JPH0629340A - 樹脂封止型半導体装置用成形金型及びそれに用いた半導体チップの樹脂封止方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置用成形金型及びそれに用いた半導体チップの樹脂封止方法Info
- Publication number
- JPH0629340A JPH0629340A JP4184854A JP18485492A JPH0629340A JP H0629340 A JPH0629340 A JP H0629340A JP 4184854 A JP4184854 A JP 4184854A JP 18485492 A JP18485492 A JP 18485492A JP H0629340 A JPH0629340 A JP H0629340A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- semiconductor chip
- chip
- molding die
- movable
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】封止樹脂で形成されたパッケージにボイドや未
充填部分を発生させない成形金型及びそれを用いた樹脂
封止方法を提供する。 【構成】成形金型Ｍが上下金型５、６からなり、それら
のキャビティ５Ａ、６Ａの内面５ａ、６ａと同一の平面
を形成する平端面に構成した可動ピン９が複数本各上下
金型５、６に、前記平面に対して垂直状態に可動するよ
うに設け、リードフレームに搭載したＩＣチップ１をキ
ャビティ５Ａ、６Ａ内の所定の位置に成形金型Ｍで締結
した状態で前記各可動ピン９を引き出してＩＣチップ１
の移動を規制しながら溶融した封止樹脂を注入し、その
注入が終わる頃に前記平端面がキャビティ５Ａ、６Ａの
内面５ａ、６ａと同一の内面を形成する位置まで前記可
動ピン９を引き戻して、封止樹脂を硬化させる。
充填部分を発生させない成形金型及びそれを用いた樹脂
封止方法を提供する。 【構成】成形金型Ｍが上下金型５、６からなり、それら
のキャビティ５Ａ、６Ａの内面５ａ、６ａと同一の平面
を形成する平端面に構成した可動ピン９が複数本各上下
金型５、６に、前記平面に対して垂直状態に可動するよ
うに設け、リードフレームに搭載したＩＣチップ１をキ
ャビティ５Ａ、６Ａ内の所定の位置に成形金型Ｍで締結
した状態で前記各可動ピン９を引き出してＩＣチップ１
の移動を規制しながら溶融した封止樹脂を注入し、その
注入が終わる頃に前記平端面がキャビティ５Ａ、６Ａの
内面５ａ、６ａと同一の内面を形成する位置まで前記可
動ピン９を引き戻して、封止樹脂を硬化させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体チップをトラン
スファーモールド法により樹脂で封止する樹脂封止型半
導体装置（以下、単に「ＩＣ」と記す）用成形金型（以
下、単に「成形金型」と記す）及びこの成形金型を用い
て半導体チップを樹脂封止する樹脂封止方法に関するも
のである。
スファーモールド法により樹脂で封止する樹脂封止型半
導体装置（以下、単に「ＩＣ」と記す）用成形金型（以
下、単に「成形金型」と記す）及びこの成形金型を用い
て半導体チップを樹脂封止する樹脂封止方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来技術の成形金型を図６乃至図８を用
いて説明する。従来の成形金型は、通常、図６の縦断面
図に示したように、上金型５と下金型６とから構成され
ている。この成形金型は２つの上下金型５、６の間に挟
まれて設置されたＩＣチップ１を所定形状の樹脂モール
ドＩＣとして封止するための中空部であるキャビティ５
Ａ、６Ａと、樹脂の通路となるランナー部７から各キャ
ビティ５Ａ、６Ａへの注入口となるゲート部８とから構
成されている。
いて説明する。従来の成形金型は、通常、図６の縦断面
図に示したように、上金型５と下金型６とから構成され
ている。この成形金型は２つの上下金型５、６の間に挟
まれて設置されたＩＣチップ１を所定形状の樹脂モール
ドＩＣとして封止するための中空部であるキャビティ５
Ａ、６Ａと、樹脂の通路となるランナー部７から各キャ
ビティ５Ａ、６Ａへの注入口となるゲート部８とから構
成されている。
【０００３】このような成形金型は、樹脂成形時、溶融
した封止樹脂がキャビティ５Ａ、６Ａの一側方から注入
されるため、ＩＣチップ及びそれが搭載されるダイパッ
ド２が注入樹脂の圧力で設計上の位置から上下に動いた
り傾くことがある。
した封止樹脂がキャビティ５Ａ、６Ａの一側方から注入
されるため、ＩＣチップ及びそれが搭載されるダイパッ
ド２が注入樹脂の圧力で設計上の位置から上下に動いた
り傾くことがある。
【０００４】特に近年、ＩＣチップ１の集積度が増大
し、ＩＣチップ１の面積も増大して、従って、前記ダイ
パッド２も従来より大きくなってきている。その一方
で、パッケージのピン数は増えつつあり、外部リード間
ピッチも狭くなり、それに伴い、内部リードやダイパッ
ド２を吊っているサポートバーの幅も細く、かつ長くな
ってきている。このような構造になると、小さな樹脂圧
力でもＩＣチップ１およびダイパッド２が、前記のよう
に上下動したり、傾いたりする。
し、ＩＣチップ１の面積も増大して、従って、前記ダイ
パッド２も従来より大きくなってきている。その一方
で、パッケージのピン数は増えつつあり、外部リード間
ピッチも狭くなり、それに伴い、内部リードやダイパッ
ド２を吊っているサポートバーの幅も細く、かつ長くな
ってきている。このような構造になると、小さな樹脂圧
力でもＩＣチップ１およびダイパッド２が、前記のよう
に上下動したり、傾いたりする。
【０００５】また更に、近年、薄型化を目的として開発
が進められているフローティングチップ構造のＩＣで
は、リードフレームにダイパッド２が存在しないため
に、このチップの上下動や傾きが、ダイパッド２を有す
るものと比較して、より頻繁に発生する。
が進められているフローティングチップ構造のＩＣで
は、リードフレームにダイパッド２が存在しないため
に、このチップの上下動や傾きが、ダイパッド２を有す
るものと比較して、より頻繁に発生する。
【０００６】このようなＩＣチップ１およびそのダイパ
ッド２の上下動および傾きが激しい場合には、 １．ＩＣチップ１の上、またはそのダイパッド２の下
（フローティングチップ構造の場合はＩＣチップ１の
下）の、封止樹脂が封入される空間が狭くなるために溶
融樹脂の流動性が悪くなり、その注入した溶融樹脂の表
面に未充填やボイドが発生する ２．ＩＣの縦断面構造のバランスがくずれ、内部構成材
料間の熱膨張係数の違いによってＩＣパッケージに反り
を発生させる
ッド２の上下動および傾きが激しい場合には、 １．ＩＣチップ１の上、またはそのダイパッド２の下
（フローティングチップ構造の場合はＩＣチップ１の
下）の、封止樹脂が封入される空間が狭くなるために溶
融樹脂の流動性が悪くなり、その注入した溶融樹脂の表
面に未充填やボイドが発生する ２．ＩＣの縦断面構造のバランスがくずれ、内部構成材
料間の熱膨張係数の違いによってＩＣパッケージに反り
を発生させる
【０００７】また更に、特に半導体チップ１が上方に上
がった場合、 ３．ＩＣチップ１とリードフレームとの間をボンディン
グしているワイヤ３が封止樹脂の表面に露出する ４．ＩＣチップ１上のボンディング点の位置が上昇する
と、ワイヤ３が倒れて、ＩＣチップ１のエッジ部に触
れ、ショート不良を起こす ５．ワイヤ３が引っ張られて断線する など、不具合の原因になる。
がった場合、 ３．ＩＣチップ１とリードフレームとの間をボンディン
グしているワイヤ３が封止樹脂の表面に露出する ４．ＩＣチップ１上のボンディング点の位置が上昇する
と、ワイヤ３が倒れて、ＩＣチップ１のエッジ部に触
れ、ショート不良を起こす ５．ワイヤ３が引っ張られて断線する など、不具合の原因になる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このような致命的な不
良を引き起こすＩＣチップ１の上下動を抑えるため、特
開平４−７８４８に開示された事例では、フローティン
グチップ構造のＩＣ用の樹脂封止金型において、上金型
及び下金型でＩＣチップを挟んで固定するための突起物
を設けているが、この封止方法では図７に示したよう
に、ＩＣパッケージ１０の表面上に突起物の痕跡１１が
残り、場合によっては、ＩＣチップの表面までの樹脂の
厚さが薄くなったり、更にはＩＣチップ表面が露出する
ようなことになる。
良を引き起こすＩＣチップ１の上下動を抑えるため、特
開平４−７８４８に開示された事例では、フローティン
グチップ構造のＩＣ用の樹脂封止金型において、上金型
及び下金型でＩＣチップを挟んで固定するための突起物
を設けているが、この封止方法では図７に示したよう
に、ＩＣパッケージ１０の表面上に突起物の痕跡１１が
残り、場合によっては、ＩＣチップの表面までの樹脂の
厚さが薄くなったり、更にはＩＣチップ表面が露出する
ようなことになる。
【０００９】これらの現象は外観的な問題になるほか、
ＩＣパッケージ１０の機械的強度の低下、これらの部分
からの水分などの浸入によるＩＣの信頼性の低下を招く
ことがある。また更に、前記痕跡部分から入射した外部
からの光、または薄くなった樹脂を透過してきた光の影
響で、ＩＣの電気的特性、例えばメモリの場合、データ
保持電圧などの特性に悪影響を及ぼすことになる。
ＩＣパッケージ１０の機械的強度の低下、これらの部分
からの水分などの浸入によるＩＣの信頼性の低下を招く
ことがある。また更に、前記痕跡部分から入射した外部
からの光、または薄くなった樹脂を透過してきた光の影
響で、ＩＣの電気的特性、例えばメモリの場合、データ
保持電圧などの特性に悪影響を及ぼすことになる。
【００１０】また、特開平３−９５３８に開示された実
施例でも、前記の例と同様に樹脂封止用金型に、ＩＣチ
ップを搭載するダイパッドを挟んで固定するための可動
式の円錐状ピンを設け、注入した樹脂が硬化し、離型す
るときに、これらの可動ピンを主型面下にまで引き込め
るとしているが、図８に示したように、この場合にもＩ
Ｃパッケージ１０の表面にこれらの可動ピンの痕跡が残
って、前記の実施例で説明したような不具合が起こり、
またこれらのピンの痕跡が残らないように樹脂封止中に
可動ピンを引き込めるタイミングなどを調整しても、可
動ピンの形状が円錐状であるため、主型面上の可動ピン
の収納部に樹脂が流れ込んで、図示のようにＩＣパッケ
ージ１０の表面にバリ１２が残ることになる。
施例でも、前記の例と同様に樹脂封止用金型に、ＩＣチ
ップを搭載するダイパッドを挟んで固定するための可動
式の円錐状ピンを設け、注入した樹脂が硬化し、離型す
るときに、これらの可動ピンを主型面下にまで引き込め
るとしているが、図８に示したように、この場合にもＩ
Ｃパッケージ１０の表面にこれらの可動ピンの痕跡が残
って、前記の実施例で説明したような不具合が起こり、
またこれらのピンの痕跡が残らないように樹脂封止中に
可動ピンを引き込めるタイミングなどを調整しても、可
動ピンの形状が円錐状であるため、主型面上の可動ピン
の収納部に樹脂が流れ込んで、図示のようにＩＣパッケ
ージ１０の表面にバリ１２が残ることになる。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明は、上下金型で
構成された樹脂封止型半導体装置の成形金型において、
これら上下金型に形成し、封止樹脂が注入される内面が
平面なキャビティのそれぞれの主型面において、半導体
チップ及び又はダイパッドの移動を規制する複数の可動
ピンが設けられ、これらの可動ピンの前記半導体チップ
及び又は前記ダイパッドに近接する先端部が、これら可
動ピンが後退した状態の時に、前記キャビティの内面と
同一の平面を構成するように平面に形成した。
構成された樹脂封止型半導体装置の成形金型において、
これら上下金型に形成し、封止樹脂が注入される内面が
平面なキャビティのそれぞれの主型面において、半導体
チップ及び又はダイパッドの移動を規制する複数の可動
ピンが設けられ、これらの可動ピンの前記半導体チップ
及び又は前記ダイパッドに近接する先端部が、これら可
動ピンが後退した状態の時に、前記キャビティの内面と
同一の平面を構成するように平面に形成した。
【００１２】そして、そのような成形金型を用い、その
成形金型のキャビティの所定の位置に半導体チップを搭
載したリードフレームを配置し、前記上下金型を締結
し、そして前記上下金型に設けた各可動ピンを前記半導
体チップの方に可動、近接させて、前記半導体チップの
移動を規制するようにした状態で、溶融した封止樹脂を
前記成形金型に注入し、この封止樹脂が前記半導体チッ
プを殆ど覆い尽くした、或いは全て覆い尽くした状態の
時に、前記各可動ピンを、それらの先端部の前記平面が
前記上下金型の内面の平面と同一の面を構成する位置ま
で引き戻し、前記封止樹脂が前記各可動ピンが存在した
位置の空間部を埋め尽くして硬化した後、前記上下金型
を開き、樹脂封止された前記半導体チップを離型して樹
脂封止型半導体装置を得るようにして、前記課題を解決
するようにした。
成形金型のキャビティの所定の位置に半導体チップを搭
載したリードフレームを配置し、前記上下金型を締結
し、そして前記上下金型に設けた各可動ピンを前記半導
体チップの方に可動、近接させて、前記半導体チップの
移動を規制するようにした状態で、溶融した封止樹脂を
前記成形金型に注入し、この封止樹脂が前記半導体チッ
プを殆ど覆い尽くした、或いは全て覆い尽くした状態の
時に、前記各可動ピンを、それらの先端部の前記平面が
前記上下金型の内面の平面と同一の面を構成する位置ま
で引き戻し、前記封止樹脂が前記各可動ピンが存在した
位置の空間部を埋め尽くして硬化した後、前記上下金型
を開き、樹脂封止された前記半導体チップを離型して樹
脂封止型半導体装置を得るようにして、前記課題を解決
するようにした。
【００１３】
【作用】従って、成形金型のキャビティ内に存在するＩ
Ｃチップが、前記成形金型に注入された溶融した封止樹
脂の流れに速度差があって、前記ＩＣチップが上下いず
れかの方に移動させられようとしても、前記複数の可動
ピンでその動きが規制されることになる。そして、封止
樹脂が硬化する前に前記構造の可動ピンを前記各キャビ
ティ内面と同一面に引き戻すので、硬化した封止樹脂に
は、可動ピンの極めて僅かな痕跡は残るが、従来技術に
見られたようなバリなどが発生することがない。
Ｃチップが、前記成形金型に注入された溶融した封止樹
脂の流れに速度差があって、前記ＩＣチップが上下いず
れかの方に移動させられようとしても、前記複数の可動
ピンでその動きが規制されることになる。そして、封止
樹脂が硬化する前に前記構造の可動ピンを前記各キャビ
ティ内面と同一面に引き戻すので、硬化した封止樹脂に
は、可動ピンの極めて僅かな痕跡は残るが、従来技術に
見られたようなバリなどが発生することがない。
【００１４】
【実施例】以下、この発明の樹脂封止型半導体装置用成
形金型の実施例を図１乃至図５を用いて説明する。図１
はこの発明の実施例である樹脂封止型半導体装置用成形
金型及びその成形金型でＩＣチップを搭載したリードフ
レームを挟んだ状態を示した断面図であって、同図Ａは
ダイパッドを有するリードフレームを示したものであ
り、同図Ｂはダイパッドがないリードフレームを示した
ものであり、図２は図１に示した状態で、この発明の成
形金型に溶融した封止樹脂を注入しているＩＣの製造過
程を示した断面図であり、図３は図２に示した製造過程
から次の製造過程を示した断面図であり、図４は図３に
示した製造過程から次の製造過程を示した断面図であ
り、そして図５は図４に示した製造過程から、必要に応
じて用いて効果的な製造過程を示した断面図である。な
お、図６乃至図８に示した従来技術と同一の構成部分に
は同一の符号を付し、それらの詳細な説明を省略する。
形金型の実施例を図１乃至図５を用いて説明する。図１
はこの発明の実施例である樹脂封止型半導体装置用成形
金型及びその成形金型でＩＣチップを搭載したリードフ
レームを挟んだ状態を示した断面図であって、同図Ａは
ダイパッドを有するリードフレームを示したものであ
り、同図Ｂはダイパッドがないリードフレームを示した
ものであり、図２は図１に示した状態で、この発明の成
形金型に溶融した封止樹脂を注入しているＩＣの製造過
程を示した断面図であり、図３は図２に示した製造過程
から次の製造過程を示した断面図であり、図４は図３に
示した製造過程から次の製造過程を示した断面図であ
り、そして図５は図４に示した製造過程から、必要に応
じて用いて効果的な製造過程を示した断面図である。な
お、図６乃至図８に示した従来技術と同一の構成部分に
は同一の符号を付し、それらの詳細な説明を省略する。
【００１５】先ず、図１を用いてこの発明の成形金型及
びＩＣチップを搭載したリードフレームを説明する。Ｉ
Ｃチップ１は、ダイパッド２とこの周縁部に形成された
複数のインナーリード４とその他の構成要素から構成さ
れた通常のリードフレームの、前記ダイパッド２に銀ペ
ースト等で接着、固定されて搭載されており、その前記
インナーリード４の内端部に前記ＩＣチップ１に形成さ
れている複数の電極をワイヤ３で接続されている。
びＩＣチップを搭載したリードフレームを説明する。Ｉ
Ｃチップ１は、ダイパッド２とこの周縁部に形成された
複数のインナーリード４とその他の構成要素から構成さ
れた通常のリードフレームの、前記ダイパッド２に銀ペ
ースト等で接着、固定されて搭載されており、その前記
インナーリード４の内端部に前記ＩＣチップ１に形成さ
れている複数の電極をワイヤ３で接続されている。
【００１６】一方、図１に示した成形金型Ｍは、上金型
５と下金型６とから構成されていて、両者の相対する面
に、それぞれの内面５ａ、６ａが平面なキャビティ５
Ａ、６Ａが形成されている。この構造は従来技術の成形
金型と同様である。この発明では、前記ＩＣチップ１が
存在する上下金型５、６の主型面で前記複数の電極を避
けた部分に、前記ＩＣチップ１に垂直状態でそのＩＣチ
ップ１の方に可動する複数の可動ピン９を上金型５及び
下金型６に設けた。
５と下金型６とから構成されていて、両者の相対する面
に、それぞれの内面５ａ、６ａが平面なキャビティ５
Ａ、６Ａが形成されている。この構造は従来技術の成形
金型と同様である。この発明では、前記ＩＣチップ１が
存在する上下金型５、６の主型面で前記複数の電極を避
けた部分に、前記ＩＣチップ１に垂直状態でそのＩＣチ
ップ１の方に可動する複数の可動ピン９を上金型５及び
下金型６に設けた。
【００１７】これらの可動ピン９の形状は、特開平３−
９５３８の実施例のように円錐状にするのではなく、ピ
ンを引き込めた時に上下金型５、６の主型面５ａ、６ａ
と連続になるように円柱状もしくは角柱状とする。そし
て、前記ＩＣチップ１、または前記ダイパッド２の裏面
に近接するそれらの先端部は、これら可動ピン９が後退
した状態の時に、前記キャビティ５Ａ、６Ａの内面５
ａ、６ａと同一の平面を構成するように平面状に形成す
る（図３及び図４）。
９５３８の実施例のように円錐状にするのではなく、ピ
ンを引き込めた時に上下金型５、６の主型面５ａ、６ａ
と連続になるように円柱状もしくは角柱状とする。そし
て、前記ＩＣチップ１、または前記ダイパッド２の裏面
に近接するそれらの先端部は、これら可動ピン９が後退
した状態の時に、前記キャビティ５Ａ、６Ａの内面５
ａ、６ａと同一の平面を構成するように平面状に形成す
る（図３及び図４）。
【００１８】次に、このような構成の上下金型５、６を
用いてＩＣチップ１を樹脂封止する方法を説明する。先
ず、図１に示したように、下金型６のキャビティ６Ａの
中央部にダイパッド２に搭載されたＩＣチップ１が位置
するようにリードフレームを下金型６の上に載置し、上
金型５も同様にして下金型６の上に重ね、各上下金型
５、６の縁で複数のインナーリード４などを挟み、固定
する。
用いてＩＣチップ１を樹脂封止する方法を説明する。先
ず、図１に示したように、下金型６のキャビティ６Ａの
中央部にダイパッド２に搭載されたＩＣチップ１が位置
するようにリードフレームを下金型６の上に載置し、上
金型５も同様にして下金型６の上に重ね、各上下金型
５、６の縁で複数のインナーリード４などを挟み、固定
する。
【００１９】そして、その下金型６の方から複数の可動
ピン９を上げ、また上金型５の方から複数の可動ピン９
を下ろして、前者はダイパッド２の裏面に、後者はＩＣ
チップ１の表面に、それぞれ極めて僅かな隙間を開けて
近接させ、ＩＣチップ１が殆ど所定の位置で保持され、
好ましくない移動を規制するように調整する。
ピン９を上げ、また上金型５の方から複数の可動ピン９
を下ろして、前者はダイパッド２の裏面に、後者はＩＣ
チップ１の表面に、それぞれ極めて僅かな隙間を開けて
近接させ、ＩＣチップ１が殆ど所定の位置で保持され、
好ましくない移動を規制するように調整する。
【００２０】図１Ｂに示したように、ダイパッドレスの
リードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置の場合に
は、前記下金型６に設けた可動ピン９を上げた場合、前
記のようにこれらの可動ピン９もＩＣチップ１の裏面に
直接近接させる。
リードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置の場合に
は、前記下金型６に設けた可動ピン９を上げた場合、前
記のようにこれらの可動ピン９もＩＣチップ１の裏面に
直接近接させる。
【００２１】このようにして、可動ピン９を各キャビテ
ィ５Ａ、６Ａの主型面より突出させることによって、Ｉ
Ｃチップ１及び又はそのダイパッド２の上下方向の動き
が規制されることになる。
ィ５Ａ、６Ａの主型面より突出させることによって、Ｉ
Ｃチップ１及び又はそのダイパッド２の上下方向の動き
が規制されることになる。
【００２２】次に、図３に示したように、溶融した封止
樹脂１０をランナー部７及びゲ−ト部８を通じて両キャ
ビティ５Ａ、６Ａ内に注入する。この図に示したよう
に、溶融した封止樹脂１０がＩＣチップ１をほぼ覆うま
では各可動ピン９を突出した状態にしておき、上下をほ
ぼ覆った時点で可動ピン９を引き戻していく。
樹脂１０をランナー部７及びゲ−ト部８を通じて両キャ
ビティ５Ａ、６Ａ内に注入する。この図に示したよう
に、溶融した封止樹脂１０がＩＣチップ１をほぼ覆うま
では各可動ピン９を突出した状態にしておき、上下をほ
ぼ覆った時点で可動ピン９を引き戻していく。
【００２３】そして溶融した封止樹脂１０を成形金型Ｍ
のキャビティ５Ａ、６Ａに流し切ったときの様子を示し
たのが図４である。この時点では既に、全ての可動ピン
９の先端部の面はキャビティ５Ａ、６Ａの内面５ａ、６
ａの一部である主型面と同一の平面を形成するまで戻さ
れており、封止樹脂１０が硬化して時に、それがＩＣパ
ッケージとなる、その表面に可動ピン９の痕跡が殆ど残
らないようにしている。
のキャビティ５Ａ、６Ａに流し切ったときの様子を示し
たのが図４である。この時点では既に、全ての可動ピン
９の先端部の面はキャビティ５Ａ、６Ａの内面５ａ、６
ａの一部である主型面と同一の平面を形成するまで戻さ
れており、封止樹脂１０が硬化して時に、それがＩＣパ
ッケージとなる、その表面に可動ピン９の痕跡が殆ど残
らないようにしている。
【００２４】また、各可動ピン９を引き戻すタイミング
や速さは、パッケ−ジ（硬化した封止樹脂１０）の表面
に未充填やボイドが発生しないように調整することが肝
要である。従って、封止樹脂１０が流動状態にあり、そ
して図２に示したような封止樹脂１０が殆どＩＣチップ
１を覆い終わる時に、各可動ピン９を引き戻すとよい。
や速さは、パッケ−ジ（硬化した封止樹脂１０）の表面
に未充填やボイドが発生しないように調整することが肝
要である。従って、封止樹脂１０が流動状態にあり、そ
して図２に示したような封止樹脂１０が殆どＩＣチップ
１を覆い終わる時に、各可動ピン９を引き戻すとよい。
【００２５】封止樹脂１０を注入しその樹脂が充分に硬
化した後に、図４に示したように、上下金型５、６を離
して、ＩＣを成形金型Ｍから離型させる。このとき可動
ピン９は引き込ませた状態のままでＩＣを充分離型でき
るが、離型しにくい時には、図５に示したように、一部
あるいは全ての可動ピン９を再び可動、突出させて、Ｉ
Ｃを離型させるようにすることもできる。
化した後に、図４に示したように、上下金型５、６を離
して、ＩＣを成形金型Ｍから離型させる。このとき可動
ピン９は引き込ませた状態のままでＩＣを充分離型でき
るが、離型しにくい時には、図５に示したように、一部
あるいは全ての可動ピン９を再び可動、突出させて、Ｉ
Ｃを離型させるようにすることもできる。
【００２６】
【発明の効果】１．以上、説明したように、この発明の
成形金型及び製造方法によれば、樹脂からなるパッケー
ジ内部でのＩＣチップの位置制御が可能となった。これ
によって、 １）パッケージ表面上の未充填・ボイドの発生 ２）パッケージの反り ３）パッケージ表面へのボンディングワイヤの露出 ４）ショート不良（ボンディングワイヤがチップのエッ
ジ部に触れる） ５）ボンディングワイヤの断線 などの不具合を低減することができた。また、
成形金型及び製造方法によれば、樹脂からなるパッケー
ジ内部でのＩＣチップの位置制御が可能となった。これ
によって、 １）パッケージ表面上の未充填・ボイドの発生 ２）パッケージの反り ３）パッケージ表面へのボンディングワイヤの露出 ４）ショート不良（ボンディングワイヤがチップのエッ
ジ部に触れる） ５）ボンディングワイヤの断線 などの不具合を低減することができた。また、
【００２７】２．ＩＣチップの位置制御がパッケージの
樹脂部に孔を付けることなく行えるようになった。これ
によって、 １）パッケージの外観上の問題がなくなる ２）パッケージの機械的強度の低下を防止することがで
きる ３）水分などの浸入の抑制によって、ＩＣの信頼性の向
上が図れる ４）外部からの光の入射がなくなり、ＩＣの電気的特性
に影響がなくなる などの効果が得られた。
樹脂部に孔を付けることなく行えるようになった。これ
によって、 １）パッケージの外観上の問題がなくなる ２）パッケージの機械的強度の低下を防止することがで
きる ３）水分などの浸入の抑制によって、ＩＣの信頼性の向
上が図れる ４）外部からの光の入射がなくなり、ＩＣの電気的特性
に影響がなくなる などの効果が得られた。
【００２８】
【図１】この発明の実施例である樹脂封止型半導体装置
用成形金型及びその成形金型でＩＣチップを搭載したリ
ードフレームを挟んだ状態を示した断面図であって、同
図Ａはダイパッドを有するリードフレームを示したもの
であり、同図Ｂはダイパッドがないリードフレームを示
したものである。
用成形金型及びその成形金型でＩＣチップを搭載したリ
ードフレームを挟んだ状態を示した断面図であって、同
図Ａはダイパッドを有するリードフレームを示したもの
であり、同図Ｂはダイパッドがないリードフレームを示
したものである。
【図２】図１に示した状態で、この発明の成形金型に溶
融した封止樹脂を注入しているＩＣの製造過程を示した
断面図である。
融した封止樹脂を注入しているＩＣの製造過程を示した
断面図である。
【図３】図２に示した製造過程から次の製造過程を示し
た断面図である。
た断面図である。
【図４】図３に示した製造過程から次の製造過程を示し
た断面図である。
た断面図である。
【図５】図４に示した製造過程から、必要に応じて用い
て効果的な製造過程を示した断面図である。
て効果的な製造過程を示した断面図である。
【図６】従来の樹脂封止型半導体装置用成形金型に、Ｉ
Ｃチップを搭載したリードフレームを挟んだ状態の断面
図である。
Ｃチップを搭載したリードフレームを挟んだ状態の断面
図である。
【図７】従来の樹脂封止型半導体装置用成形金型で製造
した樹脂封止型半導体装置の縦断面図である。
した樹脂封止型半導体装置の縦断面図である。
【図８】従来の他の樹脂封止型半導体装置用成形金型で
製造した樹脂封止型半導体装置の縦断面図である。
製造した樹脂封止型半導体装置の縦断面図である。
Ｍ 成形金型 １ 半導体チップ（ＩＣチップ） ２ ダイパッド ４ インナーリード ５ 上金型 ５Ａ 上金型５のキャビティ ５ａ キャビティ５Ａの内面 ６ 下金型 ６Ａ 上金型６のキャビティ ６ａ キャビティ６Ａの内面 ７ ランナ−部 ８ ゲ−ト部 ９ 可動ピン １０ モ−ルド樹脂 １１ ピン痕 １２ バリ
Claims (3)
- 【請求項１】上下金型で構成された樹脂封止型半導体装
置の成形金型において、これら上下金型に形成し、封止
樹脂が注入される内面が平面なキャビティのそれぞれの
主型面において、半導体チップ及び又はダイパッドの移
動を規制する複数の可動ピンが設けられ、これらの可動
ピンの前記半導体チップ及び又は前記ダイパッドに近接
する先端部が、これら可動ピンが後退した状態の時に、
前記キャビティの内面と同一の平面を構成するように平
面に形成したことを特徴する樹脂封止型半導体装置用成
形金型。 - 【請求項２】請求項１に記載の成形金型のキャビティの
所定の位置に半導体チップを搭載したリードフレームを
配置し、前記上下金型を締結し、そして前記上下金型に
設けた各可動ピンを前記半導体チップの方に可動、近接
させて、前記半導体チップの移動を規制するようにした
状態で、溶融した封止樹脂を前記成形金型に注入し、こ
の封止樹脂が前記半導体チップを殆ど覆い尽くした、或
いは全て覆い尽くした状態の時に、前記各可動ピンを、
それらの先端部の前記平面が前記上下金型の内面の平面
と同一の面を構成する位置まで引き戻し、前記封止樹脂
が前記各可動ピンが存在した位置の空間部を埋め尽くし
て硬化した後、前記上下金型を開き、樹脂封止された前
記半導体チップを離型して樹脂封止型半導体装置を得る
ことを特徴とする半導体チップの樹脂封止方法。 - 【請求項３】請求項２に記載の半導体チップの樹脂封止
方法において、前記注入した封止樹脂が硬化した後、前
記引き戻されていた一部又は全部の可動ピンを封止樹脂
側に可動させて、前記樹脂封止型半導体装置を離型する
とを特徴とする半導体チップの樹脂封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4184854A JPH0629340A (ja) | 1992-07-13 | 1992-07-13 | 樹脂封止型半導体装置用成形金型及びそれに用いた半導体チップの樹脂封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4184854A JPH0629340A (ja) | 1992-07-13 | 1992-07-13 | 樹脂封止型半導体装置用成形金型及びそれに用いた半導体チップの樹脂封止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0629340A true JPH0629340A (ja) | 1994-02-04 |
Family
ID=16160471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4184854A Pending JPH0629340A (ja) | 1992-07-13 | 1992-07-13 | 樹脂封止型半導体装置用成形金型及びそれに用いた半導体チップの樹脂封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0629340A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100448659B1 (ko) * | 2002-04-15 | 2004-09-13 | (주)에이치디세미테크 | 반도체 성형장치 및 방법 |
| US7319042B2 (en) | 2001-12-07 | 2008-01-15 | Yamaha Corporation | Method and apparatus for manufacture and inspection of semiconductor device |
-
1992
- 1992-07-13 JP JP4184854A patent/JPH0629340A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7319042B2 (en) | 2001-12-07 | 2008-01-15 | Yamaha Corporation | Method and apparatus for manufacture and inspection of semiconductor device |
| KR100448659B1 (ko) * | 2002-04-15 | 2004-09-13 | (주)에이치디세미테크 | 반도체 성형장치 및 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6870274B2 (en) | Flash-preventing window ball grid array semiconductor package, method for fabricating the same, and chip carrier used in the semiconductor package | |
| US5981873A (en) | Printed circuit board for ball grid array semiconductor package | |
| JPH01155635A (ja) | キヤリアテープ | |
| KR200309906Y1 (ko) | 반도체 패키지 제조용 리드프레임 | |
| JPH0774195A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JP3497744B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH07122586A (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2009152507A (ja) | 樹脂封止金型および半導体パッケージの樹脂封止成形方法 | |
| JPH10326800A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置用金型 | |
| JPH0629340A (ja) | 樹脂封止型半導体装置用成形金型及びそれに用いた半導体チップの樹脂封止方法 | |
| JP2555428B2 (ja) | リードフレームおよびそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| JPH07214600A (ja) | 透明樹脂封止型半導体装置の成形用金型 | |
| JP2873009B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP3404438B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH0864625A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法とその製造装置および半導体装置構成素子 | |
| JP2821439B2 (ja) | トランスファ成形装置及びこれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| JP2973901B2 (ja) | 半導体樹脂封止用金型 | |
| JP2621814B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP3105200B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP3402194B2 (ja) | リードフレーム | |
| JP2555931B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH10112519A (ja) | 熱放散手段を有する集積回路装置及びその製造方法 | |
| JPH0653264A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH09199639A (ja) | 半導体装置およびその成形方法 | |
| JP3106946B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法およびその金型 |