JPH06300277A - 放射電熱器の製造方法 - Google Patents
放射電熱器の製造方法Info
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- Electric Stoves And Ranges (AREA)
- Heating, Cooling, Or Curing Plastics Or The Like In General (AREA)
- Surface Heating Bodies (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 細長い電気的に伝導性のストリップヒータエ
レメントが、追加的固定手段又は工程を必要とすること
なしに、直接熱的及び電気的な絶縁物質上に固定される
ような放射電熱器の製造方法を提供する。 【構成】 放射電熱器は、表面に形成された少なくとも
ひとつの溝（９）を有する熱的及び電気的な絶縁物質で
あるマイクロポーラスより成るベース（２）の設置と、
加熱エレメントとして機能する細長い電気的に伝導性の
ストリップ（５）の設置とを包含する方法によって製造
される。ストリップ（５）は縁に沿って溝（９）の中に
配置される。ベース（２）を変形させ、さらにストリッ
プを溝（９）に固定するようにベースをストリップ
（５）と接触するまで押し進めるために、ベース（２）
のストリップ（５）近傍の領域（１１）に面圧が加えら
れる。
レメントが、追加的固定手段又は工程を必要とすること
なしに、直接熱的及び電気的な絶縁物質上に固定される
ような放射電熱器の製造方法を提供する。 【構成】 放射電熱器は、表面に形成された少なくとも
ひとつの溝（９）を有する熱的及び電気的な絶縁物質で
あるマイクロポーラスより成るベース（２）の設置と、
加熱エレメントとして機能する細長い電気的に伝導性の
ストリップ（５）の設置とを包含する方法によって製造
される。ストリップ（５）は縁に沿って溝（９）の中に
配置される。ベース（２）を変形させ、さらにストリッ
プを溝（９）に固定するようにベースをストリップ
（５）と接触するまで押し進めるために、ベース（２）
のストリップ（５）近傍の領域（１１）に面圧が加えら
れる。
Description
【０００１】本発明は、放射電熱器の製造方法に関する
もので、そして特に、しかし排他的ではなく、ガラスセ
ラミックスムーストップ調理器と共に使用するための放
射電熱器の製造方法に関する。
もので、そして特に、しかし排他的ではなく、ガラスセ
ラミックスムーストップ調理器と共に使用するための放
射電熱器の製造方法に関する。
【０００２】放射電熱器は、金属支持皿にぎっしり詰め
た熱的にそして電気的に絶縁する物質であるマイクロポ
ーラス（microporous）の層に、コイル状にした裸の電
気抵抗線のエレメントが支持され、ステープルによって
固定されていることが知られている。このような電熱器
は、たとえばＧＢ−Ａ−１ ５８０ ９０９に記載さ
れ、そしてガラスセラミックスムーストップ調理器に組
み入れられる。
た熱的にそして電気的に絶縁する物質であるマイクロポ
ーラス（microporous）の層に、コイル状にした裸の電
気抵抗線のエレメントが支持され、ステープルによって
固定されていることが知られている。このような電熱器
は、たとえばＧＢ−Ａ−１ ５８０ ９０９に記載さ
れ、そしてガラスセラミックスムーストップ調理器に組
み入れられる。
【０００３】「マイクロポーラス」という用語は、ここ
では根本的な大きさのセル又はボイドが標準温度及び標
準圧力における空気分子の平均自由行程より小さい、す
なわち１００ナノメートル（ｎｍ）のオーダー又はそれ
より小さい、多孔性あるいは細胞質の物質を同一視して
いる。このような概念のマイクロポーラスという物質
は、非常に低い空気伝導（空気分子間の衝突である）に
よる熱の移動を示すであろう。このようなマイクロポー
ラス物質はエアロゲル（aerogel）を包含する。このエ
アロゲルは、その液相がガス相に置換えられたゲルであ
り、こうすることによってもしゲルが液体から直接乾燥
された場合に発生するであろう収縮を避けることができ
る。実質上一致する構造は、溶液からの制御された沈
降、温度、そして開いた格子状の沈殿物を得るための沈
降中制御されたｐＨによって達成することができる。他
の同等の開いた格子構造は、ピロゲニック（pyrogeni
c）（融解）及び熱電（electrothermal）のタイプを包
含し、粒子の実質的な大きさは１００ｎｍより小さい根
本的な粒子サイズを有している。このような粒子状物
質、たとえばシリカ、アルミナ、又は他の金属酸化物を
ベースとした物質は、上記定義のマイクロポーラスとい
う構成物を調製するのに使用されるであろう。
では根本的な大きさのセル又はボイドが標準温度及び標
準圧力における空気分子の平均自由行程より小さい、す
なわち１００ナノメートル（ｎｍ）のオーダー又はそれ
より小さい、多孔性あるいは細胞質の物質を同一視して
いる。このような概念のマイクロポーラスという物質
は、非常に低い空気伝導（空気分子間の衝突である）に
よる熱の移動を示すであろう。このようなマイクロポー
ラス物質はエアロゲル（aerogel）を包含する。このエ
アロゲルは、その液相がガス相に置換えられたゲルであ
り、こうすることによってもしゲルが液体から直接乾燥
された場合に発生するであろう収縮を避けることができ
る。実質上一致する構造は、溶液からの制御された沈
降、温度、そして開いた格子状の沈殿物を得るための沈
降中制御されたｐＨによって達成することができる。他
の同等の開いた格子構造は、ピロゲニック（pyrogeni
c）（融解）及び熱電（electrothermal）のタイプを包
含し、粒子の実質的な大きさは１００ｎｍより小さい根
本的な粒子サイズを有している。このような粒子状物
質、たとえばシリカ、アルミナ、又は他の金属酸化物を
ベースとした物質は、上記定義のマイクロポーラスとい
う構成物を調製するのに使用されるであろう。
【０００４】マイクロポーラス絶縁材は、セラミックフ
ァイバ強化材、二酸化チタニウム乳白剤、そして、高温
で使用できるように、収縮に耐えるための少量のアルミ
ナ粉末を混合した、ドライ粒子状の上記定義によるマイ
クロポーラス物質を典型的に包含する。このような絶縁
物質はＧＢ−Ａ−１ ５８０ ９０９に記載されてい
る。
ァイバ強化材、二酸化チタニウム乳白剤、そして、高温
で使用できるように、収縮に耐えるための少量のアルミ
ナ粉末を混合した、ドライ粒子状の上記定義によるマイ
クロポーラス物質を典型的に包含する。このような絶縁
物質はＧＢ−Ａ−１ ５８０ ９０９に記載されてい
る。
【０００５】放射電熱器はまた、コイル状にした抵抗線
のエレメントのかわりに、金属又は合金の細長い電気的
に伝導性のストリップによって構成されるエレメントが
設けられ、該エレメントはエッジが絶縁ベース上に支持
されているものも提案されている。この種の配置は、た
とえばＵＳ−Ａ−６００ ０５７，ＵＳ−Ａ−３ ６１
２ ８２９，ＵＳ−Ａ−３ ９９１ ２９８，ＵＳ−Ａ
−４ １６１ ６４８，及びＵＳ−Ａ−４ ２９２ ５
０４に記載されている。ＵＳ−Ａ−６００ ０５７にお
いては、伝導体が金属サポート上、あるいはその中に形
成された溝内に、ガラス状エナメルのような絶縁物質の
コーティングを施すことによって据え付けられている。
ＵＳ−Ａ−３ ６１２ ８２９においては、らせん形を
形成する回旋状の伝導ストリップエレメントが、繊維状
のセラミック耐火性物質を鋳造し、あるいは型に入れて
造られた表面にあらかじめ形成された凹所に設置されて
いる。ストリップエレメントを支持ベースにしっかりと
固定するためにステープルが使用されている。ＵＳ−Ａ
−３ ９９１ ２９８においては、伝導性のストリップ
エレメントが、らせん形の形状をし、かつ、耐火モルタ
ルの堅いベース内にあらかじめ形成されたらせん溝の中
にゆるく適合している。
のエレメントのかわりに、金属又は合金の細長い電気的
に伝導性のストリップによって構成されるエレメントが
設けられ、該エレメントはエッジが絶縁ベース上に支持
されているものも提案されている。この種の配置は、た
とえばＵＳ−Ａ−６００ ０５７，ＵＳ−Ａ−３ ６１
２ ８２９，ＵＳ−Ａ−３ ９９１ ２９８，ＵＳ−Ａ
−４ １６１ ６４８，及びＵＳ−Ａ−４ ２９２ ５
０４に記載されている。ＵＳ−Ａ−６００ ０５７にお
いては、伝導体が金属サポート上、あるいはその中に形
成された溝内に、ガラス状エナメルのような絶縁物質の
コーティングを施すことによって据え付けられている。
ＵＳ−Ａ−３ ６１２ ８２９においては、らせん形を
形成する回旋状の伝導ストリップエレメントが、繊維状
のセラミック耐火性物質を鋳造し、あるいは型に入れて
造られた表面にあらかじめ形成された凹所に設置されて
いる。ストリップエレメントを支持ベースにしっかりと
固定するためにステープルが使用されている。ＵＳ−Ａ
−３ ９９１ ２９８においては、伝導性のストリップ
エレメントが、らせん形の形状をし、かつ、耐火モルタ
ルの堅いベース内にあらかじめ形成されたらせん溝の中
にゆるく適合している。
【０００６】ＵＳ−Ａ−４ １６１ ６４８において
は、らせん形の回旋状ストリップエレメントが、耐高温
の板状物質である電気的な絶縁シートを通過する、下向
きに延長した不可欠の設置タブと共に設けられ、そして
薄い物質の場合には設置タブは物質の後側で曲げられ
る。その上にエレメントを備えている板に似た絶縁シー
トは、それから支持皿内の断熱物質であるマイクロポー
ラス層の上面に設置される。板状物質が厚いシートの場
合には、硬化させることのできる物質が使用され、そし
て硬化した後にはタブが物質内に押し進められている。
は、らせん形の回旋状ストリップエレメントが、耐高温
の板状物質である電気的な絶縁シートを通過する、下向
きに延長した不可欠の設置タブと共に設けられ、そして
薄い物質の場合には設置タブは物質の後側で曲げられ
る。その上にエレメントを備えている板に似た絶縁シー
トは、それから支持皿内の断熱物質であるマイクロポー
ラス層の上面に設置される。板状物質が厚いシートの場
合には、硬化させることのできる物質が使用され、そし
て硬化した後にはタブが物質内に押し進められている。
【０００７】ＵＳ−Ａ−４ ２９２ ５０４において
は、エキスパンデットメタルを薄く箔状のストリップ形
状とした加熱エレメントが、セラミックファイバボード
の上面に形成された曲がりくねった溝内に、実質上その
全長にわたって、横に立って支持されている。この加熱
エレメントはセメントで固められ、あるいはボード内に
形成された溝の中で摩擦によって保持される。
は、エキスパンデットメタルを薄く箔状のストリップ形
状とした加熱エレメントが、セラミックファイバボード
の上面に形成された曲がりくねった溝内に、実質上その
全長にわたって、横に立って支持されている。この加熱
エレメントはセメントで固められ、あるいはボード内に
形成された溝の中で摩擦によって保持される。
【０００８】本発明の目的は、細長い電気的に伝導性の
ストリップヒータエレメントが、設置タブ又はステープ
ル又は他のどんな追加的固定手段あるいは工程を必要と
することなしに、直接熱的及び電気的な絶縁物質上に固
定されるような放射電熱器の製造方法を提供することに
ある。
ストリップヒータエレメントが、設置タブ又はステープ
ル又は他のどんな追加的固定手段あるいは工程を必要と
することなしに、直接熱的及び電気的な絶縁物質上に固
定されるような放射電熱器の製造方法を提供することに
ある。
【０００９】本発明によれば、少なくともひとつの溝が
形成された表面を有する熱的及び電気的な絶縁物質であ
るマイクロポーラスより成るベースを設ける段階と、加
熱エレメントとして機能する細長い電気的に伝導性のス
トリップを設ける段階と、細長い電気的に伝導性のスト
リップを縁に沿って溝に配置する段階と、絶縁物質であ
るマイクロポーラスより成るベースのストリップ近傍の
領域に、ベースを変形させ、そしてストリップを溝に固
定するようにベースのマイクロポーラス物質をストリッ
プに接触するまで押し進めるための面圧を加える段階
と、を包含する放射電熱器の製造方法が提供される。
形成された表面を有する熱的及び電気的な絶縁物質であ
るマイクロポーラスより成るベースを設ける段階と、加
熱エレメントとして機能する細長い電気的に伝導性のス
トリップを設ける段階と、細長い電気的に伝導性のスト
リップを縁に沿って溝に配置する段階と、絶縁物質であ
るマイクロポーラスより成るベースのストリップ近傍の
領域に、ベースを変形させ、そしてストリップを溝に固
定するようにベースのマイクロポーラス物質をストリッ
プに接触するまで押し進めるための面圧を加える段階
と、を包含する放射電熱器の製造方法が提供される。
【００１０】ベースの選ばれた位置か又は実質的にスト
リップが配置されたベースの全エリアの全面にわたって
かのいずれかに、マイクロポーラス物質の詰め込みの結
果によって制御されたベースの変形を引き起こすために
面圧を加えてもよい。
リップが配置されたベースの全エリアの全面にわたって
かのいずれかに、マイクロポーラス物質の詰め込みの結
果によって制御されたベースの変形を引き起こすために
面圧を加えてもよい。
【００１１】面圧の作用は、前記ストリップをはさんで
向かい合う両側に実質上同時にもたらされるのが好まし
い。
向かい合う両側に実質上同時にもたらされるのが好まし
い。
【００１２】１又はそれ以上の適当なプレス工具を用い
て、手で又は機械で圧力を加えてもよい。
て、手で又は機械で圧力を加えてもよい。
【００１３】溝は、選択された深さ、もしあるなら固定
された後のストリップが絶縁物質であるマイクロポーラ
スより成るベースの表面から突出する程度の深さに形成
してもよい。
された後のストリップが絶縁物質であるマイクロポーラ
スより成るベースの表面から突出する程度の深さに形成
してもよい。
【００１４】絶縁物質であるマイクロポーラスより成る
ベースは、好ましくは金属製の支持皿の内部に、緻密な
層として設けられるのが適当である。
ベースは、好ましくは金属製の支持皿の内部に、緻密な
層として設けられるのが適当である。
【００１５】溝が設けられた絶縁物質であるマイクロポ
ーラスより成るベースの表面は、実質上平坦にするのが
好ましい。
ーラスより成るベースの表面は、実質上平坦にするのが
好ましい。
【００１６】好適には、電気的に伝導性のストリップは
全長にわたって波形（また、波状の、曲がりくねった、
あるいは回旋状として知られている）の形状をしてい
る。
全長にわたって波形（また、波状の、曲がりくねった、
あるいは回旋状として知られている）の形状をしてい
る。
【００１７】ストリップは、金属、又は鉄−クロム−ア
ルミニウム合金のような合金によって構成してもよい。
ルミニウム合金のような合金によって構成してもよい。
【００１８】熱的及び電気的な絶縁物質として好適なマ
イクロポーラスはこの技術分野でよく知られており、た
とえばＧＢ−Ａ−１ ５８０ ９０９に記載されている
ように、典型的な構成は、マイクロポーラスピロゲニッ
クシリカが４９ないし９７重量パーセント、セラミック
ファイバ強化材が０．５ないし２０重量パーセント、乳
白剤が２ないし５０重量パーセント、アルミナが１２重
量パーセントに至るまでとなる。
イクロポーラスはこの技術分野でよく知られており、た
とえばＧＢ−Ａ−１ ５８０ ９０９に記載されている
ように、典型的な構成は、マイクロポーラスピロゲニッ
クシリカが４９ないし９７重量パーセント、セラミック
ファイバ強化材が０．５ないし２０重量パーセント、乳
白剤が２ないし５０重量パーセント、アルミナが１２重
量パーセントに至るまでとなる。
【００１９】アルミナの割合は、０．５から１２重量パ
ーセントの範囲が好適である。
ーセントの範囲が好適である。
【００２０】本発明の実施例を添付図面を参照して説明
する。
する。
【００２１】放射電熱器は、実質上平坦な表面を有する
と共にＧＢ−Ａ−１ ５８０ ９０９に記載されたよう
な構成を有する、熱的及び電気的な絶縁物質であるマイ
クロポーラスがぎっしり詰め込まれたベース２の層を内
に含む金属製の支持皿１を包含して構成されている。
と共にＧＢ−Ａ−１ ５８０ ９０９に記載されたよう
な構成を有する、熱的及び電気的な絶縁物質であるマイ
クロポーラスがぎっしり詰め込まれたベース２の層を内
に含む金属製の支持皿１を包含して構成されている。
【００２２】加熱エレメント４は、厚さがたとえば０．
０５から０．２ｍｍで、かつ高さｈがたとえば３から６
ｍｍの金属又は鉄−クロム−アルミニウム合金のような
合金より成る細長いストリップ５から供給される。この
ストリップ５は、それ自体が波形の形状（時には波状
の、曲がりくねった、あるいは回旋状の形状としても知
られている）をし、かつ、図１に示したように、この技
術分野でよく知られている技術を用いて、加熱エレメン
トにとって望ましい形状に曲げられている。とはいえ、
上記引用のストリップの厚さの寸法は、波形の形状に成
形する前のストリップの寸法であることに注意するべき
である。
０５から０．２ｍｍで、かつ高さｈがたとえば３から６
ｍｍの金属又は鉄−クロム−アルミニウム合金のような
合金より成る細長いストリップ５から供給される。この
ストリップ５は、それ自体が波形の形状（時には波状
の、曲がりくねった、あるいは回旋状の形状としても知
られている）をし、かつ、図１に示したように、この技
術分野でよく知られている技術を用いて、加熱エレメン
トにとって望ましい形状に曲げられている。とはいえ、
上記引用のストリップの厚さの寸法は、波形の形状に成
形する前のストリップの寸法であることに注意するべき
である。
【００２３】絶縁物質であるマイクロポーラスより成る
ベース２の表面には、加熱エレメント４の形状と一致す
るパターンで溝９が設けられている。このような溝９
は、好適にはベース２を形成するために絶縁物質である
マイクロポーラスを支持皿１にぎっしりと詰め込む間に
適当な成形工具を用いて形成され、あるいはぎっしりと
詰め込んだ後のベース物質の表面に機械で形成してもよ
い。溝９の幅は、少なくとも波形の形状にしたストリッ
プ５の全幅（すなわちピーク間の寸法）と同様の大きさ
となるように配列されている。
ベース２の表面には、加熱エレメント４の形状と一致す
るパターンで溝９が設けられている。このような溝９
は、好適にはベース２を形成するために絶縁物質である
マイクロポーラスを支持皿１にぎっしりと詰め込む間に
適当な成形工具を用いて形成され、あるいはぎっしりと
詰め込んだ後のベース物質の表面に機械で形成してもよ
い。溝９の幅は、少なくとも波形の形状にしたストリッ
プ５の全幅（すなわちピーク間の寸法）と同様の大きさ
となるように配列されている。
【００２４】加熱エレメント４は、この後ストリップ５
が相手となる溝９に縁に沿って入り込むように、ベース
２に設置される。溝９の深さは、その中に挿入された
時、ストリップ５がベース２から必要な範囲まで、たと
えばストリップ５の高さｈの５０パーセント又はそれ以
上といった範囲まで突出するように選択される。
が相手となる溝９に縁に沿って入り込むように、ベース
２に設置される。溝９の深さは、その中に挿入された
時、ストリップ５がベース２から必要な範囲まで、たと
えばストリップ５の高さｈの５０パーセント又はそれ以
上といった範囲まで突出するように選択される。
【００２５】ストリップ５を溝９の中に固定するため、
制御された圧力が、マイクロポーラス物質を緻密にする
ことによってベースを変形させ、そしてストリップ５と
接触するまで物質を押し進めるために、ストリップの近
傍でストリップをはさんで向かい合う両側面に位置する
ベース２の表面の領域１１に、局部的に加えられる。こ
のことは図３に示されており、そしてより詳細には、図
３のＩＶ部を拡大した図４に示されている。図７に示し
たロッド１２のように、１又はそれ以上の平らな端面を
設けた金属ロッドは、手で又は機械でのいずれかによっ
て必要な圧力を加えるのに使用することができ、さらに
ストリップをはさんで向かい合う両側面に同時に圧力を
加えるにも好適である。必要な圧力を加えるのに、局部
的（図３に示したように）にか、又はストリップが配置
されているベース２の全表面（図８に示したように）に
かのいずれかのように、多様なテクニックを用いること
ができるのは熟練者にとって明白であろう。
制御された圧力が、マイクロポーラス物質を緻密にする
ことによってベースを変形させ、そしてストリップ５と
接触するまで物質を押し進めるために、ストリップの近
傍でストリップをはさんで向かい合う両側面に位置する
ベース２の表面の領域１１に、局部的に加えられる。こ
のことは図３に示されており、そしてより詳細には、図
３のＩＶ部を拡大した図４に示されている。図７に示し
たロッド１２のように、１又はそれ以上の平らな端面を
設けた金属ロッドは、手で又は機械でのいずれかによっ
て必要な圧力を加えるのに使用することができ、さらに
ストリップをはさんで向かい合う両側面に同時に圧力を
加えるにも好適である。必要な圧力を加えるのに、局部
的（図３に示したように）にか、又はストリップが配置
されているベース２の全表面（図８に示したように）に
かのいずれかのように、多様なテクニックを用いること
ができるのは熟練者にとって明白であろう。
【００２６】アルミノケイ酸塩ファイバから製造された
セラミックファイバ物質、又は代わりにマイクロポーラ
ス絶縁物質のような熱的な絶縁物質から成る周囲壁３が
支持皿１のサイドにもたれて設けられている。
セラミックファイバ物質、又は代わりにマイクロポーラ
ス絶縁物質のような熱的な絶縁物質から成る周囲壁３が
支持皿１のサイドにもたれて設けられている。
【００２７】加熱エレメント４を電気的に接続して電気
を供給するために、端子コネクタ６が設けられている。
を供給するために、端子コネクタ６が設けられている。
【００２８】加熱エレメント４の上に伸びる、よく知ら
れた形状のサーマルカット−アウト装置７が設けられ、
ヒータが設置されてこのようなガラスセラミック調理面
を有する調理器具の中で操作する時にまんがいちガラス
セラミック調理面がオーバーヒーティングとなった場合
には加熱エレメントのスイッチをオフにする。
れた形状のサーマルカット−アウト装置７が設けられ、
ヒータが設置されてこのようなガラスセラミック調理面
を有する調理器具の中で操作する時にまんがいちガラス
セラミック調理面がオーバーヒーティングとなった場合
には加熱エレメントのスイッチをオフにする。
【図１】本発明による放射電熱器の製造に用いるための
電気的に伝導性のストリップを包含する加熱エレメント
の斜視図である。
電気的に伝導性のストリップを包含する加熱エレメント
の斜視図である。
【図２】図１の加熱エレメントを受けるための、本発明
による放射電熱器の製造に用いるためのベースの平面図
である。
による放射電熱器の製造に用いるためのベースの平面図
である。
【図３】図１及び図２の構造要素を包含する、本発明に
より製造された放射電熱器の平面図である。
より製造された放射電熱器の平面図である。
【図４】図３のＩＶ部を拡大した図である。
【図５】図３のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図６】図５のＶＩ部を示す拡大斜視図である。
【図７】絶縁物質であるマイクロポーラスより成るベー
スの表面に面圧を加えるためのメタルロッドの一実施例
を示す斜視図である。
スの表面に面圧を加えるためのメタルロッドの一実施例
を示す斜視図である。
【図８】本発明により製造された他の放射電熱器の平面
図である。
図である。
１ 支持皿 ２ ベース ３ 周囲壁 ４ 加熱エレメント ５ ストリップ ９ 溝 １１ 領域 １２ プレス工具（ロッド）
Claims (11)
- 【請求項１】少なくともひとつの溝（９）が形成された
表面を有する熱的及び電気的な絶縁物質であるマイクロ
ポーラスより成るベース（２）を設ける段階と、加熱エ
レメント（４）として機能する細長い電気的に伝導性の
ストリップ（５）を設ける段階と、細長い電気的に伝導
性のストリップ（５）を縁に沿って溝（９）に配置する
段階と、絶縁物質であるマイクロポーラスより成るベー
スのストリップ（５）近傍の領域（１１）に、ベース
（２）を変形させ、そしてストリップを溝（９）に固定
するようにベースのマイクロポーラス物質をストリップ
（５）に接触するまで押し進めるための面圧を加える段
階と、を包含する放射電熱器の製造方法。 - 【請求項２】ベースの選ばれた位置か又は実質的にスト
リップ（５）が配置されたベースの全エリアの全面にわ
たってかのいずれかに、マイクロポーラス物質の詰め込
みの結果によって制御されたベース（２）の変形を引き
起こすために面圧が加えられることを特徴とする請求項
１記載の製造方法。 - 【請求項３】圧力の適用がストリップ（５）をはさんで
向かい合う両側にもたらされることを特徴とする請求項
１又は２記載の製造方法。 - 【請求項４】ストリップ（５）をはさんで向かい合う両
側への圧力の適用が実質上同時にもたらされることを特
徴とする請求項３記載の製造方法。 - 【請求項５】１又はそれ以上の適当なプレス工具（１
２）を用いることによって手で又は機械で圧力が加えら
れることを特徴とする上記各請求項記載の製造方法。 - 【請求項６】固定後のストリップ（５）が絶縁物質であ
るマイクロポーラスより成るベース（２）の表面から突
出するような深さの溝（９）を形成したことを特徴とす
る上記各請求項記載の製造方法。 - 【請求項７】絶縁物質であるマイクロポーラスより成る
ベース（２）が支持皿（１）の内部の緻密な層として設
けられたことを特徴とする上記各請求項記載の製造方
法。 - 【請求項８】溝（９）が設けられた絶縁物質であるマイ
クロポーラスより成るベース（２）の表面が実質上平坦
であることを特徴とする上記各請求項記載の製造方法。 - 【請求項９】電気的に伝導性のストリップ（５）がその
全長にわたって波形の形状をしていることを特徴とする
上記各請求項記載の製造方法。 - 【請求項１０】ストリップ（５）が金属又は合金によっ
て構成されることを特徴とする上記各請求項記載の製造
方法。 - 【請求項１１】合金が鉄−クロム−アルミニウム合金を
包含することを特徴とする請求項１０記載の製造方法。
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| GB9302690A GB2275162B (en) | 1993-02-11 | 1993-02-11 | Radiant electric heater method |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06300277A true JPH06300277A (ja) | 1994-10-28 |
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