JPH06291363A - フォトカプラ - Google Patents
フォトカプラInfo
- Publication number
- JPH06291363A JPH06291363A JP7559593A JP7559593A JPH06291363A JP H06291363 A JPH06291363 A JP H06291363A JP 7559593 A JP7559593 A JP 7559593A JP 7559593 A JP7559593 A JP 7559593A JP H06291363 A JPH06291363 A JP H06291363A
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- JP
- Japan
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- light
- light emitting
- photocoupler
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- emitting element
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 メサ部を有すフォトカプラにおいて、受発光
素子間の光利用効率の大幅な向上を図る。 【構成】 発光素子１５及び受光素子１３が厚み方向に
積層され、さらに前記発光素子１５及び受光素子１３が
樹脂封止されたフォトカプラにおいて、前記発光素子１
５はメサ部１７にＰ−Ｎ接合部を有し、前記メサ部１７
の側壁面と上面との内角が鈍角をなすよう、前記側壁面
を傾斜させてなることを特徴とする。
素子間の光利用効率の大幅な向上を図る。 【構成】 発光素子１５及び受光素子１３が厚み方向に
積層され、さらに前記発光素子１５及び受光素子１３が
樹脂封止されたフォトカプラにおいて、前記発光素子１
５はメサ部１７にＰ−Ｎ接合部を有し、前記メサ部１７
の側壁面と上面との内角が鈍角をなすよう、前記側壁面
を傾斜させてなることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発光素子と受光素子を
光結合してなるフォトカプラに関するものである。
光結合してなるフォトカプラに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図８は、従来最も一般的に利用されてい
るフォトカプラの断面図である。従来のフォトカプラ
は、金属リードフレーム１，２の先端に、赤外発光ダイ
オード等の発光素子３と、フォトトランジスタ等の受光
素子４とをそれぞれ銀ペースト等でダイボンドし、その
後、Ａｕワイヤー等のボンディングワイヤーでワイヤー
ボンドが施され、その後、両素子３，４は相対向する位
置に配置される。
るフォトカプラの断面図である。従来のフォトカプラ
は、金属リードフレーム１，２の先端に、赤外発光ダイ
オード等の発光素子３と、フォトトランジスタ等の受光
素子４とをそれぞれ銀ペースト等でダイボンドし、その
後、Ａｕワイヤー等のボンディングワイヤーでワイヤー
ボンドが施され、その後、両素子３，４は相対向する位
置に配置される。
【０００３】また、前記発光素子３及び受光素子４間の
対向間隔部には、両素子３，４間の光結合を確保するた
め、エポキシ樹脂等の透光性樹脂５を充填し、更に該透
光性樹脂５の外周を外乱光を遮断するために黒色エポキ
シ樹脂等の遮光性樹脂６にてモールドされてなる構造で
ある。
対向間隔部には、両素子３，４間の光結合を確保するた
め、エポキシ樹脂等の透光性樹脂５を充填し、更に該透
光性樹脂５の外周を外乱光を遮断するために黒色エポキ
シ樹脂等の遮光性樹脂６にてモールドされてなる構造で
ある。
【０００４】このような構造からなるフォトカプラで
は、発光素子３と受光素子４との間隔が比較的大きいた
めに光の損出があり、フォトカプラの高感度化、即ち発
光素子３を低電流で駆動することが困難であるという欠
点があった。
は、発光素子３と受光素子４との間隔が比較的大きいた
めに光の損出があり、フォトカプラの高感度化、即ち発
光素子３を低電流で駆動することが困難であるという欠
点があった。
【０００５】その為、上記構造に対し、両素子間を小さ
くすることにより光利用効率を向上し、高感度化を試み
たフォトカプラを図９に示す。該フォトカプラは、受光
素子４上にメサ部７を有する発光素子３を積層し、両素
子３，４間をガラス等の透明絶縁層８により電気的に絶
縁させることで、両素子３，４間を短くとり、光利用効
率を向上させていた。
くすることにより光利用効率を向上し、高感度化を試み
たフォトカプラを図９に示す。該フォトカプラは、受光
素子４上にメサ部７を有する発光素子３を積層し、両素
子３，４間をガラス等の透明絶縁層８により電気的に絶
縁させることで、両素子３，４間を短くとり、光利用効
率を向上させていた。
【０００６】前記メサ部７は、側壁面が前記メサ部７の
上面及び底面に対し垂直であり、前記上面及び底面間に
Ｐ−Ｎ接合部を有するものである。
上面及び底面に対し垂直であり、前記上面及び底面間に
Ｐ−Ｎ接合部を有するものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、図９に示す
フォトカプラは、発光素子３からの放射光が受光素子４
の存在する下方以外にも放射されるため、前記放射光の
大部分が前記受光素子４に到達することなく外部へ放射
され、大きなロスを生じている。すなわち、前記放射光
が受光素子４の存在する下方へ放射される割合が低く、
光利用効率を大きく改善することができなかった。
フォトカプラは、発光素子３からの放射光が受光素子４
の存在する下方以外にも放射されるため、前記放射光の
大部分が前記受光素子４に到達することなく外部へ放射
され、大きなロスを生じている。すなわち、前記放射光
が受光素子４の存在する下方へ放射される割合が低く、
光利用効率を大きく改善することができなかった。
【０００８】本発明は、上記課題に鑑み、光利用効率の
大幅な向上が図れるフォトカプラを提供することを目的
とするものである。
大幅な向上が図れるフォトカプラを提供することを目的
とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のフォトカプラ
は、発光素子及び受光素子が厚み方向に積層され、さら
に前記発光素子及び受光素子が樹脂封止されたフォトカ
プラにおいて、前記発光素子はメサ部にＰ−Ｎ接合部を
有し、前記メサ部の側壁面と上面との内角が鈍角をなす
よう、前記側壁面を傾斜させてなることを特徴とするも
のである。
は、発光素子及び受光素子が厚み方向に積層され、さら
に前記発光素子及び受光素子が樹脂封止されたフォトカ
プラにおいて、前記発光素子はメサ部にＰ−Ｎ接合部を
有し、前記メサ部の側壁面と上面との内角が鈍角をなす
よう、前記側壁面を傾斜させてなることを特徴とするも
のである。
【００１０】さらに、請求項１記載のフォトカプラにお
いて、少なくとも、前記メサ部の側壁面に光反射膜を形
成したことを特徴とするものである。
いて、少なくとも、前記メサ部の側壁面に光反射膜を形
成したことを特徴とするものである。
【００１１】
【作用】このようにフォトカプラにおいて、発光素子は
メサ部にＰ−Ｎ接合部を有し、前記メサ部の側壁面と上
面との内角が鈍角をなすよう、前記側壁面を傾斜させて
なる構成なので、前記Ｐ−Ｎ接合部で発生する光のうち
のＰ−Ｎ接合面と平行又は平行に近い光を、傾斜した側
壁面で下方へ反射することができる。従って、受光素子
の受光光量が増加し、光利用効率を大幅に向上できる。
メサ部にＰ−Ｎ接合部を有し、前記メサ部の側壁面と上
面との内角が鈍角をなすよう、前記側壁面を傾斜させて
なる構成なので、前記Ｐ−Ｎ接合部で発生する光のうち
のＰ−Ｎ接合面と平行又は平行に近い光を、傾斜した側
壁面で下方へ反射することができる。従って、受光素子
の受光光量が増加し、光利用効率を大幅に向上できる。
【００１２】また、少なくとも、前記メサ部の側壁面に
光反射膜を形成したことにより、Ｐ−Ｎ接合部から前記
側壁面に向けて放射された光を、高効率で下方へ反射す
ることができる。従って、更に光利用効率を向上でき
る。
光反射膜を形成したことにより、Ｐ−Ｎ接合部から前記
側壁面に向けて放射された光を、高効率で下方へ反射す
ることができる。従って、更に光利用効率を向上でき
る。
【００１３】
【実施例】図１は、本発明の一実施例を示す図であり、
同図（ａ）は正面断面図であり、同図（ｂ）は上面側か
らの透視図である。本実施例のフォトカプラは、図１の
如く、表面に配線電極１１を有する凹型ケース１２の凹
部に、前記配線電極１１を介してフォトトランジスタ等
の受光素子１３がダイボンドされ、さらに、前記受光素
子１３の受光面上に透光性のエポキシ樹脂シート等の絶
縁層１４を介して発光ダイオード等の発光素子１５が搭
載され、封止樹脂１６により封止されてなる構成であ
る。
同図（ａ）は正面断面図であり、同図（ｂ）は上面側か
らの透視図である。本実施例のフォトカプラは、図１の
如く、表面に配線電極１１を有する凹型ケース１２の凹
部に、前記配線電極１１を介してフォトトランジスタ等
の受光素子１３がダイボンドされ、さらに、前記受光素
子１３の受光面上に透光性のエポキシ樹脂シート等の絶
縁層１４を介して発光ダイオード等の発光素子１５が搭
載され、封止樹脂１６により封止されてなる構成であ
る。
【００１４】前記発光素子１５はメサ部１７を有し、該
メサ部１７は側壁面と上面との内角が鈍角をなすよう、
前記メサ部１７の側壁面４面のうちの左右２面を傾斜さ
せ、正面視略台形状に形成され、かつＰ−Ｎ接合部が前
記メサ部１７底面及び上面間に形成してなるものであ
る。
メサ部１７は側壁面と上面との内角が鈍角をなすよう、
前記メサ部１７の側壁面４面のうちの左右２面を傾斜さ
せ、正面視略台形状に形成され、かつＰ−Ｎ接合部が前
記メサ部１７底面及び上面間に形成してなるものであ
る。
【００１５】上記構成のフォトカプラは、例えば図２に
示すように形成される。まず、図２（ａ）の如く、Ｎ−
ＧａＡｓ基板１８上にＮ−ＧａＡｓ層１９及びＰ−Ｇａ
Ａｓ層２０を順次液層エピタキシャル成長法によって形
成する。
示すように形成される。まず、図２（ａ）の如く、Ｎ−
ＧａＡｓ基板１８上にＮ−ＧａＡｓ層１９及びＰ−Ｇａ
Ａｓ層２０を順次液層エピタキシャル成長法によって形
成する。
【００１６】次に、図２（ｂ）の如く、前記Ｐ−ＧａＡ
ｓ層２０の一部をケミカルエッチングにて前記Ｎ−Ｇａ
Ａｓ層１９まで達するようメサエッチングを行い、メサ
部１７を形成する。これにより、Ｐ−Ｎ接合部は前記メ
サ部１７の底面及び上面間に形成される。ここで、前記
メサ部１７は、該メサ部１７の側壁面と上面との内角が
鈍角をなすよう、前記メサ部１７の側壁面４面のうちの
対向する左右２面を傾斜させる。この時、前記メサ部１
７の傾斜する左右２面の側壁面と上面との内角を１３５
度±１５度になるようエッチング条件を設定すると、前
記メサ部１７の側壁面は、光の反射面としてより効率的
に作用する。また、前記ケミカルエッチングの代わり
に、ダイシングで機械的にメサ形状に加工し、機械的加
工により露出した面を軽くエッチングしてダメージ層を
取ると同時に平滑状態にして前記メサ部１７を形成する
方法もある。
ｓ層２０の一部をケミカルエッチングにて前記Ｎ−Ｇａ
Ａｓ層１９まで達するようメサエッチングを行い、メサ
部１７を形成する。これにより、Ｐ−Ｎ接合部は前記メ
サ部１７の底面及び上面間に形成される。ここで、前記
メサ部１７は、該メサ部１７の側壁面と上面との内角が
鈍角をなすよう、前記メサ部１７の側壁面４面のうちの
対向する左右２面を傾斜させる。この時、前記メサ部１
７の傾斜する左右２面の側壁面と上面との内角を１３５
度±１５度になるようエッチング条件を設定すると、前
記メサ部１７の側壁面は、光の反射面としてより効率的
に作用する。また、前記ケミカルエッチングの代わり
に、ダイシングで機械的にメサ形状に加工し、機械的加
工により露出した面を軽くエッチングしてダメージ層を
取ると同時に平滑状態にして前記メサ部１７を形成する
方法もある。
【００１７】次に、図２（ｃ）の如く、前記メサエッチ
ングにより露出したＮ−ＧａＡｓ層１９上、及びＰ−Ｇ
ａＡｓ層２０上に電極を形成し、個々のチップに分割さ
れ、発光素子１５が形成される。
ングにより露出したＮ−ＧａＡｓ層１９上、及びＰ−Ｇ
ａＡｓ層２０上に電極を形成し、個々のチップに分割さ
れ、発光素子１５が形成される。
【００１８】次に、図２（ｄ）の如く、受光素子１３上
に絶縁層１４を接着し、さらにその上に上記発光その１
５が接着される。
に絶縁層１４を接着し、さらにその上に上記発光その１
５が接着される。
【００１９】その後、前記受光素子１３の裏面が凹型ケ
ース（図示せず）の配線電極上にダイボンドされ、封止
樹脂により封止されて完成品となる。尚、図２（ｅ）は
２（ｃ）における発光素子１５の拡大平面図である。
ース（図示せず）の配線電極上にダイボンドされ、封止
樹脂により封止されて完成品となる。尚、図２（ｅ）は
２（ｃ）における発光素子１５の拡大平面図である。
【００２０】このように、本発明のフォトカプラは、発
光素子１５のメサ部１７の側壁面と上面との内角が鈍角
をなすよう、前記側壁面を傾斜させてなる構成なので、
従来利用することのできなかったＰ−Ｎ接合面と平行方
向及び平行方向に近い光を、傾斜したメサ部１７の側壁
面で下方へ反射させ、受光素子１３で受光することがで
きる。従って、受光素子１３の受光光量が増加し、光利
用効率を大幅に向上できる。
光素子１５のメサ部１７の側壁面と上面との内角が鈍角
をなすよう、前記側壁面を傾斜させてなる構成なので、
従来利用することのできなかったＰ−Ｎ接合面と平行方
向及び平行方向に近い光を、傾斜したメサ部１７の側壁
面で下方へ反射させ、受光素子１３で受光することがで
きる。従って、受光素子１３の受光光量が増加し、光利
用効率を大幅に向上できる。
【００２１】図３は他の実施例を示す図であり、同図
（ａ）は正面図であり、同図（ｂ）は上面図である。
尚、図３は本発明のフォトカプラにおける発光素子のみ
図示する。本実施例について、図１に示す実施例と相違
する点のみ説明する。本実施例のフォトカプラは、発光
素子１５のメサ部１７における側壁面４面を凹状の弧形
状に傾斜させてなるものである。この構成は、図１に示
す実施例に対し、更に光をより効率良く下方へ反射する
ことができる。
（ａ）は正面図であり、同図（ｂ）は上面図である。
尚、図３は本発明のフォトカプラにおける発光素子のみ
図示する。本実施例について、図１に示す実施例と相違
する点のみ説明する。本実施例のフォトカプラは、発光
素子１５のメサ部１７における側壁面４面を凹状の弧形
状に傾斜させてなるものである。この構成は、図１に示
す実施例に対し、更に光をより効率良く下方へ反射する
ことができる。
【００２２】図４は更に他の実施例を示す図であり、同
図（ａ）は正面図であり、同図（ｂ）は上面図である。
図４においても、発光素子のみ図示する。本実施例につ
いて、図１に示す実施例と相違する点のみ説明する。本
実施例のフォトカプラは、メサ部１７が半球状の側面視
略だ円状に形成され、上面を平面としてなるものであ
る。この構造は、図３に示す実施例に対し、更に光をよ
り効率よく下方へ反射できる。
図（ａ）は正面図であり、同図（ｂ）は上面図である。
図４においても、発光素子のみ図示する。本実施例につ
いて、図１に示す実施例と相違する点のみ説明する。本
実施例のフォトカプラは、メサ部１７が半球状の側面視
略だ円状に形成され、上面を平面としてなるものであ
る。この構造は、図３に示す実施例に対し、更に光をよ
り効率よく下方へ反射できる。
【００２３】図５に更に他の実施例を示す正面図であ
る。本実施例について、図１及び図２に示す実施例と相
違する点のみ説明する。本実施例のフォトカプラは、図
５の如く、図２（ｄ）に示すメサ部１７の側壁面及び電
極形成部以外の上面に光反射膜２１を形成してなるもの
である。該光反射膜２１は、発光素子１５の発光ピーク
波長をλpとすると、例えばＳｉＯ2 ／ＴｉＯ2 の各光
学的膜厚（ｎｄ：屈折率×膜厚）をλp／４ｎｍにし、
４対蒸着により重ねた誘電体多層膜で構成される。
る。本実施例について、図１及び図２に示す実施例と相
違する点のみ説明する。本実施例のフォトカプラは、図
５の如く、図２（ｄ）に示すメサ部１７の側壁面及び電
極形成部以外の上面に光反射膜２１を形成してなるもの
である。該光反射膜２１は、発光素子１５の発光ピーク
波長をλpとすると、例えばＳｉＯ2 ／ＴｉＯ2 の各光
学的膜厚（ｎｄ：屈折率×膜厚）をλp／４ｎｍにし、
４対蒸着により重ねた誘電体多層膜で構成される。
【００２４】このように、メサ部１７の側壁面及び電極
形成部以外の上面に光反射膜２１を形成したことによ
り、Ｐ−Ｎ接合部から上面及び側壁面に向けて放射され
た光を、高効率で下方へ反射させることができる。従っ
て、受光素子１３の受光光量を増加でき、光利用効率を
向上できる。
形成部以外の上面に光反射膜２１を形成したことによ
り、Ｐ−Ｎ接合部から上面及び側壁面に向けて放射され
た光を、高効率で下方へ反射させることができる。従っ
て、受光素子１３の受光光量を増加でき、光利用効率を
向上できる。
【００２５】本実施例は、図３及び図４に示す実施例に
おいても同様に、光反射膜２１を形成することにより同
様の効果が得られることは勿論である。
おいても同様に、光反射膜２１を形成することにより同
様の効果が得られることは勿論である。
【００２６】上記図１及び図２に示す実施例において、
図６の如く、発光素子１５の裏面に反射防止膜２２を形
成することにより発光素子１５及び絶縁層１４間に反射
防止膜２２を形成するものである。該反射防止膜２２
は、例えばＴｉＯ2を光学的膜厚（ｎｄ）がλp／４ｎｍ
になるよう蒸着にて形成される。
図６の如く、発光素子１５の裏面に反射防止膜２２を形
成することにより発光素子１５及び絶縁層１４間に反射
防止膜２２を形成するものである。該反射防止膜２２
は、例えばＴｉＯ2を光学的膜厚（ｎｄ）がλp／４ｎｍ
になるよう蒸着にて形成される。
【００２７】このように、前記発光素子１５及び絶縁層
１４間に反射防止膜２２を形成したことにより、前記発
光素子１５及び絶縁層１４間の界面での光の反射を減ら
し、受光素子１３への到達光量を大幅に改善できる。従
って、光利用効率を更に向上できる。
１４間に反射防止膜２２を形成したことにより、前記発
光素子１５及び絶縁層１４間の界面での光の反射を減ら
し、受光素子１３への到達光量を大幅に改善できる。従
って、光利用効率を更に向上できる。
【００２８】また、上記図３及び図４並びに図５に示す
実施例においても同様に、反射防止膜２２を形成するこ
とにより同様の効果が得られることは勿論である。
実施例においても同様に、反射防止膜２２を形成するこ
とにより同様の効果が得られることは勿論である。
【００２９】尚、本発明は、上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の範囲内で、上記実施例に多くの修
正及び変更を加え得ることは勿論である。
のではなく、本発明の範囲内で、上記実施例に多くの修
正及び変更を加え得ることは勿論である。
【００３０】例えば、図７の如く、図１に示すフォトカ
プラの他のパッケージング例として、凹型ケース１２の
代わりに金属性のリードフレーム２３を用い、該リード
フレーム２３上に受光素子１３、絶縁層１４、発光素子
１５を順次積層し、封止樹脂１６にて封止してなる構成
がある。
プラの他のパッケージング例として、凹型ケース１２の
代わりに金属性のリードフレーム２３を用い、該リード
フレーム２３上に受光素子１３、絶縁層１４、発光素子
１５を順次積層し、封止樹脂１６にて封止してなる構成
がある。
【００３１】
【発明の効果】以上のように、本発明のフォトカプラに
よれば、発光素子はメサ部にＰ−Ｎ接合部を有し、前記
メサ部の側壁面と上面との内角が鈍角をなすよう、前記
側壁面を傾斜させてなる構成なので、Ｐ−Ｎ接合部で発
生する光のうちのＰ−Ｎ接合面と平行又は平行に近い光
は、傾斜した側壁面で下方へ反射される。従って、受光
素子の受光光量が増加し、光利用効率が大幅に向上され
る。
よれば、発光素子はメサ部にＰ−Ｎ接合部を有し、前記
メサ部の側壁面と上面との内角が鈍角をなすよう、前記
側壁面を傾斜させてなる構成なので、Ｐ−Ｎ接合部で発
生する光のうちのＰ−Ｎ接合面と平行又は平行に近い光
は、傾斜した側壁面で下方へ反射される。従って、受光
素子の受光光量が増加し、光利用効率が大幅に向上され
る。
【００３２】また、少なくとも、前記メサ部の側壁面に
光反射膜を形成したことにより、Ｐ−Ｎ接合部から側壁
面に向けて放射された光は、高効率で下方に反射され
る。従って、更に光利用効率が向上される。
光反射膜を形成したことにより、Ｐ−Ｎ接合部から側壁
面に向けて放射された光は、高効率で下方に反射され
る。従って、更に光利用効率が向上される。
【図１】本発明の一実施例を示す図であり、図（ａ）は
正面断面図であり、図（ｂ）は上面側からの透視図であ
る。
正面断面図であり、図（ｂ）は上面側からの透視図であ
る。
【図２】図１に示すフォトカプラの製造工程図である。
【図３】本発明の他の実施例を示す図であり、図（ａ）
は正面図であり、図（ｂ）は平面図である。
は正面図であり、図（ｂ）は平面図である。
【図４】本発明の更に他の実施例を示す図であり、図
（ａ）は正面図であり、図（ｂ）は平面図である。
（ａ）は正面図であり、図（ｂ）は平面図である。
【図５】本発明の更に他の実施例を示す正面図である。
【図６】図１に示す発光素子の裏面に反射防止膜を形成
した場合の正面図である。
した場合の正面図である。
【図７】図１に示すフォトカプラの他のパッケージング
例であり、図（ａ）は正面側からの透視図であり、図
（ｂ）は樹脂封止前の斜視図である。
例であり、図（ａ）は正面側からの透視図であり、図
（ｂ）は樹脂封止前の斜視図である。
【図８】従来例を示す図である。
【図９】他の従来例を示す図である。
１３ 受光素子 １５ 発光素子 １７ メサ部 ２１ 光反射膜
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年４月７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正内容】
【図４】
Claims (2)
- 【請求項１】 発光素子及び受光素子が厚み方向に積層
され、さらに前記発光素子及び受光素子が樹脂封止され
たフォトカプラにおいて、前記発光素子はメサ部にＰ−
Ｎ接合部を有し、前記メサ部の側壁面と上面との内角が
鈍角をなすよう、前記側壁面を傾斜させてなることを特
徴とするフォトカプラ。 - 【請求項２】 少なくとも、前記メサ部の側壁面に光反
射膜を形成したことを特徴とする請求項１記載のフォト
カプラ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7559593A JP2981361B2 (ja) | 1993-04-01 | 1993-04-01 | フォトカプラ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7559593A JP2981361B2 (ja) | 1993-04-01 | 1993-04-01 | フォトカプラ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06291363A true JPH06291363A (ja) | 1994-10-18 |
| JP2981361B2 JP2981361B2 (ja) | 1999-11-22 |
Family
ID=13580717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7559593A Expired - Fee Related JP2981361B2 (ja) | 1993-04-01 | 1993-04-01 | フォトカプラ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2981361B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014063927A (ja) * | 2012-09-21 | 2014-04-10 | Toshiba Corp | 光結合装置および半導体発光素子 |
| US20140284629A1 (en) * | 2013-03-22 | 2014-09-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photocoupler |
| JP2015056531A (ja) * | 2013-09-12 | 2015-03-23 | 株式会社東芝 | 実装部材および光結合装置 |
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-
1993
- 1993-04-01 JP JP7559593A patent/JP2981361B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2014063927A (ja) * | 2012-09-21 | 2014-04-10 | Toshiba Corp | 光結合装置および半導体発光素子 |
| US9070817B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-06-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photocoupler and semiconductor light emitting element |
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