JPH1081973A - 誘導結合形プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents

誘導結合形プラズマｃｖｄ装置

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JPH1081973A
JPH1081973A JP9084596A JP8459697A JPH1081973A JP H1081973 A JPH1081973 A JP H1081973A JP 9084596 A JP9084596 A JP 9084596A JP 8459697 A JP8459697 A JP 8459697A JP H1081973 A JPH1081973 A JP H1081973A
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JP
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reaction chamber
inductively coupled
coupled plasma
plasma cvd
cvd apparatus
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JP9084596A
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Jin Jang
ジン ジャン
Jae-Gak Kim
在 ▲ガク▼ 金
Se-Il Cho
世 一 趙
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Hyundai Electronics Industries Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 誘導結合形プラズマ化学気相蒸着装置が開示
される。 【解決手段】 誘導結合形プラズマ化学気相蒸着装置は
少なくとも一部分が誘電体窓（a dielectric shield)で
囲まれた内部空間を有する反応チャンバとして、前記誘
電体窓の反応チャンバ内側の表面に酸素を含まないシリ
コン層を有する反応チャンバ；反応チャンバの内部空間
で反応ガスを導入する手段；前記反応チャンバ外の前記
誘電体窓に隣接して載置されているＲＦ電力印加が可能
なアンテナ；前記アンテナにＲＦ電源をカプリングする
ための手段；前記反応チャンバの内部空間にある被加工
物を加熱するために設けられたステージ；および前記反
応チャンバの内部空間を排気するための排気手段でなさ
れる。酸素を含まないシリコン層は非晶質シリコン層、
窒化シリコン層、炭化シリコン層を含む。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は誘導結合形プラズマ
化学気相蒸着（ＣＶＤ）装置に関するもので、より詳細
には少なくともチャンバの一部分になる誘電体窓からの
不純物の汚染を防止できる誘導結合形プラズマ化学気象
蒸着装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】日本国特許公開公報（特許出願平７−６
０７０４）は薄膜が形成できる誘導結合形プラズマＣＶ
Ｄ装置を開示している。この公報に記載された従来の誘
導結合形プラズマＣＶＤ装置は、ＲＦ電力が印加可能な
リング形状のアンテナ、このアンテナに接して設けられ
た誘電体窓、この誘電体窓を有し同時に気密を維持でき
るチャンバ、このチャンバ内部にある被加工物を加熱す
るために設けられたステージ、前記チャンバ内部を排気
するための排気装置、および前記チャンバに少なくとも
２種類の反応ガスを所定量供給できる供給装置とからな
っている。
【０００３】このような誘導結合形プラズマＣＶＤ装置
は次のように作動する。リング形状のアンテナに高周波
を印加すれば、このアンテナに接して設けられた石英材
の誘電体窓の反対側、即ちチャンバの内部にプラズマを
形成する。チャンバの内側にはステージが設けられてお
り、このステージ上に積載した被加工物を加熱する。ま
たチャンバ内部は排気装置によって排気され真空状態に
なり、このチャンバ内にガス供給装置が少なくとも２種
類の反応ガスを所定量供給する。
【０００４】しかし、前記誘導結合形プラズマＣＶＤ装
置は誘電体窓が石英材等の酸素を含む材料になっている
ので、薄膜を蒸着する際、プラズマによる石英材等の誘
電体窓のエッチングが生じる。従って、石英材の誘電体
窓から酸素および不純物が流入されチャンバで形成され
る薄膜の物性に悪影響を及ぼす問題点があった。
【０００５】また、従来の誘導結合形プラズマＣＶＤ装
置においては、ガス供給手段のガス注入口が真空反応チ
ャンバの中央部に設けられていなく、その側面部に設け
られているので、ガスの注入が全面に均一になされない
ので高密度の均一なプラズマが形成できない問題点があ
った。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上で論じたことに鑑み
て本発明の目的は誘導結合形プラズマＣＶＤ装置の誘電
体窓からの酸素および不純物の流入を遮断することによ
って、優れた膜特性を有する薄膜を製造でき得る誘導結
合形プラズマＣＶＤ装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記の目的は誘導結合形
プラズマＣＶＤ装置の反応チャンバの少なくとも一部分
をなす誘電体窓の表面に酸素を含まないシリコンを蒸着
することによって、達成される。
【０００８】誘導結合形プラズマＣＶＤ装置は少なくと
も一部分が誘電体窓で囲まれた内部空間を有する反応チ
ャンバとして、前記誘電体窓の反応チャンバ内側の表面
に酸素を含まないシリコン層を有する反応チャンバ；反
応チャンバの内部空間で工程ガスを導入する手段；前記
反応チャンバの外の前記誘電体窓に隣接して置かれてい
るＲＦ電力印加が可能なアンテナ；前記アンテナにＲＦ
電源をカプリングするための手段；前記反応チャンバの
内部空間にある被加工物を加熱するために設けられたス
テージ；前記反応チャンバの内部空間を排気するための
排気手段からなる。前記酸素を含まないシリコン層は非
晶質シリコン層、窒化シリコン層、または炭化シリコン
層のものが好ましい。前記反応ガス導入手段は前記反応
チャンバに少なくとも２種類の反応ガスを所定量供給可
能なものである。また、好ましくは１０11〜１０12cm-3
のプラズマ密度を得るためにアンテナ螺旋形状からな
る。
【０００９】この誘導結合形プラズマＣＶＤ装置によっ
て、光感度、電気伝導度、活性化エネルギー、光学的バ
ンドギャプ（optical band gap）のような電気的および
光学的特性が優れ均一な非晶質シリコン膜を得ることが
でき、電気伝導度、降伏電圧、電流密度のような薄膜の
特性が優れ均一な窒化シリコン膜を得ることができ、ま
た結晶粒の大きさが微細で均一なシリコン膜を得ること
ができる。尚且つ、電界効果移動度、臨界電圧のような
電気的特性が優れ均一な非晶質シリコン膜を含む薄膜ト
ランジスターを得ることができるので、高品位のＴＦＴ
−ＬＣＤを製造することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１は本発明によって製造された
誘導結合形プラズマＣＶＤ装置１０を示す。このプラズ
マＣＶＤ装置１０は真空反応チャンバ１１を含む。この
真空反応チャンバ１１は円筒形側板１２、上板１３およ
び底板１４からなされる。真空反応チャンバ１１は密閉
状態を維持するために円筒形側板１２と上板１３、円筒
形側板１２と底板１４の間にはそれぞれＯ−リングシー
ル（O-ring selas）１５Ａ，１５Ｂが設けられている。
【００１１】上板１３は誘電体窓として、石英材で形成
されている。誘電体窓１３は石英材以外に、ＲＦを通過
させるが赤外線を透過させないＡｌ2O 3のようなセラミ
ックス絶縁材でなることもあり得る。
【００１２】本実施例では真空反応チャンバ１１内で選
択された薄膜を蒸着する際、誘電体窓１３がエッチング
され酸素または不純物が真空反応チャンバ１１へ流入さ
れることを防止するために誘電体窓１３の真空反応チャ
ンバ１１内側の表面に酸素を含まないシリコン層１６を
有する。酸素を含まないシリコン層１６は非晶質シリコ
ン層からなり、非晶質シリコン層は約１０００Åの厚さ
を有する。非晶質シリコン層以外に窒化シリコン層、ま
たは炭化シリコン層を使用することもできる。これが本
実施例の重要な特性をなされるものである。
【００１３】誘電体窓１３の上面にはＲＦ電力を印加で
きるアンテナ１７が設けられている。アンテナ17は大面
積適用が容易で優れた均一性および単純な形態を示すス
パイラル形状が好ましい（refer to H. Sugai et., a
l., Jpn. Appl., Phys. 33, 2189, 1994 & Y. Horiike
et., al., J. Vac.S．Sci. Technol.A13(3)，801,1995
）。本実施例では図２Ａおよび図２Ｂに図示されてい
るように1011〜1012cm-3のプラズマ密度を得るために２
種類のスパイラル形状アンテナ中いずれか一つを使用す
ることが好ましい。図面中、参照番号１７ａと１７ａ’
はＲＦ電力の印加を受ける端子等であり、１７ｂはコイ
ルである。
【００１４】アンテナ１７はまたマッチングボックス
（matching box）１８に接触されており、マッチングボ
ックス１８はＲＦ電源１９に接触されている。
【００１５】底板１４はその中央部を貫通してステージ
２０が設けられており、このステージ２０の上面には被
加工物、例えばガラス基板２１が載置される。底板１４
の一側には排気ライン２２が設けられている。ステージ
２０は底板１４と電気的に絶縁されていなければならな
い。ステージ２０はプラズマ蒸着のために必要な冷却お
よび加熱能を有するように設計されている。
【００１６】また、反応ガス（reactant gas）は真空反
応チャンバ１１内へ一つ以上のガス供給管によって供給
され、本実施例では図面に２個のガス供給管２４，２５
を示す。また、２種類以上の反応ガスを供給するために
多数個のガス貯蔵タンク２３がガス供給管２４，２５と
連結されている。
【００１７】ガス供給管２４，２５は反応ガスを大面積
に均一に供給するために真空反応チャンバ１１の中央部
に位置するように形成されたリング形状部２４Ａ，２５
Ａを含む。またリング形状部２４Ａ，２５Ａの回りには
それぞれ一定な間隔で多数のノズル２４Ｂ，２５Ｂが形
成されている。
【００１８】蒸着時、ＲＦ電力がスパイラルアンテナに
印加され、予め選択された反応ガスがガス貯蔵タンク２
３からガス供給管２４，２５に供給される。ガス供給管
に供給されたガスはリング形状部２４Ａ，２５Ａに形成
された多数のノズル２４Ｂ，２５Ｂを通じてチャンバ内
へ供給されると、供給されたガス等は均一で高い密度例
えば１０11〜１０12cm-3のピークイオン密度（peak ion
density）の誘導結合形プラズマを形成するようにな
る。
【００１９】本実施例では誘導結合形プラズマから形成
される非晶質シリコン薄膜を形成するために、ＳｉＨ
4 ，Ｓｉ2 Ｈ6,ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ／Ｈ2 等のシリコンソー
スガスが使用され、シリコン窒化膜を形成するためにＳ
ｉＨ4 ／Ｎ2 ，ＳｉＨ4 ／ＮＨ3 ，ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ／Ｎ
Ｈ3 ／Ｈ2 ，等の窒化シリコンソースガスが使用され
る。
【００２０】以下、本実施例による誘導結合形プラズマ
ＣＶＤ装置によって製造された色々な薄膜の薄特性を注
意してみる。
【００２１】図３は本実施例によって製造された非晶質
シリコン薄膜のＦＴ−ＩＲ特性（Fourier transform in
frared characteristic)を図３に示した。ここでは単結
晶シリコンウェーハ上に蒸着された非晶質シリコン薄膜
をＢＯＭＥＮ１００ ＦＴ−ＩＲスペクトロスコ−プを
使用して赤外線領域での透過度（Transmittance ）を測
定した。赤外線領域でのスペクトル結果から波数（wave
number）２０００cm-1１でＳｉ−Ｈボンド(Si-H bond）
のストレッチモード（stretch mode）が表れたことが分
かり、波数６１０cm-1ではＳｉ−Ｈボンド(Si-H bond）
のベンドモード(bend mode）が表れたことを分かる。従
って、本実施例によって形成された非晶質シリコン薄膜
は典型的な非晶質シリコン薄膜である。本実施例によっ
て製造された非晶質シリコン薄膜ではＳｉ−Ｈ2 ボンド
（bond）が発見されず、Ｓｉ−Ｈボンド（bond）から計
算された薄膜内の水素含有量は１４ａｔ．％と示され
た。
【００２２】図４は本実施例により製作された誘導結合
形プラズマＣＶＤ装置で製造された非晶質シリコン薄膜
の電気伝導度特性を示したグラフである。ここではＣｏ
ｒｎｉｎｇ７０５９のガラス基板上に蒸着された薄膜に
熱蒸着方法でアルミニウムをコプレナ電極形態（coplan
ar electrode shape）に蒸着し、誘導結合形プラズマＣ
ＶＤ装置のステージ上に付着した後、Keithleyelectrom
eter６１７とKeithley multimeter１９７を使用して
温度による電気伝導度を測定した。測定された結果から
計算された常温での暗電気伝導度（dark conductivity
）は４．３×１０-12 Ω-1cm-1であり、測定された結
果から計算されたＡＭ−１条件（１００ｍＷ／cm2)での
光電気伝導度（photoconductivity ）は１．４×１０-5
Ω-1cm-1であった。また活性化エネルギーは１．０５ｅ
Ｖであった。従って、本実施例により蒸着された非晶質
シリコン薄膜の光感度は３×１０6 であるのでこの非晶
質シリコン材料が優れた物性を示していることが分か
る。
【００２３】図５は本実施例による誘導結合形プラズマ
ＣＶＤ装置で製造された非晶質シリコン薄膜の光学的バ
ンドギャップ（optical band gap）を示すグラフであ
る。Corning ７０５９のガラス基板上に蒸着された薄膜
を紫外線／可視光線スペクトロホットミター（UV／VIS
spectrophotometer）を用いて光吸収計数（α）を測定
した。測定された光吸収計数を用いて光学的バンドギャ
ップを下記式によって得た。 （αｈν）1/2 ＝Ｂ（Ｅ−Ｅg opt) ここで、Ｂはバンドの傾きを示す定数、ｈνは入射され
た光の光子エネルギー、αは光吸収係数、Ｅg optは光学
的バンドギャップを示す。
【００２４】図５に図示されたように、光学的バンドゲ
ップは１．７８ｅＶであり、これから本実施例の非晶質
シリコン薄膜は典型的な非晶質シリコン薄膜であること
が分かる。
【００２５】図６は本実施例による誘導結合形プラズマ
ＣＶＤ装置でＨ2 ／ＳｉＨ4 比率によって蒸着された微
細結晶質シリコン薄膜のラマン散乱（Ramam scatterin
g）から得た結晶化度（Degree of crystallization ）
と全幅半値（Full−Width at Half Maximum ［FWHM］）
を示すグラフである。Corning ７０５９のガラス基板上
に蒸着された微細結晶質シリコン薄膜をラマンスペクト
ロスコープ（Ｒamamspectroscope）を使用して結晶化度
および全幅半値を求めた（refer to H . Kakinumaeta
l．，Jpn ．J ．Appl．Phys．７０，７３７４，１９９
１）。また、走査電子顕微鏡（SEM ）を使用して微細結
晶質の大きさを測定した。測定結果、微細結晶質の大き
さは２００Å〜４００Åであり、結晶化度は図６に図示
されたように、７０％〜７３％であることが分かる。こ
の値等は典型的な微細結晶粒の大きさが３０Å〜２００
Åであり結晶化度は数％から７０％である点を考慮する
際、本実施例の微細結晶粒シリコン薄膜は優れた薄膜で
あることが分かる。
【００２６】図７は実施例によって製造された非晶質シ
リコン薄膜のＦＴ−ＩＲ特性（Fourier transform in
frared characteristics ）を示した。ここでは電気伝
導度が大きい単結晶シリコンウェーハ上に蒸着された窒
化シリコン薄膜をBOMEN １００FT−IRスペクトロスコー
プを使用して紫外線領域での透過度（transmittance)を
測定した。紫外線領域でのスペクトル結果から、波数
（Wave number）３３４０cm-1でＮ−Ｈボンド（N −H
bond）のストレッチモード（stretch mode）が表れたこ
とを分かり波数１１５０cm-1ではＮ−Ｈボンド（Ｎ−H
bond）のベンドモ−ド（bend mode）が表れたことが分
かる。また、波数（wave number）８４０cm-1でＳｉ−
Ｎボンド（Si−N bond）が表れたことが分かる。
【００２７】従って、本実施例により形成された窒化シ
リコン薄膜は典型的な窒化シリコン薄膜であることが分
かる。
【００２８】図８は本実施例により製作された誘導結合
形プラズマＣＶＤ装置で製造された窒化シリコン薄膜の
電流−電圧特性を示したグラフである。ここでは非抵抗
が１０〜１５Ωcmであるｐ型のシリコンウェーハ上に厚
さ１０００Åの窒化シリコン薄膜を蒸着した後、熱蒸着
方法で真空から直径１ｍｍのアルミニウムを形成して、
ＭＩＳ構造体を製作した。Keithley electrometerｒ６
１7Aを使用してこの構造体の電流電圧特性を測定した。
この測定結果は、図８に図示されたように、降伏電圧は
７MVであり、電流密度は１MV／cmで約１０-10A／cm2 で
あることが分かる。
【００２９】
【発明の効果】本実施例で分かるように、本発明による
誘導結合形プラズマＣＶＤ装置は、誘電体窓の表面に酸
素を含まないシリコン層が形成されており、ガス供給手
段に連結されたリング形状部がチャンバの中央部に位置
するように設けられており、またリング形状部の回りに
は一定な間隔をおいてガス注入口が多数形成されている
ので、高密度の均一なプラズマをチャンバ内部で得るこ
とができる。従って、本発明によれば、光感度、電気伝
導度、活性化エネルギー、光学的バンドギャップのよう
な薄膜の特性が優れ均一な非晶質シリコン膜を得ること
でき、降伏電圧、電流密度のような薄膜の特性が優れ均
一な窒化シリコン膜を得ることでき、または結晶粒の大
きさが微細であり均一なシリコン薄膜を得ることができ
る。その上に、電界効果移動度、臨界電圧のような電気
的特性が優れ均一な非晶質シリコン膜を含む薄膜トラン
ジスターを得ることができるので、高品位のTFT- LCDを
製造できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の誘導結合形プラズマＣＶＤ装置の実施
例を示す設計図である。
【図２】（Ａ）は図１の誘導結合形プラズマＣＶＤ装置
に使用されるアンテナの構造を示す概略図、（Ｂ）は図
１の誘導結合形プラズマＣＶＤ装置に使用される変形例
のアンテナの構造を示す概略図である。
【図３】本発明の一実施例によって製造された誘導結合
形プラズマＣＶＤ装置で蒸着された非晶質シリコン薄膜
のFT−IR特性を示すグラフである。
【図４】本発明の一実施例によって製造された誘導結合
形プラズマＣＶＤ装置で蒸着された非晶質シリコン薄膜
の電気伝導度特性を示すグラフである。
【図５】本発明の一実施例によって製造された誘導結合
形プラズマＣＶＤ装置で蒸着された非晶質シリコン薄膜
の光学的バンドギャップ特性を示すグラフである。
【図６】本発明の一実施例によって製造された誘導結合
形プラズマＣＶＤ装置で蒸着された微細結晶質シリコン
薄膜の結晶化度およびラマンピークの全幅半値（FWHM）
を示すグラフである。
【図７】本発明の一実施例によって製造された誘導結合
形プラズマＣＶＤ装置で蒸着された窒化シリコン薄膜の
FT−IR特性を示すグラフである。
【図８】本発明の一実施例によって製造された誘導結合
形プラズマＣＶＤ装置で蒸着された窒化シリコン薄膜の
電流−電圧特性を示すグラフである。
【符号の説明】
１０：誘導結合形プラズマＣＶＤ １１：真空反応チャンバ １２：円通形側板 １３：上板 １４：底板 １５Ａ、１５Ｂ：Ｏリングシール １６：シリコン層 １７：アンテナ １８：マッチングボックス １９：ＲＦ電原 ２０：ステージ ２１：ガラス基板 ２２：排気ライン ２３：ガス貯蔵タンク ２４，２５：ガス供給管 ２４Ａ，２５Ａ：リング形状部 ２４Ｂ，２５Ｂ：ノズル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジャン ジン 大韓民国，ソウル，ソチョーク チャムウ ォン−ドン53 ヒュンダイアパート102− 1103 (72)発明者 金 在 ▲ガク▼ 大韓民国，ソウル，東大門区 回基洞 １ 番地 慶煕大学校 物理学科内 (72)発明者 趙 世 一 大韓民国，ソウル，東大門区 回基洞 １ 番地 慶煕大学校 物理学科内

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 少なくとも一部分が誘電体窓（dielectr
    ic shield)で囲まれた内部空間を有する真空反応チャン
    バとして、前記誘電体窓の反応チャンバ内側の表面に酸
    素を含まないシリコン層を有する真空反応チャンバ；前
    記反応チャンバの内部空間で反応ガスを導入する手段；
    前記反応チャンバ外の前記誘電体窓に隣接して置かれて
    いる、ＲＦ電力が印加が可能なアンテナ；前記アンテナ
    にＲＦ電源をカプリングするための手段；前記反応チャ
    ンバの内部空間にある被加工物を加熱するために設けら
    れたステージ；および前記反応チャンバの内部空間を排
    気するための排気手段からなる誘導結合形プラズマＣＶ
    Ｄ装置。
  2. 【請求項２】 前記酸素を含まないシリコン層は非晶質
    シリコン層、窒化シリコン層又は炭化シリコン層である
    ことを特徴とする請求項１に記載の誘導結合形プラズマ
    ＣＶＤ装置。
  3. 【請求項３】 前記反応ガス導入手段は前記反応チャン
    バに少なくとも２種類の反応ガスを所定量供給可能で、
    また前記導入手段は前記チャンバの中央部に位置するリ
    ング形状部を含むことを特徴とする請求項１に記載の誘
    導結合形プラズマＣＶＤ装置。
  4. 【請求項４】 前記反応ガス導入手段のリング形状部は
    その回りに一定な間隔で多数のノズル(nozzle)が形成さ
    れていることを特徴とする請求項３に記載の誘導結合形
    プラズマＣＶＤ装置。
  5. 【請求項５】 前記アンテナは螺旋形状（a spiral ant
    enna）であることを特徴とする請求項３に記載の誘導結
    合形プラズマＣＶＤ装置。
  6. 【請求項６】 前記アンテナは螺旋形状であることを特
    徴とする請求項４に記載の誘導結合形プラズマＣＶＤ装
    置。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999000829A1 (en) * 1997-06-30 1999-01-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of producing thin semiconductor film and apparatus therefor
WO1999038912A1 (en) * 1998-01-29 1999-08-05 Sumitomo Chemical Company, Limited Thermoplastic elastomer composition powder, powder molding process with the same, and moldings
KR100878170B1 (ko) * 2000-09-12 2009-01-12 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 실리콘카바이드층의 이중 주파수 플라즈마 화학기상증착
JP2009084585A (ja) * 2007-09-27 2009-04-23 Fujifilm Corp 窒化シリコン膜の形成方法
KR101071269B1 (ko) * 2009-08-25 2011-10-10 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19711267A1 (de) * 1996-03-18 1997-10-30 Hyundai Electronics Ind Vorrichtung zur chemischen Dampfabscheidung mit induktiv gekoppeltem Plasma
US6511760B1 (en) * 1998-02-27 2003-01-28 Restek Corporation Method of passivating a gas vessel or component of a gas transfer system using a silicon overlay coating
JP4332263B2 (ja) * 1998-10-07 2009-09-16 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 薄膜トランジスタの製造方法
KR100524622B1 (ko) * 1999-04-03 2005-11-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 폴리실리콘 반도체층을 포함한 박막트랜지스터 제조방법
US6447635B1 (en) * 1999-08-24 2002-09-10 Bethel Material Research Plasma processing system and system using wide area planar antenna
US6320320B1 (en) * 1999-11-15 2001-11-20 Lam Research Corporation Method and apparatus for producing uniform process rates
KR20010087598A (ko) * 2000-03-08 2001-09-21 황 철 주 Ｈｄｐ-ｃｖｄ 장치 및 이를 이용한 갭 필링 방법
US6559052B2 (en) 2000-07-07 2003-05-06 Applied Materials, Inc. Deposition of amorphous silicon films by high density plasma HDP-CVD at low temperatures
KR100675097B1 (ko) 2000-11-15 2007-01-29 주성엔지니어링(주) 유도결합형 플라즈마 장치
US6534423B1 (en) * 2000-12-27 2003-03-18 Novellus Systems, Inc. Use of inductively-coupled plasma in plasma-enhanced chemical vapor deposition reactor to improve film-to-wall adhesion following in-situ plasma clean
US6706336B2 (en) 2001-02-02 2004-03-16 Canon Kabushiki Kaisha Silicon-based film, formation method therefor and photovoltaic element
US6589868B2 (en) 2001-02-08 2003-07-08 Applied Materials, Inc. Si seasoning to reduce particles, extend clean frequency, block mobile ions and increase chamber throughput
KR100448880B1 (ko) * 2001-09-28 2004-09-18 김성훈 단백질칩 기판 및 플라즈마를 이용한 단백질칩 기판의제조방법
KR20030046189A (ko) * 2001-12-05 2003-06-12 변홍식 플라즈마 발생장치
DE10308381B4 (de) 2003-02-27 2012-08-16 Forschungszentrum Jülich GmbH Verfahren zur Abscheidung von Silizium
WO2004108979A1 (ja) * 2003-06-02 2004-12-16 Shincron Co., Ltd. 薄膜形成装置及び薄膜形成方法
US8357242B2 (en) * 2007-05-03 2013-01-22 Jewett Russell F Crystalline film devices, apparatuses for and methods of fabrication
DE102004039969A1 (de) * 2004-08-18 2006-02-23 Leybold Optics Gmbh Plasmaquellenvorrichtung, Anordnung mit einer Plasmaquellenvorrichtung sowie Abstrahleinheit für eine Plasmaquellenvorrichtung
KR100589046B1 (ko) * 2004-09-23 2006-06-12 삼성전자주식회사 박막 형성 방법
US7959984B2 (en) * 2004-12-22 2011-06-14 Lam Research Corporation Methods and arrangement for the reduction of byproduct deposition in a plasma processing system
US20060218680A1 (en) * 2005-03-28 2006-09-28 Bailey Andrew D Iii Apparatus for servicing a plasma processing system with a robot
KR101180863B1 (ko) * 2005-05-31 2012-10-11 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR100731998B1 (ko) * 2005-06-07 2007-06-27 주식회사 뉴파워 프라즈마 유도결합 플라즈마 소오스
US7319316B2 (en) 2005-06-29 2008-01-15 Lam Research Corporation Apparatus for measuring a set of electrical characteristics in a plasma
JP4476232B2 (ja) * 2006-03-10 2010-06-09 三菱重工業株式会社 成膜装置のシーズニング方法
JP5291875B2 (ja) * 2006-11-01 2013-09-18 富士フイルム株式会社 プラズマ装置
JP2008124111A (ja) * 2006-11-09 2008-05-29 Nissin Electric Co Ltd プラズマｃｖｄ法によるシリコン系薄膜の形成方法
WO2008137433A1 (en) * 2007-05-03 2008-11-13 Sencera International Corporation Crystalline film devices, apparatuses for and methods of fabrication
US8119545B2 (en) * 2008-03-31 2012-02-21 Tokyo Electron Limited Forming a silicon nitride film by plasma CVD
KR101207582B1 (ko) * 2009-02-17 2012-12-05 한국생산기술연구원 유도결합플라즈마 화학기상증착법을 이용한 태양전지 제조 방법
WO2010110252A1 (ja) * 2009-03-27 2010-09-30 住友電気工業株式会社 Ｍｏｓｆｅｔおよびｍｏｓｆｅｔの製造方法
TW201044586A (en) 2009-03-27 2010-12-16 Sumitomo Electric Industries Mosfet and method for manufacturing mosfet
JP2011187802A (ja) * 2010-03-10 2011-09-22 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd 薄膜形成装置
US9279722B2 (en) 2012-04-30 2016-03-08 Agilent Technologies, Inc. Optical emission system including dichroic beam combiner
CN102653859A (zh) * 2012-05-10 2012-09-05 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种石墨舟自动装卸片升降传递装置
CN103117222B (zh) * 2013-01-18 2016-01-13 中国科学院半导体研究所 ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法
CN103794461A (zh) * 2013-12-02 2014-05-14 青岛蓝图文化传播有限公司市南分公司 一种等离子体处理装置
CN103911599B (zh) * 2014-03-26 2016-02-10 京东方科技集团股份有限公司 一种等离子体增强化学气相沉积装置
CN113966655A (zh) * 2021-10-14 2022-01-25 常州大学 冷等离子体生物处理装置

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2943634C2 (de) * 1979-10-29 1983-09-29 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Epitaxiereaktor
US4363828A (en) * 1979-12-12 1982-12-14 International Business Machines Corp. Method for depositing silicon films and related materials by a glow discharge in a disiland or higher order silane gas
DE3167761D1 (en) * 1980-01-16 1985-01-31 Nat Res Dev Method and apparatus for depositing coatings in a glow discharge
JPH0691010B2 (ja) 1983-01-11 1994-11-14 三井東圧化学株式会社 非晶質薄膜の製法
JPS6041046A (ja) * 1983-08-16 1985-03-04 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 電子写真用感光体
US4583492A (en) * 1983-12-19 1986-04-22 United Technologies Corporation High rate, low temperature silicon deposition system
JPH0630343B2 (ja) * 1985-12-28 1994-04-20 アンリツ株式会社 微結晶相を含むアモルフアスシリコン薄膜導電体
US5038712A (en) * 1986-09-09 1991-08-13 Canon Kabushiki Kaisha Apparatus with layered microwave window used in microwave plasma chemical vapor deposition process
US4933300A (en) * 1987-02-12 1990-06-12 Hideomi Koinuma Process for forming multilayer thin film
JP2629773B2 (ja) * 1987-02-12 1997-07-16 秀臣 鯉沼 多層薄膜の形成方法
JPH01127679A (ja) * 1987-03-27 1989-05-19 Canon Inc 堆積膜形成方法
EP0379828B1 (en) * 1989-01-25 1995-09-27 International Business Machines Corporation Radio frequency induction/multipole plasma processing tool
JPH02197575A (ja) * 1989-01-26 1990-08-06 Canon Inc マイクロ波プラズマｃｖｄ法及びその装置
JPH02243764A (ja) 1989-03-16 1990-09-27 Sumitomo Metal Ind Ltd 薄膜製造装置
JPH03122273A (ja) * 1989-10-06 1991-05-24 Hitachi Ltd マイクロ波を用いた成膜装置
US5284789A (en) * 1990-04-25 1994-02-08 Casio Computer Co., Ltd. Method of forming silicon-based thin film and method of manufacturing thin film transistor using silicon-based thin film
JP2795736B2 (ja) 1990-07-05 1998-09-10 キヤノン株式会社 堆積膜の形成方法
JP2841243B2 (ja) * 1990-11-19 1998-12-24 キヤノン株式会社 マイクロ波プラズマｃｖｄ法による堆積膜形成装置
KR100255703B1 (ko) * 1991-06-27 2000-05-01 조셉 제이. 스위니 전자기 rf연결부를 사용하는 플라즈마 처리기 및 방법
EP0522490B1 (en) 1991-07-09 1998-03-04 Mitsubishi Jukogyo Kabushiki Kaisha Catalyst and method for exhaust gas purification
KR950008261B1 (ko) * 1991-12-03 1995-07-26 삼성전자주식회사 반도체장치의 제조방법
EP0552490A1 (en) * 1992-01-24 1993-07-28 Applied Materials, Inc. Process for etching an oxide layer over a nitride
JP2625072B2 (ja) * 1992-09-08 1997-06-25 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 電磁ｒｆ結合を用いたプラズマ反応装置及びその方法
KR100281345B1 (ko) * 1992-12-01 2001-03-02 조셉 제이. 스위니 전자기 결합성 플래너 플라즈마 장치에서의 산화물 에칭 공정
JPH06275655A (ja) * 1993-03-24 1994-09-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法
JPH0773997A (ja) * 1993-06-30 1995-03-17 Kobe Steel Ltd プラズマｃｖｄ装置と該装置を用いたｃｖｄ処理方法及び該装置内の洗浄方法
JPH0794421A (ja) * 1993-09-21 1995-04-07 Anelva Corp アモルファスシリコン薄膜の製造方法
DE4345229C2 (de) * 1993-09-30 1998-04-09 Reinhard Dr Schwarz Verfahren zum Herstellen von lumineszenten Elementstrukturen und Elementstrukturen
JPH07169833A (ja) * 1993-12-14 1995-07-04 Nec Corp 半導体装置及びその製造方法
JP3150027B2 (ja) * 1993-12-17 2001-03-26 東京エレクトロン株式会社 プラズマ発生装置及びこのプラズマ発生装置を用いたプラズマ処理装置
TW293983B (ja) * 1993-12-17 1996-12-21 Tokyo Electron Co Ltd
US5441768A (en) * 1994-02-08 1995-08-15 Applied Materials, Inc. Multi-step chemical vapor deposition method for thin film transistors
JP3422583B2 (ja) * 1994-03-23 2003-06-30 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP3336747B2 (ja) * 1994-06-09 2002-10-21 ソニー株式会社 絶縁膜の形成方法、並びに半導体装置の作製方法及び半導体装置
JPH088194A (ja) * 1994-06-16 1996-01-12 Kishimoto Sangyo Kk 気相成長機構および熱処理機構における加熱装置
DE4432066C1 (de) * 1994-09-09 1996-03-14 Lueder Ernst Verfahren zur Herstellung von Dünnschichttransistoren
US5677236A (en) * 1995-02-24 1997-10-14 Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. Process for forming a thin microcrystalline silicon semiconductor film
JPH08260154A (ja) * 1995-03-20 1996-10-08 Toshiba Mach Co Ltd 誘導結合プラズマｃｖｄ装置
US5683548A (en) * 1996-02-22 1997-11-04 Motorola, Inc. Inductively coupled plasma reactor and process
DE19711267A1 (de) * 1996-03-18 1997-10-30 Hyundai Electronics Ind Vorrichtung zur chemischen Dampfabscheidung mit induktiv gekoppeltem Plasma

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999000829A1 (en) * 1997-06-30 1999-01-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of producing thin semiconductor film and apparatus therefor
WO1999038912A1 (en) * 1998-01-29 1999-08-05 Sumitomo Chemical Company, Limited Thermoplastic elastomer composition powder, powder molding process with the same, and moldings
US6348535B1 (en) 1998-01-29 2002-02-19 Sumitomo Chemical Company, Limited Thermoplastic elastomer composition powder, powder molding process with the same, and moldings
KR100878170B1 (ko) * 2000-09-12 2009-01-12 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 실리콘카바이드층의 이중 주파수 플라즈마 화학기상증착
JP2009084585A (ja) * 2007-09-27 2009-04-23 Fujifilm Corp 窒化シリコン膜の形成方法
KR101071269B1 (ko) * 2009-08-25 2011-10-10 세메스 주식회사 기판 처리 장치

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