JPH0629231A - グロー放電方法及びグロー放電装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 プラズマ損傷が少なく、広い面積にわたって
均一かつ高速にプラズマ処理が可能なグロー放電方法お
よび装置を提供すること。 【構成】 基体８上に非一様に延在する弱電界領域Ｅｗ
および基体８より離れた強電界領域Ｅｓを与えるグロー
放電用の電界を確立し、グロー放電装置内にガス状物質
を導入するときに、グロー放電領域外からガス導入口は
としてシャワー方式の構造を採用し、弱電界領域Ｅｗに
おいて基体上に薄膜を一様に堆積あるいは食刻させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はグロー放電方法及び装置
に関し、特に基体の表面上への薄膜の堆積または基体表
面の食刻を行うことのできるグロー放電方法及び装置に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】グロー放電により薄膜形成を行う方法で
あるプラズマＣＶＤ法は他の常圧ＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ
法等に比べ、低温処理、量産性に優れ、良好な膜質を有
するので、例えば半導体装置の保護膜、層間絶縁膜、太
陽電池の感光層、ＴＦＴ液晶ディスプレイのゲート絶縁
膜、保護膜もしくはアクティブ層、画像形成装置の感光
層、食品包装フィルムのガスバリヤー、自動車材料の軽
量化材料等の広範囲の技術分野で薄膜形成方法として良
く用いられている。

【０００３】従来知られているプラズマ処理（薄膜形成
あるいは食刻）装置には誘導コイル型とコンデンサ結合
型があったが、プラズマ処理膜の均一性等の性能が向上
することから、主にコンデンサ結合型が利用されてき
た。このコンデンサ結合型プラズマ処理装置は、具体的
にはシリコン化合物等の反応ガスを真空容器内に入れ、
平行平板型の電極間に高周波電界をかけて、反応ガスに
プラズマ放電を生じさせながら、電極上の基体に薄膜を
堆積または食刻させるものである。

【０００４】ところが、この装置は高エネルギーイオン
などを多く含むプラズマの生成部分と処理部分が分離さ
れていないので、プラズマにより基体に損傷を起こし、
この損傷が最近の高性能化した半導体デバイス、液晶デ
ィスプレイ等の信頼性を低下させるという問題がある。

【０００５】さらに、この装置では対向電極が基体に平
行して配置されるため膜厚分布の改善には複数のガス噴
出用透孔を有するガス噴出器と兼用する対向電極が用い
られるが、対向電極には反応生成物が付着し、ピンホー
ルなどを発生させる問題があった。

【０００６】そこで、前記方法の改良方法として、強電
界領域の外に弱電界領域を形成したグロー放電による薄
膜形成方法が提案された。この方法は特公昭６３−５６
６９９号公報等に記載されている方法に相当するが、当
該方法は図５に示すように、基体３１を二つの電極３
２、ガス噴出用透孔３４を備えた電極３３のうちのカソ
ード電極３２の表面に配置し、電極間に直流または交流
を加えると電極３２、３３間の強電界領域Ｅｓにより、
グロー放電が発生し、弱電界領域Ｅｗ部分にとって電極
間隔が大き過ぎる場合であっても、ガスの圧力が適当な
値に調整されれば、その弱電界領域Ｅｗの全てにグロー
放電領域が延在し、したがって、非一様な弱電界領域Ｅ
ｗにおいても基体３１の上に一様に薄膜を堆積させるこ
とができるものである。

【０００７】これにより、高エネルギーイオンを多く含
むグロー放電部（＝強電界領域）Ｅｓから離れた位置に
ある基体３１周囲の弱電界領域Ｅｗでの薄膜形成が可能
となり、プラズマ・ダメージの少ない膜を基体３１上に
一様に堆積させることができるというものである。

【０００８】ところが、図５に示すような前記強電界領
域Ｅｓと弱電界領域Ｅｗを形成するグロー放電方法は、
例えば堆積速度が数十Å／分であるように処理速度が遅
いという問題があった。さらに、この方法は非一様な弱
電界領域Ｅｗでの処理のため、今後予想されるプラズマ
処理基体の大型化に対応できる均一な処理が期待できな
い問題があった。

【０００９】一方、ガス圧を調節して、高真空にしてい
けば平均自由行程が長くなるため大面積の基体３１上で
も均一な成膜（食刻）が可能となるが、高真空条件下で
は、高エネルギーイオンなどの影響が大きくなり、かつ
成膜（食刻）速度も低下するという問題がある。さらに
また、電極３３はガス噴出器を兼用しているためピンホ
ールなどが発生し易い問題が残されている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】そこで本発明の目的は
プラズマ損傷を少なくし、広い面積にわたって、均一
に、かつ高速にプラズマ処理を行うことができ、さらに
薄膜形成時においてピンホールなどのパーティクルを少
なくできるグロー放電方法および装置を提供することで
ある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は次の
構成によって達成される。すなわち、ガス状物質のグロ
ー放電により基体上に薄膜を堆積あるいは食刻させるグ
ロー放電方法において、前記基体表面上に薄膜を堆積ま
たは食刻させる前記基体表面上に非一様に延在する弱電
界領域および基体より離れた強電界領域を与えるグロー
放電用の電界を確立する工程と、ガス状物質をグロー放
電領域外から基体上に向けてシャワー方式で流すことに
より、基体上に弱電界領域からの薄膜を一様に堆積ある
いは食刻させる工程とを有するグロー放電方法、また
は、基体が二つの電極のうち第一電極上に配置され、グ
ロー放電を確立するために前記二つの電極間に電界が設
けられ、ガス状物質のグロー放電により第一電極上に配
置される基体上に薄膜を堆積あるいは食刻させるグロー
放電装置において、前記電界が第一電極上の前記基体表
面上に非一様に延在する弱電界領域および第一電極上の
基体から離れた強電界領域とを有するように、互いに関
連して形成され、かつ配置される前記二つの電極、及
び、基体上に弱電界領域からの一様な薄膜の堆積あるい
は食刻が生じるようにガス状物質を電極と兼用されな
い、基体に対向して配置されるシャワー方式ガス導入器
とを備えた薄膜を堆積あるいは食刻させるグロー放電装
置である。

【００１２】本発明のグロー放電装置内に導入されるガ
ス状物質の流し方は、電極と兼用しないシャワー方式の
ガス導入器によるものであり、シャワー方式のガス導入
器としては、例えば、図２に示すようなガス導入器構造
を採用することができる。図２（ａ）のものではガス状
物質をガス導入管９を通して、末広がり状に形成された
複数個のガス導入口１０から真空グロー放電装置内に導
入する。また、図２（ｂ）のものではガス導入管９の開
放端部から直接ガス状物質が導入される。さらに、図２
（ｃ）のものではガス導入管９の端部に平面状に複数の
ガス噴出透孔を備えたガス導入口１０が設けられてお
り、ガス状物質は一様な方向性をもって真空グロー放電
装置内に各ガス導入口１０から導入される。このうち、
図２（ｃ）に示すガス導入口１０を用いると基体上の成
膜または食刻による薄膜の膜厚分布の均一性が優れてい
る。

【００１３】このとき、グロー放電発生部である強電界
領域と基体間には絶縁体を配置しておくと、処理速度の
向上と膜厚分布の均一性が増す。そして、前記基体とガ
ス導入口１０のノズル間の距離が２０ｍｍ以上になるよ
うに配置することで、シャワー方式のガス導入口１０の
形状が直接膜厚分布に影響しないようにできる。

【００１４】また、グロー放電のための希釈ガスとして
水素、ヘリウム等の比重の軽いガスを使用する場合に
は、基体とガス導入口１０のノズル間を短くすることに
より堆積速度と膜厚分布も向上するが、シャワー方式の
ガス導入口１０の形状が直接膜厚分布に影響しないよう
にするため、基体とガス導入口１０のノズル間の距離が
２０〜１００ｍｍの範囲内にあることが工業的には好ま
しい。また、希釈ガスを用いない場合には、基体とガス
導入口とノズル間の距離を長くすることにより堆積速度
が向上するが、工業的には２０〜１５０ｍｍの範囲にあ
ることが望ましい。即ち、本発明のグロー放電装置の構
成は、真空容器内に設けられている絶縁性支持台；絶縁
性支持台に支持されて、基体を支持する第１の電極；絶
縁性支持台上にあって、かつ、第１の電極を取り囲むよ
うに形成された第２の電極；基体との距離が２０mm以上
になるように、かつ、基体と対向するように真空容器の
上部に取り付けられた電極と兼用されないシャワー方式
ガス導入口；シャワー方式ガス導入口とガス導入管を介
して連結されているマスフローコントローラー；およ
び、真空容器の外部に設けられている真空ポンプとから
成り、シャワー方式ガス導入口は、基体上に弱電界領域
からの一様な堆積あるいは食刻を生じるように形成さ
れ、かつ、配置されている。本発明のグロー放電装置に
おいて、絶縁性支持台の形状は、特に限定はされない
が、例えば円柱状、多角柱状であることが一般的であ
る。また、絶縁性支持台は内部に間隙を有する筒状であ
ってもよく、筒状の場合には、支持台頂部が内側に向か
ったフランジ状形状であると第１の電極を好適に支持す
ることが可能となる。また本発明のグロー放電装置にお
いて、少なくとも基体外端と強電界領域間、好ましくは
基体外端と強電界領域間であって電極３上に絶縁体を配
置すると、さらに弱電界領域を一様にすることができる
ので好適である。本発明のグロー放電装置において、絶
縁体は、図４に示すように基体が電極上に複数個配置さ
れる場合には基体間に配置するケース（図４の（ロ）領
域）、基体外端と強電界領域の間に配置するケース（図
４の（イ）領域）または絶縁体は基体表面を除く全領域
に配置するケース（図４の基体部分のみを除き、
（イ）、（ロ）を含む領域）があるが、基体外端と強電
界領域間の絶縁性支持台上に配置されるよう、（イ）領
域を覆う絶縁体は例えば円形状（例えばドーナツ状）も
しくは多角形状（例えば多角形リング状）であることが
好ましい。本発明のグロー放電装置に用いる絶縁体の材
質は、例えば石英、ホウ酸ガラス（パイレックス、コー
ニング社商標）、アルミナまたは炭化ケイ素等から選択
される。

【００１５】なお、本発明においては、グロー放電によ
るプラズマ反応の反応生成物が揮発性の場合には食刻と
なり、不揮発性の場合には薄膜堆積となる。なお、有機
化合物の表面改良やプラズマ酸化等の表面処理も本発明
で言う堆積に含まる。シリコン窒化膜（ガスとしてはＳ
ｉＨ₄、ＮＨ₃とＨｅ）、シリコン酸化膜（ガスとしては
例えば、ＳｉＨ₄とＮ₂Ｏまたはテトラエトキシシラン
（ＴＥＯＳ）とＯ₂など）、シリコン酸化窒化膜（ガス
としては例えば、ＳｉＨ₄、Ｎ₂ＯとＮＨ₃）、ａ−Ｓｉ
（ガスとしては例えばＳｉＨ₄）、などがその例であ
る。また、本発明の食刻には、例えばフォトレジストの
除去には酸素ガスを用い、シリコン窒化膜やシリコン酸
化膜のエッチングには四フッ化炭素（ＣＦ₄）ガスと酸
素ガスの混合ガスなどを使用することが含まれる。

【００１６】また、グロー放電を発生する高周波電源と
してさらに高い周波数（例えば１３．５６ＭＨｚ）を採
用すれば、堆積した膜のストレスを小さくできるので用
途に応じて、高周波電源の周波数を高くしたり、通常の
周波数（例えば、数ＫＨｚから１ＭＨｚ望ましくは数十
ＫＨｚから数百ＫＨｚ）と高い周波数（例えば１ＭＨｚ
以上）の２系統以上にしたりして膜質の改善を行うこと
も本発明に含まれるものである。

【００１７】

【作用】グロー放電装置内に導入されたガス状物質はグ
ロー放電発生部である強電界領域でグロー放電を開始
し、成膜部である弱電界領域内にある基体上で成膜され
る。このとき、グロー放電装置内でのガス状物質の流し
方を基体に向けてシャワー方式で流すことにより、反応
ガスの濃度が均一になり、また、ガスの流路に乱れが生
じにくいため、膜厚分布が改善されるものと考えられ
る。

【００１８】このとき、基体とシャワー方式のガス導入
口間の距離は２０ｍｍ以上に調整するとシャワー方式の
ガス導入口形状が直接膜厚分布に与える影響をおさえる
ことができ、膜厚分布が改善される。また、ガス噴出器
が電極と兼用されていないため、ガス噴出器への付着が
押さえられ、その結果ピンホールなどのパーティクル発
生が押さえられる。

【００１９】

【実施例】本発明を実施例を用いてさらに詳細に説明す
るが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例
に限定されるものではない。 実施例１ 図１に本実施例のグロー放電装置１を示す。真空容器２
内に基体載置台座兼用の電極３と絶縁性支持台５上の電
極６が設けられている。この電極３と電極６との間には
真空容器２の外部の電源７から高周波電力が供給され
る。また、電極３上の基体８平面に対向する位置には反
応ガスのアルミ製のガス導入管９のガス導入口１０が設
けられている。このガス導入口１０にはマスフローコン
トローラ（ＭＦ）１２または液体ソース（ＴＥＯＳ）気
化器１１とマスフローコントローラ（ＭＦ）１２により
各種ソースガスが供給される。また、真空容器２内はバ
タフライバルブ１３を介して真空ポンプ１４で所望の真
空度に維持される。また、基体８の温度は電極３に埋め
込まれた内蔵抵抗ヒータ１５により最適な温度に加熱さ
れる。エッチング時には必要に応じて最適な温度になる
ように冷却機構（図示せず）が設けられる。内蔵抵抗ヒ
ータ１５は温度制御器１６により温度制御がされる。そ
して、電極３上の基体８に隣接する位置であって、強電
界領域Ｅｓと弱電界領域Ｅｗとの間に絶縁体１７を配置
する。絶縁体１７の材質はホウ酸ガラス（商標名”パイ
レックス”：コーニング社）であり、内径２１ｃｍ、外
径２５ｃｍのドーナツ型状の形状のものを用いた。

【００２０】本実施例では基体８として８インチシリコ
ンウエハーを用い、該基体８上にシリコン窒化膜を堆積
させるために、反応ガスとしてＳｉＨ₄とＮＨ₃を用い、
希釈ガスとしてＨｅを用いた。

【００２１】このグロー放電装置１を用いて本実施例で
は次のようにしてシリコン窒化膜を基体８上に堆積させ
た。まず、基体８の温度を電極３内に埋め込まれた抵抗
ヒータ１５により２５０℃に加熱しておき、真空容器２
内を真空ポンプ１４で減圧しながら、ＳｉＨ₄とＮＨ₃と
Ｈｅをそれぞれ１００ｃｃ／Ｍ、１リットル／Ｍ、５リ
ットル／Ｍの割合でガス導入口１０から導入して、真空
容器２内が１ｔｏｒｒに維持されるようにバタフライバ
ルブ１３で調整する。そして、真空容器２内に電源７か
ら電源周波数５０ｋＨｚ、４００Ｗの高周波電力が供給
されると強電界領域Ｅｓが図示のように電極３、６間に
形成され、また、弱電界領域Ｅｗも図示のように形成さ
れる。

【００２２】このとき、ガス導入口１０の形状が図２
（ａ）〜図２（ｃ）に示す三種類のものを使用して、基
体８上に堆積するシリコン窒化膜の堆積速度、膜厚分布
等を比較した。その結果を表１に示すが図２（ｃ）のシ
ャワー方式のガス導入口１０の場合が最も均一な膜厚分
布を示すことが分かった。なお、このとき基体８とガス
導入口１０間距離は７０ｍｍとして一定とした。ここで
膜厚分布は薄膜の膜厚を膜上の異なる５点で測定し、そ
の最大値と最小値との差を平均値の２倍の値で割って得
られる値を用いた。

【００２３】 （表１） ガス導入口の形状 堆積速度（Å／Ｍ） 膜厚分布（％） 図２（ａ） ２１０ ±８０ 図２（ｂ） ２５０ ±１５ 図２（ｃ） ２５０ ±１０ この表１の結果から電界分布によると思われる膜厚の不
均一性はガス状物質の流し方により改善され、ガス導入
口１０の形状は図２（ｃ）に示すような平面状に複数の
ガス噴出透孔を備えたシャワー方式のものが最も良い結
果を示した。

【００２４】実施例２ 本実施例では図３に示すように、シャワー方式のガス導
入口１０を持つガス導入管９を用いて、そのガス導入口
１０と基体８との距離Ｌｇを変化させ、実施例１と同様
の条件（電源周波数５０ｋＨｚ、４００Ｗ）で基体８上
にシリコン窒化膜を堆積させた。その結果ヘリウムガス
を希釈ガスとして用いた場合には、距離Ｌｇを５０ｍ
ｍ、３５ｍｍ、２８ｍｍと短くするにつれて、膜厚分布
が±１１％、±１０％、±６％と改善され、さらに、堆
積速度も２５０Å／Ｍ、４５０Å／Ｍ、５２０Å／Ｍと
向上した。以上の結果を表２に示す。

【００２５】 （表２） 距離Ｌｇ（ｍｍ） 堆積速度（Å／Ｍ） 膜厚分布（％） ５０ ２５０ ±１１ ３５ ４５０ ±１０ ２８ ５２０ ±６

【００２６】ただし、距離Ｌｇが２０ｍｍ以下になると
ガス導入口１０の直下の部分の膜厚は厚く、その他の部
分の膜厚は薄くなり、シャワー方式の開口形状に直接対
応した膜厚分布の変化がみられた。したがって、希釈ガ
スとして、ヘリウムや水素等の軽いガスを使用する場合
には、距離Ｌｇは工業的にある範囲内、例えば２０〜１
００ｍｍにあることが好ましい。なお、本実施例以降の
実施例の図面は図１と同様な装置を用いるが要部のみを
図示した。

【００２７】実施例３ 本実施例でも図３に示す装置を用いるが、実施例２と異
なるのは、希釈ガスとしてヘリウムを用いないで、ソー
スガスとしてＳｉＨ₄とＮＨ₃のみを用い、それぞれ１０
０ｃｃ／Ｍ、１リットル／Ｍの割合でホウ酸ガラス（商
標名”パイレックス”：コーニング社）製のガス導入管
９から導入し、電源周波数１２０ｋＨｚ、６００Ｗの高
周波電力で実施例２と同様に、基体８上にシリコン窒化
膜を堆積させた。このとき、ガス導入口１０と基体８と
の距離Ｌｇを２０ｍｍ、３０ｍｍ、５０ｍｍ、６０ｍｍ
と変えて、シリコン窒化膜の堆積結果を比較し、その結
果を表３に示す。

【００２８】 （表３） 距離Ｌｇ（ｍｍ） 堆積速度（Å／Ｍ） 膜厚分布（％） ２０ ８５０ ±１０ ３０ ９５０ ±１０ ５０ １０００ ±１０ ６０ １０５０ ±１０ 表３に示すように、膜厚分布は距離Ｌｇを変えても、い
ずれも±１０％前後であったが、堆積速度は距離Ｌｇが
長くなるにつれて向上した。

【００２９】この場合も、実施例２と同様に距離Ｌｇが
２０ｍｍ以下になるとガス導入口１０の直下の部分の膜
厚は厚く、その他の部分の膜厚は薄くなり、シャワー方
式の開口形状に直接対応した膜厚分布の変化がみられ
た。

【００３０】したがって、希釈ガスを用いない場合に
は、距離Ｌｇは長い程望ましいものであるが、実用的に
はコンパクトな電極構造が望まれるため工業的にある範
囲内、例えば２０〜１５０ｍｍにあることが好ましい。

【００３１】本実施例ではシャワー方式のガス導入管９
はホウ酸ガラス（商標名”パイレックス”：コーニング
社）製のものを用いたが、付着物が剥離しにくく均一に
加熱できる金属（例えばアルミ）が特にＴＥＯＳのよう
な液体ソースを用いる場合には、ピンホールなどのパー
ティクルの発生が抑えられ好ましいことが確認された。

【００３２】また、本実施例での二つの電極をフローテ
ィング状態でグロー放電することは、グロー放電が反応
容器内の内壁等に広がらないためパーティクルの発生が
抑えられクリーニングも容易となるので望ましいもので
ある。

【００３３】実施例４ 図３に示す装置において、本実施例では基体８としてシ
リコン窒化膜を被膜したシリコン・ウェハーを用い、シ
リコン窒化膜のエッチングをＣＦ₄＋Ｏ₂（１２％）ガス
により行った。

【００３４】基体８の温度を約５０℃にし、真空容器２
内を真空ポンプ１４で減圧しながらＣＦ₄＋Ｏ₂を１．５
リットル／Ｍの割合でガス導入器１０から導入して真空
容器２内が０．８ｔｏｒｒに維持されるようにバタフラ
イバルブ１３で調整する。そして真空容器２内に電源７
から電源用波数１２０ＫＨｚ、６００Ｗでシリコン窒化
膜をエッチングした結果、１０００Å／分のエッチング
速度が得られた。

【００３５】上記本発明の実施例での成膜は弱電解領域
Ｅｗでのプラズマで行え、さらにガス圧が一定でも膜厚
分布が改善できるため、プラズマ・ダメージの少ない成
膜が可能であり、また大面積の処理が可能である。

【００３６】また、本発明のグロー放電装置は広範囲の
技術分野で利用できるが、例えば半導体の保護膜（Ｓｉ
₃Ｎ₄）または層間絶縁膜（ＳｉＯ₂）、太陽電池の感光
層（アモルファスシリコン）、ＴＦＴ液晶ディスプレイ
のゲート絶縁膜（ＳｉＯ₂）、保護膜（Ｓｉ₃Ｎ₄）また
はアクティブ層（アモルアァスシリコン）、画像形成装
置の感光ドラムの感光層（アモルファスシリコン）、食
品包装材料であるＰＥＴボトル、ＰＥＴフィルムのガス
バリヤー（ＳｉＯ₂）、自動車材料の軽量化材料として
窓・ヘッドライトのコーティング（ＳｉＯ₂とポリカー
ボネートの複合被覆材料）または断熱コーティング（Ｔ
ｉＯ₂、ＳｉＯ₂およびプラスチックフィルムの複合材
料）に用いられるシリコン、シリコン酸化膜、シリコン
窒化膜等の薄膜形成、フォトレジストのアッシャー、保
護膜（Ｓｉ₃Ｎ₄）、絶縁膜（ＳｉＯ₂）、グロー放電装
置内のクリーニング等の食刻用に使用できる。

【００３７】

【発明の効果】本発明によれば、ガス状物質のグロー放
電装置内での流し方を調整することで、圧力を下げない
で（一定圧力で）均一な膜厚分布を持つ薄膜の堆積、食
刻がパーティクルの発生を抑えてできる。また、ガス状
物質の流し方をシャワー方式で行えば、さらに、均一な
プラズマ処理ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施例１のグロー放電のための装置
の概略図である。

【図２】 本発明に適用されるガス状物質のガス導入口
形状を示す図である。

【図３】 本発明の実施例２、３のグロー放電のための
装置の概略図である。

【図４】 本発明における絶縁体と基体の配置関係の一
例を示す上面図である。

【図５】 従来のグロー放電のための装置の概略図であ
る。

【符号の説明】

１…グロー放電装置、２…真空容器、３…台座兼用電
極、５…絶縁性支持台、６…電極、７…電源、８…基
体、９…ガス導入管、１０…ガス導入口、１７…絶縁体

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ガス状物質のグロー放電により基体上に
   薄膜を堆積あるいは食刻させるグロー放電方法におい
   て、 前記基体表面上に薄膜を堆積または食刻させる前記基体
   表面上に非一様に延在する弱電界領域および基体より離
   れた強電界領域を与えるグロー放電用の電界を確立する
   工程と、ガス状物質をグロー放電領域外から基体上に向
   けてシャワー方式で流すことにより、基体上に弱電界領
   域からの薄膜を一様に堆積あるいは食刻させる工程とを
   有することを特徴とするグロー放電方法。
2. 【請求項２】 基体が二つの電極のうち第一電極上に配
   置され、グロー放電を確立するために前記二つの電極間
   に電界が設けられ、ガス状物質のグロー放電により第一
   電極上に配置される基体上に薄膜を堆積あるいは食刻さ
   せるグロー放電装置において、 前記電界が第一電極上の前記基体表面上に非一様に延在
   する弱電界領域および第一電極上の基体から離れた強電
   界領域とを有するように、互いに関連して形成され、か
   つ配置される前記二つの電極、及び、 基体上に弱電界領域からの一様な薄膜の堆積あるいは食
   刻が生じるようにガス状物質を電極と兼用されない、基
   体に対向して配置されるシャワー方式ガス導入器とを備
   えたことを特徴とする薄膜を堆積あるいは食刻させるグ
   ロー放電装置。