JPH0628224B2 - 露光方法および装置 - Google Patents

露光方法および装置

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JPH0628224B2
JPH0628224B2 JP60240452A JP24045285A JPH0628224B2 JP H0628224 B2 JPH0628224 B2 JP H0628224B2 JP 60240452 A JP60240452 A JP 60240452A JP 24045285 A JP24045285 A JP 24045285A JP H0628224 B2 JPH0628224 B2 JP H0628224B2
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exposure
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雅夫 小杉
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    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716Stages
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
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    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の分野] 本発明は、半導体製造用として好適な特に、大口径基板
用の露光方法および該方法の実施により小口径基板に兼
用した場合のディメリットを少なくした露光装置に関す
る。
[発明の背景] 半導体製造に用いられる露光装置としてステッパと呼ば
れる装置が知られている。このステッパは、基板例えば
半導体ウエハを投影レンズ下でステップ移動させなが
ら、原板すなわちレチクル上に形成されているパターン
像を投影レンズで縮小して1枚のウエハ上の複数箇所に
順次露光して行くものである。ステッパは、解像度およ
び重ね合せ精度等の性能面から、これからのアライナ
(露光装置)の主流と見られている。
このようなアライナで処理される半導体ウエハのサイズ
は製品である半導体デバイスの種類に応じて多様化して
いる。つまり、MOSメモリのような少品種大量生産デ
バイスでは、バッチ処理によるウエハ1枚当りの取得デ
バイス数を増やしてコストの低減を図るため、大口径の
半導体ウエハを用いている。この方面における半導体ウ
エハのサイズは、現在φ6″(φ 150mm)が主流である
が、1987年にはφ8″〜10″(φ 200mm〜250mm)にな
るものと見込まれている。
一方、ゲートアレイ等の少量多品種生産デバイスでは、
半導体ウエハのサイズはφ3″〜φ4″に止まってい
る。また、最近注目されているGaAsを基板とするF
ETや発光素子などは結晶技術の困難なことから最大φ
3″である。
このような現状から、現在、口径8″〜10″の半導体ウ
エハに対応し得るステッパで、しかも、φ3″〜φ4″
の半導体ウエハに用いた場合でも従来のφ3″〜φ4″
用露光装置に対してディメリットの少ない露光装置の実
現が切望されている。
しかし、従来のφ3″〜φ4″用露光装置を単にφ8″
〜φ10″用にサイズアップしただけではφ3″〜φ4″
用として用いる場合以下の問題点が生じる。
すなわち、 XYステージのストロークはウエハサイズの3〜4倍
が必要であるが、このストローク増加によりこのXYス
テージ等を含む移動ステージのサイズが増大する。
従って、サイズアップ前のものと同じ精度を保証する
ことが困難になる。また、同じ精度を保証するにはガイ
ド等の剛性を上げる必要がある。
そのため、ステージ重量はさらに大きくなり、 ステージ重量とステージ移動時の加速度による振動対
策としてレンズ保持等の構造体の強化が必要で、 移動マスの増加による立ち上げおよび立ち下げ速度減
や振動増加による位置決め時間増等のため距離送りおよ
び位置決めに時間が掛る。
XYステージのコストアップ、装置全体のサイズ増加
および装置全体のコスストアップが無視できない。
等である。
これらのことが、従来装置を単にサイズアップしただけ
のφ8″〜φ10″用装置をφ3″〜φ4″またはφ5″
等の小口径ウエハ用として共用した場合に、専用機例え
ばφ3″ウエハ専用機と比べて 装置が大きすぎる(,,) 価格が高すぎる(,) スループットが低下する() ということになり、ユーザに取って多大の不利益とな
り、負担となる。
[発明の目的] 本発明の目的は、大口径基板に対して特に有効な露光方
法およびこの方法を実施する大口径基板の処理が可能
で、かつ小口径基板用に兼用してディメリットの少ない
露光装置を提供することにある。具体的には、多様化す
る感光性基板のサイズに同一の露光装置で対応でき、か
つ小サイズ基板の処理においても上述の不利益をユーザ
に負担させないようなコンパクトな露光装置を提供する
こと、および大口径ウエハにとって有利なウエハハンド
リング方法を提供することである。
この「ウエハハンドリング方法が有利」とは、例えば、 ウエハの交換時間を短縮しスループットを向上させる ウエハの平面矯正にとって有利なチャック−ハンド間
の受け渡し方法である ウエハの搬送経路を最小限にし、装置のコンパクト化
を図る XYステージに載せるウエハ方向に自由度をもたせる ウエハのリトライができる こと等である。
[発明の概要および効果] 上記目的を達成するため本発明では、基板とXYステー
ジの位置関係を1枚の基板の露光途中で移し換え、基板
を複数の領域に分けて露光すること、および、この基板
の移し換えは、XYステージから前記基板を取り上げて
両者を分離した状態で両者の相対的な位置関係の変更を
行い、この後両者の相対的な位置関係が変更された状態
で前記基板を再度前記XYステージに搭載することによ
り行うことを特徴とする。
これにより、XYステージのストロークを小さくし、装
置を無理なくコンパクトに構成することができる。
また、本発明の一つの実施態様においては、鏡筒定盤を
ベースとしてステージ側に吊り下げたアームを構成し、
これを有効利用する。すなわち、ウエハ移し換えの時は
ウエハの一時保持アームとし、ステージ上のウエハを交
換する場合は露光済ウエハの一時保持アームとして利用
する。
[実施例の説明] 以下、図面を用いて本発明の実施例を説明する。
第1図は、本発明の一実施例に係る半導体露光装置(ス
テッパ)のウエハ受け渡し位置におけるウエハステージ
とその近傍の概略構成を示す。同図の装置のレチクルス
テージ、投影レンズおよびTTLアライメント光学系等
は特に図示しないが、これらは従来の例えばφ3″ウエ
ハ用ステッパと同様に構成されているものとする。
同図において、WDは基盤で、この基盤WD上には、Y
方向に移動可能なステージWYとX方向に移動可能なス
テージWXとθ回転およびZ方向に移動(昇降)可能な
ステージθZからなるウエハステージが搭載されてい
る。ステージWYとステージWXとはXYステージを構
成する。また、基盤WD上には上記投影レンズ等他の構
造物も搭載または固定されている。
MX,MYはレーザ干渉計を用いたレーザ測長系の光学
スクウエア、HAはウエハ供給・回収用のハンド、HB
は小口径ウエハ回収用のハンド、HCはウエハ移し換え
用のハンド、W1,W2はウエハ、WCはウエハチャッ
クである。ウエハチャックWCには、ハンドHBがチャ
ックWCから直接ウエハを回収する際、ウエハの裏面側
にハンドHBが侵入可能であるようにハンド逃げ部L
L,LRを左右に設けてある。また、ハンドHCはチャ
ックWC上からウエハを取り上げるためのフィンガ部F
G、このフィンガ部FGを昇降および回転するためのア
ームAM等からなる。アームAMの回転中心は取り上げ
るウエハW1に対して偏心させてある。
第2図は、ウエハチャックWCの上面図およびA−A断
面図である。このチャックWCには上面に直線状の吸着
溝Gが多数設けてあり、これらの吸着溝を適宜グループ
分けして各グループごとにニップルD1,D2,D3を
介して別系統の真空が供給されるようになっている。こ
れらのグループは、このチャックWCに搭載するウエハ
サイズに応じ、また、そのウエハをチャックWCで移し
換えた場合にもニップルD1またはD3のいずれかに接
続されたグループの吸着溝全部とニップルD2に接続さ
れたグループの吸着溝全部とが常にウエハに覆われるよ
うに設定してある。なお、吸着溝で構成されるパターン
は、チャックWCに搭載するウエハのサイズおよび移し
換えた場合の状態に合せて、ウエハが常に良好に保持さ
れ、かつ平面矯正されるならば任意に定めることができ
る。また、このチャックWCはウエハを線で支持してい
るが、ウエハを点で支持するいわゆるピンチャック構成
にしてもよく、また、吸着溝の代りに多数の吸着孔を設
けてウエハを面支持するようにしてもよい。
第3図は第1図の装置の各動作段階を示す説明図であ
る。同図において、RTはレチクル、POは投影レンズ
である。
次に、上記構成に係る露光装置の動作を説明する。ここ
では、第4図に示すように、XYステージの可動領域T
Eをφ3″ウエハ専用機と同等の200mm×230mm(Yステ
ージWYの可動距離230mm、XステージWXの可動距離2
00mm)、投影レンズPOの有効画面をφ20mmとし、5mm
×16mmの実素子パターンをφ10″ウエハ上にできるだけ
多く形成する場合について説明する。投影レンズPOの
有効画面がφ20mmであるから、レチクルRT上に2個分
の実素子パターンを形成しておき、1回の露光で実素子
パターン2個(10mm×16mm)ずつを焼き付けることで、
スループットの向上を図る。また、従来の露光方法では
ウエハW1をXYステージにどのように搭載しても全面
に実素子パターンを焼き付けることは不可能である。従
って、ここでは、第4図に示すように、ウエハの露光面
をそれぞれXYステージの可動領域に含まれる2つの領
域に分割して一方の領域を露光後、XYステージに対す
るウエハの位置を移し換えて他方の領域を露光する。こ
のようにウエハ上を2つの領域に分割して露光する場合
の処理し得るウエハの最大径は第4図からも明らかなよ
うにXYステージの矩形の可動領域の対角ストローク
と、1回で露光する領域TEのサイズとにより定まる。
レチクルRT等を設定後、露光開始が指令されると、こ
の露光装置は図示しないCPUの制御の下に以下の分割
露光動作を開始する。
すなわち、先ず、チャックWCを長径方向が第4図の可
動領域の対角線a〜aの方向に一致するように傾けた状
態で、図示しないウエハキャリアからウエハW1を取り
出してハンドHAによりチャックWC上に載置する(第
3図a)。この時のチャックWCに対するウエハW1の
位置関係を第2図に二点鎖線で示す。ハンドHAは、ハ
ンドHCにウエハW2が保持されていれば、そのウエハ
を受け取って搬出する(第3図b)。
続いて、XYステージを移動し、ウエハW1の第1領域
の第1ショツトS11を投影レンズPOの下に送り込んで
露光し(第3図b)、以下、XYステージを送りながら
順次S12、S13、…というように第4図の分割線DLの
右側の第1領域の全ショツトをステップ・アンド・リピ
ートで露光して行く。この露光動作と並行してハンドH
Cを180゜回転し第3図cの状態にしておく。
第1領域の露光を終了すると、XYステージを受け渡し
位置側(図面右方向)へ移動させ、その途中でチャック
WC上のウエハW1をハンドHCに取り上げる(第3図
c)。そして、XYステージが受け渡し位置に達する
(第3図d)と、ハンドHCを降下させてウエハW1を
再度チャックWC上に載置し、チャックWC側をウエハ
W1の第2領域の下に位置させる(第3図e)。この状
態で上記同様にXYステージを移動し、ウエハW1の第
2領域の第1ショツトS21を投影レンズPOの下に送り
込んで露光し(第3図f)、以下、S22、S23、…とい
うように第4図の分割線DLの左側の第2領域の全ショ
ツトをステップ・アンド・リピートで露光する。これら
の露光動作と並行してハンドHAには新たな未露光ウエ
ハW2が供給されている(第3図f)。
このようにしてウエハ全面の露光を終了すると、XYス
テージを受け渡し位置まで移動させて、そこでチャック
WC上の露光済ウエハW1をハンドHCに取り上げる
(第3図g)。そして、ハンドHAからは未露光ウエハ
W2がチャックWC上に持ち来たらされ(第3図h)、
同時にハンドHCが180゜回転されて、未露光ウエハW
1、露光済ウエハをW2で示す第3図(a)の状態に戻
る。
このようにハンドHAによるチャックWCからのウエハ
搬出時は、先ず、ハンドHCがチャックWCから露光済
ウエハを取り上げ、さらに180゜回転してこの露光済ウ
エハをハンドHA側に差し出す状態となるため、チャッ
クWCはハンドHAを逃げるための切欠が不要であり、
ウエハをより広い範囲ですなわちより安定に支持するこ
とができる。また、ウエハ回収用のハンド(特に大口径
ウエハ用ハンド)が不要であるため、装置の小型化に役
立つ。
この装置において、チャックWC内に嵌まり込む大き
さ、つまり口径がチャックWCの短径例えばφ5″以下
のウエハは、ハンドHBでXYステージより直接回収す
るようにしている。これにより、小口径ウエハを処理す
る場合のハンドHCの交換または設定時の手間を省き、
小口径ウエハについては小口径ウエハ専用機と同様の使
い勝手を実現している。
この装置においては、1枚のウエハ露光中にウエハの移
し換えを行なっており、この分の時間的ロスが発生す
る。しかし、10インチフルストロークのXYステージと
8インチフルストロークのXYステージとでは前述した
ようにそのマス等のため10″の装置の方が同一距離のス
テップ時間は長い。例えば10mm当りのステップ時間は
8″の装置が0.4秒とすれば、10″の装置では、0.5秒に
なる。従って、第4図のφ10″ウエハの場合、ショット
数は250であるから、ウエハ1枚当りのステップ時間は
8″の装置が100秒、10″の装置では125秒となる。つま
り、8″の装置では、10秒の載せ換え時間を見込んで
も、ウエハ1枚当りの処理時間はまだ10″の装置より15
秒も短いことになる。
[変形例] なお、上述の実施例においては、チャックWCをX軸お
よびY軸に対して約45゜、正確にはXYステージの可動
領域の対角線a〜aに平行となるように、傾けている
が、分割線DLをXまたはY軸に平行に設定し得る場
合、つまり、上述においてφ230mm以下のウエハを処理
する場合については必ずしも傾ける必要はない。
また、上述においてはX軸およびY軸に対してチャック
WCを傾けているが、チャックWCは長径をX軸と平行
または直角にセットした状態で、ウエハ上のチップ配列
の方を傾けるようにしてもよい(第4図c参照)。この
場合、ウエハの主なステップ送りはXステージとYステ
ージとを同時に駆動して送ることができるため、従来の
Xステージのみで送る場合に比べてXステージとYステ
ージの速度が合成された速い速度となり、スループット
の向上に役立つ。つまり、XステージとYステージとの
速度比が4:3であれば上記チップ配列をX軸に対しθ
=tan-1(3/4)傾けた場合が速度5となり、最も速
くなる。
また上述においては、露光途中のウエハ移し換え時、ウ
エハを単純に昇降し、この昇降の間のXYステージの移
動量分だけウエハをずらすようにしているが、1つの領
域の露光を終了したウエハを投影レンズPOの像面平面
と平行な方向に回転成分無しに移動する機構をXYステ
ージの上方に設け、この機構により上記移し換えを行な
うようにしてもよい。
さらに、上述のハンドHBでウエハを回収する際にハン
ドHCによりXYステージからウエハを取り上げ、次に
このハンドHCを90゜回転してハンドHBに引渡すよう
にすればチャックWCのハンド逃げ部LR,LLは不要
となり、ウエハをより広い範囲ですなわちより安定に支
持することができる。
[他の実施例] 上述の実施例においては、チャックWCはXYステージ
上に載置したままウエハのみをXYステージに着脱(搬
入、搬出および移し換え)しているが、ウエハをチャッ
クに固定した状態でチャックごと一体としてXYステー
ジ着脱することも可能である。この場合、同一形状の2
個のチャックを用意して、一方がXYステージ上にある
とき他方はウエハ搬送系中にあるようにしておけば、供
給回収兼用ハンドHAによる未露光ウエハと露光ウエハ
との交換も問題無く実施することができる。
第5図は、ウエハWとウエハチャックWCとを一体化し
たままXYステージへの着脱(搬入(交換)→第1領域
露光→移し換え→第2領域露光→搬出(交換))を行な
う場合の動作説明図である。この動作は、ウエハWとチ
ャックWCとが常に一体であることを除いては第3図の
ウエハのみを着脱する場合と全く同様に行なわれる。
このようにウエハWとチャックWCとを一体化して扱う
メリットは、ウエハを単独でハンドリングする場合に比
べてウエハ損傷の可能性が減ること、およびチャックW
Cの外形寸法を一定にすれば、ハンドHCおよび後述す
る第9図のハンドHA等の機構部分をウエハ寸法に合わ
せて交換または設定し直す必要がないことである。
第6図は、この一体化着脱に用いるためのチャックの一
例を示す。同図において、チャックWCはウエハWの口
径より直径のやや大きい円盤状に構成されている。N
R,NLはウエハを不図示のウエハキャリアに対して出
し入れする際などにチャックWCから分離して受け渡し
するための切欠である。また、このチャックWCは直径
方向に突出させてウエハに覆われないようにした部分P
R,PLが設けてあり、この突出部PR,PLにそれぞ
れ位置合せ用AR,ALが設けられている。このマーク
AR,ALとウエハ上のアライメントマークにより、ウ
エハとチャックとの相対位置関係を搬送系等において予
め計測しておけば、XYステージに載置した際、このマ
ークAR,ALを参照することにより、ウエハの位置合
せをより高速かつ高精度に行なうのに役立つ。また、露
光途中におけるウエハとチャックの一体化移し換えに先
立ってチャック上の位置合せマークAR,ALと装置側
またはレチクル側基準マーク(不図示)とXYステージ
の位置関係を読み取りこの値を記憶するとともに、移し
換えの後、再度マークAR,ALと測置側または上記レ
チクル側基準マークとXYステージの位置関係を読み取
り、移し換え前後の誤差を算出して回転成分はθZステ
ージによりこれを修正し、XY成分についてはこれをオ
フセット値としてXYステージの位置に加味した上、ウ
エハ上の未露光領域を露光するようにすれば、これもス
ループットの向上に役立つ。
第7図は、前記一体化着脱式の他の実施例を示す。同図
において、HAはウエハチャックWC交換用ハンド、H
CはチャックWC昇降用ハンドである。動作は、第5図
に示したのと全く同様である。なお、ハンドHAはステ
ージWXYに対するウエハおよびチャック交換をウエハ
チャックWCを側面で保持して軸ASを中心に回転する
ことにより、実現している。
搬送系において、未露光ウエハW0は供給キャリアSC
から取り出されて不図示のプリアライメント位置でプリ
アライメント後位置決めされて待機しているウエハチャ
ックWC0上に載置された後、ウエハW0とWC0との
一体物としてハンドHAに引き渡される。また、ハンド
HAより受け取った露光済ウエハはチャックとともに所
定の位置まで搬送された後、チャックから分離され回収
キャリアRC内に収納される。
第8図は、上記一体化着脱に好適なハンドHC、チャッ
クWCおよびステージWSの構造を模式的に示したもの
である。ウエハWおよびチャックWCをハンドHCに引
き渡す場合は、ハンドHCのゴムパッキンP1の開口部
でチャックWCの表面の孔H1を覆い、チューブT1を
介して真空を供給する。すると、管路U1、パッキンP
1、管路U2および吸着孔H2が減圧され、チャックW
Cは吸着孔H2でウエハWを吸着したままパッキンP1
でハンドHCに吸着される。なお、この場合のチャック
WCによるウエハWの吸着は、ウエハWとチャックWC
との一体化が崩れない程度に実現されれば足りるから、
吸着孔H2はここではウエハWの周辺部に小数が設けて
ある。
一方、ウエハWおよびチャックWCをステージWSに引
き渡す場合は、ステージWSのゴムパッキンP2の開口
部でチャックWCの裏面の孔H3を覆った状態で、チュ
ーブT2を介して真空を供給する。すると、チューブT
2からパッキンP2および管路U3を介して吸着孔H4
が減圧され、チャックWCは吸着孔H4でウエハWを吸
着したままパッキンP2でステージWSに吸着される。
なお、この場合のチャックWCによるウエハWの吸着
は、ウエハWを平面矯正する程度のものが好ましいの
で、吸着孔H4はウエハWの裏面全体に渡って設けてあ
る。チャックWCには、必要に応じてさらに別の真空吸
着系例えば側面に開口を有するハンドHA用のものを設
けることも可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例に係る半導体露光装置の要
部概観図、 第2図は、第1図におけるウエハチャックの拡大上面図
およびそのA−A断面図、 第3図は、第1図の装置の動作説明図、 第4図は、第1図の装置で露光するウエハのチップ配置
図および有効露光面内の実素子パターン配置図、 第5図は、本発明の他の実施例の装置の動作説明図、 第6図は、第5図の装置で用いられるウエハチャックの
斜視図、 第7図は、本発明のさらに他の実施例に係る半導体露光
装置の概略上面図、 第8図は、第5または7図の装置に用いて好適なウエハ
チャック、移し換えハンドおよびXYステージの構造説
明図である。 RT:レチクル、PO:投影レンズ、 WY:Y方向移動ステージ、 WX:X方向移動ステージ、 θZ:θZステージ、WXY:XYステージ、 HA:ウエハ供給・回収用ハンド、 HB:小口径ウエハ回収用ハンド、 HC:ウエハ移し換え用ハンド、AM:アーム、 W,W1,W2:ウエハ、DL:分割線、 S11,S12,…,S21,S22,…:ショット、 WC:ウエハチャック、 AR,AL:位置合せ用マーク、 G:吸着溝、D1,D2,D3:ニップル。

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】感光性薄膜を有する基板をXYステージに
    搭載し、前記XYステージで前記基板をステップ移動さ
    せることにより投影レンズで縮小投影される原板のパタ
    ーンを前記基板上の複数ショットのそれぞれに順次露光
    して行くステップアンドリピート方式の露光方法であっ
    て、前記基板上面を予め複数の領域に分割し、先ず1つ
    の領域に対して前記ステップアンドリピート方式による
    一連の露光を行い、この後前記XYステージから前記基
    板を取り上げて両者を分離した状態で両者の相対的な位
    置関係の変更を行い、この後両者の相対的な位置関係が
    変更された状態で前記基板を再度前記XYステージに搭
    載し、前記基板上の未露光の領域に対して前記ステップ
    アンドリピート方式による一連の露光を行うことを特徴
    とする露光方法。
  2. 【請求項2】前記基板のサイズが前記XYステージの可
    動領域でカバーし得るサイズより大きい場合に適用され
    る特許請求の範囲第1項記載の露光方法。
  3. 【請求項3】投影レンズと、前記投影レンズの物体面側
    に原板を保持するプレートと、前記原板を照明する照明
    手段と、前記投影レンズの像面に感光性薄膜を有する基
    板を保持するチャックと、前記チャックを搭載して前記
    像面と平行方向に移動可能なXYステージとを有し、前
    記原板の前記投影レンズによる投影像を前記XYステー
    ジを送りながら前記基板上に繰返し露光して行くステッ
    プアンドリピート型の露光装置であって、 前記XYステージから前記基板を取り上げて両者を分離
    した状態で両者の相対的な位置関係の変更を行い、この
    後両者の相対的な位置関係が変更された状態で前記基板
    を再度前記XYステージに搭載する基板移し換え手段
    と、前記基板上の一部領域に一連の繰返し露光を行なわ
    せ、かつ前記相対位置関係の変更と前記基板上の未露光
    領域の一部または全部に対する一連の繰返し露光とを必
    要回数繰返して行なわせる分割繰返し露光制御手段とを
    具備することを特徴とする露光装置。
  4. 【請求項4】前記XYステージの可動領域でカバーし得
    るサイズより小さい基板については通常の繰返し露光を
    行ない、大きい基板については前記基板上を複数領域に
    分割して前記分割繰返し露光を行なう特許請求の範囲第
    3項記載の露光装置。
  5. 【請求項5】前記基板上を2つの領域に分割して露光す
    る場合の処理し得る基板の最大径が、前記XYステージ
    の矩形の可動領域の対角ストロークと、1回で露光する
    領域のサイズとを加えた値である特許請求の範囲第3ま
    たは4項記載の露光装置。
  6. 【請求項6】前記基板に焼付けるチップの配列方向が、
    前記XYステージのXおよびYの走り方向に対して90
    ゜の整数倍以外の角度を有する特許請求の範囲第3〜5
    項のいずれか1つに記載の露光装置。
  7. 【請求項7】前記チップの配列方向が、前記XYステー
    ジの矩形の可動領域の対角線に平行である特許請求の範
    囲第6項記載の露光装置。
  8. 【請求項8】前記基板移し換え手段が、前記XYステー
    ジ上の基板を交換する際の搬出基板一時保持装置を兼
    ね、露光済基板を前記移し換え手段により取り上げた後
    のXYステージへの未露光基板搬入および前記移し換え
    手段からの露光済基板の搬出を単一のハンドで行なう特
    許請求の範囲第7項記載の露光装置。
  9. 【請求項9】前記基板移し換え手段が、基板を偏心して
    取り上げ保持し、前記XYステージの基板に対する相対
    位置変更時は前記基板を回転および偏位させることなく
    垂直に昇降するとともに、基板交換時は180゜回転し
    て前記露光済基板を前記ハンド側に偏位させる特許請求
    の範囲第8項記載の露光装置。
  10. 【請求項10】前記基板移し換え手段が、前記XYステ
    ージ上方に設けられ、前記一連の露光終了後の基板を前
    記像面平面と平行な方向に回転成分無しに移動する機構
    からなる特許請求の範囲第3〜7項のいずれか1つに記
    載の露光装置。
  11. 【請求項11】前記基板移し換え手段が、前記基板を前
    記チャックに固定したまま前記XYステージに対しチャ
    ックごと一体として脱着するものである特許請求の範囲
    第3〜10項のいずれか1つに記載の露光装置。
  12. 【請求項12】前記チャックが、表面の前記基板で覆わ
    れない部分に位置合せ用マークを有する特許請求の範囲
    第11項記載の露光装置。
  13. 【請求項13】前記基板とチャックの一体化移し換えに
    先立ってチャック上の複数点の位置合せマークと装置側
    または原板側基準マークと前記XYステージの位置関係
    を読み取ってこの値を記憶するとともに、前記移し換え
    の後、再度複数点の位置合せマークと装置側または原板
    側基準マークと前記XYステージの位置関係を読み取
    り、移し換え前後の誤差を算出して回転成分は回転機構
    によりこれを修正し、XY成分についてはこれをオフセ
    ット値として前記XYステージの位置に加味した上、前
    記基板上の未露光領域を露光する特許請求の範囲第12
    項記載の露光装置。
  14. 【請求項14】同一形状の2個のチャックを有し、一方
    が前記XYステージ上にあるとき他方は前記基板の搬送
    系中にあり、基板交換時には前記基板とチャックを一体
    として交換する特許請求の範囲第11〜13項のいずれ
    か1つに記載の露光装置。
  15. 【請求項15】前記チャックが、前記XYステージを移
    動することにより基板を露光可能な領域およびその近傍
    にのみ該基板を支持する面、線または点を有する特許請
    求の範囲第3〜14項のいずれか1つに記載の露光装
    置。
  16. 【請求項16】前記チャックが、表面の前記基板で覆わ
    れる部分にのみ配設された前記基板を保持および平面矯
    正するための吸着溝と、該吸着溝に真空を供給するため
    の管路を有する特許請求の範囲第15項記載の露光装
    置。
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