JPH06287091A - ＳｉＣ含有遠赤外線放射体、乾燥装置及び焼成装置 - Google Patents

ＳｉＣ含有遠赤外線放射体、乾燥装置及び焼成装置

Info

Publication number
JPH06287091A
JPH06287091A JP5329415A JP32941593A JPH06287091A JP H06287091 A JPH06287091 A JP H06287091A JP 5329415 A JP5329415 A JP 5329415A JP 32941593 A JP32941593 A JP 32941593A JP H06287091 A JPH06287091 A JP H06287091A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sic
far
sintered body
infrared radiator
present
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5329415A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigeru Hanzawa
茂 半澤
Tsuneo Komiyama
常夫 古宮山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NGK Insulators Ltd
Original Assignee
NGK Insulators Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NGK Insulators Ltd filed Critical NGK Insulators Ltd
Priority to JP5329415A priority Critical patent/JPH06287091A/ja
Priority to US08/188,323 priority patent/US5542194A/en
Priority to DE4403026A priority patent/DE4403026C2/de
Publication of JPH06287091A publication Critical patent/JPH06287091A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
    • F27D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • F27D99/0001—Heating elements or systems
    • F27D99/0033—Heating elements or systems using burners
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
    • C04B35/565—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide
    • C04B35/573—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide obtained by reaction sintering or recrystallisation
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F23—COMBUSTION APPARATUS; COMBUSTION PROCESSES
    • F23M—CASINGS, LININGS, WALLS OR DOORS SPECIALLY ADAPTED FOR COMBUSTION CHAMBERS, e.g. FIREBRIDGES; DEVICES FOR DEFLECTING AIR, FLAMES OR COMBUSTION PRODUCTS IN COMBUSTION CHAMBERS; SAFETY ARRANGEMENTS SPECIALLY ADAPTED FOR COMBUSTION APPARATUS; DETAILS OF COMBUSTION CHAMBERS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F23M5/00—Casings; Linings; Walls
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26—DRYING
    • F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B3/00—Drying solid materials or objects by processes involving the application of heat
    • F26B3/28—Drying solid materials or objects by processes involving the application of heat by radiation, e.g. from the sun
    • F26B3/30—Drying solid materials or objects by processes involving the application of heat by radiation, e.g. from the sun from infrared-emitting elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Microbiology (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)
  • Drying Of Solid Materials (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 遠赤外線の広い波長領域に亘って高い放射
率を有し、且つ耐蝕性、強度特性等に優れた遠赤外線放
射体、これを使用した乾燥装置及び焼成装置を提供す
る。 【構成】 ＳｉＣを含有する焼結体を含む遠赤外線放
射体である。Ｓｉ−ＳｉＣ焼結体を含むのが好ましい。
ＳｉＣを含有する焼結体を含む遠赤外線放射体を利用し
た乾燥装置及び焼成装置である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、遠赤外線放射体に関
し、更に詳細には、ＳｉＣ質焼結体を用いた遠赤外線放
射体、乾燥装置及び焼成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、遠赤外線は、水、有機物及び人体
等の波長吸収特性と遠赤外線の波長とがほぼ一致するた
めエネルギーの反射や透過が小さく、これら材料との間
のエネルギーの授受効率が良いこと、及び有機物等の内
部まで深達され、上記波長の一致性から共振・共鳴運動
を生じ、内部自己発熱を発生するため、有機物等の内部
と外部とをほぼ同時に昇温させること等の理由から、種
々研究されている。
【０００３】また、遠赤外線を適用する用途としては、
熱処理等の広範な範囲に亘り、乾燥、加熱、焙煎、発
酵、熟成及び保温等、例えば、プラスチックの予備乾
燥、スポット塗装乾燥、連続式魚焼き機、コーヒーの焙
煎、ウーロン茶の発酵、お好み焼き及び焼き肉等の食品
の加熱のみならず、遠赤外線照射治療器等が例示でき
る。
【０００４】一方、遠赤外線を利用して上記のような処
理を行うに当たり、被処理物の固有振動数に合致した遠
赤外線を放射するのがエネルギー効率上最も好ましいと
言えるが、それぞれの被処理物の固有振動数に対応して
別個に遠赤外線放射体を製造するのは、工業コスト的に
妥当ではない。従って、遠赤外線放射体材料としては、
遠赤外線の広い波長領域に亘って高い放射率を有する材
料が、種々研究されており、セラミックス材料では、ア
ルミナやコージエライトが知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記セ
ラミックス材料といえども未だ十分とは言い難く、放射
効率について、なお一層の改善の余地がある。また、遠
赤外線放射体は、熱処理中に種々の化学物質に曝露され
ることも多く、これら化学物質に対する耐蝕性について
も課題があった。更に、取扱い上、破損を回避するため
にも、材料自体の強度が大きい方が好ましいという要請
もある。
【０００６】本発明は、このような従来技術の有する課
題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところ
は、遠赤外線の広い波長領域に亘って高い放射率を有
し、且つ耐蝕性、強度特性等に優れた遠赤外線放射体、
これを使用した乾燥装置及び焼成炉を提供することにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記目的を
達成すべく、種々の材料について鋭意研究した結果、Ｓ
ｉＣを含有する焼結体を用いることにより、上記目的が
達成できることを見出し本発明を完成するに至った。従
って、本発明の遠赤外線放射体は、ＳｉＣを含有する焼
結体を含むことを特徴とする。
【０００８】
【作用】本発明の遠赤外線放射体は、遠赤外線の広い波
長領域に亘って、その放射効率が良好である。従って、
種々の用途に適用できるとともに、その際のエネルギー
コストを低減することができる。また、本発明の遠赤外
線放射体は、耐蝕性及び強度特性が良好である。従っ
て、種々の用途に用いることができ、製品寿命を向上で
きるとともに、取扱いの際の破損等を防止できる。
【０００９】次に、本発明の遠赤外線放射体について説
明する。本発明の遠赤外線放射体は、ＳｉＣを含有する
焼結体を含む。ここで、「ＳｉＣを含有する焼結体」と
は、ＳｉＣ焼結体のみから構成される場合のみならず、
Ｓｉ−ＳｉＣ焼結体を含有する場合も包含する意味であ
る。本発明の遠赤外線放射体は、ＳｉＣを含有する焼結
体を含むため、広い波長領域に亘ってその放射効率が良
好であり、種々の被処理物に対して、乾燥、加熱、焙
煎、保温及び発酵等の種々の処理を施すのに用いること
ができる。また、放射効率が良好であるところから、当
該処理の際に必要とされるエネルギー（通常、遠赤外線
放射体がガス等の発熱体から受けるエネルギー）を低減
することができ、省エネルギーという現在の要請にも合
致するものである。
【００１０】また、特に、本発明の遠赤外線放射体は、
水分を熱処理するのに最適の波長である４〜８μｍ程度
の波長における放射率に優れており、被処理物に含まれ
る水分を加熱したり、蒸発させたりする処理に特に好適
に使用することができる。更に、Ｓｉ−ＳｉＣ焼結体を
含有する遠赤外線放射体においては、従来のアルミナ製
等の遠赤外線放射体と異なり、１２μｍ程度の波長領域
で放射効率が激減することがなく、広い波長領域に亘っ
て安定し且つ高い放射率を有する。更にまた、本発明の
遠赤外線放射体の表面粗さとしては、中心線平均粗さＲ
ａで０．５μｍ以上とするのが、放射効率を一層向上で
きるので好ましい。なお、表面粗さの調整は、例えば、
ブラスト処理を施すことにより行うことができる。
【００１１】また、本発明の遠赤外線放射体は、ＳｉＣ
を含有する焼結体を含むため、種々の化学物質に対する
耐蝕性が良好である。従って、種々の化合物を発生する
可能性を有する物質の乾燥、加熱、焙煎等の熱処理につ
いても好適に用いることができる。更に、上記の理由か
ら、本発明の遠赤外線放射体は、強度が強く（通常、４
点曲げ強度が２５００ｋｇｆ／ｃｍ2程度）、従って、
加工、組立及び運搬等の取扱いにおいて、破損すること
が少ない。なお、耐熱衝撃性を向上する観点からは、Ｓ
ｉ−ＳｉＣ焼結体のＳｉＣ成分のβ−ＳｉＣ分を多くす
るのがよい。更にまた、本発明の遠赤外線放射体は、万
が一破損した場合にも、破損部分の形状が鋭利にならな
いため、上記取扱い作業中に作業員が怪我をする可能性
を低減することができる。
【００１２】次に、本発明の遠赤外線放射体の用途とし
ては、特に限定されるものではなく、被処理物に熱処理
を施す装置、方法等であれば十分であり、乾燥装置や焼
成炉及びその内張材等の構造部材、加熱装置（焼き肉用
加熱板及び電子レンジ用加熱調理板等の調理用装置も含
む。）並びに発酵装置等を例示できる。
【００１３】特に、本発明の遠赤外線放射体を内張材等
の構造部材に用いた焼成炉は、乾燥（水分除去）から焼
成までの一連の工程を行うセラミックス等の焼成作業に
おいて好適に用いることができる。この場合、特にＳｉ
−ＳｉＣ焼結体を含む遠赤外線放射体を内張材として用
いると、焼成工程においても以下のような更なる利点を
得ることができる。まず、Ｓｉ−ＳｉＣ焼結体の耐蝕
性，耐酸化性等が良好なところから、焼成炉の耐久性を
向上させることができる。即ち、腐食性ガスを発生する
原料を含むセラミックスを焼成しても内張の痛みが少な
く、また、内張が酸化劣化してその微粉が被焼成物に落
下することにより、得られる製品の外観等を損なうこと
（いわゆるボロフリ現象）を回避することができる。ま
た、Ｓｉ−ＳｉＣ焼結体の強度が良好なところから、内
張の厚さを薄くすることができ焼成炉の製造コストを低
減できるとともに、熱効率を向上させることができる。
この際、Ｓｉ−ＳｉＣ焼結体製の棚板を併用すれば、熱
効率を一層向上させることができる。更に、Ｓｉ−Ｓｉ
Ｃ焼結体の熱伝導率が良好なところから、Ｓｉ−ＳｉＣ
を内張材とする焼成炉では、炉内の均熱化が早く、均質
な焼成物を得ることを促進できる。なお、本明細書にお
いて、「内張材」には、トンネル炉等における隔壁も含
まれるものとする。
【００１４】上述のような熱処理を施す装置において、
本発明の遠赤外線放射体を使用するには、任意の発熱体
（発熱源）から本発明の遠赤外線放射体に熱エネルギー
を供給すれば十分である。上記発熱体（発熱源）として
は、電気、ガス、高温の油等を例示できる。また、乾燥
装置等への適用については、本発明の遠赤外線放射体を
ニクロム線等の発熱体に近接させたり、連結させればよ
い。更に、本発明の遠赤外線放射体から遠赤外線を発生
させる他の方法としては、任意の波動源から波動エネル
ギーを付与する方法、例えば、本発明の放射体を電子レ
ンジ内に配置し、これにマイクロ波等を照射することに
より、共振運動を発生させる方法を挙げることができ
る。
【００１５】次に、本発明の遠赤外線放射体の製造方法
について説明する。上記ＳｉＣ焼結体の製造方法として
は、通常の方法を適用できる。一方、Ｓｉ−ＳｉＣ焼結
体の製造方法としては、まず、所定量のＣ粉末、ＳｉＣ
粉末、バインダー、水又は有機溶媒を混練し、成形して
所望形状の成形体を得る。次いで、この成形体を、金属
Ｓｉ雰囲気下、減圧の不活性ガス又は真空中に置き、成
形体中に金属Ｓｉを含浸させる方法を挙げることができ
る。
【００１６】また、Ｓｉ−ＳｉＣ焼結体の他の製造方法
としては、グラファイトシートやカーボンシートを、金
属Ｓｉを充填したルツボ等の中に配置し、加熱して金属
Ｓｉを溶融させ、キャピラリ効果を利用して、上記シー
トを構成する炭素とＳｉとを反応させてＳｉＣを生成す
るとともに、過剰のＳｉを残存させる方法が挙げられ
る。この製造方法においては、上記シートの代わりに、
竹類、木材及び昆虫類等の天然物を用いることも可能で
あり、この場合には、これら天然物（及びその加工物、
例えば、竹細工製品等）の形状を模写（複写）した遠赤
外線放射体、例えばセラミックス炭等を得ることができ
る。なお、上記Ｓｉ−ＳｉＣ焼結体のいずれの製造方法
においても、成形体密度、焼成温度、反応温度等の反応
条件を適宜変更することにより、該焼結体のＳｉＣ成分
のうちのβ−ＳｉＣ分又は残留Ｓｉ分を増減させること
ができる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明を実施例により説明するが、本
発明はこれら実施例に限定されるものではない。 （実施例１）β−ＳｉＣ（平均粒径１μｍ）にＢ4Ｃを
０．５重量％添加し、更に水分を３重量％添加し、これ
をＳｉＣ玉石を用い２時間ポット混合した。得られた成
形体原料から、６０×６０×８（厚さ）の成形体を作成
し、この成形体をＡｒ雰囲気中で１８００℃まで加熱
し、次いで、真空中で２２００℃に加熱してＳｉＣ焼結
体を得た。得られた焼結体から、４０×４０×５ｍｍ
（厚さ）の試験片（遠赤外線放射体）を切り出し、これ
に発熱体を連結した。この試験片（Ｒａ＝１．０μｍ）
を２００℃に加熱し、遠赤外線の放射効率を測定した。
得られた結果を図１に示す。なお、図１の放射率は、黒
体を１００とした場合の比で表している。
【００１８】（実施例２）９０重量部のα−ＳｉＣ粉
末、６０重量部のα−ＳｉＣ粉末（平均粒径３０μ
ｍ）、４０重量部のα−ＳｉＣ（平均粒径２μｍ）を混
合した。得られた混合物１００重量部に対し、１０重量
部のＣ粉末（平均粒径１μｍ）、２重量部のバインダー
及び３重量部の水分を加えてプリミックスを作成した。
次いで、このプリミックスを、金型を用い５００ｋｇｆ
／ｃｍ2の圧力で加圧して５０×５０×５ｍｍ（厚さ）
の成形体を得た。得られた成形体を真空中で金属Ｓｉに
接触させながら１８００℃で２時間保持し、緻密なＳｉ
−ＳｉＣ焼結体を得た。この焼結体から上記と同様の試
験片を切り出し、その表面を８０＃のコランダム粒でサ
ンドブラスト処理し、表面粗さをＲａ＝１５０μｍに調
整した。実施例１と同様の放射率測定を行い、得られた
結果を図１に示す。
【００１９】（比較例１）セラミックス材としてＡｌ2
Ｏ3焼結体を用いた以外は、実施例１と同様の操作を繰
り返し、得られた結果を図１に示す。なお、実施例２の
放射率測定の結果を併記する。
【００２０】（実施例３）試験片の表面粗さをＲａ＝５
μｍに調整した以外は、実施例２と同様の操作を繰り返
し、得られた結果を図２に示す。なお、実施例２の放射
率測定の結果を併記する。 （実施例４）試験片の表面粗さをＲａ＝０．５μｍに調
整した以外は、実施例２と同様の操作を繰り返し、得ら
れた結果を図２に示す。
【００２１】図１から明らかなように、本発明の範囲に
属する実施例１及び２の遠赤外線放射体は、広い波長領
域に亘って優れた遠赤外線放射率を有することがわか
る。また、図２から、Ｓｉ−ＳｉＣ焼結体の表面粗さＲ
ａが０．５μｍより大きい場合に放射率が一層良好とな
ることがわかる。
【００２２】（実施例５）実施例１と同様の操作を繰り
返し、４００×３５０×５ｍｍ（厚さ）のＳｉＣ製の焼
結体板を得た。得られた焼結体板（Ｒａ＝２μｍ）を、
ニクロム線を発熱体とする電気炉の内部に内張りとして
配設し、乾燥装置を得た。被処理物（被乾燥物）とし
て、平均粒径５μｍのＳｉ3Ｎ4粉末８３重量部に、水分
１７重量部及び水ガラス２重量部を添加し、これをスラ
リー化し、外径１００ｍｍφ、内径８０ｍｍφ、高さ１
００ｍｍのルツボに流し込み成形した成形体を作成し
た。この成形体を、上述のようにして得られた乾燥装置
内に配置し、下記又はの乾燥スケジュールで乾燥さ
せた。成形体のクラック発生状態を観察し、得られた結
果を表１に示す。・・・ ２０℃×１時間→４０℃×１時間→６０℃×１時
間→１００℃×１時間・・・ ２０℃×３０分→４０℃×３０分→６０℃×３０
分→１００℃×３０分
【００２３】（実施例６）実施例２と同様の操作を繰り
返しＳｉ−ＳｉＣ製焼結体板を得た以外は、実施例５と
同様の操作を繰り返し、得られた結果を表１に示す。
【００２４】（比較例２）乾燥装置の内張りをステンレ
ス板で施した以外は、実施例５と同様の操作を繰り返
し、得られた結果を表１に示す。 （比較例３）内張りをＡｌ2Ｏ3板で施した以外は、実施
例５と同様の操作を繰り返し、得られた結果を表１に示
す。
【００２５】
【表１】
【００２６】表１から明らかなように、本発明の乾燥装
置に係る実施例５及び６によれば、クラックを発生する
ことなく、優れた乾燥を行うことができることがわか
る。
【００２７】（実施例７）実施例２と同様の操作を行
い、Ｓｉ−ＳｉＣ板（２００×１００×５ｍｍ（厚さ）
Ｒａ＝１５０μｍ）を得た。このＳｉ−ＳｉＣ板を焼き
肉装置（シンポ株式会社製）のスリット付き金属板（加
熱板）上に敷設した。この際、Ｓｉ−ＳｉＣ板の占有面
積は、スリット付き金属板の約半分の面積とした。次い
で、Ｓｉ−ＳｉＣ板を約２５０℃に加熱し、このＳｉ−
ＳｉＣ板に、約６０×６０×１０ｍｍ（厚さ）に切り出
した牛肉片を３枚載置した。２０秒経過した後に、１枚
の牛肉片を裏返し、裏面を更に２０秒間焼いて取出し、
牛肉片の状態（内部の状態、寸法変化等）を観察し、得
られた結果を表２に示した。また、他の牛肉片（２枚
目）については、４０秒間表面を焼き、更に４０秒間裏
面を焼いて取出し、更に他の牛肉片（３枚目）について
は、６０秒間表面を焼き、６０秒間裏面を焼いて取出し
た。同様に牛肉片の状態を観察し、得られた結果を表２
に示す。
【００２８】（比較例４）上記スリット付き金属板の他
の半分（Ｓｉ−ＳｉＣ板を敷設した以外の部分）に、同
様の牛肉片を載置し、実施例７と同時に操作を開始し、
実施例７と同様の操作を繰り返し、得られた結果を表２
に示した。
【００２９】
【表２】
【００３０】表２より、本発明の遠赤外線放射体を用い
ると、短時間で牛肉片の表面から内部まで均一に火が通
り、しかも寸法変化が少ないことがわかる。このこと
は、牛肉片に含まれている水分、油分、エキス成分の等
の旨み成分が必要以上に流出せずに調理（焼き肉）で
き、ジューシーな焼き肉が提供できることを意味すると
考えられる。また、実際に、実施例７で得られた焼き肉
と比較例４で得られた焼き肉とを２５人に試食させた結
果、３人がどちらとも言えないと回答した以外は、実施
例７の焼き肉の方が美味であるとの回答（２２人）を得
た。
【００３１】更に、表２より、実施例７で得られた焼き
肉の方が、比較例４のものより表面のコゲの量が少ない
ことがわかる。従って、最近、新聞紙上で発ガン性が懸
念されている炭化物（過剰のコゲ）が、従来の焼き肉装
置で得られるものより少なく、ヘルシー指向の世情によ
く合致していると言える。更にまた、実施例７のＳｉ−
ＳｉＣ板に付着したコゲ等は、水に１０時間程度浸漬し
ておくだけで容易に除去でき、こびりつき等が発生せ
ず、ほぼ最初の状態（新品同様の状態）が復元された。
【００３２】（実施例８）実施例２と同様の操作を行
い、１００×１００×１０ｍｍ（厚さ）、Ｒａ＝１５０
μｍのＳｉ−ＳｉＣ板を得、このＳｉ−ＳｉＣ板を、電
子レンジ（松下電気製、商品名ＮＥ−１０００、２００
Ｖ、６０Ｈｚ、入力電力２０６０Ｗ、定格高周波出力１
０５０Ｗ）内に配置し、次いで、電子レンジを作動さ
せ、Ｓｉ−ＳｉＣ板の表面温度の経時変化を観察した。
得られた結果を図３に示す。
【００３３】図３から、実施例８の遠赤外線放射体は電
子レンジ内で迅速に加熱されるため、本発明の遠赤外線
放射体を電子レンジ内に配置するだけで、電子レンジに
オーブン機能を付加できることがわかる。また、約３分
経過後に、クッキーやケーキ類を焼ける温度である２０
０℃前後に加熱され、昇温時間も短時間で十分であるこ
とがわかる。
【００３４】（実施例９）図４に、本発明の焼成装置の
一例を示す。同図において、焼成装置１は、外枠２と、
耐熱鋼板４と、断熱材層６と、内張８とを備えて構成さ
れている。この焼成炉１は扉１２を備えており、この扉
１２に設けられている通気管１４を介して、所要に応じ
て炉内雰囲気を調整することが可能である。また、焼成
炉１の側壁には、熱源の一例であるガスバーナ１０が設
けられている。そして、焼成装置１の内張８として、本
発明に係るＳｉ−ＳｉＣ焼結体が使用されており、本実
施例において、Ｓｉ−ＳｉＣ焼結体製内張８は、支柱１
６により支持・立設されている。 （熱効率試験）図４に示す焼成装置１において、内張８
を実施例２で得られたＳｉ−ＳｉＣ焼結体（厚さ５ｍ
ｍ、Ｒａ＝１５０μｍ）で構成し、その内容積は６ｍ3
とした。この焼成装置内に、ＳｉＯ結合−ＳｉＣ質棚板
（４５０×４５０×１２ｍｍ（厚さ）、重量７ｋｇ）及
びムライト製の棚組用支柱を配置した。この際、１段当
たりの棚板の枚数を１６枚とし、段と段との間には棚組
用支柱を配置してその距離を５０ｍｍとし、２６段積み
重ねて配置して棚組を行った。なお、棚組に用いた部材
の総重量は３２００ｋｇである。次いで、上述のように
棚組した棚板に被焼成物（食器用の成形体、総重量１０
００ｋｇ）を載置し、上記焼成炉の扉を閉じた。焼成炉
内を１０時間で室温から１２５０℃（最高温度）に昇温
し、この温度で１．５時間保持した後、１０．５時間で
室温まで冷却することにより食器を焼成した。この焼成
に必要とされたＬＰＧの量及びＬＰＧ１ｋｇで焼成でき
る製品（食器）の重量を表３に示した。
【００３５】（実施例１０）棚板として、Ｓｉ−ＳｉＣ
焼結体製棚板（４５０×４５０×５ｍｍ（厚さ）、重量
３ｋｇ、Ｒａ＝１５０μｍ）を用い、１６枚×３２段の
構成で棚組を行った以外は、実施例９と同様の操作を繰
り返し、得られた結果を表３に示した。
【００３６】（比較例５）内張８を厚さ１００ｍｍの耐
熱レンガ（Ａ−４６、Ａ類７種、ＪＩＳ Ｒ ２６１１
による）とした以外は、実施例９と同様の操作を繰り返
し、得られた結果を表３に示した。 （比較例６）内張８を厚さ１５０ｍｍのファイバー状の
Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2質セラミックスとした以外は、実施
例９と同様の操作を繰り返し、得られた結果を表３に示
した。 （比較例７）内張８を厚さ１５０ｍｍのファイバー状の
Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2質セラミックスとした以外は、実施
例１０と同様の操作を繰り返し、得られた結果を表３に
示した。
【００３７】
【表３】
【００３８】表１に示したように、本発明の範囲に属す
る実施例９又は１０の焼成装置によれば、焼成に使用す
るＬＰＧ量を低減することができ、熱効率に優れること
が分かる。即ち、従来の焼成炉を用いた場合の代表例で
ある比較例５又は６に対し、実施例９又は１０によれ
ば、ＬＰＧ１ｋｇ当たりで焼成できる製品の重量を１．
１〜２．３倍に増加できることが分かる。なお、実施例
９又は１０においては、焼成装置の形式をシャトル炉の
ような単独炉としたが、これに限定されるものではな
く、例えば、トンネル炉、ローラーハースキルン等の連
続炉とすることも可能である。また、内張８としても、
立設されている部分に限定されるものではなく、横設さ
れている部分であってもよく、更に、トンネル炉等にお
いては各熱処理領域間の隔壁として用いることも可能で
ある。
【００３９】（熱伝導率測定）実施例２で得られたＳｉ
−ＳｉＣ焼結体、及びその他の物質の熱伝導率λをレー
ザーフラッシュ法により測定し、得られた結果を表４に
示した。ここで、レーザーフラッシュ法においては、試
料を１０ｍｍφ×５ｍｍ（厚さ）に加工し、得られた試
験片の片面に一定量のレーザーエネルギーを瞬間的に付
与する。この際、レーザーエネルギーを付与した面の反
対側の面（裏面）の温度を、このエネルギーの付与瞬間
から赤外線検出器により測定することにより、時間と温
度上昇との関係を求める。熱伝導率λは、得られた関係
から熱拡散率を求め、この熱拡散率に比熱と比重をかけ
ることにより算出される。表４に示すようにＳｉ−Ｓｉ
Ｃ焼結体は、セラミックス材では熱伝導率λが最も高い
材料の１つである。高温雰囲気中で使用する構造材につ
いて考慮すれば、融点、強度及びコストの点からＳｉ−
ＳｉＣ焼結体が最適であるということができる。
【００４０】
【表４】
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ＳｉＣを含有する焼結体を用いることとしたため、遠赤
外線の広い波長領域に亘って高い放射率を有し、且つ耐
蝕性、強度特性等に優れた遠赤外線放射体、これを使用
した乾燥装置及び焼成装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の放射体及び従来の放射体の遠赤外線放
射特性を示す線図である。
【図２】本発明の放射体の遠赤外線放射特性を示す線図
である。
【図３】本発明の放射体を電子レンジで処理した場合の
昇温特性を示す線図である。
【図４】本発明の焼成炉の一例を示す一部切欠斜視図で
ある。
【符号の説明】 １ 焼成装置、２ 外枠、４ 耐熱鋼板、６ 断熱材
層、８ 内張、１０ ガスバーナ、１２ 扉、１４ 通
気管、１６ 支柱
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｆ２６Ｂ 3/30 9140−3Ｌ

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ＳｉＣを含有する焼結体を含むことを特
    徴とする遠赤外線放射体。
  2. 【請求項２】 Ｓｉ−ＳｉＣ焼結体を含有することを特
    徴とする請求項１記載の遠赤外線放射体。
  3. 【請求項３】 Ｓｉ−ＳｉＣ焼結体が、５０重量％以上
    のＳｉＣ及び５０重量％以下のＳｉを含有することを特
    徴とする請求項２記載の遠赤外線放射体。
  4. 【請求項４】 中心線平均粗さＲａが、０．５μｍ以上
    であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載
    の遠赤外線放射体。
  5. 【請求項５】 請求項１〜４のいずれかに記載の遠赤外
    線放射体を、使用して成ることを特徴とする乾燥装置。
  6. 【請求項６】 請求項１〜４のいずれかに記載の遠赤外
    線放射体を、使用して成ることを特徴とする焼成装置。
JP5329415A 1993-02-02 1993-12-27 ＳｉＣ含有遠赤外線放射体、乾燥装置及び焼成装置 Pending JPH06287091A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5329415A JPH06287091A (ja) 1993-02-02 1993-12-27 ＳｉＣ含有遠赤外線放射体、乾燥装置及び焼成装置
US08/188,323 US5542194A (en) 1993-02-02 1994-01-26 Silicon carbide body for radiating far-infrared radiation, drying apparatus including the body, and firing apparatus including the body
DE4403026A DE4403026C2 (de) 1993-02-02 1994-02-01 Strahler für fernes Infrarot und dessen Verwendung

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5-15708 1993-02-02
JP1570893 1993-02-02
JP5329415A JPH06287091A (ja) 1993-02-02 1993-12-27 ＳｉＣ含有遠赤外線放射体、乾燥装置及び焼成装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06287091A true JPH06287091A (ja) 1994-10-11

Family

ID=26351900

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5329415A Pending JPH06287091A (ja) 1993-02-02 1993-12-27 ＳｉＣ含有遠赤外線放射体、乾燥装置及び焼成装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5542194A (ja)
JP (1) JPH06287091A (ja)
DE (1) DE4403026C2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100309711B1 (ko) * 1998-11-26 2001-12-17 박영진 규소함량광물에마이크로파를조사하여건조효율을증대시키는건조방법
WO2003064332A1 (fr) * 2002-01-29 2003-08-07 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Procede et appareil utilises pour activer de l'eau
WO2006112250A1 (ja) * 2005-04-13 2006-10-26 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho ガラス状炭素製誘導発熱体及び加熱装置並びに加熱器

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09235161A (ja) * 1996-03-01 1997-09-09 Ngk Insulators Ltd 耐食性に優れたＳｉ−ＳｉＣ質焼結体およびそれからなる窯道具ならびに窯炉の内張材、およびこれらを用いた窯炉
KR100197109B1 (ko) * 1997-01-22 1999-06-15 유규재 원적외선 방사물질의 제조방법
US20040237179A1 (en) * 2000-05-08 2004-12-02 Roger Kjonaas Spa system
US6745411B1 (en) * 2000-05-08 2004-06-08 Roger L. Kjonaas Spa system
DK1321731T3 (da) * 2001-12-22 2006-11-13 Moletherm Holding Ag Energitransmitter som bestanddel af et coatings- og/eller törringsanlæg, især til en lakcoating
JP4175558B2 (ja) * 2002-07-23 2008-11-05 株式会社ファーベスト 遠赤外線放射材料
DE102005000837B4 (de) 2005-01-05 2022-03-31 Advanced Photonics Technologies Ag Thermische Bestrahlungsanordnung zur Erwärmung eines Bestrahlungsgutes
GB2431985A (en) * 2005-11-03 2007-05-09 Lincat Group Plc Oven compartment for a heat-storage cooker comprising a ceramic material
US7785848B2 (en) * 2006-05-23 2010-08-31 Activa Biogreen, Inc. Biomass conversion performance using igneous phyllosilicate minerals with high emission of far-infrared light
CN101563771A (zh) * 2006-11-10 2009-10-21 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 衬托器和使用该衬托器形成led器件的方法
US20230149989A1 (en) * 2020-02-07 2023-05-18 Kotaro TAKEMURA System for recycling general waste containing waste plastic, method for recycling general waste, and far infrared radiation catalytic reduction device used with system for recycling general waste

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62202865A (ja) * 1986-03-04 1987-09-07 日本軽金属株式会社 セラミツクス遠赤外線放射体
JPH01224266A (ja) * 1988-03-01 1989-09-07 Tokai Konetsu Kogyo Co Ltd 赤外線放射材料

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4263500A (en) * 1978-06-19 1981-04-21 Clairol Incorporated Infrared heating hair dryer
US4668452A (en) * 1980-02-26 1987-05-26 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Process for producing silicon carbide heating elements
JPH04363578A (ja) * 1991-06-10 1992-12-16 Komatsu Seiren Kk 被乾燥物保護装置付き遠赤外線乾燥機及び遠赤外線乾燥方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62202865A (ja) * 1986-03-04 1987-09-07 日本軽金属株式会社 セラミツクス遠赤外線放射体
JPH01224266A (ja) * 1988-03-01 1989-09-07 Tokai Konetsu Kogyo Co Ltd 赤外線放射材料

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100309711B1 (ko) * 1998-11-26 2001-12-17 박영진 규소함량광물에마이크로파를조사하여건조효율을증대시키는건조방법
WO2003064332A1 (fr) * 2002-01-29 2003-08-07 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Procede et appareil utilises pour activer de l'eau
US7261822B2 (en) 2002-01-29 2007-08-28 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Method and apparatus for activating water
WO2006112250A1 (ja) * 2005-04-13 2006-10-26 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho ガラス状炭素製誘導発熱体及び加熱装置並びに加熱器

Also Published As

Publication number Publication date
DE4403026C2 (de) 2003-06-26
US5542194A (en) 1996-08-06
DE4403026A1 (de) 1994-08-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH06287091A (ja) ＳｉＣ含有遠赤外線放射体、乾燥装置及び焼成装置
US3731037A (en) Microwave kiln to cook food
US3777099A (en) Methods of heating an article in a microwave oven
US3881027A (en) Method of microwave baking
CN2454675Y (zh) 用于微波炉的辐射电加热器
AU5678800A (en) Method of producing dental ceramics and furnace for heat-treating dental ceramics
KR100470316B1 (ko) 세라믹 발열체 및 그 제조방법
JP3650373B2 (ja) 電子レンジ用耐熱皿
JPH0731546A (ja) 調理用シートと調理方法
JPH0613174A (ja) 電子レンジ
JPH02135689A (ja) 電磁調理器用セラミックス製加熱容器及びその製造方法
JP2005126247A (ja) 陶磁器およびその製造方法
JP3235887B2 (ja) 水分含有物の乾燥方法
KR200220122Y1 (ko) 고기구이 판
JPH0247555B2 (ja)
JPS6066029A (ja) 調理用加熱器
JPS6235343Y2 (ja)
JP2544852B2 (ja) セラミック製熱輻射体
JPH044852B2 (ja)
JPH01174826A (ja) 凝灰石、石灰岩、玄武岩、安山岩を含むモザイク様天燃混合凝縮岩より成る遠赤外線輻射体
JPS62248443A (ja) バ−ムク−ヘン用オ−ブン構造
JPS62239937A (ja) 菓子・パン類焼成用トンネル窯
Kasuriya et al. Rapid Drying of Ceramic and Efficient Food Processing with a Continuous Microwave Belt Furnace
JPH10182265A (ja) 凝灰岩系砂岩成形体の改質法
JPS5826483A (ja) 赤外線加熱機器

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19971216