JPH0628710A - 光情報記録媒体、その製造方法及びその初期化方法 - Google Patents
光情報記録媒体、その製造方法及びその初期化方法Info
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- JPH0628710A JPH0628710A JP4182328A JP18232892A JPH0628710A JP H0628710 A JPH0628710 A JP H0628710A JP 4182328 A JP4182328 A JP 4182328A JP 18232892 A JP18232892 A JP 18232892A JP H0628710 A JPH0628710 A JP H0628710A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来のものより消去比が向上し、記録−消去
の繰り返し特性の優れた光情報記録媒体、その製造方法
およびその初期化方法。 【構成】 基板上に記録層、保護層、反射放熱層を有す
る光情報記録媒体において、記録層がＡｇ、Ｉｎ、Ｓ
ｂ、Ｔｅからなり、記録層と基板の間の保護層の表面粗
さが３０Å〜１５０Åである光情報記録媒体である。そ
の製造に当り、基板上に保護層を製膜後、ＡｒとＮ2混
合ガス中でプラズマ処理して所定の表面粗さにする。ま
た、初期化するには、はじめにＡｒレーザーで初期化
し、続いて半導体レーザーで初期化を行う。
の繰り返し特性の優れた光情報記録媒体、その製造方法
およびその初期化方法。 【構成】 基板上に記録層、保護層、反射放熱層を有す
る光情報記録媒体において、記録層がＡｇ、Ｉｎ、Ｓ
ｂ、Ｔｅからなり、記録層と基板の間の保護層の表面粗
さが３０Å〜１５０Åである光情報記録媒体である。そ
の製造に当り、基板上に保護層を製膜後、ＡｒとＮ2混
合ガス中でプラズマ処理して所定の表面粗さにする。ま
た、初期化するには、はじめにＡｒレーザーで初期化
し、続いて半導体レーザーで初期化を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は情報記録媒体、特に相変
化形情報記録媒体であって、光ビームを照射することに
より記録層材料に相変化を生じさせ、情報の記録、再生
を行い、かつ書換が可能である情報記録媒体に関するも
のであり、光メモリー関連機器に応用される。
化形情報記録媒体であって、光ビームを照射することに
より記録層材料に相変化を生じさせ、情報の記録、再生
を行い、かつ書換が可能である情報記録媒体に関するも
のであり、光メモリー関連機器に応用される。
【０００２】
【従来の技術】電磁波、特にレーザービームの照射によ
る情報の記録、再生および消去可能な光メモリー媒体の
一つとして、結晶−非結晶相間、あるいは結晶−結晶相
間の転移を利用する、いわゆる相変化形記録媒体がよく
知られている。特に光磁気メモリーでは困難な単一ビー
ムによるオーバーライトが可能であり、ドライブ側の光
学系もより単純であることなどから、最近その研究開発
が活発になっている。その代表的な例として、ＵＳＰ３
５３０４４１に開示されているように、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｇ
ｅ−Ｔｅ−Ｓｎ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓ、Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓ、Ｇ
ｅ−Ｓｅ−Ｓｂ、Ｇｅ−Ａｓ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｔｅ、Ｓｅ
−Ｔｅ、Ｓｅ−Ａｓなどのいわゆるカルコゲン系合金材
料があげられる。また安定性、高速結晶化などの向上を
目的に、Ｇｅ−Ｔｅ系にＡｕ（特開昭６１−２１９６９
２）、ＳｎおよびＡｕ（特開昭６１−２７０１９０）、
Ｐｂ（特開昭６２−１９４９０）などを転化した材料の
提案や、記録／消去の繰り返し性能向上を目的にＧｅ−
Ｔｅ−Ｓｅ−Ｓｂ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂの組成比を特定し
た材料（特開昭６２−７３４３８）の提案などもなされ
ている。しかしながら、そのいずれもが相変化形書換可
能光メモリー媒体として要求される諸特性のすべてを満
足しうるものとはいえない。特にオーバーライト時の消
し残りによる消去比低下の防止、ならびに繰り返し記録
回数の向上が解決すべき最重要課題となっている。
る情報の記録、再生および消去可能な光メモリー媒体の
一つとして、結晶−非結晶相間、あるいは結晶−結晶相
間の転移を利用する、いわゆる相変化形記録媒体がよく
知られている。特に光磁気メモリーでは困難な単一ビー
ムによるオーバーライトが可能であり、ドライブ側の光
学系もより単純であることなどから、最近その研究開発
が活発になっている。その代表的な例として、ＵＳＰ３
５３０４４１に開示されているように、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｇ
ｅ−Ｔｅ−Ｓｎ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓ、Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓ、Ｇ
ｅ−Ｓｅ−Ｓｂ、Ｇｅ−Ａｓ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｔｅ、Ｓｅ
−Ｔｅ、Ｓｅ−Ａｓなどのいわゆるカルコゲン系合金材
料があげられる。また安定性、高速結晶化などの向上を
目的に、Ｇｅ−Ｔｅ系にＡｕ（特開昭６１−２１９６９
２）、ＳｎおよびＡｕ（特開昭６１−２７０１９０）、
Ｐｂ（特開昭６２−１９４９０）などを転化した材料の
提案や、記録／消去の繰り返し性能向上を目的にＧｅ−
Ｔｅ−Ｓｅ−Ｓｂ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂの組成比を特定し
た材料（特開昭６２−７３４３８）の提案などもなされ
ている。しかしながら、そのいずれもが相変化形書換可
能光メモリー媒体として要求される諸特性のすべてを満
足しうるものとはいえない。特にオーバーライト時の消
し残りによる消去比低下の防止、ならびに繰り返し記録
回数の向上が解決すべき最重要課題となっている。
【０００３】特開昭６３−２５１２９０では結晶状態が
実質的に三元以上の多元化合物単相からなる記録層を具
備した記録媒体が提案されている。ここで実質的に三元
以上の多元化合物単層とは三元以上の化学量論組成を持
った化合物（たとえばＩｎ3ＳｂＴｅ2）を記録層中に９
０原子％以上含むものとされている。このような記録層
を用いることにより記録、消去特性の向上が図れるとし
ている。しかしながら消去比が低いなどの欠点を有して
いる。これらの事情から消去比が高く、尚且つ繰り返し
特性の優れた光情報記録媒体の開発が望まれていた。こ
のための方法として、記録層材料に適した保護層材料の
開発が進められ、ＺｎＳ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ
5、ＳｉＮ、ＡｌＮなどの材料が用いられている。しか
しこれらの材料の組み合わせによっても光メモリー媒体
として要求される諸特性のすべてを満足するものは得ら
れていない。
実質的に三元以上の多元化合物単相からなる記録層を具
備した記録媒体が提案されている。ここで実質的に三元
以上の多元化合物単層とは三元以上の化学量論組成を持
った化合物（たとえばＩｎ3ＳｂＴｅ2）を記録層中に９
０原子％以上含むものとされている。このような記録層
を用いることにより記録、消去特性の向上が図れるとし
ている。しかしながら消去比が低いなどの欠点を有して
いる。これらの事情から消去比が高く、尚且つ繰り返し
特性の優れた光情報記録媒体の開発が望まれていた。こ
のための方法として、記録層材料に適した保護層材料の
開発が進められ、ＺｎＳ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ
5、ＳｉＮ、ＡｌＮなどの材料が用いられている。しか
しこれらの材料の組み合わせによっても光メモリー媒体
として要求される諸特性のすべてを満足するものは得ら
れていない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来技術
に比較して消去比の飛躍的向上を達成し、尚且つ記録−
消去の繰り返し特性の優れた光情報記録媒体を提供する
ものである。
に比較して消去比の飛躍的向上を達成し、尚且つ記録−
消去の繰り返し特性の優れた光情報記録媒体を提供する
ものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは改善に鋭意
研究を重ねた結果、前述目的に合致する記録材料、保護
層材料の組み合わせを見いだした。
研究を重ねた結果、前述目的に合致する記録材料、保護
層材料の組み合わせを見いだした。
【０００６】即ち、本発明は基板上に記録層と保護層と
反射放熱層を有する光情報記録媒体において、記録層が
Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅからなり、記録層と基板の間の
保護層の表面粗さが３０Åから１５０Åであることを特
徴としている。
反射放熱層を有する光情報記録媒体において、記録層が
Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅからなり、記録層と基板の間の
保護層の表面粗さが３０Åから１５０Åであることを特
徴としている。
【０００７】本発明者らは、このような構成の光情報記
録媒体を用いれば前記課題を達成しうる。
録媒体を用いれば前記課題を達成しうる。
【０００８】また本発明はこのような構成の光情報記録
媒体の製造方法に於て、基板上に保護層を製膜後、Ａｒ
とＮ2の混合ガス雰囲気中でプラズマ処理して保護層表
面粗さが３０Åから１５０Åになるようにし、その後記
録層を製膜することを特徴としている。この方法を用い
れば前記課題を達成しうる。
媒体の製造方法に於て、基板上に保護層を製膜後、Ａｒ
とＮ2の混合ガス雰囲気中でプラズマ処理して保護層表
面粗さが３０Åから１５０Åになるようにし、その後記
録層を製膜することを特徴としている。この方法を用い
れば前記課題を達成しうる。
【０００９】さらに本発明は前記光情報記録媒体の初期
化方法において、はじめにＡｒレーザーによる初期化を
行い、次に半導体レーザーによる初期化を行うことを特
徴としている。この方法を用いれば消去比を大幅に改善
できる。
化方法において、はじめにＡｒレーザーによる初期化を
行い、次に半導体レーザーによる初期化を行うことを特
徴としている。この方法を用いれば消去比を大幅に改善
できる。
【００１０】以下本発明を添付図面に基づき説明する。
図１は本発明の構成例を示すものである。基板１上に耐
熱性保護層２、記録層３、耐熱性保護層４、反射放熱層
５が設けられている。耐熱性保護層は必ずしも記録層の
両側ともに設ける必要はないが、基板がポリカーボネー
ト樹脂のように耐熱性が低い材料の場合には耐熱性保護
層２を設けることが望ましい。
図１は本発明の構成例を示すものである。基板１上に耐
熱性保護層２、記録層３、耐熱性保護層４、反射放熱層
５が設けられている。耐熱性保護層は必ずしも記録層の
両側ともに設ける必要はないが、基板がポリカーボネー
ト樹脂のように耐熱性が低い材料の場合には耐熱性保護
層２を設けることが望ましい。
【００１１】本発明にかかわる記録層は構成元素として
Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅを含むものである。これらの元
素は記録時には一様なアモルファス相を形成している。
一方、消去時にはその組成により一様な結晶相になる場
合と分相してＡｇＳｂＴｅ2相などが析出する場合があ
る。Ａｇの濃度は５原子％以上、１７原子％以下、Ｉｎ
の濃度は６原子％以上、１８原子％以下、Ｓｂの濃度は
３３原子％以上、７７原子％以下、Ｔｅの濃度は１３原
子％以上、３６原子％以下が好ましい。
Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅを含むものである。これらの元
素は記録時には一様なアモルファス相を形成している。
一方、消去時にはその組成により一様な結晶相になる場
合と分相してＡｇＳｂＴｅ2相などが析出する場合があ
る。Ａｇの濃度は５原子％以上、１７原子％以下、Ｉｎ
の濃度は６原子％以上、１８原子％以下、Ｓｂの濃度は
３３原子％以上、７７原子％以下、Ｔｅの濃度は１３原
子％以上、３６原子％以下が好ましい。
【００１２】本発明の記録層は各種気相成長法、たとえ
ば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、
光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着
法などによって形成できる。気相成長法以外にゾルゲル
法のような湿式プロセスも適用可能である。記録層の膜
厚としては１００〜１００００Å、好適には２００〜２
０００Åとするのがよい。１００Åより薄いと光吸収能
が著しく低下し、記録層としての役割をはたさなくな
る。また１００００Åより厚いと高速で均一な相変化が
おこりにくくなる。
ば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、
光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着
法などによって形成できる。気相成長法以外にゾルゲル
法のような湿式プロセスも適用可能である。記録層の膜
厚としては１００〜１００００Å、好適には２００〜２
０００Åとするのがよい。１００Åより薄いと光吸収能
が著しく低下し、記録層としての役割をはたさなくな
る。また１００００Åより厚いと高速で均一な相変化が
おこりにくくなる。
【００１３】本発明にかかわる記録層と基板との間の耐
熱性保護層としては、ＺｎＳ、ＳｉＯ2、ＡｌＮ、Ｓｉ
Ｎ、Ａｌ2Ｏ3などを用いることができる。これらの保護
層の膜厚は５００Åから５０００Å、さらに好ましくは
１５００Åから２５００Åであり、その表面粗さは３０
Åから１５０Åが適している。表面粗さを３０Å以上に
することで繰り返し特性が改善されるが１５０Å以上で
はＣ／Ｎの低下が生じてくる。表面粗さの測定は触針式
の表面粗さ計を用いて、ＪＩＳＢ０６０１の十点平均粗
さで表した。
熱性保護層としては、ＺｎＳ、ＳｉＯ2、ＡｌＮ、Ｓｉ
Ｎ、Ａｌ2Ｏ3などを用いることができる。これらの保護
層の膜厚は５００Åから５０００Å、さらに好ましくは
１５００Åから２５００Åであり、その表面粗さは３０
Åから１５０Åが適している。表面粗さを３０Å以上に
することで繰り返し特性が改善されるが１５０Å以上で
はＣ／Ｎの低下が生じてくる。表面粗さの測定は触針式
の表面粗さ計を用いて、ＪＩＳＢ０６０１の十点平均粗
さで表した。
【００１４】このような耐熱性保護層は各種気相成長
法、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマ
ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子
ビーム蒸着法などによって形成できる。特にスパッタリ
ング法は再現性の点で優れている。
法、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマ
ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子
ビーム蒸着法などによって形成できる。特にスパッタリ
ング法は再現性の点で優れている。
【００１５】保護層の表面粗さは製膜後の表面処理によ
り制御する。表面処理の方法としては化学エッチングな
どの方法もあるが、プラズマ表面処理がディスク特性や
制御性の点で優れている。表１に代表的な表面処理条件
を示す。
り制御する。表面処理の方法としては化学エッチングな
どの方法もあるが、プラズマ表面処理がディスク特性や
制御性の点で優れている。表１に代表的な表面処理条件
を示す。
【００１６】
【表１】
【００１７】プラズマ処理の雰囲気としてはＡｒガスを
単独で用いることもできるが、ＡｒとＮ2の混合ガスを
用いることが望ましい。これによりＡｒガスを単独で用
いる場合に比べ繰り返し特性の改善を行うことができ
る。
単独で用いることもできるが、ＡｒとＮ2の混合ガスを
用いることが望ましい。これによりＡｒガスを単独で用
いる場合に比べ繰り返し特性の改善を行うことができ
る。
【００１８】反射放熱層としては、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕな
どの金属材料、またはそれらの合金などを用いることが
できる。反射放熱層は必ずしも必要ではないが、過剰な
熱を放出しディスクへの熱負担を軽減するために設ける
ほうが望ましい。このような反射放熱層は各種気相成長
法、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマ
ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子
ビーム蒸着法などによって形成できる。反射放熱層の膜
厚としては１００〜３０００Å、好適には５００〜２０
００Åとするのがよい。１００Åよりも薄くなると反射
放熱層としての機能をはたさなくなり、逆に２０００Å
よりも厚くなると感度の低下をきたしたり、界面剥離を
生じやすくなる。
どの金属材料、またはそれらの合金などを用いることが
できる。反射放熱層は必ずしも必要ではないが、過剰な
熱を放出しディスクへの熱負担を軽減するために設ける
ほうが望ましい。このような反射放熱層は各種気相成長
法、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマ
ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子
ビーム蒸着法などによって形成できる。反射放熱層の膜
厚としては１００〜３０００Å、好適には５００〜２０
００Åとするのがよい。１００Åよりも薄くなると反射
放熱層としての機能をはたさなくなり、逆に２０００Å
よりも厚くなると感度の低下をきたしたり、界面剥離を
生じやすくなる。
【００１９】基板の材料は通常ガラス、セラミクス、あ
るいは樹脂であり、樹脂基板が成形性、コストの点で好
適である。樹脂の代表例としてはポリカーボネート樹
脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、
アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレ
ン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコン系樹脂、フッ素
系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などがあげられる
が、加工性、光学特性などの点でポリカーボネート樹
脂、アクリル系樹脂が好ましい。また基板の形状として
はディスク状、カード状あるいはシート状であってもよ
い。
るいは樹脂であり、樹脂基板が成形性、コストの点で好
適である。樹脂の代表例としてはポリカーボネート樹
脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、
アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレ
ン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコン系樹脂、フッ素
系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などがあげられる
が、加工性、光学特性などの点でポリカーボネート樹
脂、アクリル系樹脂が好ましい。また基板の形状として
はディスク状、カード状あるいはシート状であってもよ
い。
【００２０】光情報記録媒体の初期化方法としては、は
じめにＡｒレーザーによる初期化を行い、次に半導体レ
ーザーによる初期化を行う方法を用いる。こうすること
によりＡｒレーザー、あるいは半導体レーザーを単独に
用いた場合に比べ消去比を向上させることができた。こ
の理由は明確ではないが初期化方法を組み合わせること
により記録層の構造が変化することによるものと思われ
る。Ａｒレーザーのパワーは３００ｍＷから２Ｗの範
囲、ディスク線速は１．３ｍ／ｓから１０ｍ／ｓの範
囲、レーザーの送り速度は５ｕｍ／回転から２０ｕｍ／
回転の範囲が適している。半導体レーザーのパワーは５
ｍＷから２０ｍＷの範囲、線速は１．３ｍ／ｓから１０
ｍ／ｓの範囲が適している。
じめにＡｒレーザーによる初期化を行い、次に半導体レ
ーザーによる初期化を行う方法を用いる。こうすること
によりＡｒレーザー、あるいは半導体レーザーを単独に
用いた場合に比べ消去比を向上させることができた。こ
の理由は明確ではないが初期化方法を組み合わせること
により記録層の構造が変化することによるものと思われ
る。Ａｒレーザーのパワーは３００ｍＷから２Ｗの範
囲、ディスク線速は１．３ｍ／ｓから１０ｍ／ｓの範
囲、レーザーの送り速度は５ｕｍ／回転から２０ｕｍ／
回転の範囲が適している。半導体レーザーのパワーは５
ｍＷから２０ｍＷの範囲、線速は１．３ｍ／ｓから１０
ｍ／ｓの範囲が適している。
【００２１】記録、再生および消去に用いる電磁波とし
てはレーザー光、電子線、Ｘ線、紫外線、可視光線、赤
外線、マイクロ波など種々のものが採用可能であるが、
ドライブに取付ける際、小型でコンパクトな半導体レー
ザーが最適である。
てはレーザー光、電子線、Ｘ線、紫外線、可視光線、赤
外線、マイクロ波など種々のものが採用可能であるが、
ドライブに取付ける際、小型でコンパクトな半導体レー
ザーが最適である。
【００２２】
【実施例】以下、実施例によって本発明を具体的に説明
する。
する。
【００２３】実施例１ ピッチ約１．６μｍ、深さ約７００Åの溝付きで、厚さ
１．２ｍｍ、直径１２０ｍｍのポリカーボネート基板上
にＲＦスパッタリング法によりＡｌＮ保護層２０００
Å、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ記録層（組成比はＡｇ：Ｉ
ｎ：Ｓｂ：Ｔｅ＝１２：１３：５１：２４）２００Å、
ＡｌＮ保護層１５００Å、Ａｇ反射層５００Åを順次積
層し、光ディスクを製作した。
１．２ｍｍ、直径１２０ｍｍのポリカーボネート基板上
にＲＦスパッタリング法によりＡｌＮ保護層２０００
Å、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ記録層（組成比はＡｇ：Ｉ
ｎ：Ｓｂ：Ｔｅ＝１２：１３：５１：２４）２００Å、
ＡｌＮ保護層１５００Å、Ａｇ反射層５００Åを順次積
層し、光ディスクを製作した。
【００２４】ＡｌＮ保護層製膜後の表面処理条件を表２
に示す。ＲＦパワーを変えることによって基板側保護層
の表面粗さを変化させてディスク特性への影響を調べ
た。保護層の表面粗さは触針式の表面粗さ計により測定
しＪＩＳＢ０６０１の十点平均粗さで表した。
に示す。ＲＦパワーを変えることによって基板側保護層
の表面粗さを変化させてディスク特性への影響を調べ
た。保護層の表面粗さは触針式の表面粗さ計により測定
しＪＩＳＢ０６０１の十点平均粗さで表した。
【００２５】
【表２】
【００２６】光ディスクの初期化は半導体レーザーによ
り行った。パワーは１０ｍＷ、線速は１．３ｍ／ｓとし
た。
り行った。パワーは１０ｍＷ、線速は１．３ｍ／ｓとし
た。
【００２７】光ディスクの評価は波長７８０ｎｍ、ＮＡ
０．５のピックアップを用いて行った。ディスクの線速
は１．３ｍ／ｓとした。記録周波数７２０ｋＨｚ、２０
０ｋＨｚの信号を交互にオーバーライト記録し７２０ｋ
Ｈｚの信号のＣ／Ｎ、消去比を特性値とした。
０．５のピックアップを用いて行った。ディスクの線速
は１．３ｍ／ｓとした。記録周波数７２０ｋＨｚ、２０
０ｋＨｚの信号を交互にオーバーライト記録し７２０ｋ
Ｈｚの信号のＣ／Ｎ、消去比を特性値とした。
【００２８】図２に保護層表面粗さとディスク繰り返し
特性の関係を示す。ディスク繰り返し特性の特性値とし
てＣ／Ｎが３ｄＢ減少するオーバーライト記録回数を用
いた。表面粗さが３０Å以下になると繰り返し特性が急
激に低下するため好ましくないことがわかる。
特性の関係を示す。ディスク繰り返し特性の特性値とし
てＣ／Ｎが３ｄＢ減少するオーバーライト記録回数を用
いた。表面粗さが３０Å以下になると繰り返し特性が急
激に低下するため好ましくないことがわかる。
【００２９】保護層表面粗さとＣ／Ｎの関係を図３に示
す。表面粗さの増加とともにＣ／Ｎは減少し、特に１５
０Å以上では急激に低下するため実用に適さないことが
わかった。
す。表面粗さの増加とともにＣ／Ｎは減少し、特に１５
０Å以上では急激に低下するため実用に適さないことが
わかった。
【００３０】実施例２ ＡｌＮ保護層の表面処理条件において、Ａｒガスの代わ
りにＡｒとＮ2の混合ガスを用いて実施例１と同様にデ
ィスクを作製した。その結果Ａｒガスを用いた場合繰り
返し回数が５０００回だったのに対してＡｒとＮ2の混
合ガスを用いた場合には８０００回に達し、導入ガスを
ＮＯにすることで繰り返し特性を改善できることがわか
った。
りにＡｒとＮ2の混合ガスを用いて実施例１と同様にデ
ィスクを作製した。その結果Ａｒガスを用いた場合繰り
返し回数が５０００回だったのに対してＡｒとＮ2の混
合ガスを用いた場合には８０００回に達し、導入ガスを
ＮＯにすることで繰り返し特性を改善できることがわか
った。
【００３１】実施例３ 実施例２と同様にして信号の記録を行った。ただし初期
化方法としてＡｒレーザーによる初期化（６００ｍＷ、
５ｍ／ｓ、５ｕｍ回転）を行った後、半導体レーザーに
よる初期化（１０ｍＷ、１．３ｍ／ｓ）を行った。その
結果を表３に示す。比較としてＡｒレーザーによる初期
化の場合も示す。
化方法としてＡｒレーザーによる初期化（６００ｍＷ、
５ｍ／ｓ、５ｕｍ回転）を行った後、半導体レーザーに
よる初期化（１０ｍＷ、１．３ｍ／ｓ）を行った。その
結果を表３に示す。比較としてＡｒレーザーによる初期
化の場合も示す。
【００３２】
【表３】
【００３３】表３からわかるようにＡｒレーザーによる
初期化を行った後、半導体レーザーによる初期化を行う
ことにより消去比が向上していることがわかる。
初期化を行った後、半導体レーザーによる初期化を行う
ことにより消去比が向上していることがわかる。
【００３４】
【発明の効果】実施例の記載からも明らかなように、本
発明は相変化形光記録媒体として優れた性能を有し、特
に消去比、繰り返し特性が飛躍的に向上している。
発明は相変化形光記録媒体として優れた性能を有し、特
に消去比、繰り返し特性が飛躍的に向上している。
【図１】本発明の光情報記録媒体の構成を示す断面の模
式図、
式図、
【図２】保護層表面粗さとオーバーライトの繰り返し記
録回数との関係を示すグラフ、
録回数との関係を示すグラフ、
【図３】保護層表面粗さとＣ／Ｎとの関係を示すグラ
フ。
フ。
１ 基板 ２と４ 耐熱性保護層 ３ 記録層 ５ 放熱層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ１１Ｂ 7/00 Ｗ 9195−5Ｄ (72)発明者 岩崎 博子 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に記録層と保護層と反射放熱層を
有する光情報記録媒体において、記録層がＡｇ、Ｉｎ、
Ｓｂ、Ｔｅからなり、記録層と基板の間の保護層の表面
粗さが３０Åから１５０Åであることを特徴とする光情
報記録媒体。 - 【請求項２】 基板上に記録層と保護層と反射放熱層を
有する光情報記録媒体の製造方法において、基板上に保
護層を製膜後、ＡｒとＮ2混合ガス雰囲気中でプラズマ
処理して保護層表面粗さが３０Åから１５０Åになるよ
うにし、その後記録層を製膜することを特徴とする光情
報記録媒体の製造方法。 - 【請求項３】 基板上に記録層と保護層と反射放熱層を
有する光情報記録媒体で、記録層がＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、
Ｔｅからなり、記録層と基板の間の保護層の表面粗さが
３０Åから１５０Åである光情報記録媒体の初期化方法
であって、はじめにＡｒレーザーによる初期化を行い、
次に半導体レーザーによる初期化を行うことを特徴とす
る光情報記録媒体の初期化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4182328A JPH0628710A (ja) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | 光情報記録媒体、その製造方法及びその初期化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4182328A JPH0628710A (ja) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | 光情報記録媒体、その製造方法及びその初期化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0628710A true JPH0628710A (ja) | 1994-02-04 |
Family
ID=16116389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4182328A Pending JPH0628710A (ja) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | 光情報記録媒体、その製造方法及びその初期化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0628710A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5882493A (en) * | 1993-12-13 | 1999-03-16 | Ricoh Company, Ltd. | Heat treated and sintered sputtering target |
| EP0962924A3 (en) * | 1998-06-05 | 1999-12-29 | Sony Corporation | Optical recording medium and manufacturing method therefor |
-
1992
- 1992-07-09 JP JP4182328A patent/JPH0628710A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5882493A (en) * | 1993-12-13 | 1999-03-16 | Ricoh Company, Ltd. | Heat treated and sintered sputtering target |
| EP0962924A3 (en) * | 1998-06-05 | 1999-12-29 | Sony Corporation | Optical recording medium and manufacturing method therefor |
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