JPH0629147U - リード露出型半導体パッケージ - Google Patents

リード露出型半導体パッケージ

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体パッケージの基板占有面積を減らし、
リードとモールド樹脂間の界面分離および破壊現象を除
去し得る、リード露出型半導体パッケージを提供する。 【構成】 複数個の基板連結リード１２ａおよびチップ
接続リード１２ｂをそれぞれ有したリードフレーム１２
が形成され、それら基板連結リード１２ａ上面に半導体
チップ１１が接着され、該半導体チップ１１とチップ接
続リード１２ｂとがそれぞれ金属ワイヤ１４によりボン
ディングされた後成型され、該成型されたパッケージ本
体の下面に各基板連結リード１２ａがダウンセットされ
露出されるように構成される。

Description

【考案の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本考案は、半導体パッケージに関するものであり、特に、外部連結リードを半 導体パッケージ本体の両外方側に突出せずに、パッケージ本体の下面に露出させ て、パッケージの基板占有面積を減少し、製造工程を簡素化し得るようにした、 リード露出型半導体パッケージに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体パッケージにおいては、図４および図５に示したように、パドル ２上面に半導体チップ１が接着剤７により接着され、該半導体チップ１上面と複 数個のインナーリード３とがそれぞれ金属ワイヤ５によりワイヤボンディングさ れ、それらインナーリード３にそれぞれアウトリード４が連結されてリードフレ ームが形成され、それら半導体チップ１、金属ワイヤ５およびアウトリード４と の一部がモールド樹脂６により成型された後、該成型されたパッケージ本体外方 側に突出されるリードフレームのアウトリード４がそれぞれ適宜な形態にフォー ミングされて、スモールアウトラインＪ−リード型半導体パッケージまたはスモ ールアウトライン型半導体パッケージ等の多様な形態の半導体パッケージが構成 されていた。
【０００３】 かつ、前記リードフレームにおいては、図６に示したように、両方側にそれぞ れサイドレール８，８′が形成され、それらサイドレール８，８′内方側中央部 位に前記パドル２が形成され、該パドル２両方側とそれらサイドレール８，８′ 間にそれぞれ連結バー９，９′が連続形成され、それら連結バー９，９′両方側 に前記複数個のインナーリード３およびアウトリード４がそれぞれ形成され、そ れらインナーリード３およびアウトリード４がダンパ１０により前記両方側サイ ドレール８，８′にそれぞれ連結されていた。
【０００４】 また、このような従来の半導体パッケージの製造工程においては、まず、前記 半導体チップ１がダイシング工程によりそれぞれ１個ずつ切断分離され、それら 分離された半導体チップ１は前記パドル２上にそれぞれ前記接着剤７により接着 されて硬化され、それら半導体チップ１と前記複数個のインナーリード３とがそ れぞれ金属ワイヤ５により電気的に接続された後、それら半導体チップ１、各イ ンナーリード３および各金属ワイヤ５とを包含した所定容積部位がモールド樹脂 ６により成型されていた。
【０００５】 次いで、前記各アウトリード４にそれぞれ錫または鉛めっきが施され、前記ダ ンパ１０および各連結バー９，９′がそれぞれトリミングにより切断除去された 後、それぞれ適宜にフォーミング工程が施されて、前記のスモールアウトライン Ｊ−リードパッケージ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔ Ｌｉｎｅ Ｊ−Ｌｅａｄ Ｐａｃ ｋａｇｅ）またはスモールアウトラインパッケージ（ＳＯＰ）、もしくはデュア ルインラインパッケージ（Ｄｕａｌ Ｉｎ Ｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）等の半 導体パッケージが製造されていた。
【０００６】
【考案が解決しようとする課題】
しかしながら、このような従来の半導体パッケージにおいては、成型された半 導体パッケージの外方側にアウトリードが突成され、それらアウトリードが所定 形状にフォーミングされているため、それら半導体パッケージを基板に装着する 場合、それら半導体パッケージの占める面積が大きくなって、半導体パッケージ を基板上に実質的に装着する実装率が低下するという不都合な点があった。かつ 、成型された半導体パッケージ本体外方側にアウトリードが突成されているため 、該アウトリードのトリムおよびフォーミング作業時または基板上の装着時に、 該アウドリードには外力により撓みが生じてモールド樹脂の成型部位と突成され たアウトリード間に界面分離現象が発生し、場合によってはその接触部位が破壊 されるという不都合な点があった。
【０００７】 また、半導体パッケージの製造工程が複雑であるため、製造原価が上昇すると いう不都合な点があった。さらに、製品の電気的特性試験の場合、リード接触不 良品が多く発生し、製品の信頼性が低下するという不都合な点があった。
【０００８】 本考案の目的は、上述の問題点を解決し、半導体パッケージの基板占有面積を できるだけ減らし、リードの接触不良品発生と、リードとモールド樹脂間の破壊 現象とを除去し得る、リード露出型半導体パッケージを提供することにある。
【０００９】 また、本考案の他の目的は、半導体パッケージの製造工程を簡素化し、製造原 価および設備の投資費を節減し得るようにした、リード露出型半導体パッケージ を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
この発明によるリード露出型半導体パッケージは、 両方側辺部位にサイドレールがそれぞれ形成され、それらサイドレール内方側 中央に複数個の基板連結リードがそれぞれ所定間隔をおいて形成され、それら基 板連結リードにそれぞれ連続して複数個のチップ接続リードが形成され、それら チップ接続リードと両方側サイドレール間にそれぞれダンパが連結され、それら ダンパにより基板連結リードおよびチップ接続リードが両方側サイドレールにそ れぞれ連結されてリードフレームが形成され、 該リードフレームの各基板連結リード上面に半導体チップが接着剤により接着 され、該半導体チップ上面と各チップ接続リードとがそれぞれ金属ワイヤにより ワイヤボンディングされ、 それら半導体チップ、各金属ワイヤ、各基板連結リードおよび各チップ接続リ ードを包含した所定部位がモールド樹脂により成型された後、リードフレームの 各基板連結リードがパッケージ本体の下面にダウンセットされ露出されるように 構成されている。
【００１１】 好ましくは、リードフレームの各チップ接続リードは、それらチップ接続リー ド端部位にＶ字型切断溝がそれぞれ穿孔形成され、それらＶ字型切断溝にダンパ がそれぞれ連結されるとよい。
【００１２】 また、好ましくは、接着剤は、絶縁性両面テープまたはペーストタイプの絶縁 性接着剤であるとよい。
【００１３】
【作用】
本考案によれば、成型され、トリミングされたリード露出型半導体パッケージ が基板上に装着され、該半導体パッケージのチップ内部に内蔵された各種の情報 が各金属ワイヤおよび各基板連結リードを通って基板上の各部に伝達される。
【００１４】
【実施例】
以下、本考案の実施例に対し、図面を用いて詳細に説明する。
【００１５】 図１ないし図３に示したように、本考案によるリード露出型半導体パッケージ においては、両方側面部位にサイドレール１７，１７′がそれぞれ形成され、そ れらサイドレール１７，１７′内方側中央に複数個の基板連結リード１２ａがそ れぞれ所定間隔をおいて形成され、それら基板連結リード１２ａにそれぞれ連続 して複数個のチップ接続リード１２ｂが形成され、それらチップ接続リード１２ ｂ端部にそれぞれＶ字型切断溝１６がエッチングまたはスタンピングにより穿孔 形成され、それらＶ字型切断溝１６と前記両方側サイドレール１７，１７′間に それぞれダンパ１８が連結され、それら基板連結リード１２ａおよびチップ接続 リード１２ｂが該ダンパ１８により両方側サイドレール１７，１７′にそれぞれ 連結されてリードフレームが形成され、 該リードフレームの各基板連結リード１２ａ上面に半導体チップ１１が接着剤 １３により接着され、該半導体チップ１１上面の各連結端子（図示されず）と前 記各チップ接続リード１２ｂとがそれぞれ金またはアルミニウムの金属ワイヤ１ ４によりワイヤボンディングされ、 それら半導体チップ１、各金属ワイヤ１４、各基板連結リード１２ａおよび各 チップ接続リード１２ｂを包含した所定部位がモールド樹脂により成型された後 、前記Ｖ字型切断溝１６部位が切断されてリードフレームの外方側が除去され、 リードフレームの各基板連結リード１２ａがパッケージ本体の下面に一様に所定 深さ（８．５０ｍｉｌ）でダウンセットされて露出されるようにリード露出型半 導体パッケージが構成されている。
【００１６】 かつ、本考案によるリード露出型半導体パッケージにおいては、成型前にリー ドフレーム１２の基板連結リード１２ａとチップ接続リード１２ｂとの連続部位 が所定形状に折曲されて、図１および図２に示した態様にそれぞれ形成されるが 、この場合、図１の第１態様に比べ、図２の第２態様においては、リードとモー ルド樹脂１５間の接触隙間を通って成型体の内部に侵入する水分が一層防止され 、リードの接触不良品発生が一層除去される。
【００１７】 また、前記接着剤１３においては、絶縁性両面テープまたはペーストタイプの 絶縁性接着剤が使用され、熱硬化性の場合は接着された後オーブン（Ｏｖｅｎ） で硬化され、熱可塑性の場合は１７５〜４５０℃の温度下で硬化される。
【００１８】 さらに、成型の後、パッケージ本体外方側に突出されたリードフレーム部位を 切断して除去する時、前記Ｖ字型切断溝１６が該リードフレームの各チップ接続 リード１２ｂに穿孔形成されているため、切断作業が極めて容易に行なわれ、そ れらチップ接続リード１２ｂとモールド樹脂１５間に加わる外力がほとんど省か れるので、リードの接触不良発生が防止される。
【００１９】 このような半導体パッケージは、トレイ（Ｔｒａｙ）またはチューブ（Ｔｕｂ ｅ）により電気的特性試験が行なわれた後、各種セットの基板上に装着されて使 用される。
【００２０】
【考案の効果】
以上説明したように、本考案によるリード露出型半導体パッケージにおいては 、半導体パッケージ本体外方側にリードフレームが突出されずに、基板連結リー ドとしてパッケージ本体下面に露出されているため、リードフレームのフォーミ ング工程が省かれ、製品原価および設備投資費が減少されるという効果がある。 かつ、半導体パッケージ本体外方側にリードフレームが突成していないため、該 リードフレームの撓みにより発生するリードフレームとモールディング樹脂間の 界面分離および破壊現象がなくなり、製品の信頼性が向上されるという効果があ る。
【００２１】 また、半導体パッケージを基板上に装着する場合、該半導体パッケージの基板 上占有面積が減るため、基板上に半導体パッケージを実質的に装着する実装率が 向上されるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本考案によるリード露出型半導体パッケージの
第１態様を示した縦断面図である。
【図２】本考案によるリード露出型半導体パッケージの
第２態様を示した縦断面図である。
【図３】本考案によるリードフレームを示した平面図で
ある。
【図４】従来のスモールアウトラインＪ−リード型半導
体パッケージの構造を示した縦断面図である。
【図５】従来のスモールアウトライン型半導体パッケー
ジの構造を示した縦断面図である。
【図６】従来のリードフレームを示した平面図である。
【符号の説明】
１１ 半導体チップ １２ リードフレーム １２ａ 基板連結リード １２ｂ チップ接続リード １３ 接着剤 １４ 金属ワイヤ １５ モールド樹脂 １６ Ｖ字型切断溝 １７，１７′ サイドレール １８ ダンパ なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (3)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項１】 リード露出型半導体パッケージであっ
    て、 両方側辺部位にサイドレール（１７，１７′）がそれぞ
    れ形成され、それらサイドレール（１７，１７′）内方
    側中央に複数個の基板連結リード（１２ａ）がそれぞれ
    所定間隔をおいて形成され、それら基板連結リード（１
    ２ａ）にそれぞれ連続して複数個のチップ接続リード
    （１２ｂ）が形成され、それらチップ接続リード（１２
    ｂ）と前記両方側サイドレール（１７，１７′）間にそ
    れぞれダンパ（１８）が連結され、それらダンパ（１
    ８）により前記基板連結リード（１２ａ）およびチップ
    接続リード（１２ｂ）が両方側サイドレール（１７，１
    ７′）にそれぞれ連結されてリードフレーム（１２）が
    形成され、 該リードフレームの各基板連結リード（１２ａ）上面に
    半導体チップ（１１）が接着剤（１３）により接着さ
    れ、該半導体チップ（１１）上面と前記各チップ接続リ
    ード（１２ｂ）とがそれぞれ金属ワイヤ（１４）により
    ワイヤボンディングされ、 それら半導体チップ（１１）、各金属ワイヤ（１４）、
    各基板連結リード（１２ａ）および各チップ接続リード
    （１２ｂ）を包含した所定部位がモールド樹脂により成
    形された後、リードフレームの各基板連結リード（１２
    ａ）がパッケージ本体の下面にダウンセットされ露出さ
    れるように構成された、リード露出型半導体パッケー
    ジ。
  2. 【請求項２】 前記リードフレーム（１２）の各チップ
    接続リード（１２ｂ）は、それらチップ接続リード（１
    ２ｂ）端部位にＶ字型切断溝（１６）がそれぞれ穿孔形
    成され、それらＶ字型切断溝（１６）に前記ダンパ（１
    ８）がそれぞれ連結された、請求項１記載のリード露出
    型半導体パッケージ。
  3. 【請求項３】 前記接着剤（１３）は、絶縁性両面テー
    プまたはペーストタイプの絶縁性接着剤である、請求項
    １記載のリード露出型半導体パッケージ。
JP1993045198U 1992-08-21 1993-08-19 リード露出型半導体パッケージ Expired - Lifetime JP2599748Y2 (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08306855A (ja) * 1995-04-27 1996-11-22 Lg Semicon Co Ltd 半導体パッケージ、リードフレーム、回路基板、半導体パッケージモールディング用金型及び電子回路盤並にリードフレームの製造方法

Families Citing this family (166)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5594234A (en) * 1994-11-14 1997-01-14 Texas Instruments Incorporated Downset exposed die mount pad leadframe and package
KR0179803B1 (ko) * 1995-12-29 1999-03-20 문정환 리드노출형 반도체 패키지
US5866939A (en) * 1996-01-21 1999-02-02 Anam Semiconductor Inc. Lead end grid array semiconductor package
KR100186309B1 (ko) * 1996-05-17 1999-03-20 문정환 적층형 버텀 리드 패키지
KR100206910B1 (ko) * 1996-06-14 1999-07-01 구본준 반도체 패키지의 디플래쉬 방법
KR0179924B1 (ko) * 1996-06-14 1999-03-20 문정환 버텀리드 반도체 패키지
KR0179925B1 (ko) * 1996-06-14 1999-03-20 문정환 리드프레임 및 그를 이용한 버텀 리드 반도체 패키지
KR980006174A (ko) * 1996-06-18 1998-03-30 문정환 버틈 리드 패키지
US5863805A (en) * 1996-07-08 1999-01-26 Industrial Technology Research Institute Method of packaging semiconductor chips based on lead-on-chip (LOC) architecture
KR100201397B1 (ko) * 1996-07-29 1999-06-15 구본준 반도체 패키지 장착용 패키지
JP3026426B2 (ja) * 1996-08-29 2000-03-27 沖電気工業株式会社 樹脂封止型半導体装置とその製造方法及びその金型構造
JP3012816B2 (ja) * 1996-10-22 2000-02-28 松下電子工業株式会社 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
KR100237051B1 (ko) * 1996-12-28 2000-01-15 김영환 버텀리드 반도체 패키지 및 그 제조 방법
KR100242994B1 (ko) * 1996-12-28 2000-02-01 김영환 버텀리드프레임 및 그를 이용한 버텀리드 반도체 패키지
DE19701165C1 (de) * 1997-01-15 1998-04-09 Siemens Ag Chipkartenmodul
JP3877401B2 (ja) 1997-03-10 2007-02-07 三洋電機株式会社 半導体装置の製造方法
JP3022393B2 (ja) * 1997-04-21 2000-03-21 日本電気株式会社 半導体装置およびリードフレームならびに半導体装置の製造方法
US6157074A (en) * 1997-07-16 2000-12-05 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Lead frame adapted for variable sized devices, semiconductor package with such lead frame and method for using same
KR100259359B1 (ko) * 1998-02-10 2000-06-15 김영환 반도체 패키지용 기판 및 반도체 패키지, 그리고 그 제조방법
JP3420057B2 (ja) * 1998-04-28 2003-06-23 株式会社東芝 樹脂封止型半導体装置
US6122822A (en) * 1998-06-23 2000-09-26 Vanguard International Semiconductor Corporation Method for balancing mold flow in encapsulating devices
US6143981A (en) 1998-06-24 2000-11-07 Amkor Technology, Inc. Plastic integrated circuit package and method and leadframe for making the package
US6893900B1 (en) 1998-06-24 2005-05-17 Amkor Technology, Inc. Method of making an integrated circuit package
US7030474B1 (en) 1998-06-24 2006-04-18 Amkor Technology, Inc. Plastic integrated circuit package and method and leadframe for making the package
US7112474B1 (en) 1998-06-24 2006-09-26 Amkor Technology, Inc. Method of making an integrated circuit package
US6168975B1 (en) * 1998-06-24 2001-01-02 St Assembly Test Services Pte Ltd Method of forming extended lead package
US7332375B1 (en) 1998-06-24 2008-02-19 Amkor Technology, Inc. Method of making an integrated circuit package
US7005326B1 (en) 1998-06-24 2006-02-28 Amkor Technology, Inc. Method of making an integrated circuit package
US7071541B1 (en) 1998-06-24 2006-07-04 Amkor Technology, Inc. Plastic integrated circuit package and method and leadframe for making the package
AU1216000A (en) * 1998-10-22 2000-05-08 Azimuth Industrial Company, Inc. Semiconductor package for high frequency performance
US6448633B1 (en) * 1998-11-20 2002-09-10 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package and method of making using leadframe having lead locks to secure leads to encapsulant
US6265761B1 (en) * 1999-05-07 2001-07-24 Maxim Integrated Products, Inc. Semiconductor devices with improved lead frame structures
KR200309906Y1 (ko) 1999-06-30 2003-04-14 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지 제조용 리드프레임
US6420779B1 (en) 1999-09-14 2002-07-16 St Assembly Test Services Ltd. Leadframe based chip scale package and method of producing the same
KR100355796B1 (ko) 1999-10-15 2002-10-19 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지용 리드프레임 및 이를 봉지하기 위한 금형 구조
KR20010056618A (ko) 1999-12-16 2001-07-04 프랑크 제이. 마르쿠치 반도체패키지
KR100364978B1 (ko) 1999-10-15 2002-12-16 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지의 와이어 본딩용 클램프 및 히트블록
KR100403142B1 (ko) 1999-10-15 2003-10-30 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지
KR20010037247A (ko) 1999-10-15 2001-05-07 마이클 디. 오브라이언 반도체패키지
US6525406B1 (en) 1999-10-15 2003-02-25 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device having increased moisture path and increased solder joint strength
KR100526844B1 (ko) * 1999-10-15 2005-11-08 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지 및 그 제조방법
KR100379089B1 (ko) 1999-10-15 2003-04-08 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 리드프레임 및 이를 이용한 반도체패키지
KR100355794B1 (ko) 1999-10-15 2002-10-19 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 리드프레임 및 이를 이용한 반도체패키지
KR20010037252A (ko) 1999-10-15 2001-05-07 마이클 디. 오브라이언 반도체패키지 제조용 금형
KR20010037254A (ko) 1999-10-15 2001-05-07 마이클 디. 오브라이언 반도체패키지
KR100355795B1 (ko) 1999-10-15 2002-10-19 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지 및 그 제조 방법
US20070176287A1 (en) * 1999-11-05 2007-08-02 Crowley Sean T Thin integrated circuit device packages for improved radio frequency performance
US6580159B1 (en) 1999-11-05 2003-06-17 Amkor Technology, Inc. Integrated circuit device packages and substrates for making the packages
US6847103B1 (en) 1999-11-09 2005-01-25 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with exposed die pad and body-locking leadframe
TW432557B (en) * 1999-12-14 2001-05-01 Siliconware Precision Industries Co Ltd Chip-scale package and its manufacturing method
KR100421774B1 (ko) 1999-12-16 2004-03-10 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지 및 그 제조 방법
US6639308B1 (en) * 1999-12-16 2003-10-28 Amkor Technology, Inc. Near chip size semiconductor package
KR100426494B1 (ko) 1999-12-20 2004-04-13 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지 및 이것의 제조방법
KR20010058583A (ko) 1999-12-30 2001-07-06 마이클 디. 오브라이언 리드 엔드 그리드 어레이 반도체패키지
KR100592784B1 (ko) * 2000-01-14 2006-06-26 삼성전자주식회사 멀티 칩 패키지
KR100583494B1 (ko) * 2000-03-25 2006-05-24 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지
US7042068B2 (en) * 2000-04-27 2006-05-09 Amkor Technology, Inc. Leadframe and semiconductor package made using the leadframe
SG112799A1 (en) 2000-10-09 2005-07-28 St Assembly Test Services Ltd Leaded semiconductor packages and method of trimming and singulating such packages
US6686258B2 (en) 2000-11-02 2004-02-03 St Assembly Test Services Ltd. Method of trimming and singulating leaded semiconductor packages
KR20020058209A (ko) * 2000-12-29 2002-07-12 마이클 디. 오브라이언 반도체패키지
KR100731007B1 (ko) * 2001-01-15 2007-06-22 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 적층형 반도체 패키지
JP4637380B2 (ja) * 2001-02-08 2011-02-23 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US6545345B1 (en) 2001-03-20 2003-04-08 Amkor Technology, Inc. Mounting for a package containing a chip
US6967395B1 (en) 2001-03-20 2005-11-22 Amkor Technology, Inc. Mounting for a package containing a chip
KR100369393B1 (ko) * 2001-03-27 2003-02-05 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 리드프레임 및 이를 이용한 반도체패키지와 그 제조 방법
KR100393448B1 (ko) 2001-03-27 2003-08-02 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지 및 그 제조 방법
US6603196B2 (en) * 2001-03-28 2003-08-05 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Leadframe-based semiconductor package for multi-media card
US7064009B1 (en) 2001-04-04 2006-06-20 Amkor Technology, Inc. Thermally enhanced chip scale lead on chip semiconductor package and method of making same
US7045883B1 (en) 2001-04-04 2006-05-16 Amkor Technology, Inc. Thermally enhanced chip scale lead on chip semiconductor package and method of making same
US6900527B1 (en) 2001-09-19 2005-05-31 Amkor Technology, Inc. Lead-frame method and assembly for interconnecting circuits within a circuit module
US7485952B1 (en) 2001-09-19 2009-02-03 Amkor Technology, Inc. Drop resistant bumpers for fully molded memory cards
US6630726B1 (en) 2001-11-07 2003-10-07 Amkor Technology, Inc. Power semiconductor package with strap
US6627977B1 (en) 2002-05-09 2003-09-30 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package including isolated ring structure
US6841414B1 (en) 2002-06-19 2005-01-11 Amkor Technology, Inc. Saw and etch singulation method for a chip package
US6867071B1 (en) 2002-07-12 2005-03-15 Amkor Technology, Inc. Leadframe including corner leads and semiconductor package using same
JP2004095572A (ja) * 2002-08-29 2004-03-25 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
US6818973B1 (en) 2002-09-09 2004-11-16 Amkor Technology, Inc. Exposed lead QFP package fabricated through the use of a partial saw process
US6919620B1 (en) 2002-09-17 2005-07-19 Amkor Technology, Inc. Compact flash memory card with clamshell leadframe
US7361533B1 (en) 2002-11-08 2008-04-22 Amkor Technology, Inc. Stacked embedded leadframe
US7190062B1 (en) 2004-06-15 2007-03-13 Amkor Technology, Inc. Embedded leadframe semiconductor package
US7723210B2 (en) 2002-11-08 2010-05-25 Amkor Technology, Inc. Direct-write wafer level chip scale package
US6905914B1 (en) 2002-11-08 2005-06-14 Amkor Technology, Inc. Wafer level package and fabrication method
US20040124508A1 (en) * 2002-11-27 2004-07-01 United Test And Assembly Test Center Ltd. High performance chip scale leadframe package and method of manufacturing the package
US8129222B2 (en) * 2002-11-27 2012-03-06 United Test And Assembly Test Center Ltd. High density chip scale leadframe package and method of manufacturing the package
US6798047B1 (en) 2002-12-26 2004-09-28 Amkor Technology, Inc. Pre-molded leadframe
SG157957A1 (en) * 2003-01-29 2010-01-29 Interplex Qlp Inc Package for integrated circuit die
US6847099B1 (en) 2003-02-05 2005-01-25 Amkor Technology Inc. Offset etched corner leads for semiconductor package
US6750545B1 (en) 2003-02-28 2004-06-15 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package capable of die stacking
US6927483B1 (en) 2003-03-07 2005-08-09 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package exhibiting efficient lead placement
US7001799B1 (en) 2003-03-13 2006-02-21 Amkor Technology, Inc. Method of making a leadframe for semiconductor devices
US6794740B1 (en) 2003-03-13 2004-09-21 Amkor Technology, Inc. Leadframe package for semiconductor devices
US6879034B1 (en) 2003-05-01 2005-04-12 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package including low temperature co-fired ceramic substrate
US7095103B1 (en) 2003-05-01 2006-08-22 Amkor Technology, Inc. Leadframe based memory card
US7008825B1 (en) 2003-05-27 2006-03-07 Amkor Technology, Inc. Leadframe strip having enhanced testability
US6897550B1 (en) 2003-06-11 2005-05-24 Amkor Technology, Inc. Fully-molded leadframe stand-off feature
KR100585100B1 (ko) * 2003-08-23 2006-05-30 삼성전자주식회사 적층 가능한 리드 프레임을 갖는 얇은 반도체 패키지 및그 제조방법
US7245007B1 (en) 2003-09-18 2007-07-17 Amkor Technology, Inc. Exposed lead interposer leadframe package
US6921967B2 (en) * 2003-09-24 2005-07-26 Amkor Technology, Inc. Reinforced die pad support structure
US7138707B1 (en) 2003-10-21 2006-11-21 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package including leads and conductive posts for providing increased functionality
US7144517B1 (en) 2003-11-07 2006-12-05 Amkor Technology, Inc. Manufacturing method for leadframe and for semiconductor package using the leadframe
US7211879B1 (en) 2003-11-12 2007-05-01 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with chamfered corners and method of manufacturing the same
US7633140B2 (en) * 2003-12-09 2009-12-15 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Inverted J-lead for power devices
US7057268B1 (en) 2004-01-27 2006-06-06 Amkor Technology, Inc. Cavity case with clip/plug for use on multi-media card
US7091594B1 (en) 2004-01-28 2006-08-15 Amkor Technology, Inc. Leadframe type semiconductor package having reduced inductance and its manufacturing method
US20080003722A1 (en) * 2004-04-15 2008-01-03 Chun David D Transfer mold solution for molded multi-media card
US7202554B1 (en) 2004-08-19 2007-04-10 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package and its manufacturing method
US7217991B1 (en) 2004-10-22 2007-05-15 Amkor Technology, Inc. Fan-in leadframe semiconductor package
US7202112B2 (en) * 2004-10-22 2007-04-10 Tessera, Inc. Micro lead frame packages and methods of manufacturing the same
US7507603B1 (en) 2005-12-02 2009-03-24 Amkor Technology, Inc. Etch singulated semiconductor package
US7572681B1 (en) 2005-12-08 2009-08-11 Amkor Technology, Inc. Embedded electronic component package
US7902660B1 (en) 2006-05-24 2011-03-08 Amkor Technology, Inc. Substrate for semiconductor device and manufacturing method thereof
US7968998B1 (en) 2006-06-21 2011-06-28 Amkor Technology, Inc. Side leaded, bottom exposed pad and bottom exposed lead fusion quad flat semiconductor package
US7687893B2 (en) 2006-12-27 2010-03-30 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package having leadframe with exposed anchor pads
US7829990B1 (en) 2007-01-18 2010-11-09 Amkor Technology, Inc. Stackable semiconductor package including laminate interposer
US7982297B1 (en) 2007-03-06 2011-07-19 Amkor Technology, Inc. Stackable semiconductor package having partially exposed semiconductor die and method of fabricating the same
US7517733B2 (en) * 2007-03-22 2009-04-14 Stats Chippac, Ltd. Leadframe design for QFN package with top terminal leads
US7977774B2 (en) 2007-07-10 2011-07-12 Amkor Technology, Inc. Fusion quad flat semiconductor package
US7687899B1 (en) 2007-08-07 2010-03-30 Amkor Technology, Inc. Dual laminate package structure with embedded elements
US7777351B1 (en) 2007-10-01 2010-08-17 Amkor Technology, Inc. Thin stacked interposer package
US8089159B1 (en) 2007-10-03 2012-01-03 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with increased I/O density and method of making the same
US7847386B1 (en) 2007-11-05 2010-12-07 Amkor Technology, Inc. Reduced size stacked semiconductor package and method of making the same
US7956453B1 (en) 2008-01-16 2011-06-07 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with patterning layer and method of making same
US7723852B1 (en) 2008-01-21 2010-05-25 Amkor Technology, Inc. Stacked semiconductor package and method of making same
US8067821B1 (en) 2008-04-10 2011-11-29 Amkor Technology, Inc. Flat semiconductor package with half package molding
US7768135B1 (en) 2008-04-17 2010-08-03 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with fast power-up cycle and method of making same
US7808084B1 (en) 2008-05-06 2010-10-05 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with half-etched locking features
US8125064B1 (en) 2008-07-28 2012-02-28 Amkor Technology, Inc. Increased I/O semiconductor package and method of making same
US8184453B1 (en) 2008-07-31 2012-05-22 Amkor Technology, Inc. Increased capacity semiconductor package
JP5217800B2 (ja) 2008-09-03 2013-06-19 日亜化学工業株式会社 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法
US7847392B1 (en) 2008-09-30 2010-12-07 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe with increased I/O
US7989933B1 (en) 2008-10-06 2011-08-02 Amkor Technology, Inc. Increased I/O leadframe and semiconductor device including same
US8008758B1 (en) 2008-10-27 2011-08-30 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with increased I/O leadframe
US8089145B1 (en) 2008-11-17 2012-01-03 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including increased capacity leadframe
US8072050B1 (en) 2008-11-18 2011-12-06 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with increased I/O leadframe including passive device
US7875963B1 (en) 2008-11-21 2011-01-25 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe having power bars and increased I/O
US7982298B1 (en) 2008-12-03 2011-07-19 Amkor Technology, Inc. Package in package semiconductor device
US8487420B1 (en) 2008-12-08 2013-07-16 Amkor Technology, Inc. Package in package semiconductor device with film over wire
US8680656B1 (en) 2009-01-05 2014-03-25 Amkor Technology, Inc. Leadframe structure for concentrated photovoltaic receiver package
US20170117214A1 (en) 2009-01-05 2017-04-27 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with through-mold via
US8058715B1 (en) 2009-01-09 2011-11-15 Amkor Technology, Inc. Package in package device for RF transceiver module
US8026589B1 (en) 2009-02-23 2011-09-27 Amkor Technology, Inc. Reduced profile stackable semiconductor package
US7960818B1 (en) 2009-03-04 2011-06-14 Amkor Technology, Inc. Conformal shield on punch QFN semiconductor package
US8575742B1 (en) 2009-04-06 2013-11-05 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with increased I/O leadframe including power bars
US8796561B1 (en) 2009-10-05 2014-08-05 Amkor Technology, Inc. Fan out build up substrate stackable package and method
US8937381B1 (en) 2009-12-03 2015-01-20 Amkor Technology, Inc. Thin stackable package and method
US9691734B1 (en) 2009-12-07 2017-06-27 Amkor Technology, Inc. Method of forming a plurality of electronic component packages
US8324511B1 (en) 2010-04-06 2012-12-04 Amkor Technology, Inc. Through via nub reveal method and structure
US8294276B1 (en) 2010-05-27 2012-10-23 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device and fabricating method thereof
US8440554B1 (en) 2010-08-02 2013-05-14 Amkor Technology, Inc. Through via connected backside embedded circuit features structure and method
US8487445B1 (en) 2010-10-05 2013-07-16 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device having through electrodes protruding from dielectric layer
US8791501B1 (en) 2010-12-03 2014-07-29 Amkor Technology, Inc. Integrated passive device structure and method
US8674485B1 (en) 2010-12-08 2014-03-18 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe with downsets
US8390130B1 (en) 2011-01-06 2013-03-05 Amkor Technology, Inc. Through via recessed reveal structure and method
US8648450B1 (en) 2011-01-27 2014-02-11 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe with a combination of leads and lands
TWI557183B (zh) 2015-12-16 2016-11-11 財團法人工業技術研究院 矽氧烷組成物、以及包含其之光電裝置
US8552548B1 (en) 2011-11-29 2013-10-08 Amkor Technology, Inc. Conductive pad on protruding through electrode semiconductor device
US9704725B1 (en) 2012-03-06 2017-07-11 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with leadframe configured to facilitate reduced burr formation
US9129943B1 (en) 2012-03-29 2015-09-08 Amkor Technology, Inc. Embedded component package and fabrication method
US9048298B1 (en) 2012-03-29 2015-06-02 Amkor Technology, Inc. Backside warpage control structure and fabrication method
KR101486790B1 (ko) 2013-05-02 2015-01-28 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 강성보강부를 갖는 마이크로 리드프레임
KR101563911B1 (ko) 2013-10-24 2015-10-28 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지
US9673122B2 (en) 2014-05-02 2017-06-06 Amkor Technology, Inc. Micro lead frame structure having reinforcing portions and method
US9564387B2 (en) * 2014-08-28 2017-02-07 UTAC Headquarters Pte. Ltd. Semiconductor package having routing traces therein
FR3104317A1 (fr) * 2019-12-04 2021-06-11 Stmicroelectronics (Tours) Sas Procédé de fabrication de puces électroniques
FR3104315B1 (fr) 2019-12-04 2021-12-17 St Microelectronics Tours Sas Procédé de fabrication de puces électroniques
FR3126540A1 (fr) 2021-08-31 2023-03-03 Stmicroelectronics (Tours) Sas Procédé de fabrication de puces électroniques

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63152161A (ja) * 1986-12-17 1988-06-24 Hitachi Ltd 半導体装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60160639A (ja) * 1984-01-31 1985-08-22 Nec Corp 半導体装置
JPS62263666A (ja) * 1986-05-10 1987-11-16 Matsushita Electronics Corp 樹脂封止型半導体パツケ−ジ
JPS63296252A (ja) * 1987-05-27 1988-12-02 Mitsubishi Electric Corp 樹脂封止型半導体装置
AU2309388A (en) * 1987-08-26 1989-03-31 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Integrated circuit device and method of producing the same
US5235207A (en) * 1990-07-20 1993-08-10 Hitachi, Ltd. Semiconductor device
JPH04129252A (ja) * 1990-09-20 1992-04-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体パッケージ
US5172214A (en) * 1991-02-06 1992-12-15 Motorola, Inc. Leadless semiconductor device and method for making the same
US5250841A (en) * 1992-04-06 1993-10-05 Motorola, Inc. Semiconductor device with test-only leads

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63152161A (ja) * 1986-12-17 1988-06-24 Hitachi Ltd 半導体装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08306855A (ja) * 1995-04-27 1996-11-22 Lg Semicon Co Ltd 半導体パッケージ、リードフレーム、回路基板、半導体パッケージモールディング用金型及び電子回路盤並にリードフレームの製造方法

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