JPH06286148A - インクジェットプリントヘッドの接合方法 - Google Patents

インクジェットプリントヘッドの接合方法

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JPH06286148A
JPH06286148A JP7691793A JP7691793A JPH06286148A JP H06286148 A JPH06286148 A JP H06286148A JP 7691793 A JP7691793 A JP 7691793A JP 7691793 A JP7691793 A JP 7691793A JP H06286148 A JPH06286148 A JP H06286148A
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正也 堀野
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顕臣 河野
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啓司 渡辺
Kunihiro Tamahashi
邦裕 玉橋
Yuji Furuya
佑治 古家
Kenichi Hisagai
健一 久貝
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  • Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 被接合物に大きな熱的ダメージを与えること
なく耐食性に優れた接合部を得る方法を提供する。 【構成】 厚さ10ミクロン〜50ミクロンのSUS3
04板及びNiの薄板の板の組み合わせからなる被接合
物を、Au、Sn及びAuの3層のメタライズ層からな
る接合層を用いて、真空中でアルゴンアトムビームで清
浄化し、その後大気中にて位置合わせ及び位置固定を行
い、次に真空中あるいは不活性ガス中にて加圧加熱接合
する。 【効果】 SUS304板及び電鋳Ni板に熱的ダメー
ジを与えず耐食性に優れた接合を行うことができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はインクジェットプリント
ヘッドを構成する合金部材同志を接合するインクジェッ
トプリントヘッドの接合方法に関する。
【0002】
【従来の技術】インクジェットプリントヘッドでは、微
細な3次元のインク流路を形成するために、エッチング
や電鋳などの技法を用いて微細な2次元パターンを形成
した金属板を積層して接合する必要があり、はんだ接合
やろう付けが多く用いられている。なお、特開平2−1
07451号及び特開平3−142248号公報にはA
u−Ni系合金及びPb−Sn系合金を用いてろう付け
及びはんだ付けを行う方法が開示されている。従来この
種のはんだ接合及びろう付けでは、はんだあるいはろう
材層を単一の層としてめっきあるいは蒸着によって形成
していた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】インクジェットプリン
タに用いられるインクは腐食性を有することが多く、構
成部品及び接合部にはインクに対する耐食性が要求され
る。上記従来技術において、Ni−Au系合金を用いた
ろう付けの場合には、接合部の耐食性は高いが接合温度
が高く被接合物に与える熱的ダメージが大きいという問
題があった。またPb−Sn系合金を用いたはんだ付け
の場合には、接合温度は低いが耐食性が低いという問題
があった。
【0004】本発明の目的は、被接合物に大きな熱的ダ
メージを与えることなく耐食性に優れた接合部を得るイ
ンクジェットプリントヘッドの接合方法及び接合装置を
提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため、SnをAuでサンドイッチした三層構造のメ
タライズ層を接合層として用いる。Au−Sn合金の接
合層を単一の合金層として接合面上に形成する技術は確
立されておらず、接合層の組成を精度よくコントロール
するのは極めて困難であり、実用的でない。Au−Sn
合金箔を接合部に挿入する方法は、Au−Sn合金が極
めてもろく、難加工材であることから実用的とはいえな
い。
【0006】本発明では、合金部材側から第1メタライ
ズ層としてAu、第2メタライズ層としてSn、第3メ
タライズ層としてAuの順に全体でのSn含有率が20
mass%を超え40mass%未満となるようにそれ
ぞれの厚さを調整した全体の厚さが3μm以上の3層の
メタライズ層(以下接合層と称する)を形成し、接合面
をArビームにて活性化した後、大気中にて位置合わせ
して密着させ、その後真空中あるいは不活性ガス中にて
加熱するものである。
【0007】また第1、第2及び第3メタライズ層の厚
さを接合層全体でのSn含有率が20mass%を超え
40mass%未満となるよう調整しつつ、第1メタラ
イズ層の厚さを1μm以上、全体の厚さが3μm以上の
接合層を前記合金部材の第1及び第2面の上に形成して
接合に供するものである。
【0008】また第1、第2及び第3メタライズ層の厚
さを接合層全体でのSn含有率が20mass%を超え
40mass%未満となるよう調整しつつ、第1メタラ
イズ層と第3メタライズ層との厚さを同一とし、全体の
厚さが3μm以上の接合層を前記合金部材の第1あるい
は第2面のうちのいずれか一方の上に形成して接合に供
するものである。
【0009】更に、加熱に際しては接合面を位置合わせ
した後、真空中あるいは不活性ガス中にて加熱する前に
抵抗溶接あるいは機械的締結を利用して固定された被接
合物に対して予め所定温度に加熱保持された治具を押し
当てて加熱し、被接合物が所定温度に到達後、不活性ガ
スを被接合物に吹き付けて冷却するものである。
【0010】
【作用】Au、Sn及びAuの3層のメタライズからな
る接合層は、接合加熱時に553K以上に加熱すること
によりSnが溶融し、Auと相互拡散してAu−Sn合
金の融液層を形成する。この時Snが合金部材にも拡散
して化合物を形成することにより、接合層中のSn濃度
が減少して接合層の融点を変化させる。本発明による3
層メタライズからなる接合層によれば、AuがSnの拡
散に対してバリア層となり、合金部材とSnとの化合物
形成を抑制する。この作用により接合層中のSn濃度の
変化が低く抑えられ、結果として接合層の融点の変化も
低く抑えられる。本発明によれば第1メタライズ層とし
てのAuの厚さを1μm以上とすることにより、拡散に
よるSnの濃度変化を十分に低く抑えることができる。
第1メタライズ層としてのAuの厚さが1μm未満の場
合には、SnとAuとの拡散により短時間のうちにAu
が溶融し、バリア層としての機能を失う。
【0011】Sn含有量が20mass%Sn以下の接
合層は、前述の通り加熱接合中の化合物形成に起因して
接合層中のSn濃度が低下することにより、接合層融点
が顕著に上昇する。その結果、接合部に十分な融液が生
じる前にはんだが凝固して、接合部の密着が不完全とな
る。しかし本発明によるSn含有量が20mass%を
超え40mass%未満の接合層を用いれば、加熱接合
中の化合物形成に起因する接合層中のSn濃度が低下す
ることにより接合層融点が低下し、接合部に十分な融液
が生じて接合部の密着性を向上させる。
【0012】真空中で接合面にArビームを照射するこ
とによって、接合表面に付着している油脂や水分、酸化
皮膜などが取り除かれる。それによって接合表面は接合
性の高い活性な面となり、接合性が向上する。大気中で
の位置合わせは真空中での位置合わせよりも容易であ
り、位置合わせに必要な時間の短縮が図れる。真空中あ
るいは不活性ガス中で加熱加圧することにより、活性化
された接合面が再汚染されることがないので接合性が向
上する。接合面を位置合わせした後、真空中あるいは不
活性ガス中にて加熱加圧する前にスポット溶接あるいは
機械的締結を利用して被接合物を固定することにより、
接合中の位置ずれが生じず、歩留まり及び作業効率の向
上が図れる。被接合物に対して予め所定温度に加熱保持
された治具を押し当てて加熱加圧し、被接合物が所定温
度に到達後、不活性ガスを被接合物に吹き付けて冷却す
ることにより、化合物の形成を抑制して接合強度を向上
させることができる。
【0013】
【実施例】以下本発明の接合方法にかかる実施例を図
1、図2及び図3により説明する。
【0014】まず合金部材へのメタライズ層形成方法に
ついて図1を用いて述べる。101は厚さ50μmのS
US304製第1合金部材、102は厚さ1μmのNi
メタライズ層、103は厚さ2.0μmのAuよりなる
第1メタライズ層、104は厚さ1.8μmのSnより
なる第2メタライズ層、105は厚さ0.3μmのAu
よりなる第3メタライズ層、107は厚さ2.0μmの
Auよりなる第1メタライズ層、108は厚さ1.8μ
mのSnよりなる第2メタライズ層、109は厚さ0.
3μmのAuよりなる第3メタライズ層、111は厚さ
27μmのNi製第2合金部材である。
【0015】SUS304製第1合金部材101に湿式
めっきにより厚さ1μmのNi−P無電解めっきを施
す。厚さは必ずしも1μmでなくともよいが、接合後に
Niの全てがSnとの化合物として消費され尽くさない
だけの厚さが必要である。Ni−Sn化合物はSUS3
04との接合性に乏しく、接合後にNiの全てがSnと
の化合物として消費され尽くすと、接合強度は極端に低
下する。次に第1メタライズ層103として厚さ2.0
μmのAuを湿式めっきにより形成する。次に第2メタ
ライズ層104として厚さ1.8μmのSnを湿式めっ
きにより形成する。更に第3メタライズ層105として
厚さ0.3μmのAuを湿式めっきにより形成する。
【0016】Ni製第2合金部材111は電鋳により製
作される。電鋳NiはAu−Sn系合金との接合性が良
好にあるので、接合面にはNiメタライズを施す必要は
なく、直接第1メタライズ層107として厚さ2.0μ
mのAuを湿式めっきにより形成する。次に第2メタラ
イズ層108として厚さ1.8μmのSnを湿式めっき
により形成する。更に第3メタライズ層109として厚
さ0.3μmのAuを湿式めっきにより形成する。本発
明ではメタライズ層を全て湿式めっきにより形成してい
るが、全てのメタライズ層、あるいは一部にメタライズ
層を真空蒸着あるいはスパッタリング等の他の成膜手段
によって形成しても同等の効果が得られる。
【0017】次に接合に伴う接合部組織変化について、
図2及び図3を用いて述べる。図2は接合の各過程にお
ける接合部の組織を示す図、図3は接合の各過程におけ
る接合層の組織及び融点を示す図である。
【0018】101は厚さ50μmのSUS304製第
1合金部材、102は第1合金部材側の厚さ1μmのN
iメタライズ層、103は第1合金部材側の厚さ2.0
μmのAuよりなる第1メタライズ層、104は第1合
金部材側の厚さ1.8μmのSnよりなる第2メタライ
ズ層、105は第1合金部材側の厚さ0.3μmのAu
よりなる第3メタライズ層、106は第1合金部材側の
Ni−Sn金属間化合物、107は第2合金部材側の厚
さ2.0μmのAuよりなる第1メタライズ層、108
は第2合金部材側の厚さ1.8μmのSnよりなる第2
メタライズ層、109は第2合金部材側の厚さ0.3μ
mのAuよりなる第3メタライズ層、110は第2合金
部材側のNi−Sn金属間化合物、111は厚さ27μ
mのNi製第2合金部材、130はAu−Sn合金融液
である。
【0019】接合の各過程における接合部の組織は次の
通りとなる。接合部の加熱昇温速度が20K/sと高い
場合について述べる。
【0020】(1)状態A 第1合金部材101及び第2合金部材111を接合層を
介して密着させた状態が状態Aである。この状態では全
ての層が固体である。
【0021】(2)状態B 状態AからSnの融点直上まで加熱した状態が状態Bで
ある。第1合金部材側の厚さ1.8μmのSnよりなる
第2メタライズ層104及び第2合金部材側の厚さ1.
8μmのSnよりなる第2メタライズ層108が溶融す
る。
【0022】(3)状態B、C間 更に加熱を続けると、第1合金部材側の厚さ2.0μm
のAuよりなる第1メタライズ層103、第1合金部材
側の厚さ0.3μmのAuよりなる第3メタライズ層1
05、第2合金部材側の厚さ2.0μmのAuよりなる
第1メタライズ層107及び第2合金部材側の厚さ0.
3μmのAuよりなる第3メタライズ層109からAu
が溶融したSnよりなる第2メタライズ層108に溶け
出してAu−Sn合金融液130を形成する。Au−S
n合金融液130の融点はAu濃度の増大に伴い一旦低
下するが、Sn濃度約87mass%を境として再び上
昇する。加熱昇温速度が低い場合にはAu−Sn合金融
液130が凝固する場合もあるが、本実施例の場合には
加熱昇温速度が十分に高いので凝固することはない。
【0023】(4)状態C、D間 593Kまで加熱したら、温度を保持する。この間もA
u−Sn合金融液130へのAuの溶解は進行する。
【0024】(5)状態D 本実施例では、Au−Sn合金融液130へのAuの溶
解が終了した時に状態Dとなるように、各メタライズ層
の厚さを調整している。従って状態DではAu−Sn合
金融液と第1合金部材側の厚さ1μmのNiメタライズ
層102及び厚さ27μmのNi製第2合金部材111
とが直接接触する。
【0025】(6)状態D、E間 Au−Sn合金融液と第1合金部材側の厚さ1μmのN
iメタライズ層102及び厚さ27μmのNi製第2合
金部材111とが直接接触することにより、これらの界
面には急速にNi−Sn金属間化合物106が形成され
る。同化合物106には少量のAuも含有されるが、そ
のほとんどはNi及びSnである。この化合物106の
形成により、Au−Sn合金融液130中のSn濃度が
低下し、同合金融液130の融点も低下する。これによ
りAu−Sn合金融液の流動性が向上し、接合部の密着
性が向上する。
【0026】(7)状態E 状態Dから約10s加熱すると、Ni−Sn金属間化合
物106の成長により、Au−Sn合金融液中のSn濃
度が低下し、Au−Sn合金の共晶組成のAu−20m
ass%Snとなる。
【0027】(8)状態F 状態Eから接合部を冷却すれば、強度信頼性及び耐食性
に優れるAu−Sn共晶合金により接合された接合部を
得ることができる。
【0028】(9)状態E’ Au−Sn合金融液130へのAuの溶解が終了した時
に状態Dとならず、なお未溶解のAuが残る場合はAu
−Sn合金融液130の融点は数秒で593Kを超えて
状態E’となり固体の晶出が始まり、Au−Sn合金融
液130の流動性は極端に低下する。接合部の密着が完
全に行われないうちにAu−Sn合金融液130の凝固
が始まるので、接合部の強度信頼性は低下する。
【0029】状態Dから状態Eへの移行が状態E’への
移行よりも短時間のうちに起こるのは、状態Dから状態
Eへの移行が拡散律速であるNi−Sn化合物の成長に
よっているのに対して、状態Dから状態E’への移行が
Au−Sn合金中130へのAuの溶解によっているこ
とによる。
【0030】状態E’では接合部の強度信頼性は低下す
るが、一般にAu濃度が高いほどAu−Sn合金の耐食
性は増大するので、耐食性を第一に要求される接合部と
しては十分に使用に耐える場合もある。
【0031】本実施例ではNi−Sn化合物の成長が状
態Dから開始するものとして扱ったが、実際にはわずか
ではあるが状態Cに先立ってNi−Sn化合物の成長が
生じる。この場合はSnはAuよりなる第1合金部材側
の第1メタライズ層103及び第2合金部材側の第1メ
タライズ層107の内部を拡散してNiに到達し、Ni
−Sn化合物を形成する。このプロセスは拡散律速であ
るので、単位時間当りのSnの供給量は状態D、E間よ
りも極端に少なく、従って化合物成長速度も極めて小さ
くなる。本実施例の如く、加熱昇温速度を20K/s以
上とすれば、状態D以前の化合物形成に伴うAu−Sn
合金融液の組成変化は無視しうる量となる。
【0032】次に接合プロセスについて述べる。
【0033】211は図1に示すAuよりなる第1メタ
ライズ層103、Snよりなる第2メタライズ層104
及びAuよりなる第3メタライズ層105の3層のメタ
ライズ層からなる接合層、221は図1に示すAuより
なる第1メタライズ層107、107、Snよりなる第
2メタライズ層108及びAuよりなる第3メタライズ
層109の3層のメタライズ層からなる接合層、212
及び222は酸化膜や水、有機物からなる汚染物層、2
30は溶融して一体となった接合層、300はArアト
ムビーム、301は抵抗溶接機、302は抵抗溶接チッ
プ、303はアース端子、304は導電性ベース、30
5及び308はヒータを内蔵した加熱加圧治具、306
は厚さ0.5mmのチッ化アルミニウム製合金部材保持
治具、307はコイルばね、309は冷却ガスノズル、
310はガス導入フィードスルー、311はアトムソー
ス、400は真空チャンバである。
【0034】(1)セッティング 真空チャンバ400中に第1合金部材101及び第2合
金部材111を装填し、真空排気する。
【0035】第1合金部材101にはNiメタライズ層
102及び図1に示すAuよりなる第1メタライズ層1
03、Snよりなる第2メタライズ層104及びAuよ
りなる第3メタライズ層105の3層のメタライズ層か
らなる接合層211が形成されている。また第2合金部
材111には図1に示すAuよりなる第1メタライズ層
107、Snよりなる第2メタライズ層108及びAu
よりなる第3メタライズ層109の3層のメタライズ層
からなる接合層221が形成されている。真空排気され
た状態では接合層211及び221上には酸化物層や
水、有機物等の吸着物層からなる汚染物層212及び2
22が形成されている。
【0036】(2)活性化 アトムソース311にArガスを導入し、発生したAr
アトムビーム300によるスパッタリング現象を利用し
て、汚染物層212及び222を除去する。この処理に
より接合層211及び221の表面は清浄となり、接合
性、ぬれ性に富んだ面となる。
【0037】(3)大気中位置決め、固定 第1合金部材101及び第2合金部材111を大気中に
取り出し、アース端子303により接地された導電性ベ
ース304上に設置し、接合層211及び221を対向
させ、第1合金部材101及び第2合金部材111の相
対位置を調整したのち密着させ、抵抗溶接機301及び
抵抗溶接チップ302を用いて抵抗溶接を行い、第1合
金部材101及び第2合金部材111の相対位置を固定
する。この処理により位置決め治具などを用いなくと
も、第1合金部材101及び第2合金部材111の相対
位置のずれを生じさせることなく以降の処理を続けるこ
とができる。
【0038】(4)治具予熱 位置決め固定された第1合金部材101及び第2合金部
材111を真空チャンバ400中の合金部材保持治具3
06上に設置し、一旦真空排気した後チッ素やArなど
の不活性ガスを導入する。同時にヒータを内蔵した加熱
加圧治具305及び308を予熱し、573〜593K
に保つ。この状態では合金部材保持治具306はコイル
ばね307で加熱加圧治具308から浮いており、また
加熱加圧治具305は第2合金部材111に接触しない
位置に引き上げられている。従って第1合金部材101
及び第2合金部材111は加熱加圧治具305及び30
8と熱的に接触していないので、加熱加圧治具305及
び308を593Kに予熱しても第1合金部材101及
び第2合金部材111の温度は420K程度までしか上
昇せず、接合層211及び221は溶融しない。これに
よりNiメタライズ層102と接合層211との相互拡
散もほとんど生じない。
【0039】(5)加圧、加熱 加熱加圧治具305を図示しない加圧装置を用いて押下
し、第1合金部材101及び第2合金部材111を加圧
して密着させる。この時、コイルばね307が縮み、合
金部材保持治具306が加熱加圧治具308と接触する
ので、合金部材保持治具306を介して熱が急速に第1
合金部材101及び第2合金部材111に伝わり、急速
加熱される。同時に加熱加圧治具305も第2合金部材
111と接触しているので熱が第1合金部材101及び
第2合金部材111に伝わり急速加熱される。加熱加圧
の結果、まず接合層211及び221中のSnが溶融
し、隣接するAuを溶融してAu−Sn合金融液を形成
する。AuがAu−Sn合金融液中に完全に溶解するま
では、AuはSnのNiメタライズ層102及び第2合
金部材111への拡散に対するバリア層として機能す
る。Sn中のAuの濃度が増大するにつれAu−Sn合
金融液の融点は上昇するので、加熱昇温速度がこの融点
上昇速度よりも低い場合には融液は一旦凝固する。しか
しこの間にもSnとAuとの相互拡散は進行し、Au−
Sn合金の融点は連続的に変化する。加熱温度が553
Kを超えると、AuとSnの共晶反応により融液が生じ
て接合部の密着化が進行する。加熱昇温速度がAu−S
n合金の融点上昇速度よりも大きい場合には、Au−S
n合金層は凝固せず、溶融状態を保つ。
【0040】接合層411が完全に溶融すると、接合部
の密着化が促進されると共にAu−Sn合金融液中のS
nとNiメタライズ層102及び第2合金部材111と
が直接接触してNi−Sn化合物の形成が促進され、接
合層中のSn濃度が急激に減少する。
【0041】本実施例の場合には、加熱昇温速度が20
K/sec以上とすれば接合層中のSn濃度がAu−S
n共晶組成である20mass%よりも低くなる前に接
合を完了し、強固で気密性のある接合部を得ることがで
きる。また、加熱温度もAu−Sn系合金の共晶点であ
る553Kよりもわずかに高い573〜593Kとすれ
ばよく、第1合金部材101及び第2合金部材111へ
の熱的ダメージを小さく抑えることができる。加熱加圧
時間の最適値は実験により予め求めておく。
【0042】(6)冷却 所定時間加熱加圧した後、加熱加圧治具305を引き上
げて第2合金部材111から離す。この際コイルばね3
07が伸び、合金部材保持治具306を持ち上げるの
で、加熱加圧治具305及び308から第1合金部材1
01及び第2合金部材111への熱の流入は減少する。
次にガス導入フィードスルー310及び冷却ガスノズル
309を通してArあるいはN2などの不活性ガスを第
1合金部材101及び第2合金部材111と一体化した
接合層230へ吹き付けることにより接合部は急速に冷
却される。この急速冷却により、接合層230とNiメ
タライズ層102及び第2合金部材111との界面に形
成されるNi−Sn化合物層の成長を抑制することがで
き、強固で気密性のある接合部を得ることができる。
【0043】(7)取り出し 真空チャンバ400から第1合金部材101及び第2合
金部材111を取り出して接合は完了する。第1合金部
材101及び第2合金部材111は一体化した接合層2
30により強固に接合されている。
【0044】本実施例の場合、加熱昇温速度が20K/
secよりも小さい場合には接合層が溶融したのち完全
に一体となる前に接合層中のSn濃度がAu−Sn共晶
組成である20mass%よりも低くなる。その結果、
接合層融点が急激に上昇し、接合層の一体化が不完全な
まま接合層が凝固するので、強固で気密性のある接合部
は得られない。ただし、接合層の組成が本実施例と異な
る場合には加熱昇温速度を必ずしも20K/sec以上
とする必要はない。
【0045】本実施例では接合層のSn濃度を23ma
ss%としたが、Sn濃度は20mass%を超え40
mass%未満ならば良好な接合が可能である。この範
囲では前述の如くNi−Sn化合物の形成により接合層
中のSn濃度が低下すると接合層組成は共晶組成に近付
くので、接合層融点は低下する。その結果、加熱加圧中
に接合層が溶融して一体化するのに十分な時間的余裕が
あり、強固で気密性のある接合部を得ることができる。
一方、接合層組成が20mass%以下及び40mas
s%以上の場合には、Sn濃度が低下すると、接合層融
点は急速に上昇し、接合層が溶融して一体化する時間的
余裕がない。その結果、接合部にはボイドや未接合部な
どの接合欠陥が発生し、接合強度及び気密性を低下させ
る。
【0046】本実施例では接合層をAu−Sn系合金と
したが、接合中の接合層組成の変化により接合層融点が
変化する合金であれば、その合金組成を接合中に融点が
低下する組成に設定することにより本実施例と同様にし
て良好な接合部を得ることができる。
【0047】本実施例では合金部材を第1合金部材と第
2合金部材の2枚としたが、本発明による接合プロセス
を繰り返すことにより何枚でも積層接合することが可能
である。また位置合わせと抵抗溶接による固定プロセス
を繰り返すことにより3枚以上の合金部材の位置合わせ
固定を行い、一度に加熱接合することもできる。
【0048】次に本発明の接合方法にかかる他の実施例
を図5及び図6により説明する。
【0049】まず合金部材へのメタライズ層形成方法に
ついて述べる。
【0050】101は厚さ50μmのSUS304製第
1合金部材、102は厚さ1μmのNiメタライズ層、
501は厚さ1.15μmのAuよりなる第1メタライ
ズ層、502は厚さ1.8μmのSnよりなる第2メタ
ライズ層、503は厚さ1.15μmのAuよりなる第
3メタライズ層、111は厚さ27μmのNi製第2合
金部材である。
【0051】SUS304製第1合金部材101に湿式
めっきにより厚さ1μmのNi−P無電解めっきを施
す。厚さは必ずしも1μmでなくともよいが、接合後に
Niの全てがSnとの化合物として消費され尽くさない
だけの厚さが必要である。Ni−Sn化合物はSUS3
04との接合性に乏しく、接合後にNiの全てがSnと
の化合物として消費され尽くすと、接合強度は極端に低
下する。次に第1メタライズ層501として厚さ1.1
5μmのAuを湿式めっきにより形成する。次に第2メ
タライズ層502として厚さ1.8μmのSnを湿式め
っきにより形成する。更に第3メタライズ層503とし
て厚さ1.15μmのAuを湿式めっきにより形成す
る。Ni製第2合金部材111は電鋳により製作され
る。電鋳NiはAu−Sn系合金との接合性が良好であ
るので、接合面にはNiメタライズを施す必要はない。
【0052】本発明ではメタライズ層を全て湿式めっき
により形成しているが、全てのメタライズ層、あるいは
一部にメタライズ層を真空蒸着あるいはスパッタリング
等の他の成膜手段によって形成しても同等の効果が得ら
れる。
【0053】次に接合プロセスについて述べる。
【0054】212及び222は酸化膜や水、有機物か
らなる汚染物層、430は溶融して一体となった接合
層、300はArアトムビーム、301は抵抗溶接機、
302は抵抗溶接チップ、303はアース端子、304
は導電性ベース、305及び308はヒータを内蔵した
加熱加圧治具、306は厚さ0.5mmのチッ化アルミ
ニウム製合金部材保持治具、307はコイルばね、30
9は冷却ガスノズル、310はガス導入フィードスル
ー、311はアトムソース、400は真空チャンバであ
る。
【0055】(1)セッティング 真空チャンバ400中に第1合金部材101及び第2合
金部材111を装填し、真空排気する。
【0056】第1合金部材101にはNiメタライズ層
102及び図5に示すAuよりなる第1メタライズ層5
01、Snよりなる第2メタライズ層502及びAuよ
りなる第3メタライズ層503の3層のメタライズ層か
らなる接合層411が形成されている。真空排気された
状態では接合層411及び第2合金部材111上には、
酸化物層や水、有機物等の吸着物層からなる汚染物層2
12及び222が形成されている。
【0057】(2)活性化 アトムソース311にArガスを導入し、発生したAr
アトムビーム300によるスパッタリング現象を利用し
て汚染物層212及び222を除去する。この処理によ
り接合層411及び第2合金部材111の表面は清浄と
なり、接合性、ぬれ性に富んだ面となる。
【0058】(3)大気中位置決め、固定 第1合金部材101及び第2合金部材111を大気中に
取り出し、アース端子303により接地された導電性ベ
ース304上に設置し、接合層411及び第2合金部材
111を対向させ、第1合金部材101及び第2合金部
材111の相対位置を調整したのち密着させ、抵抗溶接
機301及び抵抗溶接チップ302を用いて抵抗溶接を
行い、第1合金部材101及び第2合金部材111の相
対位置を固定する。この処理により位置決め治具などを
用いなくとも、第1合金部材101及び第2合金部材1
11の相対位置のずれを生じさせることなく以降の処理
を続けることができる。
【0059】(4)治具予熱 位置決め固定された第1合金部材101及び第2合金部
材111を真空チャンバ400中の合金部材保持治具3
06上に設置し、一旦真空排気した後チッ素やArなど
の不活性ガスを導入する。同時にヒータを内蔵した加熱
加圧治具305及び308を予熱し、573〜593K
に保つ。この状態では合金部材保持治具306はコイル
ばね307で加熱加圧治具308から浮いており、また
加熱加圧治具305は第2合金部材111に接触しない
位置に引き上げられている。従って第1合金部材101
及び第2合金部材111は加熱加圧治具305及び30
8と熱的に接触していないので、加熱加圧治具305及
び308を593Kに予熱しても第1合金部材101及
び第2合金部材111の温度は420K程度までしか上
昇せず、接合層411は溶融しない。これによりNiメ
タライズ層102と接合層411との相互拡散もほとん
ど生じない。
【0060】(5)加圧、加熱 加熱加圧治具305を図示しない加圧装置を用いて押下
し、第1合金部材101及び第2合金部材111を加圧
して密着させる。この時、コイルばね307が縮み、合
金部材保持治具306が加熱加圧治具308と接触する
ので、合金部材保持治具306を介して熱が急速に第1
合金部材101及び第2合金部材111に伝わり急速加
熱される。同時に加熱加圧治具305も第2合金部材1
11と接触しているので、熱が第1合金部材101及び
第2合金部材111に伝わり急速加熱される。加熱加圧
の結果、まず接合層411中のSnが溶融し、隣接する
Auを溶融してAu−Sn合金融液を形成する。本実施
例ではSnに隣接する第1及び第2メタライズ層として
のAuは同一の厚さであり、AuがAu−Sn合金融液
中に完全に溶解するまでは、SnのNiメタライズ層1
02及び第2合金部材111への拡散に対するバリア層
として機能する。Sn中のAuの濃度が増大するにつ
れ、Au−Sn合金融液の融点は上昇するので、加熱昇
温速度がこの融点上昇速度よりも低い場合には、融液は
一旦凝固する。しかしこの間にもSnとAuとの相互拡
散は進行し、Au−Sn合金の融点は連続的に変化す
る。加熱温度が553Kを超えると、AuとSnの共晶
反応により融液が生じて接合部の密着化が進行する。加
熱昇温速度がAu−Sn合金の融点上昇速度よりも大き
い場合には、Au−Sn合金層は凝固せず、溶融状態を
保つ。
【0061】接合層411が完全に溶融すると、接合部
の密着化が促進されると共にAu−Sn合金融液中のS
nとNiメタライズ層102及び第2合金部材111と
が直接接触してNi−Sn化合物の形成が促進され、接
合層中のSn濃度が急激に減少する。本実施例の場合に
は、加熱昇温速度が20K/sec以上とすれば接合層
中のSn濃度がAu−Sn共晶組成である20mass
%よりも低くなる前に接合を完了し、強固で気密性のあ
る接合部を得ることができる。また加熱温度もAu−S
n系合金の共晶点である553Kよりもわずかに高い5
73〜593Kとすればよく、第1合金部材101及び
第2合金部材111への熱的ダメージを小さく抑えるこ
とができる。加熱加圧時間の最適値は実験により予め求
めておく。
【0062】(6)冷却 所定時間加熱加圧した後、加熱加圧治具305を引き上
げて第2合金部材111から離す。この際コイルばね3
07が伸び、合金部材保持治具306を持ち上げるの
で、加熱加圧治具305及び308から第1合金部材1
01及び第2合金部材111への熱の流入は減少する。
次にガス導入フィードスルー310及び冷却ガスノズル
309を通してArあるいはN2などの不活性ガスを第
1合金部材101及び第2合金部材111と一体化した
接合層430へ吹き付けることにより接合部は急速に冷
却される。この急速冷却により、接合層430とNiメ
タライズ層及び第2合金部材111との界面に形成され
るNi−Sn化合物層の成長を抑制することができ、強
固で気密性のある接合部を得ることができる。
【0063】(7)取り出し 真空チャンバ400から第1合金部材101及び第2合
金部材111を取り出して接合は完了する。第1合金部
材101及び第2合金部材111は一体化した接合層4
30により強固に接合されている。
【0064】本実施例の場合、加熱昇温速度が20K/
secよりも小さい場合には接合層が溶融したのち完全
に一体となると同時に接合層中のSn濃度がAu−Sn
共晶組成である20mass%よりも低くなる。その結
果、接合層融点が急激に上昇し、接合層の密着化が不完
全なまま接合層が凝固するので、強固で気密性のある接
合部は得られない。しかし、接合層の組成が本実施例と
異なる場合には加熱昇温速度を必ずしも20K/sec
以上とする必要はない。
【0065】本実施例では接合層のSn濃度を23ma
ss%としたが、Sn濃度は20mass%を超え40
mass%未満ならば良好な接合が可能である。この範
囲では前述の如くNi−Sn化合物の形成により接合層
中のSn濃度が低下すると接合層組成は共晶組成に近付
くので、接合層融点は低下する。その結果、加熱加圧中
に接合層が溶融した後接合部が完全に密着するのに十分
な時間的余裕があり、強固で気密性のある接合部を得る
ことができる。一方、接合層組成が20mass%以下
及び40mass%以上の場合には、Sn濃度が低下す
ると、接合層融点は急速に上昇し、接合部が完全に密着
化する時間的余裕がない。その結果、接合部にはボイド
や未接合部などの接合欠陥が発生し、接合強度及び気密
性を低下させる。
【0066】本実施例では接合層をAu−Sn系合金と
したが、接合中の接合層組成の変化により接合層融点が
変化する合金であれば、その合金組成を接合中に融点が
低下する組成に設定することにより本実施例と同様にし
て良好な接合部を得ることができる。
【0067】本実施例では合金部材を第1合金部材と第
2合金部材の2枚としたが、本発明による接合プロセス
を繰り返すことにより何枚でも積層接合することが可能
である。また位置合わせと抵抗溶接による固定プロセス
を繰り返すことにより3枚以上の合金部材の位置合わせ
固定を行い、一度に加熱接合することもできる。
【0068】
【発明の効果】本発明によれば、厚さ10ミクロン〜5
0ミクロンのSUS304板及びNi製の薄板の組み合
わせからなる被接合物を、Au、Sn及びAuの3層の
メタライズ層からなる接合層を用いて、真空中でアルゴ
ンアトムビームで清浄化し、その後大気中にて位置合わ
せ及び位置固定を行い、次に真空中あるいは不活性ガス
中にて加圧加熱接合するもので、SUS304板及び電
鋳Ni板に熱的ダメージを与えずに耐食性に優れた接合
を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の接合方法のメタライズ層形成方法に
かかる実施例を説明する図である。
【図2】 本発明の接合方法にかかる実施例の各接合過
程における接合部組織を説明する図である。
【図3】 本発明の接合方法にかかる実施例の各接合過
程におけるAu−Sn合金融液層の組織及び融点を説明
する図である。
【図4】 本発明の接合方法にかかる実施例を説明する
図である。
【図5】 本発明の接合方法のメタライズ層形成方法に
かかる実施例を説明する図である。
【図6】 本発明の接合方法にかかる実施例を説明する
図である。
【符号の説明】
101は厚さ50μmのSUS304製第1合金部材、
102は厚さ1μmのNiメタライズ層、103は厚さ
2.0μmのAuよりなる第1メタライズ層、104は
厚さ1.8μmのSnよりなる第2メタライズ層、10
5は厚さ0.3μmのAuよりなる第3メタライズ層、
106は第1合金部材側のNi−Sn金属間化合物、1
07は第2合金部材側の厚さ2.0μmのAuよりなる
第1メタライズ層、108は第2合金部材側の厚さ1.
8μmのSnよりなる第2メタライズ層、109は第2
合金部材側の厚さ0.3μmのAuよりなる第3メタラ
イズ層、110は第2合金部材側のNi−Sn金属間化
合物、111は厚さ27μmのNi製合金部材、130
はAu−Sn合金融液、300はArアトムビーム、3
01は抵抗溶接機、302は抵抗溶接チップ、303は
アース端子、304は導電性ベース、305、308は
ヒータを内蔵した加熱加圧治具、306は厚さ0.5m
mのチッ化アルミニウム製合金部材保持治具、307は
コイルばね、309は冷却ガスノズル、310はガス導
入フィードスルー、311はアトムソース、400は真
空チャンバー、411は接合層、430は溶融して一体
となった接合層、501は厚さ1.15μmのAuより
なる第1メタライズ層、502は厚さ1.8μmのSn
よりなる第2メタライズ層、503は厚さ1.15μm
のAuよりなる第3メタライズ層である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 玉橋 邦裕 茨城県勝田市武田1060番地 日立工機株式 会社内 (72)発明者 古家 佑治 茨城県勝田市武田1060番地 日立工機株式 会社内 (72)発明者 久貝 健一 茨城県勝田市武田1060番地 日立工機株式 会社内

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 インクジェットプリントヘッドを構成す
    る複数の合金部材の第1合金部材の第1面を第2合金部
    材の第2面に接合する部材において、 前記合金部材の第1面及び第2面のうち少なくとも一つ
    の面の上に母材側から第1メタライズ層としてAu、第
    2メタライズ層としてSn、第3メタライズ層としてA
    uの順に3層メタライズ層を形成し、前記第1面及び第
    2面を向い合わせに配置し、前記第1面及び第2面の相
    対位置を調整した後密着させ、前記第1及び第2合金部
    材を溶融することなく553K以上の温度に加熱して前
    記3層メタライズ層を溶融させて、前記第1及び第2合
    金部材を接合することを特徴とするインクジェットプリ
    ントヘッドの接合方法。
  2. 【請求項2】 第1、第2及び第3メタライズ層の厚さ
    をこれら3層メタライズ層全体でのSn含有率が20m
    ass%を超え40mass%未満とし、かつ第1メタ
    ライズ層の厚さが1μm以上、3層メタライズ層全体の
    厚さが3μm以上の3層メタライズを前記合金部材の第
    1及び第2面の上に形成して接合に供することを特徴と
    する請求項1記載のインクジェットプリントヘッドの接
    合方法。
  3. 【請求項3】 第1、第2及び第3メタライズ層の厚さ
    をこれら3層メタライズ層全体でのSn含有率が20m
    ass%を超え40mass%未満とし、かつ第1メタ
    ライズ層と第3メタライズ層との厚さを同一とし、3層
    メタライズ層全体の厚さが3μm以上の3層メタライズ
    を前記合金部材の第1あるいは第2面のうちのいずれか
    一方の上に形成して接合に供することを特徴とするイン
    クジェットプリントヘッドの接合方法。
  4. 【請求項4】 第1合金部材の第1面及び第2合金部材
    の第2面をArビームにて活性化した後、前記第1面及
    び第2面の相対位置を大気中にて調整した後密着させ、
    その後真空中あるいは不活性ガス中にて前記第1及び第
    2合金部材を溶融することなく553K以上の温度に加
    熱して前記3層メタライズ層を溶融させて、前記第1及
    び第2合金部材を接合することを特徴とする請求項1、
    2及び3記載のインクジェットプリントヘッドの接合方
    法。
  5. 【請求項5】 予め所定温度に加熱保持された治具を、
    相対位置を調整した後密着させられた前記第1及び第2
    合金部材に押し当てて553K以上の温度に加熱し、3
    層メタライズ層を溶融させ、前記第1及び第2の合金部
    材が所定温度に到達後、不活性ガスを前記第1及び第2
    の合金部材に吹き付けて冷却することを特徴とする請求
    項4記載のインクジェットプリントヘッドの接合方法。
  6. 【請求項6】 第1合金部材の第1面及び第2合金部材
    の第2面の相対位置を調整した後、加熱する前に抵抗溶
    接あるいは機械的締結を利用して第1合金部材と第2合
    金部材とを固定することを特徴とする請求項4記載のイ
    ンクジェットプリントヘッドの接合方法。
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JP2012210024A (ja) * 2011-03-29 2012-10-25 Nikon Corp 振動体、振動アクチュエータ、レンズ鏡筒、カメラ及び振動体の接合方法
WO2014042214A1 (ja) * 2012-09-12 2014-03-20 株式会社Kelk レーザダイオード用ペルチェモジュール

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