JPH0629445A - リードフレーム及び半導体装置 - Google Patents
リードフレーム及び半導体装置Info
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- JPH0629445A JPH0629445A JP4178759A JP17875992A JPH0629445A JP H0629445 A JPH0629445 A JP H0629445A JP 4178759 A JP4178759 A JP 4178759A JP 17875992 A JP17875992 A JP 17875992A JP H0629445 A JPH0629445 A JP H0629445A
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- Japan
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- lead frame
- die stage
- semiconductor chip
- semiconductor device
- resin package
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体チップを固定するダイステージを含ん
でなるリードフレームに関し、特に樹脂パッケージ型の
半導体装置を構成した際にその樹脂パッケージ内でダイ
ステージを正規の位置から変位させたり傾斜させたりし
ないリードフレームの提供を目的とする。 【構成】 半導体チップを固定するダイステージを含ん
でなるリードフレームにおいて、半導体チップ12の外周
を包囲できる内周を有するチップ装着孔21d をダイステ
ージ21a に設けてリードフレームを構成する。
でなるリードフレームに関し、特に樹脂パッケージ型の
半導体装置を構成した際にその樹脂パッケージ内でダイ
ステージを正規の位置から変位させたり傾斜させたりし
ないリードフレームの提供を目的とする。 【構成】 半導体チップを固定するダイステージを含ん
でなるリードフレームにおいて、半導体チップ12の外周
を包囲できる内周を有するチップ装着孔21d をダイステ
ージ21a に設けてリードフレームを構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体チップを固定する
ダイステージを含んでなるリードフレーム、特に樹脂パ
ッケージ型の半導体装置を構成した際にその樹脂パッケ
ージ内でダイステージを正規の位置から変位させたり傾
斜させたりしないリードフレームに関する。
ダイステージを含んでなるリードフレーム、特に樹脂パ
ッケージ型の半導体装置を構成した際にその樹脂パッケ
ージ内でダイステージを正規の位置から変位させたり傾
斜させたりしないリードフレームに関する。
【０００２】携帯型のワードプロセッサーやパーソナル
コンピュータなどで代表されるように、最近の電子機器
は小型でしかも薄型化の傾向を益々強めている。したが
って、このような背景から半導体装置も当然ながらより
薄いものが求められている。
コンピュータなどで代表されるように、最近の電子機器
は小型でしかも薄型化の傾向を益々強めている。したが
って、このような背景から半導体装置も当然ながらより
薄いものが求められている。
【０００３】半導体装置、例えば、リードフレームのダ
イステージに固定した半導体チップをダイステージとと
もに樹脂パッケージ内に封止してなる半導体装置、すな
わち樹脂パッケージ型の半導体装置をより薄く構成する
ためには、ダイステージを保持するサポートバーの強度
を低下させることなくダイステージの実質的な厚さを薄
くすることが不可欠となっている。
イステージに固定した半導体チップをダイステージとと
もに樹脂パッケージ内に封止してなる半導体装置、すな
わち樹脂パッケージ型の半導体装置をより薄く構成する
ためには、ダイステージを保持するサポートバーの強度
を低下させることなくダイステージの実質的な厚さを薄
くすることが不可欠となっている。
【０００４】
【従来の技術】次に、従来のリードフレームについて図
３を参照して説明する。図３は、従来のリードフレーム
の説明図であって、図３(a) はリードフレームの部分平
面図、図３(b) は樹脂パッケージ型の半導体装置の模式
的な拡大側断面図である。
３を参照して説明する。図３は、従来のリードフレーム
の説明図であって、図３(a) はリードフレームの部分平
面図、図３(b) は樹脂パッケージ型の半導体装置の模式
的な拡大側断面図である。
【０００５】図３(a) に示すように従来のリードフレー
ム11は、そのダイステージ11a を平板状に形成してい
た。このリードフレーム11を使用して構成した樹脂パッ
ケージ型の半導体装置は、図３(b) に示すように、ダイ
ステージ11a に半導体チップ12を搭載するとともに、こ
の半導体チップ12とインナーリード11b とを金(Au)線等
の金属細線13で接続した後、トランスファー成形機（図
示せず）などを使用してエポキシ系樹脂等の樹脂をモー
ルド成形してなる樹脂パッケージ14内にダイステージ11
a と半導体チップ12とを封止したものである。
ム11は、そのダイステージ11a を平板状に形成してい
た。このリードフレーム11を使用して構成した樹脂パッ
ケージ型の半導体装置は、図３(b) に示すように、ダイ
ステージ11a に半導体チップ12を搭載するとともに、こ
の半導体チップ12とインナーリード11b とを金(Au)線等
の金属細線13で接続した後、トランスファー成形機（図
示せず）などを使用してエポキシ系樹脂等の樹脂をモー
ルド成形してなる樹脂パッケージ14内にダイステージ11
a と半導体チップ12とを封止したものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、最近の樹脂
パッケージ型の半導体装置は、前述したような電子機器
の薄型化の傾向に対応するために、樹脂パッケージ14
(図３(b) 参照) の厚さを１ｍｍ程度で形成しているも
のも少なくない。
パッケージ型の半導体装置は、前述したような電子機器
の薄型化の傾向に対応するために、樹脂パッケージ14
(図３(b) 参照) の厚さを１ｍｍ程度で形成しているも
のも少なくない。
【０００７】このように樹脂パッケージ14の厚さが１ｍ
ｍ程度になると、リードフレーム11の厚さも１５０μｍ
前後にすることが不可欠となり、ダイステージ11a を保
持するサポートバー11c の機械的強度の低下が免れな
い。
ｍ程度になると、リードフレーム11の厚さも１５０μｍ
前後にすることが不可欠となり、ダイステージ11a を保
持するサポートバー11c の機械的強度の低下が免れな
い。
【０００８】このため、前述のトランスファー成形機
（図示せず）を使用してダイステージ11a と半導体チッ
プ12とを封止する際に、トランスファー成形機の金型の
キャビティ（図示せず）内に半溶融状態で注入されるエ
ポキシ系樹脂等の樹脂の勢いによりダイステージ11a が
正規の位置から変位したり傾斜したりし、そしてその状
態が樹脂パッケージ14でも保持されるという問題があっ
た。
（図示せず）を使用してダイステージ11a と半導体チッ
プ12とを封止する際に、トランスファー成形機の金型の
キャビティ（図示せず）内に半溶融状態で注入されるエ
ポキシ系樹脂等の樹脂の勢いによりダイステージ11a が
正規の位置から変位したり傾斜したりし、そしてその状
態が樹脂パッケージ14でも保持されるという問題があっ
た。
【０００９】本発明は、このような問題を解消するため
になされたものであって、その目的は樹脂パッケージ型
の半導体装置を構成した際にその樹脂パッケージ内でダ
イステージを正規の位置から変位させたり傾斜させたり
しないリードフレームの提供にある。
になされたものであって、その目的は樹脂パッケージ型
の半導体装置を構成した際にその樹脂パッケージ内でダ
イステージを正規の位置から変位させたり傾斜させたり
しないリードフレームの提供にある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】図１に示すように前記目
的は、半導体チップを固定するダイステージを含んでな
るリードフレームにおいて、半導体チップ12の外周を包
囲できる内周を有するチップ装着孔21d がダイステージ
21a に設けられていることを特徴とするリードフレーム
により達成される。
的は、半導体チップを固定するダイステージを含んでな
るリードフレームにおいて、半導体チップ12の外周を包
囲できる内周を有するチップ装着孔21d がダイステージ
21a に設けられていることを特徴とするリードフレーム
により達成される。
【００１１】
【作用】図１に示すように本発明のリードフレーム21
は、そのダイステージ21a に半導体チップ12を装着でき
るチップ装着孔21d を設けている。
は、そのダイステージ21a に半導体チップ12を装着でき
るチップ装着孔21d を設けている。
【００１２】したがって、このチップ装着孔21d に嵌着
した半導体チップ12の外周端面とダイステージ21a の内
周端面との間に予め介在させておいた未硬化の接着材15
（図２参照）を硬化することにより、半導体チップ12は
接着材15を介してダイステージ21a に固定される。
した半導体チップ12の外周端面とダイステージ21a の内
周端面との間に予め介在させておいた未硬化の接着材15
（図２参照）を硬化することにより、半導体チップ12は
接着材15を介してダイステージ21a に固定される。
【００１３】このようにチップ装着孔21d 内に落とし込
むようにして半導体チップ12をダイステージ21a に固定
する本発明のリードフレーム21においては、そのサポー
トバー21c は厚さを厚くできる (サポートバー21c の機
械的強度が大となる) 。
むようにして半導体チップ12をダイステージ21a に固定
する本発明のリードフレーム21においては、そのサポー
トバー21c は厚さを厚くできる (サポートバー21c の機
械的強度が大となる) 。
【００１４】斯くして、本発明のリードフレーム21のダ
イステージ21a に上記のように半導体チップ12を固定し
た後に、この半導体チップ12を樹脂パッケージ22で封止
しても、ダイステージ21a が樹脂パッケージ22内でその
正規の位置から変位したり傾斜することはない。
イステージ21a に上記のように半導体チップ12を固定し
た後に、この半導体チップ12を樹脂パッケージ22で封止
しても、ダイステージ21a が樹脂パッケージ22内でその
正規の位置から変位したり傾斜することはない。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例のリードフレームにつ
いて図１を参照して説明する。図１は、本発明の実施例
のリードフレームの説明図であって、図１(a) は第１の
実施例のリードフレームの部分平面図、図１(b) は第２
の実施例のリードフレームの部分平面図である。
いて図１を参照して説明する。図１は、本発明の実施例
のリードフレームの説明図であって、図１(a) は第１の
実施例のリードフレームの部分平面図、図１(b) は第２
の実施例のリードフレームの部分平面図である。
【００１６】なお、本明細書においては、同一部品、同
一材料等に対しては全図をとおして同じ符号を付与して
ある。図１(a) に示すように本発明の第１の実施例のリ
ードフレーム21は、４２アロイ（Ni42%,Fe58%)の条板を
打抜き加工して構成したものであって、そのダイステー
ジ21a に半導体チップ12を装着するチップ装着孔21d を
設けるとともに、その厚さを半導体チップ12の厚さ（例
えば２５０μｍ）に合わせて形成したものである。
一材料等に対しては全図をとおして同じ符号を付与して
ある。図１(a) に示すように本発明の第１の実施例のリ
ードフレーム21は、４２アロイ（Ni42%,Fe58%)の条板を
打抜き加工して構成したものであって、そのダイステー
ジ21a に半導体チップ12を装着するチップ装着孔21d を
設けるとともに、その厚さを半導体チップ12の厚さ（例
えば２５０μｍ）に合わせて形成したものである。
【００１７】したがって、図２(a) 及び図２(b) で示す
ように、ダイステージ21a の内側面に接着材、例えば導
電性接着材15を塗布したリードフレーム21のチップ装着
孔21d に半導体チップ12を矢印Ｄで示すように装着した
後、この導電性接着材15を加熱して硬化させるとチップ
装着孔21d に装着した半導体チップ12がダイステージ21
a の内側面に確りと固定される。
ように、ダイステージ21a の内側面に接着材、例えば導
電性接着材15を塗布したリードフレーム21のチップ装着
孔21d に半導体チップ12を矢印Ｄで示すように装着した
後、この導電性接着材15を加熱して硬化させるとチップ
装着孔21d に装着した半導体チップ12がダイステージ21
a の内側面に確りと固定される。
【００１８】この後、図２(c) で示すように、半導体チ
ップ12とリードフレーム21のインナーリード21b とを金
(Au)線等の金属細線13で接続した後、トランスファー成
形機（図示せず）などを使用してダイステージ21a とと
もに半導体チップ12を樹脂モールドしてなる樹脂パッケ
ージ22で封止すると樹脂パッケージ型の半導体装置20が
完成することとなる。
ップ12とリードフレーム21のインナーリード21b とを金
(Au)線等の金属細線13で接続した後、トランスファー成
形機（図示せず）などを使用してダイステージ21a とと
もに半導体チップ12を樹脂モールドしてなる樹脂パッケ
ージ22で封止すると樹脂パッケージ型の半導体装置20が
完成することとなる。
【００１９】この樹脂パッケージ型の半導体装置20にお
いては、図２(b) 及び図２(c) で示すように半導体チッ
プ12は第１の実施例のリードフレーム21のチップ装着孔
21dに落とし込むようにして嵌着されているから、ダイ
ステージ21a の厚さ（２５０μｍ）と半導体チップ12の
厚さ（２５０μｍ）の総計の厚さは実質的に半導体チッ
プ12の厚さ、すなわち２５０μｍとなる。
いては、図２(b) 及び図２(c) で示すように半導体チッ
プ12は第１の実施例のリードフレーム21のチップ装着孔
21dに落とし込むようにして嵌着されているから、ダイ
ステージ21a の厚さ（２５０μｍ）と半導体チップ12の
厚さ（２５０μｍ）の総計の厚さは実質的に半導体チッ
プ12の厚さ、すなわち２５０μｍとなる。
【００２０】したがって、第１の実施例のリードフレー
ム21の厚さ（２５０μｍ）は、図３を参照して説明した
従来のリードフレーム11の厚さ（１５０μｍ）より厚い
にもかかわらず、図２(c) で示すように、樹脂パッケー
ジ型の半導体装置20の樹脂パッケージ22の厚さをより薄
く構成しようとすれば、点線Ｂで示す従来の樹脂パッケ
ージ型の半導体装置10の樹脂パッケージ14の厚さより薄
く構成できることとなる。
ム21の厚さ（２５０μｍ）は、図３を参照して説明した
従来のリードフレーム11の厚さ（１５０μｍ）より厚い
にもかかわらず、図２(c) で示すように、樹脂パッケー
ジ型の半導体装置20の樹脂パッケージ22の厚さをより薄
く構成しようとすれば、点線Ｂで示す従来の樹脂パッケ
ージ型の半導体装置10の樹脂パッケージ14の厚さより薄
く構成できることとなる。
【００２１】斯くして、図３を参照して説明した従来の
リードフレーム11のサポートバー11c と比較して、第１
のサポートバー21c が厚くて機械的強度が大きいリード
フレーム21を使用して構成した樹脂パッケージ型の半導
体装置20においては、その樹脂パッケージ22内でダイス
テージ21a がその正規の位置から変位したり傾斜するこ
とはない。
リードフレーム11のサポートバー11c と比較して、第１
のサポートバー21c が厚くて機械的強度が大きいリード
フレーム21を使用して構成した樹脂パッケージ型の半導
体装置20においては、その樹脂パッケージ22内でダイス
テージ21a がその正規の位置から変位したり傾斜するこ
とはない。
【００２２】また、リードフレーム21のダイステージ21
a を分割してチップ装着孔21d'の広さを多少変えられる
ようにした本発明の第２のリードフレーム21'(図１(b)
参照) を使用して樹脂パッケージ型の半導体装置20を構
成したとしても、第１の実施例のリードフレーム21と同
様な効果を奏することは当然である。
a を分割してチップ装着孔21d'の広さを多少変えられる
ようにした本発明の第２のリードフレーム21'(図１(b)
参照) を使用して樹脂パッケージ型の半導体装置20を構
成したとしても、第１の実施例のリードフレーム21と同
様な効果を奏することは当然である。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、樹脂パッ
ケージ型の半導体装置を構成した際にその樹脂パッケー
ジ内でダイステージをその正規の位置から変位させたり
傾斜させたりしないリードフレームの提供を可能にす
る。
ケージ型の半導体装置を構成した際にその樹脂パッケー
ジ内でダイステージをその正規の位置から変位させたり
傾斜させたりしないリードフレームの提供を可能にす
る。
【図１】は、本発明の実施例のリードフレームの説明
図、
図、
【図２】は、本発明の一実施例の半導体装置の説明図
で、図２(a) はリードフレームの部分平面図、図２(b)
はリードフレームの拡大部分側断面図、図２(c) は樹脂
パッケージ型の半導体装置の模式的な要部側断面図、
で、図２(a) はリードフレームの部分平面図、図２(b)
はリードフレームの拡大部分側断面図、図２(c) は樹脂
パッケージ型の半導体装置の模式的な要部側断面図、
【図３】は、従来のリードフレームの説明図である。
10、20は、樹脂パッケージ型の半導体装置、11、21、2
1' は、リードフレーム、11a 、21a は、ダイステー
ジ、11b 、21b は、インナーリード、11c 、21c はサポ
ートバー、21d 、21d'は、チップ装着孔、12は、半導体
チップ、13は、金属細線、14、22は、樹脂パッケージ、
15は、導電性接着材 (接着材) をそれぞれ示す。
1' は、リードフレーム、11a 、21a は、ダイステー
ジ、11b 、21b は、インナーリード、11c 、21c はサポ
ートバー、21d 、21d'は、チップ装着孔、12は、半導体
チップ、13は、金属細線、14、22は、樹脂パッケージ、
15は、導電性接着材 (接着材) をそれぞれ示す。
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体チップを固定するダイステージを
含んでなるリードフレームにおいて、前記半導体チップ
(12)の外周を包囲できる内周を有するチップ装着孔(21
d) が前記ダイステージ(21a) に設けられていることを
特徴とするリードフレーム。 - 【請求項２】 請求項１記載のリードフレームのチップ
装着孔(21d) に嵌着した前記半導体チップ(12)を接着材
(15)によりこのリードフレームのダイステージ(21a) に
固定するとともに、この半導体チップ(12)を樹脂パッケ
ージ(22)により封止して構成したことを特徴とする半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4178759A JPH0629445A (ja) | 1992-07-07 | 1992-07-07 | リードフレーム及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4178759A JPH0629445A (ja) | 1992-07-07 | 1992-07-07 | リードフレーム及び半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0629445A true JPH0629445A (ja) | 1994-02-04 |
Family
ID=16054110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4178759A Withdrawn JPH0629445A (ja) | 1992-07-07 | 1992-07-07 | リードフレーム及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0629445A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19506958A1 (de) * | 1995-02-28 | 1996-08-29 | Siemens Ag | Halbleitervorrichtung mit gutem termischen Verhalten |
| US6281566B1 (en) * | 1996-09-30 | 2001-08-28 | Sgs-Thomson Microelectronics S.R.L. | Plastic package for electronic devices |
-
1992
- 1992-07-07 JP JP4178759A patent/JPH0629445A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19506958A1 (de) * | 1995-02-28 | 1996-08-29 | Siemens Ag | Halbleitervorrichtung mit gutem termischen Verhalten |
| DE19506958C2 (de) * | 1995-02-28 | 1998-09-24 | Siemens Ag | Halbleitervorrichtung mit gutem thermischen Verhalten |
| US6281566B1 (en) * | 1996-09-30 | 2001-08-28 | Sgs-Thomson Microelectronics S.R.L. | Plastic package for electronic devices |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991005 |