JPH0629193A - Ｘ線マスク - Google Patents
Ｘ線マスクInfo
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- JPH0629193A JPH0629193A JP18374092A JP18374092A JPH0629193A JP H0629193 A JPH0629193 A JP H0629193A JP 18374092 A JP18374092 A JP 18374092A JP 18374092 A JP18374092 A JP 18374092A JP H0629193 A JPH0629193 A JP H0629193A
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- Japan
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- ray
- membrane
- ray mask
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- mask
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/46—Antireflective coatings
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、高剛性で応力の影響による微細パ
ターンの変位がなく、かつ電子ビームによるパターンの
描画・回路検査時やＸ線リソグラフィー時にも、局所的
なチャージアップによるパターン像の歪み・鮮明度の低
下が生じないＸ線マスクを提供することを目的とする。 【構成】 本発明のＸ線マスクは、導電性不純物を含有
するダイヤモンド微結晶を含むＸ線透過性のメンブレン
と、このメンブレンの上に所定のパターンに沿って設け
られるＸ線吸収体を備える。
ターンの変位がなく、かつ電子ビームによるパターンの
描画・回路検査時やＸ線リソグラフィー時にも、局所的
なチャージアップによるパターン像の歪み・鮮明度の低
下が生じないＸ線マスクを提供することを目的とする。 【構成】 本発明のＸ線マスクは、導電性不純物を含有
するダイヤモンド微結晶を含むＸ線透過性のメンブレン
と、このメンブレンの上に所定のパターンに沿って設け
られるＸ線吸収体を備える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、Ｘ線リソグラフィー
を行うためのＸ線マスクに関するものである。
を行うためのＸ線マスクに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は、例えばSemiconductor World
（半導体世界）1991 5月号（第107-111頁）に示された
Ｘ線マスクの断面図であり、図において、１はシリコン
（Ｓｉ）基板、２はシリコン基板１の両面に成膜された
Ｘ線を透過するメンブレン（membrane；膜）、３は半導
体（シリコン基板１）用の微細パターン３ａが描画され
たＸ線吸収体、４は高剛性の支持枠、５はエッチングマ
スクである。ここで、シリコン基板１およびメンブレン
２の厚さは、それぞれ約２mmおよび２μｍである。また
メンブレン２はＸ線透過率のよい軽元素からつくり、他
方Ｘ線吸収体３はタングステン（Ｗ）、タンタル(Ta)等
の重金属から形成する。エッチングマスク５は二酸化ケ
イ素（ＳｉＯ2 ）等から製造する。
（半導体世界）1991 5月号（第107-111頁）に示された
Ｘ線マスクの断面図であり、図において、１はシリコン
（Ｓｉ）基板、２はシリコン基板１の両面に成膜された
Ｘ線を透過するメンブレン（membrane；膜）、３は半導
体（シリコン基板１）用の微細パターン３ａが描画され
たＸ線吸収体、４は高剛性の支持枠、５はエッチングマ
スクである。ここで、シリコン基板１およびメンブレン
２の厚さは、それぞれ約２mmおよび２μｍである。また
メンブレン２はＸ線透過率のよい軽元素からつくり、他
方Ｘ線吸収体３はタングステン（Ｗ）、タンタル(Ta)等
の重金属から形成する。エッチングマスク５は二酸化ケ
イ素（ＳｉＯ2 ）等から製造する。
【０００３】このＸ線マスクは、Ｘ線リソグラフィー時
に、露光材を塗布したシリコンウエハと近接してこれに
平行に設置される。そして、シンクロトロン（ＳＲ）放
射光源等からこのＸ線マスクにＸ線を照射すると、微細
パターン３ａに沿って設けられたＸ線吸収体３はＸ線を
吸収し、メンブレン２はＸ線を透過するため、微細パタ
ーン３ａを先の露光材を塗布したシリコンウエハ上に転
写することができる。
に、露光材を塗布したシリコンウエハと近接してこれに
平行に設置される。そして、シンクロトロン（ＳＲ）放
射光源等からこのＸ線マスクにＸ線を照射すると、微細
パターン３ａに沿って設けられたＸ線吸収体３はＸ線を
吸収し、メンブレン２はＸ線を透過するため、微細パタ
ーン３ａを先の露光材を塗布したシリコンウエハ上に転
写することができる。
【０００４】ところで、Ｘ線吸収体３の微細パターン３
ａを形成する場合は、現在二つのプロセスが用いられて
いる。一つはアディティブプロセス（additive proces
s）で上述のタングステンを選択成長させたり、あるい
は金をめっきしたりする。もう一つはサブトラクティブ
プロセス（subtractive process)で、スパッタ法により
一様に堆積させたタンタルあるいはタングステンのＸ線
吸収体薄膜をドライエッチング技術によりパターニング
する。
ａを形成する場合は、現在二つのプロセスが用いられて
いる。一つはアディティブプロセス（additive proces
s）で上述のタングステンを選択成長させたり、あるい
は金をめっきしたりする。もう一つはサブトラクティブ
プロセス（subtractive process)で、スパッタ法により
一様に堆積させたタンタルあるいはタングステンのＸ線
吸収体薄膜をドライエッチング技術によりパターニング
する。
【０００５】ドライ加工をするサブトラクティブプロセ
スは、めっき法等を用いるアディティブプロセスに比
べ、微細パターンの形成能力にすぐれているが、Ｘ線マ
スクの位置精度の向上に有利な低応力吸収体パターンの
形成に関しては、アディティブプロセスに劣る。
スは、めっき法等を用いるアディティブプロセスに比
べ、微細パターンの形成能力にすぐれているが、Ｘ線マ
スクの位置精度の向上に有利な低応力吸収体パターンの
形成に関しては、アディティブプロセスに劣る。
【０００６】すなわち、サブトラクティブプロセスのよ
うに堆積によって薄膜を形成する場合には、その堆積方
法によらず、一般に内部応力が存在する。そうすると、
Ｘ線マスクではメンブレン２およびＸ線吸収体３の薄膜
の応力が相互に作用して、形成済みの微細パターン３ａ
の位置を変位させてしまう。これらの薄膜が有する応力
の影響はシリコン基板１が厚いときはほとんど問題にな
らないが、シリコン基板１が薄膜化され、基板１の剛性
が低下するときには薄膜応力の緩和に伴って基板１に変
形を生じさせる。
うに堆積によって薄膜を形成する場合には、その堆積方
法によらず、一般に内部応力が存在する。そうすると、
Ｘ線マスクではメンブレン２およびＸ線吸収体３の薄膜
の応力が相互に作用して、形成済みの微細パターン３ａ
の位置を変位させてしまう。これらの薄膜が有する応力
の影響はシリコン基板１が厚いときはほとんど問題にな
らないが、シリコン基板１が薄膜化され、基板１の剛性
が低下するときには薄膜応力の緩和に伴って基板１に変
形を生じさせる。
【０００７】そこで、Ｘ線マスク用のメンブレン材料と
しては、従来からＸ線透過率が高く、しかも高剛性であ
る炭化ケイ素（ＳｉＣ）や窒化ケイ素（ＳｉＮ）が用い
られてきたが、近年さらに高剛性な材料として結晶ダイ
ヤモンドの利用が検討されている。
しては、従来からＸ線透過率が高く、しかも高剛性であ
る炭化ケイ素（ＳｉＣ）や窒化ケイ素（ＳｉＮ）が用い
られてきたが、近年さらに高剛性な材料として結晶ダイ
ヤモンドの利用が検討されている。
【０００８】ダイヤモンドの薄膜はヤング率が大きく高
剛性であるため、Ｘ線吸収体３をエッチング除去した場
合、またＳＲ光の照射によりＸ線吸収体膜の応力が変化
した場合にも微細パターン３ａの位置ずれ（歪み）が生
じにくく、Ｘ線マスクの位置精度を高めることができる
という特長がある。
剛性であるため、Ｘ線吸収体３をエッチング除去した場
合、またＳＲ光の照射によりＸ線吸収体膜の応力が変化
した場合にも微細パターン３ａの位置ずれ（歪み）が生
じにくく、Ｘ線マスクの位置精度を高めることができる
という特長がある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来のダイヤモンド薄
膜は以上のように絶縁膜で構成されているので、電子ビ
ーム（ＥＢ）等でパターンの描画や回路パターンの検査
を行ったり、ＳＲ露光を行う場合、局所的なチャージア
ップが生じて不鮮明なパターン像や歪みのあるパターン
像となったり、極端な場合にはＥＢ像が得られなくなっ
たりする。このため、寸法精度の高い描画・検査やＸ線
リソグラフィーが行いにくいという問題点があった。
膜は以上のように絶縁膜で構成されているので、電子ビ
ーム（ＥＢ）等でパターンの描画や回路パターンの検査
を行ったり、ＳＲ露光を行う場合、局所的なチャージア
ップが生じて不鮮明なパターン像や歪みのあるパターン
像となったり、極端な場合にはＥＢ像が得られなくなっ
たりする。このため、寸法精度の高い描画・検査やＸ線
リソグラフィーが行いにくいという問題点があった。
【００１０】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、高剛性のメンブレンを有しなが
ら、上述の絶縁性ダイヤモンド薄膜に伴うパターン像の
歪み等が生じないＸ線マスクを提供することを目的とす
る。
ためになされたもので、高剛性のメンブレンを有しなが
ら、上述の絶縁性ダイヤモンド薄膜に伴うパターン像の
歪み等が生じないＸ線マスクを提供することを目的とす
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明に係るＸ線マス
クは、導電性不純物を含有するダイヤモンド微結晶を含
むＸ線透過性のメンブレンと、このメンブレンの上に所
定のパターンに沿って設けられるＸ線吸収体を備える。
クは、導電性不純物を含有するダイヤモンド微結晶を含
むＸ線透過性のメンブレンと、このメンブレンの上に所
定のパターンに沿って設けられるＸ線吸収体を備える。
【００１２】
【作用】この発明におけるＸ線マスクは、メンブレンが
ダイヤモンド微結晶からなるため高剛性を有し、かつこ
のダイヤモンド微結晶には導電性が含有されるため、回
路検査用に電子ビームを当てたときも、アースの効果に
よってチャージアップを生じることがなく鮮明なパター
ン像を得ることができる。また、Ｘ線露光用にＳＲ光を
照射したときも、Ｘ線吸収体から出てくる二次電子を安
定に外部へ逃がすことができるので、パターンの歪みを
生じることもない。
ダイヤモンド微結晶からなるため高剛性を有し、かつこ
のダイヤモンド微結晶には導電性が含有されるため、回
路検査用に電子ビームを当てたときも、アースの効果に
よってチャージアップを生じることがなく鮮明なパター
ン像を得ることができる。また、Ｘ線露光用にＳＲ光を
照射したときも、Ｘ線吸収体から出てくる二次電子を安
定に外部へ逃がすことができるので、パターンの歪みを
生じることもない。
【００１３】
【実施例】実施例１．以下、この発明を図について説明
する。図１において、１，３，３ａ，４および５は、先
の図４に示したものと同じである。そして６は、ホウ素
（導電性不純物）を添加したダイヤモンド微結晶からな
るメンブレン、７はメンブレン６の上（Ｘ線入射側）に
形成されるＸ線反射防止膜である。メンブレン６はダイ
ヤモンドを主要な材料とするが、ホウ素を含有するため
導電性となる。また、Ｘ線反射防止膜７はスパッタ成膜
等で形成されるＳｉＮ膜などを用いるが、メンブレン６
と同様十分な導電性を有するものにする。なお、Ｘ線反
射防止膜７は省くこともできる。
する。図１において、１，３，３ａ，４および５は、先
の図４に示したものと同じである。そして６は、ホウ素
（導電性不純物）を添加したダイヤモンド微結晶からな
るメンブレン、７はメンブレン６の上（Ｘ線入射側）に
形成されるＸ線反射防止膜である。メンブレン６はダイ
ヤモンドを主要な材料とするが、ホウ素を含有するため
導電性となる。また、Ｘ線反射防止膜７はスパッタ成膜
等で形成されるＳｉＮ膜などを用いるが、メンブレン６
と同様十分な導電性を有するものにする。なお、Ｘ線反
射防止膜７は省くこともできる。
【００１４】図１のＸ線マスクにおける微細パターン３
ａを電子ビームで検査する場合には、電子ビームがそれ
ぞれ導電性のＸ線吸収体３→Ｘ線反射防止膜７→メンブ
レン６→シリコン基板１→支持枠４を経由してアースさ
れるため、従来のＸ線マスクにみられたような局所的な
チャージアップは生じず、鮮明なパターン像を得ること
ができる。また、ＳＲ光を照射してＸ線露光を行う際に
も、Ｘ線吸収体３から出てくる二次電子を安定に外部へ
逃がすことができるため、パターンの歪みを生じること
もない。
ａを電子ビームで検査する場合には、電子ビームがそれ
ぞれ導電性のＸ線吸収体３→Ｘ線反射防止膜７→メンブ
レン６→シリコン基板１→支持枠４を経由してアースさ
れるため、従来のＸ線マスクにみられたような局所的な
チャージアップは生じず、鮮明なパターン像を得ること
ができる。また、ＳＲ光を照射してＸ線露光を行う際に
も、Ｘ線吸収体３から出てくる二次電子を安定に外部へ
逃がすことができるため、パターンの歪みを生じること
もない。
【００１５】次に、図１のＸ線マスクに用いるメンブレ
ン６の製造方法を説明する。図２は、メンブレン６を成
膜するためのダイヤモンド膜合成装置の構成図である。
このダイヤモンド膜合成装置は、マイクロ波放電法と称
される成膜方法を利用する。図において、１０は反応板
支持ホルダ、１１は反応板支持ホルダ１０に囲まれた反
応チャンバ内に設置される石英管、１２は石英管１１の
上方に設けられる原料供給孔、１３は石英管１１の下方
に設けられる排気孔、１４は石英管１１内に設けられる
シリコン基板１（反応板）のホルダ、１５はマイクロ波
電源、１６は反応板支持ホルダ１０に沿ってスライド可
能なマイクロ波反射板である。石英管１１内は真空排気
装置（図示せず）により所定圧力に保たれている。
ン６の製造方法を説明する。図２は、メンブレン６を成
膜するためのダイヤモンド膜合成装置の構成図である。
このダイヤモンド膜合成装置は、マイクロ波放電法と称
される成膜方法を利用する。図において、１０は反応板
支持ホルダ、１１は反応板支持ホルダ１０に囲まれた反
応チャンバ内に設置される石英管、１２は石英管１１の
上方に設けられる原料供給孔、１３は石英管１１の下方
に設けられる排気孔、１４は石英管１１内に設けられる
シリコン基板１（反応板）のホルダ、１５はマイクロ波
電源、１６は反応板支持ホルダ１０に沿ってスライド可
能なマイクロ波反射板である。石英管１１内は真空排気
装置（図示せず）により所定圧力に保たれている。
【００１６】この装置においては、ダイヤモンド膜形成
のための原料ガス（炭素源）として、通常メタンガス
（ＣＨ4 ）と水素ガス（Ｈ2 ）の混合気を用い、混合比
（ＣＨ 4 ／Ｈ2 ）は、０．２〜１０％程度に設定する。
なお、炭素源は、他の炭化水素ガスやアルコール類でも
よい。
のための原料ガス（炭素源）として、通常メタンガス
（ＣＨ4 ）と水素ガス（Ｈ2 ）の混合気を用い、混合比
（ＣＨ 4 ／Ｈ2 ）は、０．２〜１０％程度に設定する。
なお、炭素源は、他の炭化水素ガスやアルコール類でも
よい。
【００１７】さて、このダイヤモンド膜合成装置におい
て、マイクロ波電源１５をＯＮにし、周波数２．４５Ｇ
Ｈｚのマイクロ波を石英管１１内に供給すると、ホルダ
１０の直上でマイクロ波放電が生じ、シリコン基板１は
イオン衝撃により７００〜９００℃程度まで昇温する。
その後、原料供給孔１２から原料ガスを供給すると、原
料ガスはマイクロ波放電により分解され、ＣＨ3 ラジカ
ルやＨ原子が生じて、シリコン基板１の表面にダイヤモ
ンド微結晶からなる膜が形成される。
て、マイクロ波電源１５をＯＮにし、周波数２．４５Ｇ
Ｈｚのマイクロ波を石英管１１内に供給すると、ホルダ
１０の直上でマイクロ波放電が生じ、シリコン基板１は
イオン衝撃により７００〜９００℃程度まで昇温する。
その後、原料供給孔１２から原料ガスを供給すると、原
料ガスはマイクロ波放電により分解され、ＣＨ3 ラジカ
ルやＨ原子が生じて、シリコン基板１の表面にダイヤモ
ンド微結晶からなる膜が形成される。
【００１８】なお、メンブレン６は、こうして形成され
るダイヤモンド膜中にさらにホウ素（導電性不純物）を
ドーピングして完成するが、導電性不純物の添加は、原
料ガス中にこの導電性不純物を含むガスを混合すること
により、達成される。そこで、上記混合気等にホウ素を
含むＢ2 Ｈ6 ガスを添加した場合のダイヤモンド膜の比
抵抗の変化を図３に示す。混合ガス中のホウ素濃度（Ｂ
2 Ｈ6 ／ＣＨ4 ）の上昇に伴って抵抗率は小さくなり、
特にホウ素濃度が３％のときには抵抗率が十分に小さく
なることが分る。ただし、このホウ素の濃度は１０％以
上になると、メンブレン６中にＢ4 Ｃが生成してＸ線透
過率が低下するため好ましくない。
るダイヤモンド膜中にさらにホウ素（導電性不純物）を
ドーピングして完成するが、導電性不純物の添加は、原
料ガス中にこの導電性不純物を含むガスを混合すること
により、達成される。そこで、上記混合気等にホウ素を
含むＢ2 Ｈ6 ガスを添加した場合のダイヤモンド膜の比
抵抗の変化を図３に示す。混合ガス中のホウ素濃度（Ｂ
2 Ｈ6 ／ＣＨ4 ）の上昇に伴って抵抗率は小さくなり、
特にホウ素濃度が３％のときには抵抗率が十分に小さく
なることが分る。ただし、このホウ素の濃度は１０％以
上になると、メンブレン６中にＢ4 Ｃが生成してＸ線透
過率が低下するため好ましくない。
【００１９】なお本実施例ではマイクロ波放電法により
ホウ素を含有するメンブレンを成膜する方法について示
したが、成膜方法はこの方法に限るものではなく、アー
クを用いた放電、熱フィラメント法、アセチレン炎を用
いた方法など種々のダイヤモンド形成法を用いてさらに
ダイヤモンド膜中にホウ素を含有させることができるな
らば、本実施例と同様の導電性で高剛性のメンブレンを
得ることができる。また導電性不純物を含む添加ガスも
Ｂ2 Ｈ6 に限るものではなく、Ｂ2 Ｏ3 やホウ素を含む
有機材料、およびリン（Ｐ）やヒ素(As)等の導電性不純
物を用いて、比抵抗を下げることもできる。その他、ダ
イヤモンド膜の成膜後、Ｂ+ やＮ+ 等の不純物イオンビ
ームをダイヤモンド膜中に照射しても本実施例と同様の
メンブレンを得ることができる。
ホウ素を含有するメンブレンを成膜する方法について示
したが、成膜方法はこの方法に限るものではなく、アー
クを用いた放電、熱フィラメント法、アセチレン炎を用
いた方法など種々のダイヤモンド形成法を用いてさらに
ダイヤモンド膜中にホウ素を含有させることができるな
らば、本実施例と同様の導電性で高剛性のメンブレンを
得ることができる。また導電性不純物を含む添加ガスも
Ｂ2 Ｈ6 に限るものではなく、Ｂ2 Ｏ3 やホウ素を含む
有機材料、およびリン（Ｐ）やヒ素(As)等の導電性不純
物を用いて、比抵抗を下げることもできる。その他、ダ
イヤモンド膜の成膜後、Ｂ+ やＮ+ 等の不純物イオンビ
ームをダイヤモンド膜中に照射しても本実施例と同様の
メンブレンを得ることができる。
【００２０】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、高剛
性でかつ導電性のメンブレンを備えたＸ線マスクが得ら
れるため、応力の影響による微細パターンの変位がな
く、かつ電子ビームによるパターンの描画・回路検査時
やＸ線リソグラフィー時にも、局所的なチャージアップ
によるパターン像の歪み・鮮明度の低下が生じない。
性でかつ導電性のメンブレンを備えたＸ線マスクが得ら
れるため、応力の影響による微細パターンの変位がな
く、かつ電子ビームによるパターンの描画・回路検査時
やＸ線リソグラフィー時にも、局所的なチャージアップ
によるパターン像の歪み・鮮明度の低下が生じない。
【図１】この発明の一実施例によるＸ線マスクの断面図
である。
である。
【図２】図１のＸ線マスクに用いるメンブレンを製造す
るダイヤモンド膜合成装置の構成図である。
るダイヤモンド膜合成装置の構成図である。
【図３】図１のＸ線マスクに用いるメンブレンにおける
ホウ素濃度と比抵抗の関係を示すグラフ図である。
ホウ素濃度と比抵抗の関係を示すグラフ図である。
【図４】従来のＸ線マスクの断面図である。
３ Ｘ線吸収体 ６ メンブレン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松井 安次 尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電機 株式会社中央研究所内 (72)発明者 丸本 健二 尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電機 株式会社中央研究所内 (72)発明者 矢部 秀毅 尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電機 株式会社中央研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】 導電性不純物を含有するダイヤモンド微
結晶を含むＸ線透過性のメンブレンと、このメンブレン
の上に所定のパターンに沿って設けられるＸ線吸収体を
備えるＸ線マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18374092A JP3220523B2 (ja) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | Ｘ線マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18374092A JP3220523B2 (ja) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | Ｘ線マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0629193A true JPH0629193A (ja) | 1994-02-04 |
| JP3220523B2 JP3220523B2 (ja) | 2001-10-22 |
Family
ID=16141150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18374092A Expired - Fee Related JP3220523B2 (ja) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | Ｘ線マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3220523B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0949538A3 (en) * | 1998-04-08 | 2000-02-23 | Lucent Technologies Inc. | Membrane mask for projection lithography |
| US6375440B2 (en) | 1999-09-30 | 2002-04-23 | Fujitsu Limited | Fan unit, fan assembly, and an apparatus comprising the fan assembly |
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| KR20190068628A (ko) * | 2017-03-31 | 2019-06-18 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 산업용 기기 |
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-
1992
- 1992-07-10 JP JP18374092A patent/JP3220523B2/ja not_active Expired - Fee Related
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