種々の具体例及び請求範囲及び添付図面から容
易に理解できよう。
及びその種々の具体例及び請求範囲及び添付図面から容
易に理解できよう。
本発明は、多くの異なる形態にて実施できるが、下記に
は本発明の好ましい具体的態様を詳細に図示により述べ
ている。しかしこの開示は本発明の原理の例示であり限
定的意味に解すべきだけではない。
は本発明の好ましい具体的態様を詳細に図示により述べ
ている。しかしこの開示は本発明の原理の例示であり限
定的意味に解すべきだけではない。
作 用 本発明の超小型ヒユーズは、２つの端子と、基材と、溶
融導体と、一体的ハウジングと、から成る。一体的ハウ
ジングはシールされており機械的強度を強化している。
これによりヒユーズの重大な欠陥の危険を減じている。
ヒユーズ端子の上部は指状の突起形状をなし溶融導体及
び基体へ機械的に結合できるようになつていてこれによ
り製作工程を容易化している。ある実施例では、溶融可
能な導体と、端子及び基材の隣接部とはセラミツクコー
テング材又は接合剤でコートされている。ハウジングは
超音波溶接又は望ましくはインサート成形したプラスチ
ツク包囲体状にシールされこれにより実質的に空気を絶
つている。
融導体と、一体的ハウジングと、から成る。一体的ハウ
ジングはシールされており機械的強度を強化している。
これによりヒユーズの重大な欠陥の危険を減じている。
ヒユーズ端子の上部は指状の突起形状をなし溶融導体及
び基体へ機械的に結合できるようになつていてこれによ
り製作工程を容易化している。ある実施例では、溶融可
能な導体と、端子及び基材の隣接部とはセラミツクコー
テング材又は接合剤でコートされている。ハウジングは
超音波溶接又は望ましくはインサート成形したプラスチ
ツク包囲体状にシールされこれにより実質的に空気を絶
つている。
実施例 図面を参照すると、第１図は本発明の超小型ヒユーズ１
０の具体例を示している。このヒユーズ１０は、第１端
子２０と、第２端子３０と、絶縁手段８０と、溶融可能
な導体１３０と、包囲体１７０と、から成つている。
０の具体例を示している。このヒユーズ１０は、第１端
子２０と、第２端子３０と、絶縁手段８０と、溶融可能
な導体１３０と、包囲体１７０と、から成つている。
２つの端子２０、３０は夫々上部４０と下部50とから成
る。下部５０は印刷回路（以下“PC”という）板へ差込
むようになつており該板上の所定位置即ちヒユーズ受入
部内へ溶着されている。下部５０は基本的に平坦であ
る。このような平坦な形状が望ましいのであるが、本発
明は円形断面導体の使用の如き他の形態も同様に使用出
来る。
る。下部５０は印刷回路（以下“PC”という）板へ差込
むようになつており該板上の所定位置即ちヒユーズ受入
部内へ溶着されている。下部５０は基本的に平坦であ
る。このような平坦な形状が望ましいのであるが、本発
明は円形断面導体の使用の如き他の形態も同様に使用出
来る。
端子停止部６０は各端子２０、３０の下部５０端から所
定距離だけはなれて位置されうる。これらの停止部６０
は止めとして使用しており、端子20、３０の下部５０が
ヒユーズ受入器内へ差込まれうる長さを制限している。
端子２０、３０が受入器内へ停止部６０まで差込まれる
と、ヒユーズ端子２０、３０と受入器内のコネクタとの
間の十分な接触が得られ所望の電気接触が得られる。こ
れらの停止部６０はまたヒユーズをPC板上へ直接溶着し
た場合にハウジング即ち包囲体１７０が、該PC板へ接触
することを防止している。プラスチツク製の止めを包囲
体１７０内へ成形することも出来、停止部６０と同様の
機能をなすように使用出来る。
定距離だけはなれて位置されうる。これらの停止部６０
は止めとして使用しており、端子20、３０の下部５０が
ヒユーズ受入器内へ差込まれうる長さを制限している。
端子２０、３０が受入器内へ停止部６０まで差込まれる
と、ヒユーズ端子２０、３０と受入器内のコネクタとの
間の十分な接触が得られ所望の電気接触が得られる。こ
れらの停止部６０はまたヒユーズをPC板上へ直接溶着し
た場合にハウジング即ち包囲体１７０が、該PC板へ接触
することを防止している。プラスチツク製の止めを包囲
体１７０内へ成形することも出来、停止部６０と同様の
機能をなすように使用出来る。
端子２０、３０の上部４０は２つ又はそれ以上の端子フ
インガ７０から成つている。これらのフインガ７０は第
３図によく示してある。これらの端子フインガは種々の
目的を有している。１つは製造工程中に絶縁手段即ち物
体８０の機械的保持を提供することである。各フインガ
７０は２つの曲状部分９０、１００から成る。各曲状部
分９０、100 はＳ字形状を形成している。これらのフイ
ンガ７０の端部は互いに対抗している各フインガの曲状
部分９０、100 により接合されている。全体形状はフオ
ーク形状をなしフインガ７０上の接触点100 にてばね圧
縮力を提供しこれにより絶縁手段８０を機械的に保持し
ている。各フインガ７０の先端120 は絶縁手段８０に関
して鋭角に配置してある。この角度は導体１３０が該先
端１２０と絶縁手段８０との間に嵌合するのに十分なよ
うに作られている。これにより導体１３０が端子フイン
ガ７０と絶縁手段８０との間に最小の応力によつて引込
まれることができるのである。導線１３０の直径が小さ
いのでその電位ひずみを減少即ち軽減する必要がある。
インガ７０から成つている。これらのフインガ７０は第
３図によく示してある。これらの端子フインガは種々の
目的を有している。１つは製造工程中に絶縁手段即ち物
体８０の機械的保持を提供することである。各フインガ
７０は２つの曲状部分９０、１００から成る。各曲状部
分９０、100 はＳ字形状を形成している。これらのフイ
ンガ７０の端部は互いに対抗している各フインガの曲状
部分９０、100 により接合されている。全体形状はフオ
ーク形状をなしフインガ７０上の接触点100 にてばね圧
縮力を提供しこれにより絶縁手段８０を機械的に保持し
ている。各フインガ７０の先端120 は絶縁手段８０に関
して鋭角に配置してある。この角度は導体１３０が該先
端１２０と絶縁手段８０との間に嵌合するのに十分なよ
うに作られている。これにより導体１３０が端子フイン
ガ７０と絶縁手段８０との間に最小の応力によつて引込
まれることができるのである。導線１３０の直径が小さ
いのでその電位ひずみを減少即ち軽減する必要がある。
好ましい実施例においては、端子２０、３０は銅合金で
作られる。しかし燐青銅、ベリリユーム青銅、その他の
導電性材料から成る合金などの他の材料もまた適当であ
る。好ましい具体例においては、銅合金導体は燐青銅に
近い引張強度を有している。この引張強度は望ましくは
銅の引張強度より大きくステンレス銅の引張強度よりは
小さい。
作られる。しかし燐青銅、ベリリユーム青銅、その他の
導電性材料から成る合金などの他の材料もまた適当であ
る。好ましい具体例においては、銅合金導体は燐青銅に
近い引張強度を有している。この引張強度は望ましくは
銅の引張強度より大きくステンレス銅の引張強度よりは
小さい。
端子２０、３０は導電体素材の平板をスタンピングする
ことにより作られる。第５図からわかるように、この方
法は３つの端子をもつフインガ70を形成するのに適当で
ある。
ことにより作られる。第５図からわかるように、この方
法は３つの端子をもつフインガ70を形成するのに適当で
ある。
導電体素材からスタンピングされた後、これらの端子２
０、３０にはすず又はすず鉛複合体がコートされ半田の
リフロー接合を形成する。この方法は半田のリフロー接
合を形成するのに必要なすず又はすず鉛複合体の量を最
小量とした。
０、３０にはすず又はすず鉛複合体がコートされ半田の
リフロー接合を形成する。この方法は半田のリフロー接
合を形成するのに必要なすず又はすず鉛複合体の量を最
小量とした。
導電体素材から３つの端子をもつフインガがスタンプ加
工された後中央のフインガ７０が両側の２つのフインガ
７０から分離され絶縁手段８０を受入れるためＵ字形状
のスロツトアダプタを形成する。３つのフインガは絶縁
手段８０を把持するために必要な機械的強度を提供する
ように作られるが、他にフインガを２個、４個更にはそ
れ以上形成することも出来る。
工された後中央のフインガ７０が両側の２つのフインガ
７０から分離され絶縁手段８０を受入れるためＵ字形状
のスロツトアダプタを形成する。３つのフインガは絶縁
手段８０を把持するために必要な機械的強度を提供する
ように作られるが、他にフインガを２個、４個更にはそ
れ以上形成することも出来る。
別の方法は端子２０、３０をスタンピング加工する前に
平坦な導電体素材の片面にすず又はすず鉛複合体をホー
トロールすることである。この方法は端子２０、３０を
スタンピング加工する前の平坦な導電体素材の片面へ対
するすず又はすず鉛複合体の量を最少化する。コートし
た導電体素材は半田クラツドと呼ばれる。
平坦な導電体素材の片面にすず又はすず鉛複合体をホー
トロールすることである。この方法は端子２０、３０を
スタンピング加工する前の平坦な導電体素材の片面へ対
するすず又はすず鉛複合体の量を最少化する。コートし
た導電体素材は半田クラツドと呼ばれる。
絶縁手段８０は２つの端子２０、３０を機械的に結合す
るために使用されている。この絶縁手段は平坦であり矩
形を有しほぼ箱形を有している。端子２０、３０間にお
ける絶縁手段の最小長は、所定のシステム電位及び余分
な電流により発生するアークを邪魔するのに必要なスパ
ーク間隔により決定される。しかしこの長さは製造行程
中の処理を容易にするため増大されよう。
るために使用されている。この絶縁手段は平坦であり矩
形を有しほぼ箱形を有している。端子２０、３０間にお
ける絶縁手段の最小長は、所定のシステム電位及び余分
な電流により発生するアークを邪魔するのに必要なスパ
ーク間隔により決定される。しかしこの長さは製造行程
中の処理を容易にするため増大されよう。
アーク遮断サイクルの間中にヒユーズハウジング内の温
度は約２０５゜Ｃ〜２６０゜Ｃ（４００゜Ｆ〜５００゜
Ｆ）になることがある。絶縁手段は端子２０、３０を機
械的に結合しかつ必要なスパーク間隔を維持する必要が
あるのでこの遮断サイクル中に絶縁体８が破損しないこ
とが重要である。絶縁手段のそのような破損はヒユーズ
の大きい欠陥を生じる。また電気的導体を支持するため
に高温度において炭化しない材料を使用することが重要
である。このため耐高温特性の材料が使用されねばなら
ない。好ましい実施例によれば、この絶縁手段８０はア
ルミナシリカ酸化物のようなセラミツク多結晶材料で作
られる。しかし、ガラス、ベリリウムセラミツク、マイ
カ及び有機フアイバなどの他の種々のセラミツク多結晶
材料もよい。
度は約２０５゜Ｃ〜２６０゜Ｃ（４００゜Ｆ〜５００゜
Ｆ）になることがある。絶縁手段は端子２０、３０を機
械的に結合しかつ必要なスパーク間隔を維持する必要が
あるのでこの遮断サイクル中に絶縁体８が破損しないこ
とが重要である。絶縁手段のそのような破損はヒユーズ
の大きい欠陥を生じる。また電気的導体を支持するため
に高温度において炭化しない材料を使用することが重要
である。このため耐高温特性の材料が使用されねばなら
ない。好ましい実施例によれば、この絶縁手段８０はア
ルミナシリカ酸化物のようなセラミツク多結晶材料で作
られる。しかし、ガラス、ベリリウムセラミツク、マイ
カ及び有機フアイバなどの他の種々のセラミツク多結晶
材料もよい。
絶縁手段８０を選択する場合のその他の重要な点は、こ
の手段が勝れた絶縁特性を有することである。絶縁性の
乏しい材料は遮断中に該絶縁手段８０を介して伝導が発
生するであろう。このことは、遮断時間が長いとよく生
じこのためヒユーズ１０の大きい欠陥となる。セラミツ
ク多結晶材料は、勝れた熱遮断物であると同時に勝れた
電気絶縁性を有しそのため絶縁手段８０の材料として使
用するのに適する。
の手段が勝れた絶縁特性を有することである。絶縁性の
乏しい材料は遮断中に該絶縁手段８０を介して伝導が発
生するであろう。このことは、遮断時間が長いとよく生
じこのためヒユーズ１０の大きい欠陥となる。セラミツ
ク多結晶材料は、勝れた熱遮断物であると同時に勝れた
電気絶縁性を有しそのため絶縁手段８０の材料として使
用するのに適する。
一つの実施例ではこの絶縁手段８０は１つ又はそれ以上
の穴１４０を有することができる。セラミツクは空気よ
りも勝れた熱伝導体であるので、空気へ対する溶融可能
導体130 の小部分の露出は所定の過負荷電流による溶融
時間の減少をもたらす。
の穴１４０を有することができる。セラミツクは空気よ
りも勝れた熱伝導体であるので、空気へ対する溶融可能
導体130 の小部分の露出は所定の過負荷電流による溶融
時間の減少をもたらす。
絶縁手段８０の各端１６０は金属化され、端子２０、３
０と溶融導体１３０とのための接続手段を形成してい
る。好ましい実施例ではこの金属化は銀によりなされ
る。
０と溶融導体１３０とのための接続手段を形成してい
る。好ましい実施例ではこの金属化は銀によりなされ
る。
勝れた電気的導体となすのに加え、この絶縁手段上に配
置される導電材料は非常に高密度を有しまた比較的容易
に加工できるものであることが好ましい。銀は窒素の存
在下で燃焼しなければならない銅と異なり空気中で燃焼
するので銀は好まれるのである。金のような他の導体材
料も絶縁手段のための導体材料として同様に好ましいも
のである。しかし価格の点で銀がよろしい。
置される導電材料は非常に高密度を有しまた比較的容易
に加工できるものであることが好ましい。銀は窒素の存
在下で燃焼しなければならない銅と異なり空気中で燃焼
するので銀は好まれるのである。金のような他の導体材
料も絶縁手段のための導体材料として同様に好ましいも
のである。しかし価格の点で銀がよろしい。
銀が絶縁手段の端部１６０へ沈着され火を通された後に
これらの端部は次に錫又は錫鉛の浴内につけられる。こ
れにより酸化が減少し半田のリフロー接合が形成される
のである。
これらの端部は次に錫又は錫鉛の浴内につけられる。こ
れにより酸化が減少し半田のリフロー接合が形成される
のである。
端子２０、３０上に沈着した半田のリフロー配合（例え
ば錫鉛）は、絶縁手段の端部１６０がどぶ付けされてい
る半田のリフロー配合と同様な溶融温度を有している。
溶融温度が同一又は同一に近似しているときは、半田接
合は絶縁端部１６０と接して端子２０、３０を配置し単
に熱を加えることにより得られる。何ら付加的半田を加
えることなく、半田接合は端子２０、３０及び絶縁手段
端部１６０上の半田のリフロー配合が溶融温度に達する
ときに発生し次いで冷却することができるのである。端
子２０、３０の接触点が絶縁手段80の各端１６０と同様
に完全に半田のリフロー配合によつておおわれるので半
田の接合は、たとえ外的半田材料が接合を形成するため
に付与されるよりもよりよく形成されよう。
ば錫鉛）は、絶縁手段の端部１６０がどぶ付けされてい
る半田のリフロー配合と同様な溶融温度を有している。
溶融温度が同一又は同一に近似しているときは、半田接
合は絶縁端部１６０と接して端子２０、３０を配置し単
に熱を加えることにより得られる。何ら付加的半田を加
えることなく、半田接合は端子２０、３０及び絶縁手段
端部１６０上の半田のリフロー配合が溶融温度に達する
ときに発生し次いで冷却することができるのである。端
子２０、３０の接触点が絶縁手段80の各端１６０と同様
に完全に半田のリフロー配合によつておおわれるので半
田の接合は、たとえ外的半田材料が接合を形成するため
に付与されるよりもよりよく形成されよう。
溶融可能な導体１３０が２つの端子２０、３０間を接続
し電気の流路を形成している。この導体の断面は使用さ
れる特定の導体材料により決定され、通常の電流はヒユ
ーズ１０を介して流れ、過度の電流は所望値で溶融す
る。この導体は針金、厚いフイルム、うすいフイルム、
その他の工業上の通常の形態に作られる。
し電気の流路を形成している。この導体の断面は使用さ
れる特定の導体材料により決定され、通常の電流はヒユ
ーズ１０を介して流れ、過度の電流は所望値で溶融す
る。この導体は針金、厚いフイルム、うすいフイルム、
その他の工業上の通常の形態に作られる。
ヒユーズ１０は保護されるべき装置と直列に配置される
のでヒユーズ１０は見せかけの欠陥なしで正規の電流を
運ぶことが望ましい。このため導体は溶融することなく
正規の電流を運ぶ寸法を有しなければならない。また特
定の導体材料の抵抗は考慮されねばならない。かなり低
い抵抗を有する導体は、高い抵抗を有する同一寸法の導
体よりも、溶融せずに、より多くの電流を運ぶことがで
きる。例えばニツケルは銅よりも高い抵抗を有してお
り、そのためもしニツケルを導体材料として使用した場
合には銅導体よりもニツケル導体の断面積を大きくしな
いと同量の電流を運ぶことはできない。
のでヒユーズ１０は見せかけの欠陥なしで正規の電流を
運ぶことが望ましい。このため導体は溶融することなく
正規の電流を運ぶ寸法を有しなければならない。また特
定の導体材料の抵抗は考慮されねばならない。かなり低
い抵抗を有する導体は、高い抵抗を有する同一寸法の導
体よりも、溶融せずに、より多くの電流を運ぶことがで
きる。例えばニツケルは銅よりも高い抵抗を有してお
り、そのためもしニツケルを導体材料として使用した場
合には銅導体よりもニツケル導体の断面積を大きくしな
いと同量の電流を運ぶことはできない。
導体寸法に影響を与える要素は他にもある。例えば導体
を介して電流を通すことにより生じる熱を放散する導体
の能力である。そのため熱を放散する導体の能力を減じ
るためのセラミツク絶縁手段８０には１つ又はそれ以上
の穴が設けられる。空気はセラミツク程に熱伝導性に勝
れてないので、過剰電流の際に溶融時間は減少する。穴
１４０は通常導体の中心と連通するように設けてある。
導体の中心はホツトスポツト即ち高温点となつている。
端子２０、３０へ取付けられている導体の端部は熱を端
子へ伝え、同様に伝達により熱を周辺空気中へ伝える。
このため中心部は導体のポツトスポツトとなるのであ
る。
を介して電流を通すことにより生じる熱を放散する導体
の能力である。そのため熱を放散する導体の能力を減じ
るためのセラミツク絶縁手段８０には１つ又はそれ以上
の穴が設けられる。空気はセラミツク程に熱伝導性に勝
れてないので、過剰電流の際に溶融時間は減少する。穴
１４０は通常導体の中心と連通するように設けてある。
導体の中心はホツトスポツト即ち高温点となつている。
端子２０、３０へ取付けられている導体の端部は熱を端
子へ伝え、同様に伝達により熱を周辺空気中へ伝える。
このため中心部は導体のポツトスポツトとなるのであ
る。
導体１３０は、絶縁手段の各端１６０と端子フインガ７
０の先端１２０との間に配置することにより両端子２
０、３０間を接続している。端子フインガ７０の内側と
絶縁手段各端１６０とに半田が付着しているため、導体
１３０は端子フインガ７０と該各端１６０とへ接触点を
加熱しかつそれを冷却することで固着され、こうして半
田のリフロー方法により半田接合を形成している。
０の先端１２０との間に配置することにより両端子２
０、３０間を接続している。端子フインガ７０の内側と
絶縁手段各端１６０とに半田が付着しているため、導体
１３０は端子フインガ７０と該各端１６０とへ接触点を
加熱しかつそれを冷却することで固着され、こうして半
田のリフロー方法により半田接合を形成している。
端子２０、３０、絶縁手段８０、導体１３０は組立体を
形成している。この組立体は１つの具体例によれば、第
１図によりよく示すような一体成形のプラスチツク製ボ
ツク状の包囲体即ちハウジング１７０内へ収容される。
この包囲体１７０はプラスチツク材料で作られ一般にボ
ツクス形状をなしている。この包囲体は４側面171 、17
2 、173 、174 と、頂面175 と、開放底部176 と、を有
している。２つの側面171 、172 はＶ形の切欠きを有し
ている。一方、他の２つの側面173 、174 はリツプ部17
7 、178 を有している。これらのリツプ部177 、178 は
厚いプラスチツク部分から成つている。
形成している。この組立体は１つの具体例によれば、第
１図によりよく示すような一体成形のプラスチツク製ボ
ツク状の包囲体即ちハウジング１７０内へ収容される。
この包囲体１７０はプラスチツク材料で作られ一般にボ
ツクス形状をなしている。この包囲体は４側面171 、17
2 、173 、174 と、頂面175 と、開放底部176 と、を有
している。２つの側面171 、172 はＶ形の切欠きを有し
ている。一方、他の２つの側面173 、174 はリツプ部17
7 、178 を有している。これらのリツプ部177 、178 は
厚いプラスチツク部分から成つている。
包囲体１７０はヒユーズ組立体上部へおかれる。次にこ
れらのリツプ部がかしめられ同時に超音波溶接される。
この超音波溶接方法はプラスチツクの再溶融をもたら
し、包囲体の底部を形成しシールする。側面171 、172
のＶ形切欠はリツプ部177 、178 が互いに引寄せられる
ことを可能としている。こうして一体のシールした包囲
体が第２図に示すようにヒユーズ組立体周辺に形成され
る。この一体のシールした包囲体１７０の使用は重大な
ヒユーズの欠陥の危険を減じている。導体１３０が溶融
温度に達すると、導体１３０は迅速に蒸発しプラズマを
形成する。このプラズマはイオン及び電子とガス（通常
空気）とから成つている。導体１３０が溶融すると同時
に端子20、30間にはアークが発生する。一旦アークが発
生すると包囲体１７０内の圧力が増大する。この包囲体
１７０内の圧力上昇はプラズマ中の電荷された粒子の種
動を制限する。アークを消失しかつ余分な電流を満足に
阻止するために必要な時間を減少するためには電荷され
た粒子の移動を減少することは重要である。
れらのリツプ部がかしめられ同時に超音波溶接される。
この超音波溶接方法はプラスチツクの再溶融をもたら
し、包囲体の底部を形成しシールする。側面171 、172
のＶ形切欠はリツプ部177 、178 が互いに引寄せられる
ことを可能としている。こうして一体のシールした包囲
体が第２図に示すようにヒユーズ組立体周辺に形成され
る。この一体のシールした包囲体１７０の使用は重大な
ヒユーズの欠陥の危険を減じている。導体１３０が溶融
温度に達すると、導体１３０は迅速に蒸発しプラズマを
形成する。このプラズマはイオン及び電子とガス（通常
空気）とから成つている。導体１３０が溶融すると同時
に端子20、30間にはアークが発生する。一旦アークが発
生すると包囲体１７０内の圧力が増大する。この包囲体
１７０内の圧力上昇はプラズマ中の電荷された粒子の種
動を制限する。アークを消失しかつ余分な電流を満足に
阻止するために必要な時間を減少するためには電荷され
た粒子の移動を減少することは重要である。
これまで蓋部と基部との２部分から成る包囲体が使用さ
れた。これらの２部分から成る包囲体は中断時に包囲体
内にて生じる圧力上昇によつて漏れを生じた。この包囲
体からの漏れは包囲体内の圧力減少を生じ、この結果プ
ラズマ中の荷電粒子の移動を増大した。この結果、ヒユ
ーズ端子間にはかなり低い抵抗伝導通路を発生した。こ
のためアークを阻止するための消失時間を延ばす結果と
なつていた。そこでこの問題は困難なものとなつてい
た。アーク時間の延長はヒユーズの重大な欠陥を結びつ
く高圧力を生じる。かなり小さいスパーク間隔（ヒユー
ズ端子間距離）のため、この問題は特に超小型ヒユーズ
において激しい。
れた。これらの２部分から成る包囲体は中断時に包囲体
内にて生じる圧力上昇によつて漏れを生じた。この包囲
体からの漏れは包囲体内の圧力減少を生じ、この結果プ
ラズマ中の荷電粒子の移動を増大した。この結果、ヒユ
ーズ端子間にはかなり低い抵抗伝導通路を発生した。こ
のためアークを阻止するための消失時間を延ばす結果と
なつていた。そこでこの問題は困難なものとなつてい
た。アーク時間の延長はヒユーズの重大な欠陥を結びつ
く高圧力を生じる。かなり小さいスパーク間隔（ヒユー
ズ端子間距離）のため、この問題は特に超小型ヒユーズ
において激しい。
本発明に開示されている包囲体１７０は包囲体の機械的
強度を増大することでこの問題を解決している。包囲体
は単体をなしかつ一体物から成り、超音波溶接によりシ
ールされているので、実質的に均質な一体シール製包囲
体を形成し中断によつて発生する圧力に耐えることがで
き、これにより重大なヒユーズの欠陥を減じている。
強度を増大することでこの問題を解決している。包囲体
は単体をなしかつ一体物から成り、超音波溶接によりシ
ールされているので、実質的に均質な一体シール製包囲
体を形成し中断によつて発生する圧力に耐えることがで
き、これにより重大なヒユーズの欠陥を減じている。
第６及び７図は別の好ましい実施例を示す。この実施は
第１〜４図に示す超小型ヒユーズの短絡動程（Short Ci
rcuit Performance）を更に改良している。この実施例
はこれまで述べたと同様のヒユーズ組立体から成り、そ
の後にこの組立体は高温セラミツク又はセラミツク接合
体１８０のような絶縁コーテングをコートされている。
次にこのセラミツクコートされた組立体は、一体的包囲
体又はプラスチツク成形型中に差込まれうる。次にこの
型内に、通常単位平方吋当り数1000ポンドの溶融プラス
チツクが注入され、型内に圧縮され、該組立体周囲に均
質な一体的包囲体１９０を形成する。このため空気は混
入していない。この包囲体成形方法はインサート成形と
して知られている。
第１〜４図に示す超小型ヒユーズの短絡動程（Short Ci
rcuit Performance）を更に改良している。この実施例
はこれまで述べたと同様のヒユーズ組立体から成り、そ
の後にこの組立体は高温セラミツク又はセラミツク接合
体１８０のような絶縁コーテングをコートされている。
次にこのセラミツクコートされた組立体は、一体的包囲
体又はプラスチツク成形型中に差込まれうる。次にこの
型内に、通常単位平方吋当り数1000ポンドの溶融プラス
チツクが注入され、型内に圧縮され、該組立体周囲に均
質な一体的包囲体１９０を形成する。このため空気は混
入していない。この包囲体成形方法はインサート成形と
して知られている。
このセラミツクコーテング１８０及びインサート成形ハ
ウジング１９０は中断中のアーク抵抗を増大することに
よりヒユーズの短絡動程を改良している。このことはプ
ラズマの圧力増加又は温度減少により達成できる。
ウジング１９０は中断中のアーク抵抗を増大することに
よりヒユーズの短絡動程を改良している。このことはプ
ラズマの圧力増加又は温度減少により達成できる。
セラミツクコーテング１８０はまた中断中の金属蒸気を
吸収しアークプラズマ温度を減じる。絶縁コーテングの
固形内部は、圧縮される円筒形室即ち空間は非常に僅か
である。この空間は、溶融可能な導体１５０の蒸発前に
この導体によつて占められている容積により画定されて
いる。アークにより発生するガスはそのような僅かな空
所内に含まれねばならないので、例えば米国特許第4,41
7,226に示すような、空気充満ハウジング内におけるよ
りもアーク溝内の部分的圧力内においてより大となる。
こうして迅速に明瞭化する回路中断が得られる。更にこ
のセラミツク１８０は、また包囲体１９０と連通してい
るのでプラスチツク製の包囲体190 、１７０をアークの
高温から断絶する作用をする。このことはアークの再衝
突により発生できるプラスチツクの炭化を減じている。
吸収しアークプラズマ温度を減じる。絶縁コーテングの
固形内部は、圧縮される円筒形室即ち空間は非常に僅か
である。この空間は、溶融可能な導体１５０の蒸発前に
この導体によつて占められている容積により画定されて
いる。アークにより発生するガスはそのような僅かな空
所内に含まれねばならないので、例えば米国特許第4,41
7,226に示すような、空気充満ハウジング内におけるよ
りもアーク溝内の部分的圧力内においてより大となる。
こうして迅速に明瞭化する回路中断が得られる。更にこ
のセラミツク１８０は、また包囲体１９０と連通してい
るのでプラスチツク製の包囲体190 、１７０をアークの
高温から断絶する作用をする。このことはアークの再衝
突により発生できるプラスチツクの炭化を減じている。
別の具体例が第８及び９図に示してある。前述と同様に
このヒユーズ組立体は絶縁コーテング１８０でコートさ
れている。次いでこのコートされた組立体は包囲体１９
０として機能するエポキシでコートされる。
このヒユーズ組立体は絶縁コーテング１８０でコートさ
れている。次いでこのコートされた組立体は包囲体１９
０として機能するエポキシでコートされる。
このように新規な超小型ヒユーズ及びそれを作る方法を
ここに開示した。このヒユーズ及びそれを作る方法は、
これまでの作業及び自動製造技術へ容易に適用されう
る。更にこの発明は特定の具体例に関して述べたが上記
記載に照らし当業者に明らかな別の具体例変形例がある
ことは明らかである。よつてかかる変形例、改良例等は
添付の請求の範囲の精神に属するかぎり、この発明の意
図するところのものである。
ここに開示した。このヒユーズ及びそれを作る方法は、
これまでの作業及び自動製造技術へ容易に適用されう
る。更にこの発明は特定の具体例に関して述べたが上記
記載に照らし当業者に明らかな別の具体例変形例がある
ことは明らかである。よつてかかる変形例、改良例等は
添付の請求の範囲の精神に属するかぎり、この発明の意
図するところのものである。
第１図は本発明による超小型ヒユーズの分解斜視図、第
２図は第１図に示す超小型ヒユーズの斜視図、第３図は
第１図に示す超小型ヒユーズの側面図、第４図は第１図
に示す超小型ヒユーズの断面図、第５図は第１図に示す
超小型ヒユーズのヒユーズ端子の正面図、第６図は本発
明によるヒユーズの好ましい具体例の正面図、第７図は
第６図に示すヒユーズの側面図、第８図は本発明による
超小型ヒユーズの別の具体側の正面図、第９図は第８図
に示す超小型ヒユーズの側面図である。 符号の説明 １０：超小型ヒユーズ、２０：第１端子 ３０：第２端子、４０：上部、５０：下部 ６０：端子停止部、７０：端子フインガ ８０：絶縁手段、130 ：導体、140 ：穴 170 ：包囲体、176 ：開放底部、177 、178 ：リツプ
部、180 ：セラミツクコーテング 190 ：包囲体
２図は第１図に示す超小型ヒユーズの斜視図、第３図は
第１図に示す超小型ヒユーズの側面図、第４図は第１図
に示す超小型ヒユーズの断面図、第５図は第１図に示す
超小型ヒユーズのヒユーズ端子の正面図、第６図は本発
明によるヒユーズの好ましい具体例の正面図、第７図は
第６図に示すヒユーズの側面図、第８図は本発明による
超小型ヒユーズの別の具体側の正面図、第９図は第８図
に示す超小型ヒユーズの側面図である。 符号の説明 １０：超小型ヒユーズ、２０：第１端子 ３０：第２端子、４０：上部、５０：下部 ６０：端子停止部、７０：端子フインガ ８０：絶縁手段、130 ：導体、140 ：穴 170 ：包囲体、176 ：開放底部、177 、178 ：リツプ
部、180 ：セラミツクコーテング 190 ：包囲体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭50−54860（ＪＰ，Ａ) 実開 昭57−204647（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭58−20463（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭56−92347（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭53−146042（ＪＰ，Ｕ) 米国特許3962782（ＵＳ，Ａ)
Claims (43)
- 【請求項１】夫々が上部４０と下部５０とを有しかつ互
いに離れている第１端子２０及び第２端子３０と、両端
子間に電気的に接続されている溶融可能な導体１３０
と、を有する電気回路保護装置１０であって、 絶縁手段８０が、第１端子２０を第２端子３０から電気
的にかつ熱的に断絶するため両端子２０、３０の上部４
０にのみ接触し、かつ第１端子２０と第２端子３０とを
所定距離だけ互いに引きはなして保持しており、 該絶縁手段８０と溶融可能な導体１３０と第１端子２０
及び第２端子３０の上部４０との組合せが組立体を構成
しており、 一般的な包囲体１７０が該組立体を収容し、該第１端子
２０及び第２端子３０の下部５０が該包囲体１７０から
外方に伸長している、 ことを特徴とする電気回路保護装置１０。 - 【請求項２】一体的包囲体がエポキシ又は成形プラスチ
ックから成ることを特徴とする特許請求の範囲第１項に
記載の電気回路保護装置。 - 【請求項３】組立体を覆っている絶縁材料が粘着性物体
から成ることを特徴とする特許請求の範囲第２項に記載
の電気回路保護装置。 - 【請求項４】一体的な包囲体が実質的に空気を含まない
プラスチック製ハウジングから成ることを特徴とする特
許請求の範囲第１又は２項に記載の電気回路保護装置。 - 【請求項５】第１端子の上部が複数のフィンガから成
り、これらのフィンガがフォーク状の形状に配置されて
おり、かつ絶縁手段を受入れかつ該絶縁手段に関して該
第１端子を位置づけていることを特徴とする特許請求の
範囲第１〜４項の１に記載の電気回路保護装置。 - 【請求項６】溶融可能な導体が、フィンガの１つと絶縁
手段との間に配置されていることを特徴とする特許請求
の範囲第１〜５項の１に記載の電気回路保護装置。 - 【請求項７】絶縁手段が両端部を有し、前記第１端子及
び第２端子が該絶縁手段の両端部の間に配置され、かつ
その両端部中間に少なくとも１つの穴を有し、導体の一
部が該絶縁手段内の当該穴によって担持されていること
を特徴とする特許請求の範囲第１〜６項の１に記載の電
気回路保護装置。 - 【請求項８】第１端子及び第２端子の下部が平坦でかつ
２つの端部を形成していることを特徴とする特許請求の
範囲第１〜７項の１に記載の電気回路保護装置。 - 【請求項９】第１端子の下部が停止手段を有しており、
該停止手段が該第１端子の一端から所定の距離まで該下
部から突出し該第１端子からの距離を制限しており、か
つ第２端子がプリント回路基板へ差込み可能となってい
ることを特徴とする特許請求の範囲第１〜８項の１に記
載の電気回路保護装置。 - 【請求項１０】包囲体が一体的に成形したプラスチック
製の立上手段を有しこれにより第１端子と第２端子とが
プリント回路基板へ差込まれる距離を制限していること
を特徴とする特許請求の範囲第１〜８項の１に記載の電
気回路保護装置。 - 【請求項１１】絶縁手段が概ね箱形の矩形形状を有して
いることを特徴とする特許請求の範囲第１〜１０項の１
に記載の電気回路保護装置。 - 【請求項１２】絶縁手段の縁部が金属で覆われておりこ
れにより第１端子及び第２端子の半田付けを容易にして
いることを特徴とする特許請求の範囲第１〜１１項の１
に記載の電気回路保護装置。 - 【請求項１３】第１端子の上部のフィンガが、半田合金
被覆金属材料で覆われていることを特徴とする特許請求
の範囲第５〜１１項の１に記載の電気回路保護装置。 - 【請求項１４】一体的包囲体の断面が実質的に本来的に
１つの開放端と周辺を封止された組立体とを有する矩形
をなしていることを特徴とする特許請求の範囲第１〜１
３項の１に記載の電気回路保護装置。 - 【請求項１５】一体的包囲体の前記開放端が超音波溶接
によって互いに封止されていることを特徴とする特許請
求の範囲第１４項に記載の電気回路保護装置。 - 【請求項１６】一体的包囲体が箱形構造をなし、該箱形
構造が２つの対向配置した対をなす面であって一般に矩
形の前記２つの対をなす面間に開口を形成している面を
有し、前記対をなす面の１つがＶ形切欠を有し、これら
の切欠が互いに対向して配置されており、前記開口が２
つのリップ部を形成しており、これらのリップ部が互い
に対向して配置してありかつ該開口を封止するため互い
に近接して配置されていることを特徴とする特許請求の
範囲第１〜１５項の１に記載の電気回路保護装置。 - 【請求項１７】絶縁手段が両端子を平行関係に保持しか
つ保護装置がプリント回路基板のためのものであること
を特徴とする特許請求の範囲第１〜１６項の１に記載の
電気回路保護装置。 - 【請求項１８】夫々が上部と下部とを有する第１端子及
び第２端子と、両端子間に電気的に接続されている溶融
可能な導体と、を有する電気回路保護装置であって、 絶縁手段が、第１端子を第２端子から電気的にかつ熱的
に断絶するための両端子の上部にのみ接触し、かつ第１
端子と第２端子とを所定距離だけ互いに引き離なして保
持しており、 該絶縁手段と溶融可能な導体と第１端子及び第２端子の
上部との組合せが組立体を構成しており、 該組立体が電気的絶縁材料で覆われている、 ことを特徴とする電気回路保護装置。 - 【請求項１９】前記組立体を収容するための一体的な包
囲体を有していることを特徴とする特許請求の範囲第１
８項に記載の電気回路保護装置。 - 【請求項２０】組立体を覆っている絶縁材料がセラミッ
ク又はガラス材料であり、絶縁手段がセラミック又はガ
ラス材料であることを特徴とする特許請求の範囲第１８
又は１９項に記載の電気回路保護装置。 - 【請求項２１】一体的包囲体がエポキシ又は成形プラス
チックから成ることを特徴とする特許請求の範囲第１８
〜２０項の１に記載の電気回路保護装置。 - 【請求項２２】組立体を覆っている絶縁材料が粘着性物
体から成ることを特徴とする特許請求の範囲第１８〜２
１項の１に記載の電気回路保護装置。 - 【請求項２３】一体的な包囲体が実質的に空気を含まな
いプラスチック製ハウジングから成ることを特徴とする
特許請求の範囲第１９〜２１項の１に記載の電気回路保
護装置。 - 【請求項２４】第１端子の上部が複数のフィンガから成
り、これらのフィンガがフォーク状の形状に配置されて
おり、かつ絶縁手段を受入れかつ該絶縁手段に関して該
第１端子を位置づけていることを特徴とする特許請求の
範囲第１８〜２３項の１に記載の電気回路保護装置。 - 【請求項２５】溶融可能な導体が、フィンガの１つと絶
縁手段との間に配置されていることを特徴とする特許請
求の範囲第１８〜２４項の１に記載の電気回路保護装
置。 - 【請求項２６】絶縁手段が両端部を有し、前記第１端子
及び第２端子が該絶縁手段の両端部の間に配置され、か
つその両端部中間に少なくとも１つの穴を有し、導体の
一部が該絶縁手段内の当該穴によって担持されているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１８〜２５項の１に記
載の電気回路保護装置。 - 【請求項２７】第１端子及び第２端子の下部が平坦でか
つ２つの端部を形成していることを特徴とする特許請求
の範囲第１８〜２６項の１に記載の電気回路保護装置。 - 【請求項２８】第１端子の下部が停止手段を有してお
り、該停止手段が該第１端子の一端から所定の距離まで
該下部から突出し該第１端子からの距離を制限してお
り、かつ第２端子がプリント回路基板へ差込み可能とな
っていることを特徴とする特許請求の範囲第１８〜２７
項の１に記載の電気回路保護装置。 - 【請求項２９】包囲体が一体的に成形したプラスチック
製の立上手段を有しこれにより第１端子と第２端子とが
プリント回路基板へ差込まれる距離を制限していること
を特徴とする特許請求の範囲第１９〜２７項の１に記載
の電気回路保護装置。 - 【請求項３０】絶縁手段が概ね箱形の矩形形状を有して
いることを特徴とする特許請求の範囲第１８〜２９項の
１に記載の電気回路保護装置。 - 【請求項３１】絶縁手段の縁部が金属で覆われておりこ
れにより第１端子及び第２端子の半田付けを容易にして
いることを特徴とする特許請求の範囲第１８〜３０項の
１に記載の電気回路保護装置。 - 【請求項３２】第１端子の上部のフィンガが、半田合金
被覆金属材料で覆われていることを特徴とする特許請求
の範囲第１８〜３０項の１に記載の電気回路保護装置。 - 【請求項３３】一体的包囲体の断面が実質的に本来的に
１つの開放端と周辺を封止された組立体とを有する矩形
をなしていることを特徴とする特許請求の範囲第１９〜
３２項の１に記載の電気回路保護装置。 - 【請求項３４】一体的包囲体の前記開放端が超音波溶接
によって互いに封止されていることを特徴とする特許請
求の範囲第３３項に記載の電気回路保護装置。 - 【請求項３５】一体的包囲体が箱形構造をなし、該箱形
構造が２つの対向配置した対をなす面であって一般に矩
形の前記２つの対をなす面間に開口を形成している面を
有し、前記対をなす面の１つがＶ形切欠を有し、これら
の切欠が互いに対向して配置されており、前記開口が２
つのリップ部を形成しており、これらのリップ部が互い
に対向して配置してありかつ該開口を封止するため互い
に近接して配置されることを特徴とする特許請求の範囲
第１９〜３４項の１に記載の電気回路保護装置。 - 【請求項３６】絶縁手段が両端子を平行関係に保持しか
つ保護装置がプリント回路基板のためのものであること
を特徴とする特許請求の範囲第１８〜３５項の１に記載
の電気回路保護装置。 - 【請求項３７】超小型ヒューズの製造方法であって： 夫々が上部と下部とを有し、上部がフィンガを有してい
る２つの端子提供すること； ２つの端子を相互に位置づけること； これらの端子のフィンガ間へ絶縁手段を配置し各端子が
前記絶縁手段の端部を保持するように組立てること； 両端子の隣接フィンガ間にヒューズコンダクタを接続し
組立体を形成すること； 該組立体を一体のハウジング内に包囲すること； から成ることを特徴とする超小型ヒューズの製造方法。 - 【請求項３８】組立体が絶縁材料で実質的に覆われてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第３７項に記載の超
小型ヒューズの製造方法。 - 【請求項３９】組立体が中空包囲体へ差し込まれかつ該
包囲体を絶縁物質で満たしていることを特徴とする特許
請求の範囲第３８項に記載の超小型ヒューズの製造方
法。 - 【請求項４０】前記両端子が、ほぼ平行をなしかつ前記
フィンガの内面に半田合金被覆金属を有しているブレー
ドタイプの端子であり、絶縁手段がセラミック基材であ
り、該セラミック基材が前記端子のフィンガへ接触する
金属化した端部を有し、ヒューズコンダクタが２つの端
部を有し、このヒューズコンダクタが前記被覆金属と基
材との間にコンダクタを配置することによる半田のリフ
ローによって前記端子へ接続されていることを特徴とす
る特許請求の範囲第３７〜３９項の１に記載の超小型ヒ
ューズの製造方法。 - 【請求項４１】超小型ヒューズの製造方法であって： 夫々が上部と下部とを有し、上部がフィンガを有してい
る２つの端子を提供すること； ２つの端子を相互に位置づけ、上部においてのみこれら
のフィンガ間へ絶縁手段を配置すること； 各端子が前記絶縁手段の端部を保持するよう端子をもた
らすこと； 両端子の隣接フィンガ間にヒューズコンダクタを接続し
組立体を形成すること； 少なくともヒューズコンダクタの一部を絶縁材料で覆う
こと； から成ることを特徴とする超小型ヒューズの製造方法。 - 【請求項４２】組立体が中空包囲体へ差し込まれかつ該
包囲体を絶縁物質で満たしていることを特徴とする特許
請求の範囲第４１項に記載の超小型ヒューズの製造方
法。 - 【請求項４３】前記両端子が、ほぼ平行をなしかつ前記
フィンガの内面に半田合金被覆金属を有しているブレー
ドタイプの端子であり、絶縁手段がセラミック基材であ
り、該セラミック基材が前記端子のフィンガへ接触する
金属化した端部を有し、ヒューズコンダクタが２つの端
部を有し、このヒューズコンダクタが前記被覆金属と基
材との間にコンダクタを配置することによる半田のリフ
ローによって前記端子へ接続されていることを特徴とす
る特許請求の範囲第４１又は４２項に記載の超小型ヒュ
ーズの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/715,799 US4612529A (en) | 1985-03-25 | 1985-03-25 | Subminiature fuse |
| US715799 | 1985-03-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61259430A JPS61259430A (ja) | 1986-11-17 |
| JPH0628129B2 true JPH0628129B2 (ja) | 1994-04-13 |
Family
ID=24875530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61067010A Expired - Lifetime JPH0628129B2 (ja) | 1985-03-25 | 1986-03-25 | 電気回路保護装置及び製法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4612529A (ja) |
| JP (1) | JPH0628129B2 (ja) |
| DE (1) | DE3609455C2 (ja) |
| GB (1) | GB2173054A (ja) |
Families Citing this family (45)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4751489A (en) * | 1986-08-18 | 1988-06-14 | Cooper Industries, Inc. | Subminiature fuses |
| US4924203A (en) * | 1987-03-24 | 1990-05-08 | Cooper Industries, Inc. | Wire bonded microfuse and method of making |
| US4771260A (en) * | 1987-03-24 | 1988-09-13 | Cooper Industries, Inc. | Wire bonded microfuse and method of making |
| US5262750A (en) * | 1989-06-02 | 1993-11-16 | Cooper Industries, Inc. | Ceramic coating material for a microfuse |
| US4926153A (en) * | 1989-06-02 | 1990-05-15 | Cooper Industries, Inc. | Ceramic fuse wire coating |
| US4988969A (en) * | 1990-04-23 | 1991-01-29 | Cooper Industries, Inc. | Higher current carrying capacity 250V subminiature fuse |
| US5363082A (en) * | 1993-10-27 | 1994-11-08 | Rapid Development Services, Inc. | Flip chip microfuse |
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| US5974661A (en) * | 1994-05-27 | 1999-11-02 | Littelfuse, Inc. | Method of manufacturing a surface-mountable device for protection against electrostatic damage to electronic components |
| US5790008A (en) * | 1994-05-27 | 1998-08-04 | Littlefuse, Inc. | Surface-mounted fuse device with conductive terminal pad layers and groove on side surfaces |
| US5552757A (en) * | 1994-05-27 | 1996-09-03 | Littelfuse, Inc. | Surface-mounted fuse device |
| US5668521A (en) * | 1995-03-22 | 1997-09-16 | Littelfuse, Inc. | Three piece female blade fuse assembly having fuse link terminal with a clip receiving portion |
| US5581225A (en) * | 1995-04-20 | 1996-12-03 | Littelfuse, Inc. | One-piece female blade fuse with housing |
| DE19601612A1 (de) * | 1996-01-18 | 1997-07-24 | Wickmann Werke Gmbh | Verfahren zum Befestigen eines ersten Teils aus Metall oder Keramik an einem zweiten Teil aus Metall oder Keramik |
| US5977860A (en) * | 1996-06-07 | 1999-11-02 | Littelfuse, Inc. | Surface-mount fuse and the manufacture thereof |
| US5699032A (en) * | 1996-06-07 | 1997-12-16 | Littelfuse, Inc. | Surface-mount fuse having a substrate with surfaces and a metal strip attached to the substrate using layer of adhesive material |
| US5886612A (en) * | 1997-10-20 | 1999-03-23 | Littelfuse, Inc. | Female fuse housing |
| US5929740A (en) * | 1997-10-20 | 1999-07-27 | Littelfuse, Inc. | One-piece female blade fuse with housing and improvements thereof |
| US7034652B2 (en) * | 2001-07-10 | 2006-04-25 | Littlefuse, Inc. | Electrostatic discharge multifunction resistor |
| WO2003007452A1 (en) * | 2001-07-10 | 2003-01-23 | Littelfuse, Inc. | Electrostatic discharge apparatus for network devices |
| US7385475B2 (en) * | 2002-01-10 | 2008-06-10 | Cooper Technologies Company | Low resistance polymer matrix fuse apparatus and method |
| US7570148B2 (en) * | 2002-01-10 | 2009-08-04 | Cooper Technologies Company | Low resistance polymer matrix fuse apparatus and method |
| US7436284B2 (en) * | 2002-01-10 | 2008-10-14 | Cooper Technologies Company | Low resistance polymer matrix fuse apparatus and method |
| US6878004B2 (en) * | 2002-03-04 | 2005-04-12 | Littelfuse, Inc. | Multi-element fuse array |
| US7132922B2 (en) | 2002-04-08 | 2006-11-07 | Littelfuse, Inc. | Direct application voltage variable material, components thereof and devices employing same |
| US7183891B2 (en) | 2002-04-08 | 2007-02-27 | Littelfuse, Inc. | Direct application voltage variable material, devices employing same and methods of manufacturing such devices |
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