JPH06302936A - ガラス基板の導体パターン形成方法 - Google Patents
ガラス基板の導体パターン形成方法Info
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- JPH06302936A JPH06302936A JP8698993A JP8698993A JPH06302936A JP H06302936 A JPH06302936 A JP H06302936A JP 8698993 A JP8698993 A JP 8698993A JP 8698993 A JP8698993 A JP 8698993A JP H06302936 A JPH06302936 A JP H06302936A
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Landscapes
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ガラス板表面をサンドブラストにより、パタ
ーニングして表面を荒らし、この荒らされた面にのみ金
属めっきを行うことにより、安価で十分な密着が得ら
れ、膜質の変化を起こすことのない、耐熱性が良好なガ
ラス基板の導体パターン形成方法を提供する。 【構成】 ガラス基板の導体パターン形成方法におい
て、ガラス板１上にレジストパターン２Ａを形成する工
程と、このレジストパターン２Ａをサンドブラストによ
り荒らしてガラス板１に凹凸面３を有するパターンを形
成する工程と、そのガラス板上へ無電解金属めっき用触
媒５を付与し・活性化する工程と、前記凹凸面３を有す
るパターンに無電解金属めっき６を行う工程とを施す。
ーニングして表面を荒らし、この荒らされた面にのみ金
属めっきを行うことにより、安価で十分な密着が得ら
れ、膜質の変化を起こすことのない、耐熱性が良好なガ
ラス基板の導体パターン形成方法を提供する。 【構成】 ガラス基板の導体パターン形成方法におい
て、ガラス板１上にレジストパターン２Ａを形成する工
程と、このレジストパターン２Ａをサンドブラストによ
り荒らしてガラス板１に凹凸面３を有するパターンを形
成する工程と、そのガラス板上へ無電解金属めっき用触
媒５を付与し・活性化する工程と、前記凹凸面３を有す
るパターンに無電解金属めっき６を行う工程とを施す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、安価であり、しかも耐
熱性のあるガラス基板の導体パターン形成方法に関する
ものである。
熱性のあるガラス基板の導体パターン形成方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ガラス基板の導体パターンを形成
する一般的な方法としては、以下に示すような二つの方
法が挙げられる。 （１）清浄なガラス基板にホトリソ工程を用いてレジス
トでパターニングし、蒸着法やスパッタ法などによっ
て、導体膜を形成し、パターニングする。
する一般的な方法としては、以下に示すような二つの方
法が挙げられる。 （１）清浄なガラス基板にホトリソ工程を用いてレジス
トでパターニングし、蒸着法やスパッタ法などによっ
て、導体膜を形成し、パターニングする。
【０００３】この方法について、図３のフローチャート
を用いて説明する。まず、ガラス板をセットし（ステッ
プＳ１）、プリヒートを行う（ステップＳ２）。次に、
レジストを塗布し（ステップＳ３）、ヒートする（ステ
ップＳ４）。次に、レジストを露光し（ステップＳ
５）、現像する（ステップＳ６）。次に、蒸着又はスパ
ッタによる導体パターンを形成し（ステップＳ７）、レ
ジストを剥離する（ステップＳ８）。
を用いて説明する。まず、ガラス板をセットし（ステッ
プＳ１）、プリヒートを行う（ステップＳ２）。次に、
レジストを塗布し（ステップＳ３）、ヒートする（ステ
ップＳ４）。次に、レジストを露光し（ステップＳ
５）、現像する（ステップＳ６）。次に、蒸着又はスパ
ッタによる導体パターンを形成し（ステップＳ７）、レ
ジストを剥離する（ステップＳ８）。
【０００４】（２）ガラス基板にパターニングされたＩ
ＴＯ膜へ触媒を付与し、無電解Ｎｉめっきを施し、更
に、そのＮｉめっき上にＡｕめっきを施すことにより、
導体膜を形成し、パターニングする。この方法につい
て、図４のフローチャートを用いて説明する。まず、ガ
ラス板をセットし（ステップＳ１１）、ガラス板の全面
にＩＴＯ膜を蒸着又はスパッタにより成膜する（ステッ
プＳ１２）。次に、レジストを塗布し（ステップＳ１
３）、レジストを露光し（ステップＳ１４）、現像する
（ステップＳ１５）。
ＴＯ膜へ触媒を付与し、無電解Ｎｉめっきを施し、更
に、そのＮｉめっき上にＡｕめっきを施すことにより、
導体膜を形成し、パターニングする。この方法につい
て、図４のフローチャートを用いて説明する。まず、ガ
ラス板をセットし（ステップＳ１１）、ガラス板の全面
にＩＴＯ膜を蒸着又はスパッタにより成膜する（ステッ
プＳ１２）。次に、レジストを塗布し（ステップＳ１
３）、レジストを露光し（ステップＳ１４）、現像する
（ステップＳ１５）。
【０００５】次に、ＩＴＯ膜をエッチングし（ステップ
Ｓ１６）、ＩＴＯ膜パターンを形成する（ステップＳ１
７）。次に、レジストを剥離し（ステップＳ１８）、ガ
ラス板の乾燥を行い（ステップ１９）、次に、ガラス板
表面を清浄化する（ステップＳ２０）。清浄化後は、水
洗する。次に、ガラス板表面を活性化する（ステップＳ
２１）。
Ｓ１６）、ＩＴＯ膜パターンを形成する（ステップＳ１
７）。次に、レジストを剥離し（ステップＳ１８）、ガ
ラス板の乾燥を行い（ステップ１９）、次に、ガラス板
表面を清浄化する（ステップＳ２０）。清浄化後は、水
洗する。次に、ガラス板表面を活性化する（ステップＳ
２１）。
【０００６】次に、ガラス板のプリディップ（ステップ
Ｓ２２）を行う。次に、ガラス板へ無電解金属用触媒を
付与する（ステップＳ２３）。その無電解金属用触媒の
付与後、水洗する。次に、その無電解金属用触媒の活性
化を行う（ステップＳ２４）。次に、無電解Ｎｉめっき
を施し（ステップＳ２５）、最後に、そのＮｉめっき上
にＡｕめっきを施す（ステップＳ２６）。
Ｓ２２）を行う。次に、ガラス板へ無電解金属用触媒を
付与する（ステップＳ２３）。その無電解金属用触媒の
付与後、水洗する。次に、その無電解金属用触媒の活性
化を行う（ステップＳ２４）。次に、無電解Ｎｉめっき
を施し（ステップＳ２５）、最後に、そのＮｉめっき上
にＡｕめっきを施す（ステップＳ２６）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上述
べた従来のガラス基板の導体パターン形成方法（１）及
び（２）とも、真空系の工程を経るため、大面積のガラ
ス基板を製造するには高価になり、また、蒸着、スパッ
タ膜では耐熱性が低い。更に、従来のガラス基板の導体
パターン形成方法（２）では、ＩＴＯ膜の形成・パター
ニングが高価であり、更に、必ずＩＴＯ膜の上にＮｉめ
っきを施す必要があり、その上に更にＡｕめっきなどを
施した場合、高温の工程へ流した後など、Ｎｉ成分が上
層のＡｕ金属膜中へ拡散し、最表面の金属膜質を変化さ
せるなどの問題点があった。
べた従来のガラス基板の導体パターン形成方法（１）及
び（２）とも、真空系の工程を経るため、大面積のガラ
ス基板を製造するには高価になり、また、蒸着、スパッ
タ膜では耐熱性が低い。更に、従来のガラス基板の導体
パターン形成方法（２）では、ＩＴＯ膜の形成・パター
ニングが高価であり、更に、必ずＩＴＯ膜の上にＮｉめ
っきを施す必要があり、その上に更にＡｕめっきなどを
施した場合、高温の工程へ流した後など、Ｎｉ成分が上
層のＡｕ金属膜中へ拡散し、最表面の金属膜質を変化さ
せるなどの問題点があった。
【０００８】本発明は、以上述べた価格が高い問題と、
高温雰囲気による下地金属膜の上層金属膜への拡散の問
題を除去するため、ガラス表面をサンドブラストによ
り、パターニングして表面を荒らし、この荒らされた面
にのみ金属めっきを行うことにより、安価で十分な密着
が得られ、膜質の変化を起こすことのない、耐熱性が良
好なガラス基板の導体パターン形成方法を提供すること
を目的とする。
高温雰囲気による下地金属膜の上層金属膜への拡散の問
題を除去するため、ガラス表面をサンドブラストによ
り、パターニングして表面を荒らし、この荒らされた面
にのみ金属めっきを行うことにより、安価で十分な密着
が得られ、膜質の変化を起こすことのない、耐熱性が良
好なガラス基板の導体パターン形成方法を提供すること
を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、ガラス基板の導体パターン形成方法にお
いて、ガラス板上にレジストパターンを形成する工程
と、このレジストパターンをサンドブラストにより荒ら
してガラス板に凹凸面を有するパターンを形成する工程
と、該ガラス板に無電解金属めっき用触媒を付与し・活
性化する工程と、前記凹凸面を有するパターンに無電解
金属めっきを行う工程とを施すようにしたものである。
成するために、ガラス基板の導体パターン形成方法にお
いて、ガラス板上にレジストパターンを形成する工程
と、このレジストパターンをサンドブラストにより荒ら
してガラス板に凹凸面を有するパターンを形成する工程
と、該ガラス板に無電解金属めっき用触媒を付与し・活
性化する工程と、前記凹凸面を有するパターンに無電解
金属めっきを行う工程とを施すようにしたものである。
【００１０】
【作用】本発明によれば、図１に示すように、ガラス板
１表面をレジスト２でパターニングし、サンドブラスト
によりガラス板１の表面を荒らし、凹凸面３を有するパ
ターンを形成する。その後、ガラス板１表面の平滑面４
と凹凸面３への触媒の密着性の差を利用して、凹凸面３
にのみ無電解金属めっき用触媒５を付与し・活性化し、
凹凸面３を有するパターンに無電解金属めっき６を行
う。
１表面をレジスト２でパターニングし、サンドブラスト
によりガラス板１の表面を荒らし、凹凸面３を有するパ
ターンを形成する。その後、ガラス板１表面の平滑面４
と凹凸面３への触媒の密着性の差を利用して、凹凸面３
にのみ無電解金属めっき用触媒５を付与し・活性化し、
凹凸面３を有するパターンに無電解金属めっき６を行
う。
【００１１】したがって、荒らされた凹凸面により密着
面積を広くすることができ、安価で十分に密着が得ら
れ、膜質の変化を起こすことのない、耐熱性が良好なガ
ラス基板の導体パターンを形成することができる。ま
た、上記凹凸面の深さは２μｍ以下にすることが望まし
い。無電解金属めっきは凹凸面の凹部から順次付着する
ことになり、余り凹凸面の深さが深くなると、金属めっ
き痘痕状になって、均質な密着性に難があり、また、密
着度も低下する恐れがある。
面積を広くすることができ、安価で十分に密着が得ら
れ、膜質の変化を起こすことのない、耐熱性が良好なガ
ラス基板の導体パターンを形成することができる。ま
た、上記凹凸面の深さは２μｍ以下にすることが望まし
い。無電解金属めっきは凹凸面の凹部から順次付着する
ことになり、余り凹凸面の深さが深くなると、金属めっ
き痘痕状になって、均質な密着性に難があり、また、密
着度も低下する恐れがある。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例について図を参照しな
がら詳細に説明する。図１は本発明の実施例を示すガラ
ス基板の導体パターンの形成工程断面図、図２は本発明
の実施例を示すガラス基板の導体パターン形成工程を示
すフローチャートである。
がら詳細に説明する。図１は本発明の実施例を示すガラ
ス基板の導体パターンの形成工程断面図、図２は本発明
の実施例を示すガラス基板の導体パターン形成工程を示
すフローチャートである。
【００１３】以下、本発明の実施例を示すガラス基板の
導体パターン形成工程の概略を説明する。まず、図１
（ａ）に示すように、清浄なガラス板１をセットする。
次に、図１（ｂ）に示すように、そのガラス板１へレジ
スト２を塗布する。次に、図１（ｃ）に示すように、レ
ジスト２を露光し、露光したレジスト２を現像し、導体
膜の付くところのみ、ガラス板１の表面が露出したレジ
ストパターン２Ａを形成する。
導体パターン形成工程の概略を説明する。まず、図１
（ａ）に示すように、清浄なガラス板１をセットする。
次に、図１（ｂ）に示すように、そのガラス板１へレジ
スト２を塗布する。次に、図１（ｃ）に示すように、レ
ジスト２を露光し、露光したレジスト２を現像し、導体
膜の付くところのみ、ガラス板１の表面が露出したレジ
ストパターン２Ａを形成する。
【００１４】次に、図１（ｄ）に示すように、サンドブ
ラストにてガラス板１の表面が露出した部分を切削し
て、ガラス板１表面を荒らし、凹凸面３を形成する。次
に、図１（ｅ）に示すように、レジストパターン２Ａを
剥離し、凹凸面３と平滑面４とを形成する。次に、図１
（ｆ）に示すように、ガラス板１表面を活性化し、ガラ
ス板１のプリディップを行い、ガラス板１へ無電解金属
めっき用触媒５を付与する。
ラストにてガラス板１の表面が露出した部分を切削し
て、ガラス板１表面を荒らし、凹凸面３を形成する。次
に、図１（ｅ）に示すように、レジストパターン２Ａを
剥離し、凹凸面３と平滑面４とを形成する。次に、図１
（ｆ）に示すように、ガラス板１表面を活性化し、ガラ
ス板１のプリディップを行い、ガラス板１へ無電解金属
めっき用触媒５を付与する。
【００１５】次に、図１（ｇ）に示すように、その無電
解金属めっき用触媒５の活性化を行い、荒らされたガラ
ス板１表面の荒られさた面へ無電解金属めっき６を施
す。ガラス板１の平滑面４には金属めっきは施されない
ので、パターニングができる。次に、本発明の実施例を
示すガラス基板の導体パターン形成工程の詳細につい
て、図２を参照しながら説明する。
解金属めっき用触媒５の活性化を行い、荒らされたガラ
ス板１表面の荒られさた面へ無電解金属めっき６を施
す。ガラス板１の平滑面４には金属めっきは施されない
ので、パターニングができる。次に、本発明の実施例を
示すガラス基板の導体パターン形成工程の詳細につい
て、図２を参照しながら説明する。
【００１６】まず、ステップＳ３１に示すように、清浄
なガラス板をセットする。次に、ステップＳ３２に示す
ように、その清浄なガラス板をプリヒート（８０℃程度
で１０分間加熱）し、そのガラス板を温める。次に、ス
テップＳ３３に示すように、ドライフィルム圧着機によ
り、ガラス板へレジスト（東京応化製オディールＢＦ−
２０１）を熱圧着する。
なガラス板をセットする。次に、ステップＳ３２に示す
ように、その清浄なガラス板をプリヒート（８０℃程度
で１０分間加熱）し、そのガラス板を温める。次に、ス
テップＳ３３に示すように、ドライフィルム圧着機によ
り、ガラス板へレジスト（東京応化製オディールＢＦ−
２０１）を熱圧着する。
【００１７】次いで、ステップＳ３４に示すように、再
度ガラス板を温める（８０℃程度で５分間加熱）。次
に、ステップＳ３５に示すように、レジストを露光す
る。次に、ステップＳ３６に示すように、露光したレジ
ストを現像し、導体膜の付くところのみレジストを剥離
する。
度ガラス板を温める（８０℃程度で５分間加熱）。次
に、ステップＳ３５に示すように、レジストを露光す
る。次に、ステップＳ３６に示すように、露光したレジ
ストを現像し、導体膜の付くところのみレジストを剥離
する。
【００１８】次いで、ステップＳ３７に示すように、ガ
ラス板表面にパターニングされたレジストを形成後、サ
ンドブラストにてパターン部分を切削して、ガラス板表
面を荒らす。ここで、サンド（粉）は、フジランダム
（不二製作所製）の♯１５００を５Ｋｇ／ｃｍ2 の噴射
圧で噴射し、ガラス板表面に１μｍ前後の凹凸ができる
まで、ガラス板表面を加工した。
ラス板表面にパターニングされたレジストを形成後、サ
ンドブラストにてパターン部分を切削して、ガラス板表
面を荒らす。ここで、サンド（粉）は、フジランダム
（不二製作所製）の♯１５００を５Ｋｇ／ｃｍ2 の噴射
圧で噴射し、ガラス板表面に１μｍ前後の凹凸ができる
まで、ガラス板表面を加工した。
【００１９】次に、ステップＳ３８に示すように、レジ
ストを剥離する。次に、ステップＳ３９に示すように、
ガラス板の乾燥を行う。次に、ステップＳ４０に示すよ
うに、ガラス板の表面の指紋やサンドやレジスト残りを
除去する（脱脂する）ために、アルカリ系の薬剤中に浸
して、ガラス板の表面を清浄化する。清浄化後は、薬剤
等を除去するために水洗する。
ストを剥離する。次に、ステップＳ３９に示すように、
ガラス板の乾燥を行う。次に、ステップＳ４０に示すよ
うに、ガラス板の表面の指紋やサンドやレジスト残りを
除去する（脱脂する）ために、アルカリ系の薬剤中に浸
して、ガラス板の表面を清浄化する。清浄化後は、薬剤
等を除去するために水洗する。
【００２０】次に、ステップＳ４１に示すように、ガラ
ス板表面を活性化する。つまり、薬剤中に浸して、ガラ
ス板表面を軽くエッチングして、清浄なガラス板表面を
露出させる。ガラス板表面の活性化後に、薬剤を除去す
るために水洗する。次に、ステップＳ４２に示すよう
に、ガラス板のプリディップを行う。次に、ステップＳ
４３に示すように、ガラス板へ無電解金属用触媒を付与
する。触媒の付与後、水洗する。
ス板表面を活性化する。つまり、薬剤中に浸して、ガラ
ス板表面を軽くエッチングして、清浄なガラス板表面を
露出させる。ガラス板表面の活性化後に、薬剤を除去す
るために水洗する。次に、ステップＳ４２に示すよう
に、ガラス板のプリディップを行う。次に、ステップＳ
４３に示すように、ガラス板へ無電解金属用触媒を付与
する。触媒の付与後、水洗する。
【００２１】次に、ステップＳ４４に示すように、その
触媒の活性化を行う。次いで、ステップＳ４５に示すよ
うに、ステップ３７において荒らされたガラス板表面の
荒らされた面へ無電解金属めっきを施す。ガラス板の平
滑面には金属めっきは施されないので、パターニングが
できる。なお、金属めっきは、その所望する金属によ
り、その工程は多少変わるものの、基本的にはガラス板
の表面を脱脂（ステップＳ４０）して、活性化処理し
（ステップＳ４１）、無電解金属めっき用触媒を付与す
る（ステップＳ４３）。その後、触媒を活性化し（ステ
ップＳ４４）、所望の無電解金属めっきを施す（ステッ
プＳ４５）。
触媒の活性化を行う。次いで、ステップＳ４５に示すよ
うに、ステップ３７において荒らされたガラス板表面の
荒らされた面へ無電解金属めっきを施す。ガラス板の平
滑面には金属めっきは施されないので、パターニングが
できる。なお、金属めっきは、その所望する金属によ
り、その工程は多少変わるものの、基本的にはガラス板
の表面を脱脂（ステップＳ４０）して、活性化処理し
（ステップＳ４１）、無電解金属めっき用触媒を付与す
る（ステップＳ４３）。その後、触媒を活性化し（ステ
ップＳ４４）、所望の無電解金属めっきを施す（ステッ
プＳ４５）。
【００２２】ここで、ステップ４５における無電解金属
めっきの例として、Ｎｉめっきの場合について説明す
る。まず、ＩＴＯクリーナ（奥野製薬製）に超音波を加
え脱脂（ステップＳ４０）し、次いで、ＩＴＯリダクタ
ー（奥野製薬製）にてガラス板表面を活性化（ステップ
Ｓ４１）する。更に、ＩＴＯ−ＳＡＬ（奥野製薬製）に
てプリディップ（ステップＳ４２）し、その後、ＩＴＯ
−キャタリスト（奥野製薬製），ＩＴＯ−ＳＡＬ（奥野
製薬製）にて触媒を付与する（ステップＳ４３）。最後
にＩＴＯアクセレータ（奥野製薬製）にて触媒活性化
（ステップＳ４４）し、無電解Ｎｉめっきを付ける。
めっきの例として、Ｎｉめっきの場合について説明す
る。まず、ＩＴＯクリーナ（奥野製薬製）に超音波を加
え脱脂（ステップＳ４０）し、次いで、ＩＴＯリダクタ
ー（奥野製薬製）にてガラス板表面を活性化（ステップ
Ｓ４１）する。更に、ＩＴＯ−ＳＡＬ（奥野製薬製）に
てプリディップ（ステップＳ４２）し、その後、ＩＴＯ
−キャタリスト（奥野製薬製），ＩＴＯ−ＳＡＬ（奥野
製薬製）にて触媒を付与する（ステップＳ４３）。最後
にＩＴＯアクセレータ（奥野製薬製）にて触媒活性化
（ステップＳ４４）し、無電解Ｎｉめっきを付ける。
【００２３】このようにして、ガラス板にＮｉめっきを
施すことができる。なお、耐熱性を確保し、後工程でワ
イヤボンドするような場合は、ガラス板表面を荒らした
後、無電解Ａｕめっき用の触媒を付与し、Ａｕめっきを
施せば、膜質の変化もなく、安定にワイヤボンドをする
ことが可能となる。また、めっき後アニールを行うこと
で密着力の向上を図ることができる。
施すことができる。なお、耐熱性を確保し、後工程でワ
イヤボンドするような場合は、ガラス板表面を荒らした
後、無電解Ａｕめっき用の触媒を付与し、Ａｕめっきを
施せば、膜質の変化もなく、安定にワイヤボンドをする
ことが可能となる。また、めっき後アニールを行うこと
で密着力の向上を図ることができる。
【００２４】更に、上記した凹凸面の深さは、無電解金
属めっきの均質な密着性や密着強度を考慮して、１〜２
μｍ程度が良好である。また、無電解Ｎｉめっきや無電
解Ａｕめっきに代えて、無電解Ｃｕめっきを施すように
してもよい。なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能で
あり、それらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
属めっきの均質な密着性や密着強度を考慮して、１〜２
μｍ程度が良好である。また、無電解Ｎｉめっきや無電
解Ａｕめっきに代えて、無電解Ｃｕめっきを施すように
してもよい。なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能で
あり、それらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００２５】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、ガラス板表面をレジストでパターニングし、サ
ンドブラストによりガラス板表面を荒らし、凹凸面を有
するパターンを形成する。その後、ガラス板表面の平滑
面と凹凸面への触媒の密着性の差を利用して、凹凸面に
のみ無電解金属めっき用触媒を付与し・活性化し、凹凸
面を有するパターンに無電解金属めっきを行うようにし
たので、安価であり、十分に密着が得られ、従来のよう
に膜質の変化を起こすことのない、耐熱性が良好なガラ
ス基板の導体パターンを形成することができる。
よれば、ガラス板表面をレジストでパターニングし、サ
ンドブラストによりガラス板表面を荒らし、凹凸面を有
するパターンを形成する。その後、ガラス板表面の平滑
面と凹凸面への触媒の密着性の差を利用して、凹凸面に
のみ無電解金属めっき用触媒を付与し・活性化し、凹凸
面を有するパターンに無電解金属めっきを行うようにし
たので、安価であり、十分に密着が得られ、従来のよう
に膜質の変化を起こすことのない、耐熱性が良好なガラ
ス基板の導体パターンを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例を示すガラス基板の導体パター
ン形成工程断面図である。
ン形成工程断面図である。
【図２】本発明の実施例を示すガラス基板の導体パター
ン形成工程を示すフローチャートである。
ン形成工程を示すフローチャートである。
【図３】従来の第１のガラス基板の導体パターン形成工
程を示すフローチャートである。
程を示すフローチャートである。
【図４】従来の第２のガラス基板の導体パターン形成工
程を示すフローチャートである。
程を示すフローチャートである。
１ ガラス板 ２ レジスト ２Ａ レジストパターン ３ 凹凸面 ４ 平滑面 ５ 無電解金属めっき用触媒 ６ 無電解金属めっき
Claims (1)
- 【請求項１】（ａ）ガラス板上にレジストパターンを形
成する工程と、 （ｂ）該レジストパターンをサンドブラストにより荒ら
してガラス板に凹凸面を有するパターンを形成する工程
と、 （ｃ）該ガラス板に無電解金属めっき用触媒を付与し・
活性化する工程と、 （ｄ）前記凹凸面を有するパターンに無電解金属めっき
を行う工程とを施すことを特徴とするガラス基板の導体
パターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8698993A JPH06302936A (ja) | 1993-04-14 | 1993-04-14 | ガラス基板の導体パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8698993A JPH06302936A (ja) | 1993-04-14 | 1993-04-14 | ガラス基板の導体パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06302936A true JPH06302936A (ja) | 1994-10-28 |
Family
ID=13902283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8698993A Withdrawn JPH06302936A (ja) | 1993-04-14 | 1993-04-14 | ガラス基板の導体パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06302936A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000204480A (ja) * | 1999-01-08 | 2000-07-25 | Origin Electric Co Ltd | 部分メッキ方法及びこれを施した物品 |
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| US7630207B2 (en) | 2005-09-15 | 2009-12-08 | Fujifilm Corporation | Wiring board, method of manufacturing wiring board, and liquid ejection head |
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| WO2018034747A1 (en) * | 2016-08-19 | 2018-02-22 | Honeywell Federal Manufacturing & Technologies, Llc | Circuit board and method of forming same |
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-
1993
- 1993-04-14 JP JP8698993A patent/JPH06302936A/ja not_active Withdrawn
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