JPH06283864A - 多層配線構造の形成方法 - Google Patents
多層配線構造の形成方法Info
- Publication number
- JPH06283864A JPH06283864A JP6861793A JP6861793A JPH06283864A JP H06283864 A JPH06283864 A JP H06283864A JP 6861793 A JP6861793 A JP 6861793A JP 6861793 A JP6861793 A JP 6861793A JP H06283864 A JPH06283864 A JP H06283864A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- insulating film
- interlayer insulating
- film
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 58
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 58
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 66
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 25
- 239000004088 foaming agent Substances 0.000 claims description 15
- -1 naphthoquinonediazide compound Chemical class 0.000 claims description 6
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 abstract description 8
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 abstract description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229940126639 Compound 33 Drugs 0.000 abstract 2
- PNUZDKCDAWUEGK-CYZMBNFOSA-N Sitafloxacin Chemical compound C([C@H]1N)N(C=2C(=C3C(C(C(C(O)=O)=CN3[C@H]3[C@H](C3)F)=O)=CC=2F)Cl)CC11CC1 PNUZDKCDAWUEGK-CYZMBNFOSA-N 0.000 abstract 2
- IYUOYLLVOZNGKW-UHFFFAOYSA-N 2-azidonaphthalene-1,4-dione Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(N=[N+]=[N-])=CC(=O)C2=C1 IYUOYLLVOZNGKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 83
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- QVEIBLDXZNGPHR-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,4-dione;diazide Chemical class [N-]=[N+]=[N-].[N-]=[N+]=[N-].C1=CC=C2C(=O)C=CC(=O)C2=C1 QVEIBLDXZNGPHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229920000292 Polyquinoline Polymers 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 235000013405 beer Nutrition 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 樹脂で構成された層間絶縁膜の比誘電率を多
層配線構造を形成する際に制御できる方法を提供する。 【構成】 ポリイミド樹脂にナフトキノンジアジド化合
物３３を混入させたものの膜３５を、基板３１上に形成
する。この試料を２５０〜４００℃の温度で加熱してポ
リイミド樹脂の層３５を硬化させる。 【効果】 ポリイミド樹脂の膜３５を硬化させるための
熱処理においてナフトキノンジアジド化合物が分解し窒
素ガスを発するのでこれによりポリイミド樹脂の膜３５
は発泡する。この結果、空隙３７ａを有する層間絶縁膜
３７が得られる。ナフトキノンジアジド化合物３３の添
加量を制御することで空隙３７ａの数を制御して層間絶
縁膜３７の比誘電率を制御する。
層配線構造を形成する際に制御できる方法を提供する。 【構成】 ポリイミド樹脂にナフトキノンジアジド化合
物３３を混入させたものの膜３５を、基板３１上に形成
する。この試料を２５０〜４００℃の温度で加熱してポ
リイミド樹脂の層３５を硬化させる。 【効果】 ポリイミド樹脂の膜３５を硬化させるための
熱処理においてナフトキノンジアジド化合物が分解し窒
素ガスを発するのでこれによりポリイミド樹脂の膜３５
は発泡する。この結果、空隙３７ａを有する層間絶縁膜
３７が得られる。ナフトキノンジアジド化合物３３の添
加量を制御することで空隙３７ａの数を制御して層間絶
縁膜３７の比誘電率を制御する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、多層配線構造の形成
方法に関するものであり、特に層間絶縁膜の比誘電率の
制御を行い得る方法に関するものである。
方法に関するものであり、特に層間絶縁膜の比誘電率の
制御を行い得る方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば、半導体集積回路（ＩＣ）をはじ
めとする種々の電子部品が実装されるプリント基板や、
このようなプリント基板に実装されるＩＣにおいては、
配線を層間絶縁膜を介し何層にも重ね、これら配線間は
層間絶縁膜に設けた貫通孔を利用して接続する、いわゆ
る多層配線構造が多用される。そうすることにより、プ
リント基板や半導体基板に所望の構成成分を高密度に実
装若しくは形成でき、また、電子装置やＩＣの動作速度
の向上が図れるからである。
めとする種々の電子部品が実装されるプリント基板や、
このようなプリント基板に実装されるＩＣにおいては、
配線を層間絶縁膜を介し何層にも重ね、これら配線間は
層間絶縁膜に設けた貫通孔を利用して接続する、いわゆ
る多層配線構造が多用される。そうすることにより、プ
リント基板や半導体基板に所望の構成成分を高密度に実
装若しくは形成でき、また、電子装置やＩＣの動作速度
の向上が図れるからである。
【０００３】このような多層配線構造を利用する分野に
おいて、近年、層間絶縁膜を樹脂、特に耐熱性熱硬化性
樹脂で構成することが行われている。それは、層間絶縁
膜を真空装置などを利用して形成する方法に比べ層間絶
縁膜の形成が簡易であるなどの利点が得られるからであ
る。
おいて、近年、層間絶縁膜を樹脂、特に耐熱性熱硬化性
樹脂で構成することが行われている。それは、層間絶縁
膜を真空装置などを利用して形成する方法に比べ層間絶
縁膜の形成が簡易であるなどの利点が得られるからであ
る。
【０００４】樹脂で構成された層間絶縁膜を有する多層
配線構造を形成する場合、従来は一般に以下に説明する
ような方法がとられていた。図４及び図５はその説明に
供する工程図である。いずれの図も多層配線構造を形成
する工程中の主な工程での試料をその厚さ方向と平行な
方向に沿って切った断面で示したものである。
配線構造を形成する場合、従来は一般に以下に説明する
ような方法がとられていた。図４及び図５はその説明に
供する工程図である。いずれの図も多層配線構造を形成
する工程中の主な工程での試料をその厚さ方向と平行な
方向に沿って切った断面で示したものである。
【０００５】先ず、多層配線構造を形成したい下地１１
上に、層間絶縁膜形成用の樹脂として例えば熱硬化性の
樹脂の膜が、例えばスピンコート法やスプレー法などの
好適な方法で形成される。次に、この試料に対し所定の
温度の熱処理がなされ、樹脂で構成される第１層目の層
間絶縁膜１３が得られる（図４（Ａ））。ここで、下地
とは例えばセラミック基板、アルミナ基板、或いは半導
体基板などのような多層配線構造を形成したい種々のも
のである。また、層間絶縁膜形成用の樹脂とは、例え
ば、ポリイミド、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）、ポリ
キノリン（Ｍａｘｄｅｍ社製）、パイレーン（ＣＮＥＴ
社製）、サイトップ（旭硝子製）、テフロンＡＦ（デュ
ポン社製）、ＰＴＥＦ、ＰＦＡ等種々の好適な樹脂であ
る。
上に、層間絶縁膜形成用の樹脂として例えば熱硬化性の
樹脂の膜が、例えばスピンコート法やスプレー法などの
好適な方法で形成される。次に、この試料に対し所定の
温度の熱処理がなされ、樹脂で構成される第１層目の層
間絶縁膜１３が得られる（図４（Ａ））。ここで、下地
とは例えばセラミック基板、アルミナ基板、或いは半導
体基板などのような多層配線構造を形成したい種々のも
のである。また、層間絶縁膜形成用の樹脂とは、例え
ば、ポリイミド、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）、ポリ
キノリン（Ｍａｘｄｅｍ社製）、パイレーン（ＣＮＥＴ
社製）、サイトップ（旭硝子製）、テフロンＡＦ（デュ
ポン社製）、ＰＴＥＦ、ＰＦＡ等種々の好適な樹脂であ
る。
【０００６】次に、層間絶縁膜１３上に導体層１５とし
てクロム、銅、チタンまたはアルミニウムなどの好適な
薄膜が好適な方法により形成される（図４（Ｂ））。な
お、場合によっては、層間絶縁膜１３と導体層１５との
密着力を高めるために導体層１５を形成する前に層間絶
縁膜１３の表面がプラズマや薬品によって処理される場
合もある。
てクロム、銅、チタンまたはアルミニウムなどの好適な
薄膜が好適な方法により形成される（図４（Ｂ））。な
お、場合によっては、層間絶縁膜１３と導体層１５との
密着力を高めるために導体層１５を形成する前に層間絶
縁膜１３の表面がプラズマや薬品によって処理される場
合もある。
【０００７】次に、導体層１５上に、この導体層の所定
部分のみを露出する開口１７ａを有するレジストパター
ン１７が公知のリソグラフィ技術により形成される（図
４（Ｃ））。
部分のみを露出する開口１７ａを有するレジストパター
ン１７が公知のリソグラフィ技術により形成される（図
４（Ｃ））。
【０００８】次に、導体層１５のレジスト開口１７ａか
ら露出している部分上に電解めっき或いは無電解めっき
法によりコンタクト配線用の導体膜１９いわゆるビヤポ
スト１９が形成される（図４（Ｄ））。
ら露出している部分上に電解めっき或いは無電解めっき
法によりコンタクト配線用の導体膜１９いわゆるビヤポ
スト１９が形成される（図４（Ｄ））。
【０００９】次に、レジストパターン１７が除去される
（図５（Ａ））。
（図５（Ａ））。
【００１０】次に、この試料上に再び層間絶縁膜形成用
の熱硬化性の樹脂の膜２１が形成され（図５（Ｂ））、
さらに、この試料に所定の熱が加えられてこの樹脂膜２
１の硬化が行われる。
の熱硬化性の樹脂の膜２１が形成され（図５（Ｂ））、
さらに、この試料に所定の熱が加えられてこの樹脂膜２
１の硬化が行われる。
【００１１】次に、この硬化された樹脂膜が、ビヤポス
ト１９の表面が露出されるまで除去されて、第２の層間
絶縁膜２１ａが得られる（図５（Ｃ））。その後、必要
な層数に応じて図４（Ｂ）〜図５（Ｃ）を用いて説明し
た手順を繰り返すことにより所望の多層配線構造が得ら
れる。
ト１９の表面が露出されるまで除去されて、第２の層間
絶縁膜２１ａが得られる（図５（Ｃ））。その後、必要
な層数に応じて図４（Ｂ）〜図５（Ｃ）を用いて説明し
た手順を繰り返すことにより所望の多層配線構造が得ら
れる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来の多層配線構造の形成方法では、層間絶縁膜の形成
を、単に樹脂の膜を形成しこの膜を硬化させることで行
っていた。このため、この層間絶縁膜の比誘電率はこの
層間絶縁膜を構成している樹脂が有する比誘電率で決ま
ってしまうので、樹脂を購入し単に使用する側では層間
絶縁膜の比誘電率を制御することが困難であるという問
題点があった。プリント配線基板やＩＣでは、伝送特性
などを向上させるなどの都合上、層間絶縁膜の比誘電率
を変化させたい場合が多々あるので、樹脂で構成される
層間絶縁膜の比誘電率をこの膜の製造段階で制御できる
技術が望まれる。
従来の多層配線構造の形成方法では、層間絶縁膜の形成
を、単に樹脂の膜を形成しこの膜を硬化させることで行
っていた。このため、この層間絶縁膜の比誘電率はこの
層間絶縁膜を構成している樹脂が有する比誘電率で決ま
ってしまうので、樹脂を購入し単に使用する側では層間
絶縁膜の比誘電率を制御することが困難であるという問
題点があった。プリント配線基板やＩＣでは、伝送特性
などを向上させるなどの都合上、層間絶縁膜の比誘電率
を変化させたい場合が多々あるので、樹脂で構成される
層間絶縁膜の比誘電率をこの膜の製造段階で制御できる
技術が望まれる。
【００１３】この発明はこのような点に鑑みなされたも
のであり、従ってこの発明の目的は樹脂で構成された層
間絶縁膜を有する多層配線構造を形成する際に層間絶縁
膜の比誘電率を製造段階で制御し得る方法を提供するこ
とにある。
のであり、従ってこの発明の目的は樹脂で構成された層
間絶縁膜を有する多層配線構造を形成する際に層間絶縁
膜の比誘電率を製造段階で制御し得る方法を提供するこ
とにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】この目的の達成を図るた
め、この発明によれば、樹脂で構成された層間絶縁膜を
有する多層配線構造を形成するに当たり、層間絶縁膜の
形成を以下の（ａ）〜（ｃ）の工程を含む工程により行
うことを特徴とする。
め、この発明によれば、樹脂で構成された層間絶縁膜を
有する多層配線構造を形成するに当たり、層間絶縁膜の
形成を以下の（ａ）〜（ｃ）の工程を含む工程により行
うことを特徴とする。
【００１５】（ａ）層間絶縁膜を形成するための樹脂中
に、該樹脂を硬化させるために後に該樹脂に印加される
エネルギの作用により分解する発泡剤を、混入する工
程。
に、該樹脂を硬化させるために後に該樹脂に印加される
エネルギの作用により分解する発泡剤を、混入する工
程。
【００１６】（ｂ）該発泡剤を混入させた樹脂の膜を層
間絶縁膜を形成するための下地上に形成する工程。
間絶縁膜を形成するための下地上に形成する工程。
【００１７】（ｃ）該樹脂の膜が形成された下地に前述
のエネルギを加え該樹脂の膜を硬化させると共に該硬化
膜中に前述の発泡剤に起因した空隙を形成する工程。
のエネルギを加え該樹脂の膜を硬化させると共に該硬化
膜中に前述の発泡剤に起因した空隙を形成する工程。
【００１８】ここで、層間絶縁膜を形成するための樹脂
は、目的とする多層配線構造に適した種々のものとでき
特に限定はされない。例えば、ポリイミド樹脂をはじめ
とする上述の例示樹脂は好適である。
は、目的とする多層配線構造に適した種々のものとでき
特に限定はされない。例えば、ポリイミド樹脂をはじめ
とする上述の例示樹脂は好適である。
【００１９】また、樹脂を硬化させるために該樹脂に後
に印加するエネルギは、たとえば熱が好適である。しか
し、場合によっては光など他のエネルギ源でも良い。
に印加するエネルギは、たとえば熱が好適である。しか
し、場合によっては光など他のエネルギ源でも良い。
【００２０】また、層間絶縁膜を形成するための下地と
は、層間絶縁膜を形成したい各種の下地であることがで
きる。例えば、ガラスエポキシ基板、セラミックス基
板、ガラス基板、若しくは半導体基板などの種々の基
板、これら基板に１層若しくは何層かの多層配線構造が
既に形成されたものなどである。
は、層間絶縁膜を形成したい各種の下地であることがで
きる。例えば、ガラスエポキシ基板、セラミックス基
板、ガラス基板、若しくは半導体基板などの種々の基
板、これら基板に１層若しくは何層かの多層配線構造が
既に形成されたものなどである。
【００２１】また、前述の発泡剤としては、これに限定
されないが、例えば芳香族ビスアジド例えばナフトキノ
ンジアジド化合物を挙げることができる。
されないが、例えば芳香族ビスアジド例えばナフトキノ
ンジアジド化合物を挙げることができる。
【００２２】
【作用】この発明の構成によれば、樹脂で構成され、か
つ、内部に空隙を多数有する層間絶縁膜（多孔質状の層
間絶縁膜）が得られる。空隙部分の誘電率は層間絶縁膜
形成用の樹脂の誘電率と異なるから、この発明の方法で
形成された層間絶縁膜の比誘電率は単に樹脂のみで層間
絶縁膜を構成した場合とは異なる値になる。例えば、空
隙内が空気であるとすると、この層間絶縁膜の比誘電率
は樹脂のみで層間絶縁膜を構成した場合より小さくなる
方向に制御できる。また、空隙の大きさや密度により層
間絶縁膜の比誘電率を変えることができ、さらにこの空
隙の密度は、例えば、層間絶縁膜形成用の樹脂への発泡
剤の混合量を調整することにより制御できるので、層間
絶縁膜の比誘電率制御が行える。
つ、内部に空隙を多数有する層間絶縁膜（多孔質状の層
間絶縁膜）が得られる。空隙部分の誘電率は層間絶縁膜
形成用の樹脂の誘電率と異なるから、この発明の方法で
形成された層間絶縁膜の比誘電率は単に樹脂のみで層間
絶縁膜を構成した場合とは異なる値になる。例えば、空
隙内が空気であるとすると、この層間絶縁膜の比誘電率
は樹脂のみで層間絶縁膜を構成した場合より小さくなる
方向に制御できる。また、空隙の大きさや密度により層
間絶縁膜の比誘電率を変えることができ、さらにこの空
隙の密度は、例えば、層間絶縁膜形成用の樹脂への発泡
剤の混合量を調整することにより制御できるので、層間
絶縁膜の比誘電率制御が行える。
【００２３】
【実施例】以下、図１〜図３を参照してこの発明の多層
配線構造の形成方法の実施例について説明する。なお、
これら図は多層配線構造を形成する工程中の主な工程で
の試料をその厚さ方向と平行な方向に沿って切った断面
で示したものである。しかしながら、これら図はこの発
明を理解できる程度に各構成成分の寸法、形状及び配置
関係を概略的に示してあるにすぎない。
配線構造の形成方法の実施例について説明する。なお、
これら図は多層配線構造を形成する工程中の主な工程で
の試料をその厚さ方向と平行な方向に沿って切った断面
で示したものである。しかしながら、これら図はこの発
明を理解できる程度に各構成成分の寸法、形状及び配置
関係を概略的に示してあるにすぎない。
【００２４】先ず、多層配線構造を形成したい下地例え
ばガラス基板、セラミックス基板などを用意し、これを
有機溶剤等を用い洗浄する。一方、層間絶縁膜を形成す
るための樹脂としてのこの場合ポリイミド樹脂中に、該
樹脂を硬化させるために後に該樹脂に印加されるエネル
ギ（この実施例では熱としている。）の作用により分解
する発泡剤としてのこの場合ナフトキノンジアジド化合
物を、適当量混入しておく。
ばガラス基板、セラミックス基板などを用意し、これを
有機溶剤等を用い洗浄する。一方、層間絶縁膜を形成す
るための樹脂としてのこの場合ポリイミド樹脂中に、該
樹脂を硬化させるために後に該樹脂に印加されるエネル
ギ（この実施例では熱としている。）の作用により分解
する発泡剤としてのこの場合ナフトキノンジアジド化合
物を、適当量混入しておく。
【００２５】次に、発泡剤を混入させた上記ポリイミド
樹脂を基板上に例えばスピナ、ロールコータ若しくはバ
ーコータなどの好適な装置を用い塗布して、基板３１上
に発泡剤３３を含有する樹脂の膜３５を形成する（図１
（Ａ））。
樹脂を基板上に例えばスピナ、ロールコータ若しくはバ
ーコータなどの好適な装置を用い塗布して、基板３１上
に発泡剤３３を含有する樹脂の膜３５を形成する（図１
（Ａ））。
【００２６】次に、この樹脂の膜３５を硬化させるため
にこの試料を好適な加熱装置を用いて加熱する。この加
熱は、これに限られないが例えば、ハーフキュアと称さ
れる工程（たとえば８０〜１３０℃の温度とされる工
程）と、この工程に続くフルキユアと称される工程（た
とえば２００〜４５０℃の温度とされる工程）とにより
行える。ナフトキノンジアジド化合物は１４０℃以上に
加熱すると分解し窒素（Ｎ2 ）ガスを発することが知ら
れている。そして、ポリイミド樹脂を硬化させる温度
は、上述のごとく２００〜４５０℃の高温を含むので、
ナフトキノンジアジド化合物がＮ2 ガスを発する温度に
比べ充分高い。このため、ポリイミド樹脂の膜３５を硬
化させるための工程ではこの膜３５中のナフトキノンジ
アジド化合物がＮ2 ガスを発するのでこの影響でこのポ
リイミド樹脂の膜３５が発泡し、この結果、空隙３７ａ
を有する層間絶縁膜３７が得られる（図１（Ｂ））。こ
こで、層間絶縁膜３７中の空隙３７ａの密度（数）によ
りこの層間絶縁膜３７の比誘電率を変えられる。そし
て、空隙３７ａの密度（数）は、樹脂へのナフトキノン
ジアジド化合物の添加量で調整できる。
にこの試料を好適な加熱装置を用いて加熱する。この加
熱は、これに限られないが例えば、ハーフキュアと称さ
れる工程（たとえば８０〜１３０℃の温度とされる工
程）と、この工程に続くフルキユアと称される工程（た
とえば２００〜４５０℃の温度とされる工程）とにより
行える。ナフトキノンジアジド化合物は１４０℃以上に
加熱すると分解し窒素（Ｎ2 ）ガスを発することが知ら
れている。そして、ポリイミド樹脂を硬化させる温度
は、上述のごとく２００〜４５０℃の高温を含むので、
ナフトキノンジアジド化合物がＮ2 ガスを発する温度に
比べ充分高い。このため、ポリイミド樹脂の膜３５を硬
化させるための工程ではこの膜３５中のナフトキノンジ
アジド化合物がＮ2 ガスを発するのでこの影響でこのポ
リイミド樹脂の膜３５が発泡し、この結果、空隙３７ａ
を有する層間絶縁膜３７が得られる（図１（Ｂ））。こ
こで、層間絶縁膜３７中の空隙３７ａの密度（数）によ
りこの層間絶縁膜３７の比誘電率を変えられる。そし
て、空隙３７ａの密度（数）は、樹脂へのナフトキノン
ジアジド化合物の添加量で調整できる。
【００２７】次に、層間絶縁膜３７の表面を平坦化する
目的で、この層間絶縁膜３７上に、今度は層間絶縁膜形
成用の樹脂（説明上、平坦化用樹脂ともいう。）のみ
（ナフトキノンジアジド化合物を含まないもの）を好適
な方法で塗布し、ついで、これを熱硬化させ平坦化層３
９を得る（図１（Ｃ））。この平坦化層３９は勿論、層
間絶縁膜の一部を構成する。ただし、層間絶縁膜３７の
表面が実用上問題の無い平坦性を有している場合はこの
平坦化層３９は必ずしも設ける必要はない。反面、平坦
化用樹脂の塗布では平坦化ができないような場合は、研
磨処理やエッチバック処理を実施するのが良い。
目的で、この層間絶縁膜３７上に、今度は層間絶縁膜形
成用の樹脂（説明上、平坦化用樹脂ともいう。）のみ
（ナフトキノンジアジド化合物を含まないもの）を好適
な方法で塗布し、ついで、これを熱硬化させ平坦化層３
９を得る（図１（Ｃ））。この平坦化層３９は勿論、層
間絶縁膜の一部を構成する。ただし、層間絶縁膜３７の
表面が実用上問題の無い平坦性を有している場合はこの
平坦化層３９は必ずしも設ける必要はない。反面、平坦
化用樹脂の塗布では平坦化ができないような場合は、研
磨処理やエッチバック処理を実施するのが良い。
【００２８】次に、層間絶縁膜３７上（平坦化層３９を
設けた場合はこの上）に、導体層（図示せず）としてク
ロム、銅、チタンまたはアルミニウムなどの好適な薄膜
を蒸着法、スパッタ法等の好適な方法で形成する。な
お、場合によっては、層間絶縁膜３７とこの導体層との
密着力を高めるために導体層を形成する前に層間絶縁膜
３７の表面をプラズマや薬品によって処理しても良い。
次に、この導体層の形成された試料上にこの導体層の所
定部分のみを露出する開口を有するレジストパターン
（図示せず）を形成する。次に、この導体層のレジスト
開口から露出している部分上に電解めっき或いは無電解
めっき法により金属膜を形成し下側配線４１を得る（図
１（Ｄ））。次に、下側配線４１形成済みの試料上に下
側配線４１の所定部分のみを露出する開口４３ａを有す
るレジストパターン４３を公知のリソグラフィ技術によ
り形成する（図１（Ｄ））。
設けた場合はこの上）に、導体層（図示せず）としてク
ロム、銅、チタンまたはアルミニウムなどの好適な薄膜
を蒸着法、スパッタ法等の好適な方法で形成する。な
お、場合によっては、層間絶縁膜３７とこの導体層との
密着力を高めるために導体層を形成する前に層間絶縁膜
３７の表面をプラズマや薬品によって処理しても良い。
次に、この導体層の形成された試料上にこの導体層の所
定部分のみを露出する開口を有するレジストパターン
（図示せず）を形成する。次に、この導体層のレジスト
開口から露出している部分上に電解めっき或いは無電解
めっき法により金属膜を形成し下側配線４１を得る（図
１（Ｄ））。次に、下側配線４１形成済みの試料上に下
側配線４１の所定部分のみを露出する開口４３ａを有す
るレジストパターン４３を公知のリソグラフィ技術によ
り形成する（図１（Ｄ））。
【００２９】次に、配線形成用の薄膜４１のレジスト開
口４３ａから露出している部分上に電解めっき或いは無
電解めっき法によりコンタクト配線用の導体膜４５いわ
ゆるビヤポスト４５を形成する（図２（Ａ））。次に、
レジストパターン４３を除去する（図２（Ｂ））。
口４３ａから露出している部分上に電解めっき或いは無
電解めっき法によりコンタクト配線用の導体膜４５いわ
ゆるビヤポスト４５を形成する（図２（Ａ））。次に、
レジストパターン４３を除去する（図２（Ｂ））。
【００３０】次に、この試料上に発泡剤３５を含有させ
た層間絶縁膜形成用の樹脂の膜３５を再び例えば図１
（Ａ）を用い説明した方法により形成する（図２
（Ｃ））。
た層間絶縁膜形成用の樹脂の膜３５を再び例えば図１
（Ａ）を用い説明した方法により形成する（図２
（Ｃ））。
【００３１】次に、例えば図２（Ｂ）を用い説明した方
法によりこの樹脂の膜３５を硬化させると共に発泡させ
て空隙３７ａを形成する（図３（Ａ））。
法によりこの樹脂の膜３５を硬化させると共に発泡させ
て空隙３７ａを形成する（図３（Ａ））。
【００３２】次に、必要に応じ図１（Ｃ）を用い説明し
た方法により平坦化層（図示せず）を形成し、次に、こ
の試料表面を、ビヤポスト４５の表面が露出されるまで
エッチングする。これにより空隙３７ａを有する層間絶
縁膜４７が得られる（図３（Ｂ））。
た方法により平坦化層（図示せず）を形成し、次に、こ
の試料表面を、ビヤポスト４５の表面が露出されるまで
エッチングする。これにより空隙３７ａを有する層間絶
縁膜４７が得られる（図３（Ｂ））。
【００３３】次に、この層間絶縁膜４７上に上側配線形
成用の薄膜たとえばクロム、金、或いは銅などの薄膜
（図示せず）を好適な方法により形成し、さらにこの薄
膜を公知の方法によりパターニングして上側配線４９を
得る（図３（Ｃ））。
成用の薄膜たとえばクロム、金、或いは銅などの薄膜
（図示せず）を好適な方法により形成し、さらにこの薄
膜を公知の方法によりパターニングして上側配線４９を
得る（図３（Ｃ））。
【００３４】その後、必要な層数に応じて図１（Ｄ）〜
図３（Ｃ）を用いて説明した手順を繰り返すことにより
所望の多層配線構造が得られる。
図３（Ｃ）を用いて説明した手順を繰り返すことにより
所望の多層配線構造が得られる。
【００３５】上述においてはこの発明の多層配線構造の
実施例について説明したがこの発明は上述の実施例に限
られない。たとえば、下側配線や上側配線の形成手順は
単なる例示にすぎない。また、多層配線の構造も単なる
例示にすぎない。
実施例について説明したがこの発明は上述の実施例に限
られない。たとえば、下側配線や上側配線の形成手順は
単なる例示にすぎない。また、多層配線の構造も単なる
例示にすぎない。
【００３６】
【発明の効果】上述した説明から明らかなようにこの発
明によれば、樹脂で構成され、かつ、内部に空隙を多数
有する多孔質状の層間絶縁膜を、多層配線構造の形成途
中で形成できる。したがって、単に樹脂のみで層間絶縁
膜を構成する場合とは異なる比誘電率の層間絶縁膜が容
易に得られる。しかも、層間絶縁膜形成用の樹脂への発
泡剤の混合量を調整することにより比誘電率を制御でき
るので、層間絶縁膜の比誘電率制御が行える。このた
め、所望の比誘電率の層間絶縁膜が得やすくなるので電
子装置やＩＣにおける伝送特性の向上が期待できる。
明によれば、樹脂で構成され、かつ、内部に空隙を多数
有する多孔質状の層間絶縁膜を、多層配線構造の形成途
中で形成できる。したがって、単に樹脂のみで層間絶縁
膜を構成する場合とは異なる比誘電率の層間絶縁膜が容
易に得られる。しかも、層間絶縁膜形成用の樹脂への発
泡剤の混合量を調整することにより比誘電率を制御でき
るので、層間絶縁膜の比誘電率制御が行える。このた
め、所望の比誘電率の層間絶縁膜が得やすくなるので電
子装置やＩＣにおける伝送特性の向上が期待できる。
【図１】実施例の説明に供する工程図である。
【図２】実施例の説明に供する図１に続く工程図であ
る。
る。
【図３】実施例の説明に供する図２に続く工程図であ
る。
る。
【図４】従来技術の説明に供する工程図である。
【図５】従来技術の説明に供する図４に続く工程図であ
る。
る。
３１：基板 ３３：発泡剤 ３５：層間絶縁膜形成用樹脂の膜 ３７，４７：空隙を有する層間絶縁膜 ３７ａ：空隙 ４１：下側配線 ４５：ビヤポスト ４９：上側配線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 1/03 Ｅ 7011−4Ｅ
Claims (2)
- 【請求項１】 樹脂で構成された層間絶縁膜を有する多
層配線構造を形成するに当たり、 層間絶縁膜の形成を以下の（ａ）〜（ｃ）の工程を含む
工程により行うことを特徴とする多層配線構造の形成方
法。 （ａ）層間絶縁膜を形成するための樹脂中に、該樹脂を
硬化させるために後に該樹脂に印加されるエネルギの作
用により分解する発泡剤を、混入する工程。 （ｂ）該発泡剤を混入させた樹脂の膜を層間絶縁膜を形
成するための下地上に形成する工程。 （ｃ）該樹脂の膜が形成された下地に前記エネルギを加
え該樹脂の膜を硬化させると共に該硬化膜中に前記発泡
剤に起因した空隙を形成する工程。 - 【請求項２】 請求項１に記載の多層配線構造の形成方
法において、 前記発泡剤をナフトキノンジアジド化合物としたことを
特徴とする多層配線構造の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6861793A JPH06283864A (ja) | 1993-03-26 | 1993-03-26 | 多層配線構造の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6861793A JPH06283864A (ja) | 1993-03-26 | 1993-03-26 | 多層配線構造の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06283864A true JPH06283864A (ja) | 1994-10-07 |
Family
ID=13378905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6861793A Withdrawn JPH06283864A (ja) | 1993-03-26 | 1993-03-26 | 多層配線構造の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06283864A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6194029B1 (en) | 1998-02-12 | 2001-02-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of forming porous film and material for porous film |
| JP2002280692A (ja) * | 2001-03-22 | 2002-09-27 | Hitachi Chem Co Ltd | 金属薄膜層が形成された接続用導体内蔵の両面板製造方法 |
| US7264482B2 (en) | 2004-03-10 | 2007-09-04 | J.S.T. Mfg. Co., Ltd. | Anisotropic conductive sheet |
| JP2008060270A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Fujitsu Ltd | 電子装置及びその製造方法 |
| JP2021034485A (ja) * | 2019-08-21 | 2021-03-01 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
-
1993
- 1993-03-26 JP JP6861793A patent/JPH06283864A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6194029B1 (en) | 1998-02-12 | 2001-02-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of forming porous film and material for porous film |
| US6319854B1 (en) | 1998-02-12 | 2001-11-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of forming porous film and material for porous film |
| JP2002280692A (ja) * | 2001-03-22 | 2002-09-27 | Hitachi Chem Co Ltd | 金属薄膜層が形成された接続用導体内蔵の両面板製造方法 |
| US7264482B2 (en) | 2004-03-10 | 2007-09-04 | J.S.T. Mfg. Co., Ltd. | Anisotropic conductive sheet |
| JP2008060270A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Fujitsu Ltd | 電子装置及びその製造方法 |
| JP2021034485A (ja) * | 2019-08-21 | 2021-03-01 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5092032A (en) | Manufacturing method for a multilayer printed circuit board | |
| EP0457501B1 (en) | Method of manufacturing a multilayer wiring board | |
| KR960013632B1 (ko) | 다중칩 집적회로 패키징 구성 및 방법 | |
| US4920639A (en) | Method of making a multilevel electrical airbridge interconnect | |
| US5665650A (en) | Method for manufacturing a high density electronic circuit assembly | |
| EP0046525B1 (en) | Planar multi-level metal-insulator structure comprising a substrate, a conductive interconnection pattern and a superposed conductive structure and a method to form such a structure | |
| JP3229286B2 (ja) | プリント回路基板の製造方法 | |
| US20040126547A1 (en) | Methods for performing substrate imprinting using thermoset resin varnishes and products formed therefrom | |
| JPH04277696A (ja) | 多層配線基板及びその製造方法 | |
| US6808643B2 (en) | Hybrid interconnect substrate and method of manufacture thereof | |
| JPH06283864A (ja) | 多層配線構造の形成方法 | |
| US5130229A (en) | Multi layer thin film wiring process featuring self-alignment of vias | |
| US6150074A (en) | Method of forming electrically conductive wiring pattern | |
| JPH11274731A (ja) | 薄膜多層回路基板及びその製造方法 | |
| JP2001060769A (ja) | 配線板の製造方法 | |
| EP0572121A2 (en) | Method of making circuit board | |
| US20010036721A1 (en) | Process for metallizing at least one insulating layer of a component | |
| US7358116B2 (en) | Substrate conductive post formation | |
| JP2002076633A (ja) | 多層配線基板の製造方法及びめっき方法 | |
| JPH08255981A (ja) | 回路基板形成方法及び回路基板 | |
| JP3215542B2 (ja) | 多層薄膜配線基板の製造方法 | |
| US5219669A (en) | Layer thin film wiring process featuring self-alignment of vias | |
| KR100342335B1 (ko) | 수지 적층된 배선 시트, 이를 사용하는 배선 구조체 및이들의 제조방법 | |
| JPH09260854A (ja) | 多層回路基板およびその製造方法 | |
| JPH09306991A (ja) | 配線基板の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000530 |