JPH0628369B2 - 固体撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置

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Publication number
JPH0628369B2
JPH0628369B2 JP59165221A JP16522184A JPH0628369B2 JP H0628369 B2 JPH0628369 B2 JP H0628369B2 JP 59165221 A JP59165221 A JP 59165221A JP 16522184 A JP16522184 A JP 16522184A JP H0628369 B2 JPH0628369 B2 JP H0628369B2
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JP
Japan
Prior art keywords
photoelectric conversion
charge transfer
solid
imaging device
state imaging
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP59165221A
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JPS6143067A (ja
Inventor
正 青木
博邦 中谷
基弘 小島
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は固体撮像装置の中でも、特に複数個のチップを
配列した長尺の密着型イメージセンサに関する。
従来例の構成とその問題点 近年、一次元固体撮像素子を多チップ配列して原稿と同
じサイズにした所謂密着型イメージセンサの開発が活発
に進められており、一部実用化のレベルに達してきてい
る。第1図は従来のCCD一次元固体撮像装置の概略図
を示したものであり、第2図は第1図の構造の中で電荷
の通過する通路の要部を示したものである。第1図及び
第2図に於て、(1)は光電変換部、(2)は光電変換部(1)
に蓄積された電荷を一定期間蓄積させた後にCCDシフ
トレジスタ(3)に転送するシフトゲート、(4)はCCDの
インプットソース、(5)は出力部である。この様な従来
の素子では、転送部あるいは入出力部が端の画素(1e)よ
りも外側に飛び出している。このため上記従来のチップ
を複数個並べて原稿と同じサイズにした所謂密着型イメ
ージセンサを作った場合、画素を画素の配列方向に間断
なく並べるためには第3図の様に千鳥配列になってしま
う。
このような千鳥配列の密着型イメージセンサでは、千鳥
配列のため画素ラインがずれているのをメモリー回路で
補正したり、光学系も複雑になるのでコストアップの要
因ともなっている。
発明の目的 本発明は直線配列の可能なより安価な固体撮像装置を提
供することを目的とする。
発明の構成 本発明の固体撮像装置は、複数個の光電変換部を配列し
たチップ上に電荷転送部を配設して一次元固体撮像素子
を構成すると共に、前記電荷転送部を前記光電変換部と
ピッチが等しい部分と前記光電変換部よりピッチが小さ
い部分とで構成し、電荷転送部の光電変換部よりピッチ
が小さい部分と光電変換部の配列の両端側に対応した状
態で配置して、電荷転送部を複数個の光電変換部の全幅
以内の位置に収容したことを特徴とする。
また、特許請求の範囲第1項の電荷転送部を、入出力部
と光電変換部に対応して配列されたシフトレジスタと配
線とで構成し、出力側の前記シフトレジスタをこの配列
の軸に対して45度の角度で折り曲げたことを特徴とす
る。
実施例の説明 以下、本発明の一実施例を第4図〜第6図に基づいて説
明する。第4図は本発明の一実施例に於る一次元CCD
撮像装置の概略図を示したものであり、第5図は第4図
の構造の中で電荷の通過する通路の要部を示したもので
ある。第4図及び第5図に於て、(1)はそれぞれ光電変
換部、(2)は各光電変換部(1)に蓄積された電荷を一定期
間蓄積させた後、CCDシフトレジスタ(3)に転送する
シフトゲート、(4)はCCDのインプットソース、(5)は
出力部である。この第4図及び第5図の本実施例の素子
では、入出力部を含む電荷転送部Aは、光電変換部(1)
のピッチPと等しいピッチで配列された部分と光電変換
部(1)のピッチPより小さいピッチで配列された部分と
で構成され、電荷転送部Aの光電変換部(1)のピチPよ
り小さいピッチで配列された部分が光電変換部(1)の配
列の両端側に対応した状態で配置され、電荷転送部Aは
チップ端の画素(1e)よりも内側、つまり、光電変換部
(1)の全幅L以内の同一チップ上に収容されている。
電荷転送部Aの部分によるピッチの違いについて、第5
図に基づいて具体的に説明する。第5図において、左右
端部付近の形状が両端部間で左右対称であるので、ここ
では、端部付近の形状については左側に対してのみ説明
する。P,Pa1,Pa2,Pa3はそれぞれ光電変換
部(1)のピッチであり、それぞれが等しくなるように形
成されている。2a,2b,2c,2dはそれぞれ各光
電変換部(1)と電荷転送部Aのシフトレジスタ(3)とを接
続する配線である。n1はピッチPa2に対する配線2
cとシフトレジスタ(3)との接続点のずれであり、n2
はピッチPa3に対する配線2dとシフトレジスタ(3)
との接続点のずれである。ここでは、n1とn2は等し
くなるように形成されている。Pb1,Pb2は、それ
ぞれ配線2b,2c,2dとシフトレジスタ(3)との接
続点の間のピッチであり、配線2b,2c,2dが接続
されたシフトレジスタ(3)のピッチであり、さらには、
電荷転送部Aのピッチでもある。L1の範囲において
は、各光電変換部(1)とシフトレジスタ(3)とは、各光電
変換部(1)の中央から真下方向に下ろされた配線2a,
2bにより接続されている。したがって、この範囲の電
荷転送部Aは、光電変換部(1)とピッチが等しく形成さ
れている。L2の範囲においては、ピッチPb1はピッ
チPa2からずれn1だけ減算した値になり、ピッチP
b2はピッチPa3からずれn2だけ減算した値にな
る。したがって、この範囲の電荷転送部Aは、光電変換
部(1)よりピッチが小さく形成されている。
この構成により、電荷転送部Aを光電変換部(1)の全幅
L以内の位置に収容しつつ、電荷転送部Aと光電変換部
(1)との幅を対応させようとした場合に発生する電荷転
送部Aの形状の複雑化が軽減できる。そのため、設計時
間の増大およびマスク作成のコストアップも軽減でき
る。
さらに、上記のように形成された電荷転送部Aにおい
て、第5図に示すように、シフトレジスタ(3)は、この
出力側でシフトレジスタ(3)の配列軸Sに対して出力部
5の方向に45度の角度で折り曲げられて出力部5に接
続されている。
この構成により、電荷転送部Aを光電変換部(1)の全幅
L以内の位置に収容しつつ、シフトレジスタ(3)を折り
曲げた場合に発生するこの部分の幅対長さの比率の減少
による電荷の転送効率の低下が軽減できる。特に高速駆
動時に顕著な効果が得られる。従って、本実施例の素子
を複数個並べて密着型固体撮像装置を作る場合には、第
6図に示すような構造となり、直線上配列が可能とな
る。
発明の効果 以上説明のように本発明の固体撮像装置は、電荷転送部
の両端側だけに光電変換部よりピッチが小さい部分を形
成したことにより、電荷転送部を光電変換部の全幅以内
の位置に収容しつつ、電荷転送部と光電変換部との幅を
対応させようとした場合に発生する電荷転送部の形状の
複雑化が軽減できる。そのため、設計時間の増大および
マスク作成のコストアップも軽減できる。
さらに、上記の電荷転送部の出力側のシフトレジスタ
を、この配列の軸に対して45度の角度で折り曲げたこ
とにより、電荷転送部を光電変換部の全幅以内の位置に
収容しつつ、シフトレジスタを折り曲げた場合に発生す
るこの部分の幅対長さの比率の減少による電荷の転送効
率の低下が軽減できる。特に高速駆動時に顕蓄な効果が
得られる。
これらのため、チップの直線上配列が可能となり、従来
のようにメモリー回路での煩雑な補正を必要とせずより
安価な固体撮像装置を得ることができ、その実用的効果
は大なるものがある。
【図面の簡単な説明】 第1図及び第2図は従来の一次元CCD固体撮像素子の
概略図、第3図は従来の一次元固体撮像素子を複数個並
べた密着型撮像装置の平面図、第4図及び第5図は本発
明の固体撮像素子の一実施例の概略図、第6図は本実施
例の一次元固体撮像素子を複数個並べた密着型撮像装置
の平面図である。 (1)……光電変換部、(2)シフトゲート、(3)……シフト
レジスタ、(4)インプットソース、(5)……出力部、A,
B……チップ、L……光電変換部の全幅

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】複数個の光電変換部を配列したチップ上に
    電荷転送部を配設して一次元固体撮像素子を構成すると
    共に、前記電荷転送部を前記光電変換部とピッチが等し
    い部分と前記光電変換部よりピッチが小さい部分とで構
    成し、電荷転送部の光電変換部よりピッチが小さい部分
    を光電変換部の配列の両端側に対応した状態で配置し
    て、電荷転送部を複数個の光電変換部の全幅以内の位置
    に収容した固体撮像装置。
  2. 【請求項2】電荷転送部を、入出力部と光電変換部に対
    応して配列されたシフトレジスタと配線とで構成し、出
    力側の前記シフトレジスタをこの配列の軸に対して45
    度の角度で折り曲げたことを特徴とする特許請求の範囲
    第1項記載の固体撮像装置。
JP59165221A 1984-08-07 1984-08-07 固体撮像装置 Expired - Lifetime JPH0628369B2 (ja)

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JP59165221A JPH0628369B2 (ja) 1984-08-07 1984-08-07 固体撮像装置

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JP59165221A JPH0628369B2 (ja) 1984-08-07 1984-08-07 固体撮像装置

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JPS6143067A JPS6143067A (ja) 1986-03-01
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JP59165221A Expired - Lifetime JPH0628369B2 (ja) 1984-08-07 1984-08-07 固体撮像装置

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ITTO20120415A1 (it) * 2012-05-09 2013-11-10 Alenia Aermacchi Spa Impianto industriale e procedimento per la produzione di un prodotto industriale, in particolare per un componente o un sitema aeronautico.

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JPS5957563A (ja) * 1982-09-27 1984-04-03 Toshiba Corp 固体リニアイメ−ジセンサ

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