JPH06293708A - ジアリールカーボネートの製法 - Google Patents
ジアリールカーボネートの製法Info
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- JPH06293708A JPH06293708A JP7796493A JP7796493A JPH06293708A JP H06293708 A JPH06293708 A JP H06293708A JP 7796493 A JP7796493 A JP 7796493A JP 7796493 A JP7796493 A JP 7796493A JP H06293708 A JPH06293708 A JP H06293708A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 有機溶媒を使用せずに高収率でジアリールカ
ーボネートを製造する方法を提供する。 【構成】 芳香族モノヒドロキシ化合物のアルカリ金属
塩水溶液とホスゲンとを反応させてジアリールカーボネ
ートを製造するに当り、ホスゲンを供給する間の反応系
の温度を生成するジアリールカーボネートの融点未満の
温度にすることを特徴とするジアリールカーボネートの
製法。
ーボネートを製造する方法を提供する。 【構成】 芳香族モノヒドロキシ化合物のアルカリ金属
塩水溶液とホスゲンとを反応させてジアリールカーボネ
ートを製造するに当り、ホスゲンを供給する間の反応系
の温度を生成するジアリールカーボネートの融点未満の
温度にすることを特徴とするジアリールカーボネートの
製法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ジアリールカーボネー
トの製法に関する。更に詳しくは、有機溶媒を使用せず
に高収率でジアリールカーボネートを製造する方法に関
する。
トの製法に関する。更に詳しくは、有機溶媒を使用せず
に高収率でジアリールカーボネートを製造する方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ジアリールカーボネートの製法と
しては、有機溶媒／水系の２相系において芳香族モノヒ
ドロキシ化合物のアルカリ金属塩とホスゲンとを反応さ
せて生成するジアリールカーボネートを有機相に溶解さ
せる方法、有機溶媒を用いず、生成するジアリールカー
ボネートの融点以上の温度に保持した芳香族モノヒドロ
キシ化合物のアルカリ金属塩水溶液中にホスゲンを直接
供給して反応させる方法が知られている。
しては、有機溶媒／水系の２相系において芳香族モノヒ
ドロキシ化合物のアルカリ金属塩とホスゲンとを反応さ
せて生成するジアリールカーボネートを有機相に溶解さ
せる方法、有機溶媒を用いず、生成するジアリールカー
ボネートの融点以上の温度に保持した芳香族モノヒドロ
キシ化合物のアルカリ金属塩水溶液中にホスゲンを直接
供給して反応させる方法が知られている。
【０００３】しかしながら、前者の有機溶媒／水系の２
相系の方法では溶媒の除去が必要であり、そのためのプ
ロセスが必要になる欠点があり、後者の有機溶媒を使用
せずに生成するジアリールカーボネートの融点以上の温
度条件下でホスゲン化する方法では、ホスゲンやジアリ
ールカーボネートの加水分解が多く発生し、ジアリール
カーボネートの収率が著しく低くなるという欠点があ
る。
相系の方法では溶媒の除去が必要であり、そのためのプ
ロセスが必要になる欠点があり、後者の有機溶媒を使用
せずに生成するジアリールカーボネートの融点以上の温
度条件下でホスゲン化する方法では、ホスゲンやジアリ
ールカーボネートの加水分解が多く発生し、ジアリール
カーボネートの収率が著しく低くなるという欠点があ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、有機溶媒を
使用せずに高収率でジアリールカーボネートを製造する
方法を提供することを目的とする。
使用せずに高収率でジアリールカーボネートを製造する
方法を提供することを目的とする。
【０００５】本発明者は、上記目的を達成せんとして鋭
意研究した結果、芳香族モノヒドロキシ化合物のアルカ
リ金属塩水溶液にホスゲンを供給する間の反応系の温度
を、生成するジアリールカーボネートの融点未満の温度
に保持すれば高収率でジアリールカーボネートが得られ
ることを見出し、本発明を完成するに至った。
意研究した結果、芳香族モノヒドロキシ化合物のアルカ
リ金属塩水溶液にホスゲンを供給する間の反応系の温度
を、生成するジアリールカーボネートの融点未満の温度
に保持すれば高収率でジアリールカーボネートが得られ
ることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、芳香族モノヒ
ドロキシ化合物のアルカリ金属塩水溶液とホスゲンとを
反応させてジアリールカーボネートを製造するに当り、
ホスゲンを供給する間の反応系の温度を生成するジアリ
ールカーボネートの融点未満の温度にすることを特徴と
するジアリールカーボネートの製法である。
ドロキシ化合物のアルカリ金属塩水溶液とホスゲンとを
反応させてジアリールカーボネートを製造するに当り、
ホスゲンを供給する間の反応系の温度を生成するジアリ
ールカーボネートの融点未満の温度にすることを特徴と
するジアリールカーボネートの製法である。
【０００７】本発明で用いる芳香族モノヒドロキシ化合
物は、下記一般式［１］
物は、下記一般式［１］
【０００８】
【化１】
【０００９】［式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜４のア
ルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、アリール基又
はハロゲン原子、ｎは１〜５の整数であり、ｎが２〜５
のときＲは同一であっても異なっていてもよい］で表さ
れる化合物である。好ましい具体例としてはフェノー
ル、２−メチルフェノール、３−メチルフェノール、２
−メトキシフェノール、２−プロポキシフェノール、２
−イソプロポキシフェノール、３−ブトキシフェノー
ル、４−フェノキシフェノール、２−クロロフェノー
ル、２−ブロモフェノール、２−ブロモ−４−メチルフ
ェノール等が挙げられ、なかでもフェノールが特に好ま
しい。
ルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、アリール基又
はハロゲン原子、ｎは１〜５の整数であり、ｎが２〜５
のときＲは同一であっても異なっていてもよい］で表さ
れる化合物である。好ましい具体例としてはフェノー
ル、２−メチルフェノール、３−メチルフェノール、２
−メトキシフェノール、２−プロポキシフェノール、２
−イソプロポキシフェノール、３−ブトキシフェノー
ル、４−フェノキシフェノール、２−クロロフェノー
ル、２−ブロモフェノール、２−ブロモ−４−メチルフ
ェノール等が挙げられ、なかでもフェノールが特に好ま
しい。
【００１０】かかる芳香族モノヒドロキシ化合物はアル
カリ金属塩水溶液として使用する。アルカリ金属塩水溶
液中における芳香族モノヒドロキシ化合物の濃度は、あ
まりに薄いとジアリールカーボネートの収率が低くな
り、あまりに高いと反応で副生するアルカリ金属の塩化
物が反応液中に析出してくるという不都合を生じるよう
になるので、１〜３５重量％の範囲が好ましく、１０〜
３０重量％が特に好ましい。
カリ金属塩水溶液として使用する。アルカリ金属塩水溶
液中における芳香族モノヒドロキシ化合物の濃度は、あ
まりに薄いとジアリールカーボネートの収率が低くな
り、あまりに高いと反応で副生するアルカリ金属の塩化
物が反応液中に析出してくるという不都合を生じるよう
になるので、１〜３５重量％の範囲が好ましく、１０〜
３０重量％が特に好ましい。
【００１１】ここで使用するアルカリ金属としてはリチ
ウム、ナトリウム、カリウムが好ましく、これらはアル
カリ金属単体であってもよいし、例えば水酸化物、炭酸
塩のようなアルカリ金属化合物であってもよい。その使
用量は、あまりに少ないと芳香族モノヒドロキシ化合物
を全てアルカリ金属塩にすることができず、反応が非常
に遅くなり、あまりに多いと過剰のアルカリによってホ
スゲンや生成したジアリールカーボネートの分解が起こ
りジアリールカーボネートの収率が低下するようになる
ので、アルカリ金属として、芳香族モノヒドロキシ化合
物１モルに対して１．００〜１．５モル用いるのが好ま
しい。
ウム、ナトリウム、カリウムが好ましく、これらはアル
カリ金属単体であってもよいし、例えば水酸化物、炭酸
塩のようなアルカリ金属化合物であってもよい。その使
用量は、あまりに少ないと芳香族モノヒドロキシ化合物
を全てアルカリ金属塩にすることができず、反応が非常
に遅くなり、あまりに多いと過剰のアルカリによってホ
スゲンや生成したジアリールカーボネートの分解が起こ
りジアリールカーボネートの収率が低下するようになる
ので、アルカリ金属として、芳香族モノヒドロキシ化合
物１モルに対して１．００〜１．５モル用いるのが好ま
しい。
【００１２】本発明で使用するホスゲンの形態は、液状
であってもガス状であっても特に制限はない。その使用
量は、あまりに少ないと芳香族モノヒドロキシ化合物が
過剰になる結果未反応で残存し、その回収に多大のエネ
ルギーが必要になり、あまりに多いと毒性の高い過剰の
ホスゲンが系外に揮散するようになり、これを防止する
ための複雑なプロセスが必要になるので、芳香族モノヒ
ドロキシ化合物１モルに対して０．５〜０．７モル用い
るのが好ましい。
であってもガス状であっても特に制限はない。その使用
量は、あまりに少ないと芳香族モノヒドロキシ化合物が
過剰になる結果未反応で残存し、その回収に多大のエネ
ルギーが必要になり、あまりに多いと毒性の高い過剰の
ホスゲンが系外に揮散するようになり、これを防止する
ための複雑なプロセスが必要になるので、芳香族モノヒ
ドロキシ化合物１モルに対して０．５〜０．７モル用い
るのが好ましい。
【００１３】芳香族モノヒドロキシ化合物のアルカリ金
属塩水溶液にホスゲンを供給して行う反応は発熱反応で
あるので、通常ホスゲンを数十分を要して供給する。本
発明にあってはこのホスゲンを供給する間、反応系の温
度を生成するジアリールカーボネートの融点未満の温度
に保持する。この間反応系の温度を生成するジアリール
カーボネートの融点以上にすると、ジアリールカーボネ
ートの収率が著しく低下するようになる。この間の反応
系の温度の下限は特に制限しないが、冷却コストの点か
らこの間の反応系の温度を０℃〜生成するジアリールカ
ーボネートの融点より２℃低い温度が好ましく、１０℃
〜生成するジアリールカーボネートの融点より５℃低い
温度が特に好ましい。
属塩水溶液にホスゲンを供給して行う反応は発熱反応で
あるので、通常ホスゲンを数十分を要して供給する。本
発明にあってはこのホスゲンを供給する間、反応系の温
度を生成するジアリールカーボネートの融点未満の温度
に保持する。この間反応系の温度を生成するジアリール
カーボネートの融点以上にすると、ジアリールカーボネ
ートの収率が著しく低下するようになる。この間の反応
系の温度の下限は特に制限しないが、冷却コストの点か
らこの間の反応系の温度を０℃〜生成するジアリールカ
ーボネートの融点より２℃低い温度が好ましく、１０℃
〜生成するジアリールカーボネートの融点より５℃低い
温度が特に好ましい。
【００１４】ホスゲン供給終了後の反応系の温度は、特
に制限する必要はなく、攪拌下室温で放置しても、生成
するジアリールカーボネートの融点以上の温度に加熱し
てもよいが、生成するジアリールカーボネートの融点以
上の温度に加熱することは反応を促進することができる
ので好ましい。更に、反応速度を高くする目的で触媒を
用いてもよいが、特に触媒を用いなくても十分に高いジ
アリールカーボネートの収率が得られる。
に制限する必要はなく、攪拌下室温で放置しても、生成
するジアリールカーボネートの融点以上の温度に加熱し
てもよいが、生成するジアリールカーボネートの融点以
上の温度に加熱することは反応を促進することができる
ので好ましい。更に、反応速度を高くする目的で触媒を
用いてもよいが、特に触媒を用いなくても十分に高いジ
アリールカーボネートの収率が得られる。
【００１５】
【実施例】以下に、実施例を用いて本発明を具体的に説
明する。なお、実施例における部及び％は重量部及び重
量％である。
明する。なお、実施例における部及び％は重量部及び重
量％である。
【００１６】
【実施例１】撹拌翼、温度計、コンデンサー及びガス吹
込管を設けた反応槽にイオン交換水３３０．８部、４
８．６％の苛性ソーダ水溶液１０６．０部及びフェノー
ル（試薬特級）１１８．１部を仕込んでナトリウムフェ
ノラート水溶液を調整し、内温を２０℃に水浴で冷却し
た。反応槽に撹拌下６４．１６部のホスゲンガスを４０
分かけて吹込んだ。この間反応槽を水浴で冷却して内温
を略３０℃に保持した。ホスゲンガス吹込み終了後、室
温で３時間撹拌を続け反応を終了した。生成したジフェ
ニルカーボネートを濾取し、４００部のイオン交換水で
３回洗浄した後、５０℃で１０時間減圧乾燥した。融点
８０〜８１℃のジフェニルカーボネート１２７．７部
（収率９５％フェノール基準）を得た。反応後の水相中
の炭酸ソーダ量は０．５８部であった。
込管を設けた反応槽にイオン交換水３３０．８部、４
８．６％の苛性ソーダ水溶液１０６．０部及びフェノー
ル（試薬特級）１１８．１部を仕込んでナトリウムフェ
ノラート水溶液を調整し、内温を２０℃に水浴で冷却し
た。反応槽に撹拌下６４．１６部のホスゲンガスを４０
分かけて吹込んだ。この間反応槽を水浴で冷却して内温
を略３０℃に保持した。ホスゲンガス吹込み終了後、室
温で３時間撹拌を続け反応を終了した。生成したジフェ
ニルカーボネートを濾取し、４００部のイオン交換水で
３回洗浄した後、５０℃で１０時間減圧乾燥した。融点
８０〜８１℃のジフェニルカーボネート１２７．７部
（収率９５％フェノール基準）を得た。反応後の水相中
の炭酸ソーダ量は０．５８部であった。
【００１７】
【実施例２】ホスゲンガス吹込み前の反応槽の内温を１
０℃にし、反応槽を室温に放置して特に冷却も加温もせ
ずにホスゲンガスを吹込み、ホスゲンガス吹込み終了後
加熱して内温を８５℃にして１時間反応させた後、室温
に冷却してジフェニルカーボネートを固化させる以外は
実施例１と同様にした。ホスゲンガス吹込み時の反応槽
内の温度は１０〜６９℃であった。融点８０〜８１℃の
ジフェニルカーボネート１２６．３部（収率９４％）を
得た。反応後の水相中の炭酸ソーダ量は１．１９部であ
った。
０℃にし、反応槽を室温に放置して特に冷却も加温もせ
ずにホスゲンガスを吹込み、ホスゲンガス吹込み終了後
加熱して内温を８５℃にして１時間反応させた後、室温
に冷却してジフェニルカーボネートを固化させる以外は
実施例１と同様にした。ホスゲンガス吹込み時の反応槽
内の温度は１０〜６９℃であった。融点８０〜８１℃の
ジフェニルカーボネート１２６．３部（収率９４％）を
得た。反応後の水相中の炭酸ソーダ量は１．１９部であ
った。
【００１８】
【実施例３】ホスゲンガス吹込み前の反応槽の内温を２
０℃にする以外は実施例２と同様にした。ホスゲンガス
吹込み時の反応槽内の温度は２０〜７５℃であった。融
点８０〜８１℃のジフェニルカーボネート１２５．０部
（収率９３％）を得た。反応後の水相中の炭酸ソーダ量
は１．９３部であった。
０℃にする以外は実施例２と同様にした。ホスゲンガス
吹込み時の反応槽内の温度は２０〜７５℃であった。融
点８０〜８１℃のジフェニルカーボネート１２５．０部
（収率９３％）を得た。反応後の水相中の炭酸ソーダ量
は１．９３部であった。
【００１９】
【比較例１】ホスゲンガス吹込み前の反応槽の内温を８
５℃にし、同温度でホスゲンガスを吹込み、ホスゲン吹
込み終了後も８５℃で反応させた後室温に冷却してジフ
ェニルカーボネートを固化させる以外は実施例１と同様
にした。ジフェニルカーボネートの収量は５２．４部
（収率３９％）、反応後の水相中の炭酸ソーダ量は４．
４３部であった。
５℃にし、同温度でホスゲンガスを吹込み、ホスゲン吹
込み終了後も８５℃で反応させた後室温に冷却してジフ
ェニルカーボネートを固化させる以外は実施例１と同様
にした。ジフェニルカーボネートの収量は５２．４部
（収率３９％）、反応後の水相中の炭酸ソーダ量は４．
４３部であった。
【００２０】
【比較例２】ホスゲンガス吹込み前の反応槽の内温を４
０℃にする以外は実施例２と同様にした。ホスゲンガス
吹込み時の反応槽内の温度は４０〜８５℃、ジフェニル
カーボネートの収量は８７．４部（収率６５％）、反応
後の水相中の炭酸ソーダ量は２．７０部であった。
０℃にする以外は実施例２と同様にした。ホスゲンガス
吹込み時の反応槽内の温度は４０〜８５℃、ジフェニル
カーボネートの収量は８７．４部（収率６５％）、反応
後の水相中の炭酸ソーダ量は２．７０部であった。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば有機溶剤を使用せずに高
い収率でジアリールカーボネートを製造することがで
き、その奏する工業的効果は格別なものである。
い収率でジアリールカーボネートを製造することがで
き、その奏する工業的効果は格別なものである。
Claims (1)
- 【請求項１】 芳香族モノヒドロキシ化合物のアルカリ
金属塩水溶液とホスゲンとを反応させてジアリールカー
ボネートを製造するに当り、ホスゲンを供給する間の反
応系の温度を生成するジアリールカーボネートの融点未
満の温度にすることを特徴とするジアリールカーボネー
トの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07796493A JP3195114B2 (ja) | 1993-04-05 | 1993-04-05 | ジアリールカーボネートの製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07796493A JP3195114B2 (ja) | 1993-04-05 | 1993-04-05 | ジアリールカーボネートの製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06293708A true JPH06293708A (ja) | 1994-10-21 |
| JP3195114B2 JP3195114B2 (ja) | 2001-08-06 |
Family
ID=13648646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07796493A Expired - Fee Related JP3195114B2 (ja) | 1993-04-05 | 1993-04-05 | ジアリールカーボネートの製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3195114B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008114750A1 (ja) * | 2007-03-16 | 2008-09-25 | Mitsubishi Chemical Corporation | ジアリールカーボネートの製造方法 |
| JP2008230971A (ja) * | 2007-03-16 | 2008-10-02 | Mitsubishi Chemicals Corp | ジアリールカーボネートの製造方法 |
-
1993
- 1993-04-05 JP JP07796493A patent/JP3195114B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008114750A1 (ja) * | 2007-03-16 | 2008-09-25 | Mitsubishi Chemical Corporation | ジアリールカーボネートの製造方法 |
| JP2008230971A (ja) * | 2007-03-16 | 2008-10-02 | Mitsubishi Chemicals Corp | ジアリールカーボネートの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3195114B2 (ja) | 2001-08-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |