JPH10209607A - 回路板の製造方法 - Google Patents
回路板の製造方法Info
- Publication number
- JPH10209607A JPH10209607A JP9010618A JP1061897A JPH10209607A JP H10209607 A JPH10209607 A JP H10209607A JP 9010618 A JP9010618 A JP 9010618A JP 1061897 A JP1061897 A JP 1061897A JP H10209607 A JPH10209607 A JP H10209607A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- circuit board
- plating
- metal film
- laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 94
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 94
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 68
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 64
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 39
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims abstract description 32
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 32
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 24
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 27
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002585 base Substances 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- HJJVPARKXDDIQD-UHFFFAOYSA-N bromuconazole Chemical compound ClC1=CC(Cl)=CC=C1C1(CN2N=CN=C2)OCC(Br)C1 HJJVPARKXDDIQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 2
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4-difluorophenoxy)pyridin-3-amine Chemical compound NC1=CC=CN=C1OC1=CC=C(F)C=C1F LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L peroxydisulfate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012286 potassium permanganate Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L sodium persulfate Substances [Na+].[Na+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 回路をダメージなく、しかも絶縁信頼性高く
形成することができる回路板の製造方法を提供する。 【解決手段】 樹脂製の回路基板１の表面にレーザ照射
及びめっきの工程を経て回路形成をすることによって回
路板を製造する。このように回路板を製造するにあたっ
て、めっきの後に、回路基板１の少なくともレーザ照射
部分の表面をエッチングして、レーザ照射によって回路
基板１の表面に生じる変質層６を除去する。
形成することができる回路板の製造方法を提供する。 【解決手段】 樹脂製の回路基板１の表面にレーザ照射
及びめっきの工程を経て回路形成をすることによって回
路板を製造する。このように回路板を製造するにあたっ
て、めっきの後に、回路基板１の少なくともレーザ照射
部分の表面をエッチングして、レーザ照射によって回路
基板１の表面に生じる変質層６を除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂製の基板を用
い、レーザ照射及びめっきの工程を経て回路形成をする
ようにした回路板の製造方法に関するものである。
い、レーザ照射及びめっきの工程を経て回路形成をする
ようにした回路板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】フォトレジスト等を用いた複雑な工程を
必要とすることなく、回路基板に回路を形成をする方法
の一つとして、レーザ照射及びめっきの工程を経て回路
形成をする方法が特開平７−２１２００８号公報等で提
供されている。この特開平７−２１２００８号公報で提
供されている方法は、回路基板の表面の全面に触媒核を
付着形成させ、次に回路形成部を除いてレーザ照射する
ことによって、回路形成部以外の部分の触媒核を除去
し、この後に回路基板を無電解めっき液に浸漬して、触
媒核によって回路形成部にめっき金属を析出させて回路
形成をするようにしたものであり、このようなレーザ照
射及びめっきの工程を経て回路形成をするようにしたも
のである。またこの特開平７−２１２００８号公報に
は、触媒核を用いた無電解めっきで回路形成をする他
に、回路基板の表面の全面にスパッタリング等で金属膜
を形成させ、次に回路形成部を除いてレーザ照射するこ
とによって、回路形成部以外の部分の金属膜を除去し、
この後に回路形成部の金属膜に通電して電解めっきを行
ない、金属膜にめっき金属を析出させて回路形成をする
方法も開示されている。
必要とすることなく、回路基板に回路を形成をする方法
の一つとして、レーザ照射及びめっきの工程を経て回路
形成をする方法が特開平７−２１２００８号公報等で提
供されている。この特開平７−２１２００８号公報で提
供されている方法は、回路基板の表面の全面に触媒核を
付着形成させ、次に回路形成部を除いてレーザ照射する
ことによって、回路形成部以外の部分の触媒核を除去
し、この後に回路基板を無電解めっき液に浸漬して、触
媒核によって回路形成部にめっき金属を析出させて回路
形成をするようにしたものであり、このようなレーザ照
射及びめっきの工程を経て回路形成をするようにしたも
のである。またこの特開平７−２１２００８号公報に
は、触媒核を用いた無電解めっきで回路形成をする他
に、回路基板の表面の全面にスパッタリング等で金属膜
を形成させ、次に回路形成部を除いてレーザ照射するこ
とによって、回路形成部以外の部分の金属膜を除去し、
この後に回路形成部の金属膜に通電して電解めっきを行
ない、金属膜にめっき金属を析出させて回路形成をする
方法も開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、特開平
７−２１２００８号公報の方法によれば、レーザ照射及
びめっきの工程を経て回路形成をすることができるもの
であり、フォトレジスト等を用いた複雑な工程を必要と
することなく生産性高く精度の高い回路を形成をするこ
とができる。
７−２１２００８号公報の方法によれば、レーザ照射及
びめっきの工程を経て回路形成をすることができるもの
であり、フォトレジスト等を用いた複雑な工程を必要と
することなく生産性高く精度の高い回路を形成をするこ
とができる。
【０００４】しかし、上記のように回路基板の表面にレ
ーザ照射をする場合、回路基板が樹脂製であるときに
は、回路基板のレーザ照射部分及びその周囲の表面がレ
ーザによる熱等で炭化されるなどして変質し、この変質
層によって回路基板の回路間の絶縁信頼性が低下するお
それがあるという問題があった。そこで、上記の特開平
７−２１２００８号公報の方法では、レーザ照射をした
後にエタノール、アセトン、トルエン、メチルエチルケ
トン等の有機溶剤を用いて回路基板を洗浄し、レーザ照
射部分に僅かに残留している触媒核や金属膜を除去する
ようにしており、この洗浄の際に、回路基板の表面の変
質層も同時に除去するようにしている。
ーザ照射をする場合、回路基板が樹脂製であるときに
は、回路基板のレーザ照射部分及びその周囲の表面がレ
ーザによる熱等で炭化されるなどして変質し、この変質
層によって回路基板の回路間の絶縁信頼性が低下するお
それがあるという問題があった。そこで、上記の特開平
７−２１２００８号公報の方法では、レーザ照射をした
後にエタノール、アセトン、トルエン、メチルエチルケ
トン等の有機溶剤を用いて回路基板を洗浄し、レーザ照
射部分に僅かに残留している触媒核や金属膜を除去する
ようにしており、この洗浄の際に、回路基板の表面の変
質層も同時に除去するようにしている。
【０００５】しかしながら、有機溶剤による回路基板の
洗浄では、変質層の除去は不十分であり、変質層の残存
によって絶縁信頼性が低下するものであった。また、こ
のように回路基板の変質層の除去をレーザ照射後に行な
うと、回路を形成するための下地として回路形成部に設
けられている触媒核や金属膜も、変質層の除去と同時に
一部が除去されるおそれがあり、この回路形成部の触媒
核や金属膜を下地として回路形成をすると回路はその一
部が欠損したものになり、形成される回路のダメージが
大きいという問題があった。
洗浄では、変質層の除去は不十分であり、変質層の残存
によって絶縁信頼性が低下するものであった。また、こ
のように回路基板の変質層の除去をレーザ照射後に行な
うと、回路を形成するための下地として回路形成部に設
けられている触媒核や金属膜も、変質層の除去と同時に
一部が除去されるおそれがあり、この回路形成部の触媒
核や金属膜を下地として回路形成をすると回路はその一
部が欠損したものになり、形成される回路のダメージが
大きいという問題があった。
【０００６】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、回路をダメージなく、しかも絶縁信頼性高く形成
することができる回路板の製造方法を提供することを目
的とするものである。
あり、回路をダメージなく、しかも絶縁信頼性高く形成
することができる回路板の製造方法を提供することを目
的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る回路板の製
造方法は、樹脂製の回路基板の表面にレーザ照射及びめ
っきの工程を経て回路形成をすることによって回路板を
製造するにあたって、めっきの後に、回路基板の少なく
ともレーザ照射部分の表面をエッチングすることを特徴
とするものである。
造方法は、樹脂製の回路基板の表面にレーザ照射及びめ
っきの工程を経て回路形成をすることによって回路板を
製造するにあたって、めっきの後に、回路基板の少なく
ともレーザ照射部分の表面をエッチングすることを特徴
とするものである。
【０００８】また請求項２の発明は、回路基板の表面に
触媒核を形成し、レーザ照射して触媒核を部分的に除去
した後、触媒核を残した部分に無電解めっきを行なう工
程を経て回路形成をすることを特徴とするものである。
また請求項３の発明は、回路基板の表面に金属膜を形成
し、レーザ照射して金属膜を部分的に除去した後、残し
た金属膜にめっきを行なう工程を経て回路形成をするこ
とを特徴とするものである。
触媒核を形成し、レーザ照射して触媒核を部分的に除去
した後、触媒核を残した部分に無電解めっきを行なう工
程を経て回路形成をすることを特徴とするものである。
また請求項３の発明は、回路基板の表面に金属膜を形成
し、レーザ照射して金属膜を部分的に除去した後、残し
た金属膜にめっきを行なう工程を経て回路形成をするこ
とを特徴とするものである。
【０００９】また請求項４の発明は、レーザ照射は回路
形成部あるいは回路非形成部の輪郭線に沿って行なうこ
とを特徴とするものである。また請求項５の発明は、レ
ーザ照射してめっきを行なった後に、回路形成部のみに
選択的に電解めっきを行なう工程を経て回路形成をする
ことを特徴とするものである。
形成部あるいは回路非形成部の輪郭線に沿って行なうこ
とを特徴とするものである。また請求項５の発明は、レ
ーザ照射してめっきを行なった後に、回路形成部のみに
選択的に電解めっきを行なう工程を経て回路形成をする
ことを特徴とするものである。
【００１０】また請求項６の発明は、回路非形成部の金
属を除去することを特徴とするものである。また請求項
７の発明は、エッチングを化学的処理で行なうことを特
徴とするものである。また請求項８の発明は、エッチン
グを物理的処理で行なうことを特徴とするものである。
属を除去することを特徴とするものである。また請求項
７の発明は、エッチングを化学的処理で行なうことを特
徴とするものである。また請求項８の発明は、エッチン
グを物理的処理で行なうことを特徴とするものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。図１は請求項２の発明の実施の形態の一例を示す
ものであり、樹脂によって電気絶縁性に形成される回路
基板１の表面に、まず図１（ａ）（ｂ）に示すようにそ
の全面に触媒核３を付着させて形成し、次にこの触媒核
３を形成した回路基板１の表面にレーザ照射をして、図
１（ｃ）のように回路基板１の表面の触媒核３を部分的
に除去する。レーザ照射は回路基板１の回路を形成しな
い部分である回路非形成部５ｂのほぼ全面において行な
われるものであり、回路非形成部５ｂの触媒核３をレー
ザ照射によって除去すると共に、回路を形成する部分で
ある回路形成部５ａに触媒核３を残存させるようにして
ある。このように回路基板１の表面にレーザ照射するこ
とによって触媒核３を除去することができるが、この際
に樹脂製の回路基板１の表面もレーザ照射による熱等で
炭化等の変質を受け、図１（ｃ）に示すように回路基板
１の回路非形成部５ｂの表面に炭化物等からなる変質層
６が形成される。
する。図１は請求項２の発明の実施の形態の一例を示す
ものであり、樹脂によって電気絶縁性に形成される回路
基板１の表面に、まず図１（ａ）（ｂ）に示すようにそ
の全面に触媒核３を付着させて形成し、次にこの触媒核
３を形成した回路基板１の表面にレーザ照射をして、図
１（ｃ）のように回路基板１の表面の触媒核３を部分的
に除去する。レーザ照射は回路基板１の回路を形成しな
い部分である回路非形成部５ｂのほぼ全面において行な
われるものであり、回路非形成部５ｂの触媒核３をレー
ザ照射によって除去すると共に、回路を形成する部分で
ある回路形成部５ａに触媒核３を残存させるようにして
ある。このように回路基板１の表面にレーザ照射するこ
とによって触媒核３を除去することができるが、この際
に樹脂製の回路基板１の表面もレーザ照射による熱等で
炭化等の変質を受け、図１（ｃ）に示すように回路基板
１の回路非形成部５ｂの表面に炭化物等からなる変質層
６が形成される。
【００１２】次に、この回路基板１を無電解銅めっき液
など無電解めっき液に浸漬して、無電解めっきを行なう
ことによって、触媒核３を核としてめっき金属を回路形
成部５ａに析出させ、図１（ｄ）のように回路形成部５
ａの表面に無電解めっき金属による回路２を形成するこ
とができる。このようにして、レーザ照射及びめっきの
工程を経て回路２を形成することができるものであり、
そして無電解めっきの工程の後に、少なくとも上記のレ
ーザ照射した部分の回路基板１の表面をエッチングし
て、回路基板１の樹脂と一緒に変質層６を除去し、図１
（ｅ）のような変質層６のない回路板Ａとして仕上げる
ことができるものである。
など無電解めっき液に浸漬して、無電解めっきを行なう
ことによって、触媒核３を核としてめっき金属を回路形
成部５ａに析出させ、図１（ｄ）のように回路形成部５
ａの表面に無電解めっき金属による回路２を形成するこ
とができる。このようにして、レーザ照射及びめっきの
工程を経て回路２を形成することができるものであり、
そして無電解めっきの工程の後に、少なくとも上記のレ
ーザ照射した部分の回路基板１の表面をエッチングし
て、回路基板１の樹脂と一緒に変質層６を除去し、図１
（ｅ）のような変質層６のない回路板Ａとして仕上げる
ことができるものである。
【００１３】ここで、レーザ照射後、めっきの前に変質
層６の除去を行なうと、回路基板１の回路形成部５ａに
付着している触媒核３の一部が変質層６の除去の際に同
時に除去されるおそれがあるが、変質層６のエッチング
除去はこのようにめっきの工程の後で行なわれるので、
回路形成部５ａに付着している触媒核３が変質層６と共
に除去されるようなことがなくなる。従って、回路形成
部５ａに付着している触媒核３の部分に回路２を支障な
く形成することができるものであり、回路２形成にダメ
ージを受けるようなことがなくなるものである。
層６の除去を行なうと、回路基板１の回路形成部５ａに
付着している触媒核３の一部が変質層６の除去の際に同
時に除去されるおそれがあるが、変質層６のエッチング
除去はこのようにめっきの工程の後で行なわれるので、
回路形成部５ａに付着している触媒核３が変質層６と共
に除去されるようなことがなくなる。従って、回路形成
部５ａに付着している触媒核３の部分に回路２を支障な
く形成することができるものであり、回路２形成にダメ
ージを受けるようなことがなくなるものである。
【００１４】図２は請求項３の発明の実施の形態の一例
を示すものであり、回路基板１の表面にまず図２（ａ）
（ｂ）に示すようにその全面に銅のスパッタリングや無
電解銅めっきなどで薄い金属膜４を形成し、次にこの金
属膜４を形成した回路基板１の表面にレーザ照射をし
て、図２（ｃ）のように回路基板１の表面の金属膜４を
部分的に除去する。レーザ照射は回路非形成部５ｂのほ
ぼ全面に行なわれるものであり、回路非形成部５ｂの金
属膜４をレーザ照射によって除去すると共に、回路形成
部５ａに金属膜４を残存させるようにしてある。このよ
うに回路基板１の表面にレーザ照射して金属膜４を除去
する際に、図２（ｃ）に示すように回路基板１の回路非
形成部５ｂの表面に炭化物等からなる変質層６が形成さ
れる。次に、回路形成部５ａの金属膜４に直流電流を通
電してこの回路基板１を電解銅めっき液など電解めっき
液に浸漬し、電解めっきを行なうことによって、金属膜
４の表面にめっき金属１０を析出付加させて厚肉化し、
図２（ｄ）のように回路２を形成することができる。こ
のようにして、レーザ照射及びめっきの工程を経て回路
２を形成することができるものであり、そして電解めっ
きの工程の後に、少なくとも上記のレーザ照射した部分
の回路基板１の表面をエッチングして、回路基板１の樹
脂と一緒に変質層６を除去し、図２（ｅ）のような変質
層６のない回路板Ａとして仕上げることができるもので
ある。尚、金属膜４の表面にめっき金属１０を析出させ
るにあたっては、このような電解めっきの他に、無電解
めっきによっても行なうことができる。
を示すものであり、回路基板１の表面にまず図２（ａ）
（ｂ）に示すようにその全面に銅のスパッタリングや無
電解銅めっきなどで薄い金属膜４を形成し、次にこの金
属膜４を形成した回路基板１の表面にレーザ照射をし
て、図２（ｃ）のように回路基板１の表面の金属膜４を
部分的に除去する。レーザ照射は回路非形成部５ｂのほ
ぼ全面に行なわれるものであり、回路非形成部５ｂの金
属膜４をレーザ照射によって除去すると共に、回路形成
部５ａに金属膜４を残存させるようにしてある。このよ
うに回路基板１の表面にレーザ照射して金属膜４を除去
する際に、図２（ｃ）に示すように回路基板１の回路非
形成部５ｂの表面に炭化物等からなる変質層６が形成さ
れる。次に、回路形成部５ａの金属膜４に直流電流を通
電してこの回路基板１を電解銅めっき液など電解めっき
液に浸漬し、電解めっきを行なうことによって、金属膜
４の表面にめっき金属１０を析出付加させて厚肉化し、
図２（ｄ）のように回路２を形成することができる。こ
のようにして、レーザ照射及びめっきの工程を経て回路
２を形成することができるものであり、そして電解めっ
きの工程の後に、少なくとも上記のレーザ照射した部分
の回路基板１の表面をエッチングして、回路基板１の樹
脂と一緒に変質層６を除去し、図２（ｅ）のような変質
層６のない回路板Ａとして仕上げることができるもので
ある。尚、金属膜４の表面にめっき金属１０を析出させ
るにあたっては、このような電解めっきの他に、無電解
めっきによっても行なうことができる。
【００１５】ここで、レーザ照射後、めっきの前に変質
層６の除去を行なうと、回路基板１の回路形成部５ａに
付着している金属膜４の一部が変質層６の除去の際に同
時に除去されるおそれがあるが、変質層６のエッチング
除去はこのようにめっきの工程の後で行なわれるので、
回路形成部５ａに付着している金属膜４が変質層６と共
に除去されるようなことがなくなる。従って、回路形成
部５ａに付着している金属膜４の部分に回路２を支障な
く形成することができるものであり、回路２形成にダメ
ージを受けるようなことがなくなるものである。
層６の除去を行なうと、回路基板１の回路形成部５ａに
付着している金属膜４の一部が変質層６の除去の際に同
時に除去されるおそれがあるが、変質層６のエッチング
除去はこのようにめっきの工程の後で行なわれるので、
回路形成部５ａに付着している金属膜４が変質層６と共
に除去されるようなことがなくなる。従って、回路形成
部５ａに付着している金属膜４の部分に回路２を支障な
く形成することができるものであり、回路２形成にダメ
ージを受けるようなことがなくなるものである。
【００１６】図３は請求項４の発明の実施の形態を示す
ものであり、回路基板１の表面にまず図３（ａ）（ｂ）
に示すようにその全面に触媒核３を付着させて形成し、
次にこの触媒核３を形成した回路基板１の表面にレーザ
照射をして、回路基板１の表面の触媒核３を部分的に除
去する。このとき、レーザ照射は回路形成部５ａの輪郭
の外側（回路非形成部５ｂの輪郭の内側）に沿って行な
われるものであり、図３（ｃ）に示すように、回路非形
成部５ｂに形成されている触媒核３のうち、回路非形成
部５ｂの輪郭線の部分のみを除去するようにしてある。
このようにレーザ照射を回路形成部５ａや回路非形成部
５ｂの輪郭線に沿って行なうようにすると、回路非形成
部５ｂの全面にレーザ照射をする場合よりレーザ照射の
面積を小さくすることができ、レーザの照射の時間を短
縮して生産性を高めることができると共に、レーザ照射
による回路基板１の損傷を少なくすることができるもの
である。
ものであり、回路基板１の表面にまず図３（ａ）（ｂ）
に示すようにその全面に触媒核３を付着させて形成し、
次にこの触媒核３を形成した回路基板１の表面にレーザ
照射をして、回路基板１の表面の触媒核３を部分的に除
去する。このとき、レーザ照射は回路形成部５ａの輪郭
の外側（回路非形成部５ｂの輪郭の内側）に沿って行な
われるものであり、図３（ｃ）に示すように、回路非形
成部５ｂに形成されている触媒核３のうち、回路非形成
部５ｂの輪郭線の部分のみを除去するようにしてある。
このようにレーザ照射を回路形成部５ａや回路非形成部
５ｂの輪郭線に沿って行なうようにすると、回路非形成
部５ｂの全面にレーザ照射をする場合よりレーザ照射の
面積を小さくすることができ、レーザの照射の時間を短
縮して生産性を高めることができると共に、レーザ照射
による回路基板１の損傷を少なくすることができるもの
である。
【００１７】次に、この回路基板１を無電解銅めっき液
など無電解めっき液に浸漬して、無電解めっきを行なう
ことによって、触媒核３を核としてめっき金属１１を図
３（ｄ）のように析出させる。ここで、回路非形成部５
ｂに残存する触媒核３を核として析出しためっき金属１
１は回路２を形成するものではなく、回路２は回路形成
部５ａの触媒核３を核として析出しためっき金属１１で
形成されるものである。このようにして、レーザ照射及
びめっきの工程を経て回路２を形成することができるも
のであり、そして無電解めっきの工程の後に、レーザ照
射した部分の回路基板１の表面をエッチングして、回路
基板１の樹脂と一緒に変質層６を除去し、図３（ｅ）の
ような変質層６のない回路板Ａとして仕上げることがで
きるものである。
など無電解めっき液に浸漬して、無電解めっきを行なう
ことによって、触媒核３を核としてめっき金属１１を図
３（ｄ）のように析出させる。ここで、回路非形成部５
ｂに残存する触媒核３を核として析出しためっき金属１
１は回路２を形成するものではなく、回路２は回路形成
部５ａの触媒核３を核として析出しためっき金属１１で
形成されるものである。このようにして、レーザ照射及
びめっきの工程を経て回路２を形成することができるも
のであり、そして無電解めっきの工程の後に、レーザ照
射した部分の回路基板１の表面をエッチングして、回路
基板１の樹脂と一緒に変質層６を除去し、図３（ｅ）の
ような変質層６のない回路板Ａとして仕上げることがで
きるものである。
【００１８】図３の実施の形態では、回路基板１に触媒
核３を形成すると共に無電解めっきで回路２を形成する
ようにしたが、図２の場合と同じ工法で、回路基板１に
金属膜４を形成すると共に電解めっきで回路２を形成す
る場合にも、同様に請求項４の発明を適用することがで
きるものである。図４は請求項５の発明の実施の形成を
示すものであり、回路基板１の表面にまず図４（ａ）
（ｂ）に示すようにその全面に触媒核３を付着させて形
成し、次にこの触媒核３を形成した回路基板１の表面に
レーザ照射をして、図４（ｃ）に示すように、回路基板
１の表面の触媒核３を部分的に除去する。このとき、前
記の図３（ｃ）の場合と同様に、レーザ照射は回路形成
部５ａの輪郭の外側（回路非形成部５ｂの輪郭の内側）
に沿って行なわれるものであり、回路非形成部５ｂに形
成されている触媒核３のうち、回路非形成部５ｂの輪郭
線の部分のみを除去するようにしてある。
核３を形成すると共に無電解めっきで回路２を形成する
ようにしたが、図２の場合と同じ工法で、回路基板１に
金属膜４を形成すると共に電解めっきで回路２を形成す
る場合にも、同様に請求項４の発明を適用することがで
きるものである。図４は請求項５の発明の実施の形成を
示すものであり、回路基板１の表面にまず図４（ａ）
（ｂ）に示すようにその全面に触媒核３を付着させて形
成し、次にこの触媒核３を形成した回路基板１の表面に
レーザ照射をして、図４（ｃ）に示すように、回路基板
１の表面の触媒核３を部分的に除去する。このとき、前
記の図３（ｃ）の場合と同様に、レーザ照射は回路形成
部５ａの輪郭の外側（回路非形成部５ｂの輪郭の内側）
に沿って行なわれるものであり、回路非形成部５ｂに形
成されている触媒核３のうち、回路非形成部５ｂの輪郭
線の部分のみを除去するようにしてある。
【００１９】次に、この回路基板１を無電解銅めっき液
など無電解めっき液に浸漬して、無電解めっきを行なう
ことによって、触媒核３を核として無電解めっき金属を
析出させる。このとき、回路形成部５ａの触媒核３の他
に非回路形成部５ｂに残存する触媒核３にも無電解めっ
き金属は析出するが、図４（ｄ）のように薄い金属膜１
２が形成されるように無電解めっき金属を析出させれば
よく、回路２を形成する厚みにまで無電解めっき金属を
析出させる必要はない。
など無電解めっき液に浸漬して、無電解めっきを行なう
ことによって、触媒核３を核として無電解めっき金属を
析出させる。このとき、回路形成部５ａの触媒核３の他
に非回路形成部５ｂに残存する触媒核３にも無電解めっ
き金属は析出するが、図４（ｄ）のように薄い金属膜１
２が形成されるように無電解めっき金属を析出させれば
よく、回路２を形成する厚みにまで無電解めっき金属を
析出させる必要はない。
【００２０】この後、回路形成部５ａの金属膜１２にの
み直流電流を通電して、この回路基板１を電解銅めっき
液など電解めっき液に浸漬し、回路形成部５ａの金属膜
１２に電解めっきを行なうことによって、回路形成部５
ａの金属膜１２に電解めっき金属１０を析出付加させて
厚肉化し、図４（ｅ）のように回路２を形成することが
できる。ここで、無電解めっきで厚い厚みに金属を析出
させるには長時間が必要であるが、電解めっきでは比較
的短時間で厚い厚みに金属を析出させることができるの
で、回路２の形成を短時間で行なうことができるもので
ある。このようにして、レーザ照射及びめっきの工程を
経て回路２を形成することができるものであり、そして
電解めっきの工程の後に、少なくとも上記のレーザ照射
した部分の回路基板１の表面をエッチングして、回路基
板１の樹脂と一緒に変質層６を除去し、図４（ｆ）のよ
うな変質層６のない回路板Ａとして仕上げることができ
るものである。
み直流電流を通電して、この回路基板１を電解銅めっき
液など電解めっき液に浸漬し、回路形成部５ａの金属膜
１２に電解めっきを行なうことによって、回路形成部５
ａの金属膜１２に電解めっき金属１０を析出付加させて
厚肉化し、図４（ｅ）のように回路２を形成することが
できる。ここで、無電解めっきで厚い厚みに金属を析出
させるには長時間が必要であるが、電解めっきでは比較
的短時間で厚い厚みに金属を析出させることができるの
で、回路２の形成を短時間で行なうことができるもので
ある。このようにして、レーザ照射及びめっきの工程を
経て回路２を形成することができるものであり、そして
電解めっきの工程の後に、少なくとも上記のレーザ照射
した部分の回路基板１の表面をエッチングして、回路基
板１の樹脂と一緒に変質層６を除去し、図４（ｆ）のよ
うな変質層６のない回路板Ａとして仕上げることができ
るものである。
【００２１】図４の実施の形態では、回路基板１に触媒
核３を形成すると共に無電解めっきを行ない、さらにこ
の上に電解めっきをして回路２を形成するようにした
が、図２の場合と同じ工法で、回路基板１に金属膜４を
形成すると共にこの上に電解めっきをして回路２を形成
する場合にも、同様に請求項５の発明を適用することが
できるものである。
核３を形成すると共に無電解めっきを行ない、さらにこ
の上に電解めっきをして回路２を形成するようにした
が、図２の場合と同じ工法で、回路基板１に金属膜４を
形成すると共にこの上に電解めっきをして回路２を形成
する場合にも、同様に請求項５の発明を適用することが
できるものである。
【００２２】図５は請求項６の発明の実施の形態を示す
ものであり、回路基板１の表面にまず図５（ａ）（ｂ）
に示すようにその全面に触媒核３を付着させて形成し、
次にこの触媒核３を形成した回路基板１の表面にレーザ
照射をして、図５（ｃ）のように回路基板１の表面の触
媒核３を部分的に除去する。レーザ照射は前記の図３
（ｃ）の場合と同様に回路形成部５ａの輪郭の外側（回
路非形成部５ｂの輪郭の内側）に沿って行なわれるもの
であり、回路非形成部５ｂに形成されている触媒核３の
うち、回路非形成部５ｂの輪郭線の部分のみを除去する
ようにしてある。次に、この回路基板１を無電解銅めっ
き液など無電解めっき液に浸漬して、無電解めっきを行
なうことによって、触媒核３を核として無電解めっき金
属を析出させる。無電解めっき金属は回路形成部５ａの
触媒核３の他に非回路形成部５ｂに残存する触媒核３に
も析出するが、図５（ｄ）のように薄い金属膜１２が形
成されるように無電解めっき金属を析出させればよく、
回路２を形成する厚みにまで無電解めっき金属を析出さ
せる必要はない。
ものであり、回路基板１の表面にまず図５（ａ）（ｂ）
に示すようにその全面に触媒核３を付着させて形成し、
次にこの触媒核３を形成した回路基板１の表面にレーザ
照射をして、図５（ｃ）のように回路基板１の表面の触
媒核３を部分的に除去する。レーザ照射は前記の図３
（ｃ）の場合と同様に回路形成部５ａの輪郭の外側（回
路非形成部５ｂの輪郭の内側）に沿って行なわれるもの
であり、回路非形成部５ｂに形成されている触媒核３の
うち、回路非形成部５ｂの輪郭線の部分のみを除去する
ようにしてある。次に、この回路基板１を無電解銅めっ
き液など無電解めっき液に浸漬して、無電解めっきを行
なうことによって、触媒核３を核として無電解めっき金
属を析出させる。無電解めっき金属は回路形成部５ａの
触媒核３の他に非回路形成部５ｂに残存する触媒核３に
も析出するが、図５（ｄ）のように薄い金属膜１２が形
成されるように無電解めっき金属を析出させればよく、
回路２を形成する厚みにまで無電解めっき金属を析出さ
せる必要はない。
【００２３】この後、回路形成部５ａの金属膜１２にの
み直流電流を通電して、回路基板１を電解銅めっき液な
ど電解めっき液に浸漬し、回路形成部５ａの金属膜１２
に電解めっきを行なってこの金属膜１２に電解めっき金
属１０を析出付加させ、図５（ｅ）のように回路２を形
成することができる。次に、ソフトエッチング液を用い
て回路基板１をソフトエッチングすることによって、回
路非形成部５ｂに露出する金属膜１２を図５（ｆ）のよ
うに除去する。このように回路非形成部５ｂの金属膜１
２を除去することによって、回路２間に金属が存在しな
いようにすることができ、回路２間の絶縁信頼性を高め
ることができるものである。このようにして、レーザ照
射及びめっきの工程を経て回路２を形成することができ
るものであり、そして電解めっきの工程の後に、少なく
とも上記のレーザ照射した部分の回路基板１の表面をエ
ッチングして、回路基板１の樹脂と一緒に変質層６を除
去し、図５（ｇ）のような変質層６のない回路板Ａとし
て仕上げることができるものである。尚、回路２の表面
には電解ニッケルめっき及び電解金めっきをこの順に行
なって、図５（ｈ）のように仕上げめっき１３を施すよ
うにしてもよい。
み直流電流を通電して、回路基板１を電解銅めっき液な
ど電解めっき液に浸漬し、回路形成部５ａの金属膜１２
に電解めっきを行なってこの金属膜１２に電解めっき金
属１０を析出付加させ、図５（ｅ）のように回路２を形
成することができる。次に、ソフトエッチング液を用い
て回路基板１をソフトエッチングすることによって、回
路非形成部５ｂに露出する金属膜１２を図５（ｆ）のよ
うに除去する。このように回路非形成部５ｂの金属膜１
２を除去することによって、回路２間に金属が存在しな
いようにすることができ、回路２間の絶縁信頼性を高め
ることができるものである。このようにして、レーザ照
射及びめっきの工程を経て回路２を形成することができ
るものであり、そして電解めっきの工程の後に、少なく
とも上記のレーザ照射した部分の回路基板１の表面をエ
ッチングして、回路基板１の樹脂と一緒に変質層６を除
去し、図５（ｇ）のような変質層６のない回路板Ａとし
て仕上げることができるものである。尚、回路２の表面
には電解ニッケルめっき及び電解金めっきをこの順に行
なって、図５（ｈ）のように仕上げめっき１３を施すよ
うにしてもよい。
【００２４】図５の実施の形態では、回路基板１に触媒
核３を形成すると共に無電解めっきを行ない、さらに無
電解めっきの上に電解めっきをして回路２を形成するよ
うにしたが、図２の場合と同じ工法で、回路基板１に金
属膜４を形成すると共にこの上に電解めっきして回路２
を形成する場合にも、同様に請求項５の発明を適用する
ことができるものである。
核３を形成すると共に無電解めっきを行ない、さらに無
電解めっきの上に電解めっきをして回路２を形成するよ
うにしたが、図２の場合と同じ工法で、回路基板１に金
属膜４を形成すると共にこの上に電解めっきして回路２
を形成する場合にも、同様に請求項５の発明を適用する
ことができるものである。
【００２５】
（実施例１）請求項１、２、４、５、６、７、８に対応
する実施例を示す。樹脂の電気絶縁性の回路基板１とし
ては、ポリアミド、芳香族ポリエステル、ポリフェニレ
ンサルファイド、ポリイミド、ポリエーテルイミドな
ど、熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂からなるものを用い
ることができるものであり、まず回路基板１の表面をク
ロム酸または水酸化ナトリウム溶液等によって化学的に
粗化し、投錯効果による密着力を得るために微細な凹凸
を形成する。またこの回路基板１は平面形状の他に、立
体形状であってもよい。本実施例ではポリプラスチック
株式会社製の液晶ポリマー（商品名ベクトラＣ８２０）
を射出成形により成形して回路基板１として用いた（図
６（ａ））。
する実施例を示す。樹脂の電気絶縁性の回路基板１とし
ては、ポリアミド、芳香族ポリエステル、ポリフェニレ
ンサルファイド、ポリイミド、ポリエーテルイミドな
ど、熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂からなるものを用い
ることができるものであり、まず回路基板１の表面をク
ロム酸または水酸化ナトリウム溶液等によって化学的に
粗化し、投錯効果による密着力を得るために微細な凹凸
を形成する。またこの回路基板１は平面形状の他に、立
体形状であってもよい。本実施例ではポリプラスチック
株式会社製の液晶ポリマー（商品名ベクトラＣ８２０）
を射出成形により成形して回路基板１として用いた（図
６（ａ））。
【００２６】次に、この絶縁基板１を触媒核３としてパ
ラジウムを含む処理液に浸漬し、パラジウムを全面に付
着させる（図６（ｂ））。触媒核３としては、このパラ
ジウムの他に、銀、白金またはニッケル等を物理的成膜
法によって非常に薄く付着させて形成するようにしても
よい。次に、最終的に得たい回路パターンの輪郭線に沿
って回路基板１の表面にレーザを照射し、このレーザ照
射によって触媒核（パラジウム）３を部分的に除去する
（図６（ｃ））。回路形成部５ａの触媒核３は連続する
パターンであり、回路非形成部５ｂの触媒核３は回路形
成部５ａの触媒核３と絶縁された閉パターンである。こ
の時、レーザ照射はレーザ光をレンズで集光し、回路基
板１とレーザとを相対移動させて行なうものであり、デ
フォーカス量はレンズの焦点距離または回路基板１の位
置を調節して、回路基板１の表面のビーム径を調節する
ことによって制御するものである。レーザのパワーは、
例えばＹＡＧレーザを用い、連続発振にてパワー密度が
５〜５０Ｊ／ｃｍ2 となるように、走査速度またはレー
ザ発振強度を調整するのがよい。またレーザ照射は、エ
キシマレーザ、紫外線レーザを０．１〜１Ｊ／ｃｍ2 の
エネルギーで照射して行なうこともできる。
ラジウムを含む処理液に浸漬し、パラジウムを全面に付
着させる（図６（ｂ））。触媒核３としては、このパラ
ジウムの他に、銀、白金またはニッケル等を物理的成膜
法によって非常に薄く付着させて形成するようにしても
よい。次に、最終的に得たい回路パターンの輪郭線に沿
って回路基板１の表面にレーザを照射し、このレーザ照
射によって触媒核（パラジウム）３を部分的に除去する
（図６（ｃ））。回路形成部５ａの触媒核３は連続する
パターンであり、回路非形成部５ｂの触媒核３は回路形
成部５ａの触媒核３と絶縁された閉パターンである。こ
の時、レーザ照射はレーザ光をレンズで集光し、回路基
板１とレーザとを相対移動させて行なうものであり、デ
フォーカス量はレンズの焦点距離または回路基板１の位
置を調節して、回路基板１の表面のビーム径を調節する
ことによって制御するものである。レーザのパワーは、
例えばＹＡＧレーザを用い、連続発振にてパワー密度が
５〜５０Ｊ／ｃｍ2 となるように、走査速度またはレー
ザ発振強度を調整するのがよい。またレーザ照射は、エ
キシマレーザ、紫外線レーザを０．１〜１Ｊ／ｃｍ2 の
エネルギーで照射して行なうこともできる。
【００２７】このように回路基板１にレーザ照射の処理
をすることによって、レーザ照射部分の触媒核（パラジ
ウム）３は大部分が除去された状態になるが、同時に回
路基板１のレーザ照射部分は炭化されて変質層６が形成
される（図６（ｃ））。そこで、水圧３０〜１００ｋｇ
ｆ／ｃｍ2 の高圧水をシャワーノズルから回路基板１の
全面に当てて水洗することによって、変質層６を仮洗浄
し、変質層６の一部を除去する。ここで、シャワーノズ
ルを揺動させて回路基板１の全面に角度付けをしながら
高圧水を噴射することによって、回路基板１が立体基板
であっても斜面部や凹部に高圧水を当てることができ
る。このように高圧水で変質層６を仮洗浄することによ
って、変質層６の一部を除去することができるが、この
ような仮洗浄では変質層６を完全に除去することはでき
ない（図６（ｄ））。
をすることによって、レーザ照射部分の触媒核（パラジ
ウム）３は大部分が除去された状態になるが、同時に回
路基板１のレーザ照射部分は炭化されて変質層６が形成
される（図６（ｃ））。そこで、水圧３０〜１００ｋｇ
ｆ／ｃｍ2 の高圧水をシャワーノズルから回路基板１の
全面に当てて水洗することによって、変質層６を仮洗浄
し、変質層６の一部を除去する。ここで、シャワーノズ
ルを揺動させて回路基板１の全面に角度付けをしながら
高圧水を噴射することによって、回路基板１が立体基板
であっても斜面部や凹部に高圧水を当てることができ
る。このように高圧水で変質層６を仮洗浄することによ
って、変質層６の一部を除去することができるが、この
ような仮洗浄では変質層６を完全に除去することはでき
ない（図６（ｄ））。
【００２８】この後、回路基板１を奥野製薬工業株式会
社製の無電解銅めっき液（商品名ＯＰＣ−７５０）に浸
漬することによって、回路形成部５ａ及び回路非形成部
５ｂの角触媒３を形成した箇所に、無電解銅めっきによ
る厚み０．５μｍの金属膜１２を析出させた（図６
（ｅ））。回路形成部５ａには連続するパターンで金属
膜１２が形成され、回路非形成部５ｂには回路形成部５
ａの金属膜１２と絶縁された閉パターンで金属膜１２が
形成される。
社製の無電解銅めっき液（商品名ＯＰＣ−７５０）に浸
漬することによって、回路形成部５ａ及び回路非形成部
５ｂの角触媒３を形成した箇所に、無電解銅めっきによ
る厚み０．５μｍの金属膜１２を析出させた（図６
（ｅ））。回路形成部５ａには連続するパターンで金属
膜１２が形成され、回路非形成部５ｂには回路形成部５
ａの金属膜１２と絶縁された閉パターンで金属膜１２が
形成される。
【００２９】次に、回路形成部５ａの金属膜１２に選択
的に電極より通電し、電解銅めっきを行なうことによっ
て、回路形成部５ａの金属膜１２に１０μｍ厚みでめっ
き金属１０を付加し、回路厚みを厚くして目的とする回
路２を形成する（図６（ｆ））。金属膜１２は電解めっ
きに可能な程度の導電性を有するため、このように一般
的な電解めっき法を適用して金属膜１２にめっき金属１
０を析出させて回路２を形成することができる。
的に電極より通電し、電解銅めっきを行なうことによっ
て、回路形成部５ａの金属膜１２に１０μｍ厚みでめっ
き金属１０を付加し、回路厚みを厚くして目的とする回
路２を形成する（図６（ｆ））。金属膜１２は電解めっ
きに可能な程度の導電性を有するため、このように一般
的な電解めっき法を適用して金属膜１２にめっき金属１
０を析出させて回路２を形成することができる。
【００３０】次に、ソフトエッチング液を用いて回路基
板１の表面をソフトエッチング（フラッシュエッチン
グ）することによって、めっき金属１０が未着の金属膜
１２、すなわち回路非形成部５ｂの金属膜１２をエッチ
ング除去する（図６（ｇ））。このソフトエッチング液
としては、過硫酸アンモニウム、過硫酸ナトリウム等の
過硫酸塩類エッチング液や、過酸化水素／硫酸エッチン
グ液等を用いることができる。
板１の表面をソフトエッチング（フラッシュエッチン
グ）することによって、めっき金属１０が未着の金属膜
１２、すなわち回路非形成部５ｂの金属膜１２をエッチ
ング除去する（図６（ｇ））。このソフトエッチング液
としては、過硫酸アンモニウム、過硫酸ナトリウム等の
過硫酸塩類エッチング液や、過酸化水素／硫酸エッチン
グ液等を用いることができる。
【００３１】そしてこの後、回路基板１を、５０〜７０
℃に液温調整した１００〜５００ｇ／リットルの水酸化
ナトリウム溶液等のアルカリ液に１〜６０分間浸漬し、
高圧水洗の仮洗浄で除去されていない変質層６をエッチ
ング除去する（図６（ｈ））。このエッチングの際に、
上記ソフトエッチングでも除去されていない回路非形成
部５ｂに残存する触媒核（バラジウム）３を完全に除去
することができる。尚、この変質層６を除去するエッチ
ング液には回路基板１の樹脂にあわせて、水酸化カリウ
ム、過マンガン酸カリウム等も使用することができる。
℃に液温調整した１００〜５００ｇ／リットルの水酸化
ナトリウム溶液等のアルカリ液に１〜６０分間浸漬し、
高圧水洗の仮洗浄で除去されていない変質層６をエッチ
ング除去する（図６（ｈ））。このエッチングの際に、
上記ソフトエッチングでも除去されていない回路非形成
部５ｂに残存する触媒核（バラジウム）３を完全に除去
することができる。尚、この変質層６を除去するエッチ
ング液には回路基板１の樹脂にあわせて、水酸化カリウ
ム、過マンガン酸カリウム等も使用することができる。
【００３２】また、この変質層６のエッチングは、この
ようなアルカリ液等による化学的処理で行なう他に、物
理的な処理で行なうこともできる。例えばプラズマによ
って変質層６を除去することができる。すなわち、水素
ガス及びアルゴンガスが１０〜５０パスカルに減圧され
て導入されている真空チャンバー内の放電用電極に回路
基板１を載せ、アース電極との間に１３．５６ＭＨｚの
高周波を０．５〜５Ｗ／ｃｍ2 加えてプラズマを発生さ
せ、このプラズマによって変質層６の除去を行うことが
できる。またエキシマレーザや紫外線レーザなどのレー
ザを０．１〜１Ｊ／ｃｍ2 のエネルギーで照射すること
によって、変質層６を除去することも可能である。この
場合、レーザは回路基板１の全面に照射するようにして
もよく、レーザ照射は回路２の部分には影響を与えな
い。
ようなアルカリ液等による化学的処理で行なう他に、物
理的な処理で行なうこともできる。例えばプラズマによ
って変質層６を除去することができる。すなわち、水素
ガス及びアルゴンガスが１０〜５０パスカルに減圧され
て導入されている真空チャンバー内の放電用電極に回路
基板１を載せ、アース電極との間に１３．５６ＭＨｚの
高周波を０．５〜５Ｗ／ｃｍ2 加えてプラズマを発生さ
せ、このプラズマによって変質層６の除去を行うことが
できる。またエキシマレーザや紫外線レーザなどのレー
ザを０．１〜１Ｊ／ｃｍ2 のエネルギーで照射すること
によって、変質層６を除去することも可能である。この
場合、レーザは回路基板１の全面に照射するようにして
もよく、レーザ照射は回路２の部分には影響を与えな
い。
【００３３】変質層６や残存触媒核３を除去するエッチ
ングの物理的処理方法としては、上記のプラズマやレー
ザの他に、次の方法を用いることもできる。 ＮＣルータを用い、回路基板１のレーザ照射部分及び
その近傍の全面を表面から２μｍ程度研磨して除去す
る。 ウォータージェットのノズルを操作し、回路基板１中
のレーザ照射部分及びその近傍にウォータージェットを
当てて、変質層６や残存触媒核３を除去する。このとき
微細な砥粒としてシリカまたはアルミナ等の粉末を含む
懸濁液を用いると効果的である。またウォータージェッ
トを回路基板１の全面に当てることも可能であるが、こ
の場合はウォータージェットの強度を２〜１０ｋｇｆ／
ｃｍ2 と弱くする必要がある。 仮洗浄の工程で使用した高圧水噴射装置を用い、仮洗
浄のときよりも高い１００〜２００ｇ／ｃｍ2 の水圧を
回路基板１の全面に噴射し、変質層６や残存触媒核３を
除去する。回路２の部分では、電解めっき金属１０がバ
リアとなるので、金属膜１２の回路基板１への付着部に
高圧水がダメージとして加わることを低減できる。 高圧エアーを用い、回路基板１中のレーザ照射部分及
びその近傍に、空気を１００ｋｇｆ／ｃｍ2 の空気圧で
噴射し、変質層６や残存触媒核３を除去する。 ブラシを用い、変質層６や残存触媒核３を擦り取って
除去する。
ングの物理的処理方法としては、上記のプラズマやレー
ザの他に、次の方法を用いることもできる。 ＮＣルータを用い、回路基板１のレーザ照射部分及び
その近傍の全面を表面から２μｍ程度研磨して除去す
る。 ウォータージェットのノズルを操作し、回路基板１中
のレーザ照射部分及びその近傍にウォータージェットを
当てて、変質層６や残存触媒核３を除去する。このとき
微細な砥粒としてシリカまたはアルミナ等の粉末を含む
懸濁液を用いると効果的である。またウォータージェッ
トを回路基板１の全面に当てることも可能であるが、こ
の場合はウォータージェットの強度を２〜１０ｋｇｆ／
ｃｍ2 と弱くする必要がある。 仮洗浄の工程で使用した高圧水噴射装置を用い、仮洗
浄のときよりも高い１００〜２００ｇ／ｃｍ2 の水圧を
回路基板１の全面に噴射し、変質層６や残存触媒核３を
除去する。回路２の部分では、電解めっき金属１０がバ
リアとなるので、金属膜１２の回路基板１への付着部に
高圧水がダメージとして加わることを低減できる。 高圧エアーを用い、回路基板１中のレーザ照射部分及
びその近傍に、空気を１００ｋｇｆ／ｃｍ2 の空気圧で
噴射し、変質層６や残存触媒核３を除去する。 ブラシを用い、変質層６や残存触媒核３を擦り取って
除去する。
【００３４】これらの〜の方法は２つ以上併用する
ようにしてもよい。上記のように化学的にあるいは物理
的にエッチングして変質層６及び残存触媒核３を除去し
た後、回路２の表面に、１０μｍ厚の電解ニッケルめっ
きと０．５μｍ厚の電解金めっきからなる仕上げめっき
１３を施し、所望の回路２を有する回路板Ａを得ること
ができる（図６（ｉ））。
ようにしてもよい。上記のように化学的にあるいは物理
的にエッチングして変質層６及び残存触媒核３を除去し
た後、回路２の表面に、１０μｍ厚の電解ニッケルめっ
きと０．５μｍ厚の電解金めっきからなる仕上げめっき
１３を施し、所望の回路２を有する回路板Ａを得ること
ができる（図６（ｉ））。
【００３５】（実施例２）請求項１、３、４、５、６、
７、８に対応する実施例を示す。まず、ポリアミド、芳
香族ポリエステル、ポリフェニレンサルファイド、ポリ
イミド、ポリエーテルイミドなど、熱可塑性樹脂又は熱
硬化性樹脂からなる回路基板１の表面をプラズマ処理し
た後に、スパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティ
ング等の物理的成膜法で金属膜４を形成する。本実施例
ではポリプラスチック株式会社製の液晶ポリマー（商品
名ベクトラＣ８２０）を射出成形により成形して回路基
板１として用い（図７（ａ））、脱脂、乾燥、プラズマ
処理を行なった後、スパッタリングにより銅の金属膜４
を０．１〜２．０μｍの厚みで形成したた。尚、プラズ
マ処理は回路基板１と金属膜４との密着性を高める目的
でおこなった。
７、８に対応する実施例を示す。まず、ポリアミド、芳
香族ポリエステル、ポリフェニレンサルファイド、ポリ
イミド、ポリエーテルイミドなど、熱可塑性樹脂又は熱
硬化性樹脂からなる回路基板１の表面をプラズマ処理し
た後に、スパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティ
ング等の物理的成膜法で金属膜４を形成する。本実施例
ではポリプラスチック株式会社製の液晶ポリマー（商品
名ベクトラＣ８２０）を射出成形により成形して回路基
板１として用い（図７（ａ））、脱脂、乾燥、プラズマ
処理を行なった後、スパッタリングにより銅の金属膜４
を０．１〜２．０μｍの厚みで形成したた。尚、プラズ
マ処理は回路基板１と金属膜４との密着性を高める目的
でおこなった。
【００３６】次に、実施例１と同様にして、最終的に得
たい回路パターンの輪郭線に沿って絶縁基板１の表面に
レーザを照射し、このレーザ照射によって金属膜４を部
分的に除去する（図７（ｃ））。レーザ照射の方法や条
件は実施例１と同様に設定することができる。次に、回
路形成部５ａの金属膜４に選択的に電極より通電し、電
解銅めっきを行なうことによって、回路形成部５ａの金
属膜４に１０μｍ厚みでめっき金属１０を付加し、回路
厚みを厚くして目的とする回路２を形成する（図７
（ｄ））。金属膜４は電解めっきに可能な程度の導電性
を有するため、このように一般的な電解めっき法を適用
して金属膜４にめっき金属１０を析出させて回路２を形
成することができる。
たい回路パターンの輪郭線に沿って絶縁基板１の表面に
レーザを照射し、このレーザ照射によって金属膜４を部
分的に除去する（図７（ｃ））。レーザ照射の方法や条
件は実施例１と同様に設定することができる。次に、回
路形成部５ａの金属膜４に選択的に電極より通電し、電
解銅めっきを行なうことによって、回路形成部５ａの金
属膜４に１０μｍ厚みでめっき金属１０を付加し、回路
厚みを厚くして目的とする回路２を形成する（図７
（ｄ））。金属膜４は電解めっきに可能な程度の導電性
を有するため、このように一般的な電解めっき法を適用
して金属膜４にめっき金属１０を析出させて回路２を形
成することができる。
【００３７】次に、実施例１と同様に回路基板１の表面
をソフトエッチング（フラッシュエッチング）すること
によって、回路非形成部５ｂの金属膜４をエッチング除
去する（図７（ｅ））。ソフトエッチング液としては実
施例１と同じものを用いることができる。この後、実施
例１と同様にして回路基板１の回路非形成部５ｂの変質
層６をエッチング除去する（図７（ｆ））。このエッチ
ングの際に、上記ソフトエッチングで除去されていない
回路非形成部５ｂに残存する金属膜４を除去することが
できる。変質層６を除去するこのエッチングは、実施例
１と同様に、アルカリ液等を用いた化学的処理で行なう
他に、物理的処理で行なうこともできる。物理的処理と
しては、実施例１と同様に、プラズマやレーザを用いる
方法及び既述の〜の方法などがある。
をソフトエッチング（フラッシュエッチング）すること
によって、回路非形成部５ｂの金属膜４をエッチング除
去する（図７（ｅ））。ソフトエッチング液としては実
施例１と同じものを用いることができる。この後、実施
例１と同様にして回路基板１の回路非形成部５ｂの変質
層６をエッチング除去する（図７（ｆ））。このエッチ
ングの際に、上記ソフトエッチングで除去されていない
回路非形成部５ｂに残存する金属膜４を除去することが
できる。変質層６を除去するこのエッチングは、実施例
１と同様に、アルカリ液等を用いた化学的処理で行なう
他に、物理的処理で行なうこともできる。物理的処理と
しては、実施例１と同様に、プラズマやレーザを用いる
方法及び既述の〜の方法などがある。
【００３８】上記のように化学的にあるいは物理的にエ
ッチングして変質層６及び残存金属膜４を除去した後、
回路２の表面に、１０μｍ厚の電解ニッケルめっきと
０．５μｍ厚の電解金めっきからなる仕上げめっき１３
を施し、所望の回路２を有する回路板Ａを得ることがで
きる（図７（ｇ））。
ッチングして変質層６及び残存金属膜４を除去した後、
回路２の表面に、１０μｍ厚の電解ニッケルめっきと
０．５μｍ厚の電解金めっきからなる仕上げめっき１３
を施し、所望の回路２を有する回路板Ａを得ることがで
きる（図７（ｇ））。
【００３９】
【発明の効果】上記のように本発明は、樹脂製の回路基
板の表面にレーザ照射及びめっきの工程を経て回路形成
をすることによって回路板を製造するにあたって、めっ
きの後に、回路基板の少なくともレーザ照射部分の表面
をエッチングするようにしたので、フォトレジスト等を
用いる必要なくレーザ照射によって回路を高精度に且つ
生産性良く形成することができるのは勿論のこと、レー
ザ照射で変質した変質層をエッチングして除去すること
ができ、変質層によって絶縁信頼性が低下することを防
ぐことができるものであり、しかも変質層を除去するエ
ッチングはこのようにめっきの後におこなわれるため
に、回路を形成するための下地がエッチングの作用を受
けることをめっきで防ぐことができ、回路をダメージな
く形成することができるものである。
板の表面にレーザ照射及びめっきの工程を経て回路形成
をすることによって回路板を製造するにあたって、めっ
きの後に、回路基板の少なくともレーザ照射部分の表面
をエッチングするようにしたので、フォトレジスト等を
用いる必要なくレーザ照射によって回路を高精度に且つ
生産性良く形成することができるのは勿論のこと、レー
ザ照射で変質した変質層をエッチングして除去すること
ができ、変質層によって絶縁信頼性が低下することを防
ぐことができるものであり、しかも変質層を除去するエ
ッチングはこのようにめっきの後におこなわれるため
に、回路を形成するための下地がエッチングの作用を受
けることをめっきで防ぐことができ、回路をダメージな
く形成することができるものである。
【００４０】また請求項２の発明は、回路基板の表面に
触媒核を形成し、レーザ照射して触媒核を部分的に除去
した後、触媒核を残した部分に無電解めっきを行なう工
程を経て回路形成をするようにしたので、回路を形成す
るための下地となる触媒核がエッチングの作用を受ける
ことをめっきで防ぐことができ、回路をダメージなく形
成することができるものである。
触媒核を形成し、レーザ照射して触媒核を部分的に除去
した後、触媒核を残した部分に無電解めっきを行なう工
程を経て回路形成をするようにしたので、回路を形成す
るための下地となる触媒核がエッチングの作用を受ける
ことをめっきで防ぐことができ、回路をダメージなく形
成することができるものである。
【００４１】また請求項３の発明は、回路基板の表面に
金属膜を形成し、レーザ照射して金属膜を部分的に除去
した後、残した金属膜にめっきを行なう工程を経て回路
形成をするようにしたので、回路を形成するための下地
となる金属膜がエッチングの作用を受けることをめっき
で防ぐことができ、回路をダメージなく形成することが
できるものである。
金属膜を形成し、レーザ照射して金属膜を部分的に除去
した後、残した金属膜にめっきを行なう工程を経て回路
形成をするようにしたので、回路を形成するための下地
となる金属膜がエッチングの作用を受けることをめっき
で防ぐことができ、回路をダメージなく形成することが
できるものである。
【００４２】また請求項４の発明は、レーザ照射は回路
形成部あるいは回路非形成部の輪郭線に沿って行なうよ
うにしたので、回路非形成部の全面にレーザ照射をする
場合よりもレーザ照射の面積を小さくすることができ、
レーザの照射の時間を短縮して生産性を高めることがで
きると共にレーザ照射による回路基板の損傷を少なくす
ることができるものである。
形成部あるいは回路非形成部の輪郭線に沿って行なうよ
うにしたので、回路非形成部の全面にレーザ照射をする
場合よりもレーザ照射の面積を小さくすることができ、
レーザの照射の時間を短縮して生産性を高めることがで
きると共にレーザ照射による回路基板の損傷を少なくす
ることができるものである。
【００４３】また請求項５の発明は、レーザ照射してめ
っきを行なった後に、回路形成部のみに選択的に電解め
っきを行なう工程を経て回路形成をするようにしたの
で、無電解めっきで厚い厚みに金属を析出させるには長
時間が必要であるが、電解めっきでは比較的短時間で厚
い厚みに金属を析出させることができ、回路の形成を短
時間で行なうことができるものである。
っきを行なった後に、回路形成部のみに選択的に電解め
っきを行なう工程を経て回路形成をするようにしたの
で、無電解めっきで厚い厚みに金属を析出させるには長
時間が必要であるが、電解めっきでは比較的短時間で厚
い厚みに金属を析出させることができ、回路の形成を短
時間で行なうことができるものである。
【００４４】また請求項６の発明は、回路非形成部の金
属を除去するようにしたので、回路間に金属が存在しな
いようにすることができ、回路間の絶縁信頼性を高める
ことができるものである。
属を除去するようにしたので、回路間に金属が存在しな
いようにすることができ、回路間の絶縁信頼性を高める
ことができるものである。
【図１】請求項２の発明の実施の形態の一例を示すもの
であり、（ａ）〜（ｅ）はそれぞれ各工程の概略図であ
る。
であり、（ａ）〜（ｅ）はそれぞれ各工程の概略図であ
る。
【図２】請求項３の発明の実施の形態の一例を示すもの
であり、（ａ）〜（ｅ）はそれぞれ各工程の概略図であ
る。
であり、（ａ）〜（ｅ）はそれぞれ各工程の概略図であ
る。
【図３】請求項４の発明の実施の形態の一例を示すもの
であり、（ａ）〜（ｅ）はそれぞれ各工程の概略図であ
る。
であり、（ａ）〜（ｅ）はそれぞれ各工程の概略図であ
る。
【図４】請求項５の発明の実施の形態の一例を示すもの
であり、（ａ）〜（ｆ）はそれぞれ各工程の概略図であ
る。
であり、（ａ）〜（ｆ）はそれぞれ各工程の概略図であ
る。
【図５】請求項６の発明の実施の形態の一例を示すもの
であり、（ａ）〜（ｈ）はそれぞれ各工程の概略図であ
る。
であり、（ａ）〜（ｈ）はそれぞれ各工程の概略図であ
る。
【図６】実施例１の工程を示すものであり、（ａ）〜
（ｉ）はそれぞれ概略図である。
（ｉ）はそれぞれ概略図である。
【図７】実施例２の工程を示すものであり、（ａ）〜
（ｇ）はそれぞれ概略図である。
（ｇ）はそれぞれ概略図である。
１ 回路基板 ２ 回路 ３ 触媒核 ４ 金属膜 ５ａ 回路形成部 ５ｂ 回路非形成部 ６ 変質層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 俊之 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 香川 英司 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 武藤 正英 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内
Claims (8)
- 【請求項１】 樹脂製の回路基板の表面にレーザ照射及
びめっきの工程を経て回路形成をすることによって回路
板を製造するにあたって、めっきの後に、回路基板の少
なくともレーザ照射部分の表面をエッチングすることを
特徴とする回路板の製造方法。 - 【請求項２】 回路基板の表面に触媒核を形成し、レー
ザ照射して触媒核を部分的に除去した後、触媒核を残し
た部分に無電解めっきを行なう工程を経て回路形成をす
ることを特徴とする請求項１に記載の回路板の製造方
法。 - 【請求項３】 回路基板の表面に金属膜を形成し、レー
ザ照射して金属膜を部分的に除去した後、残した金属膜
にめっきを行なう工程を経て回路形成をすることを特徴
とする請求項１に記載の回路板の製造方法。 - 【請求項４】 レーザ照射は回路形成部あるいは回路非
形成部の輪郭線に沿って行なうことを特徴とする請求項
１乃至３のいずれかに記載の回路板の製造方法。 - 【請求項５】 レーザ照射してめっきを行なった後に、
回路形成部のみに選択的に電解めっきを行なう工程を経
て回路形成をすることを特徴とする請求項１乃至４のい
ずれかに記載の回路板の製造方法。 - 【請求項６】 回路非形成部の金属を除去することを特
徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の回路板の製
造方法。 - 【請求項７】 エッチングを化学的処理で行なうことを
特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の回路板の
製造方法。 - 【請求項８】 エッチングを物理的処理で行なうことを
特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の回路板の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9010618A JPH10209607A (ja) | 1997-01-23 | 1997-01-23 | 回路板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9010618A JPH10209607A (ja) | 1997-01-23 | 1997-01-23 | 回路板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10209607A true JPH10209607A (ja) | 1998-08-07 |
Family
ID=11755224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9010618A Pending JPH10209607A (ja) | 1997-01-23 | 1997-01-23 | 回路板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10209607A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009081209A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-16 | Panasonic Electric Works Co Ltd | プリント配線板の製造方法 |
| JP2011017069A (ja) * | 2009-07-10 | 2011-01-27 | Sankyo Kasei Co Ltd | 成形回路部品の製造方法 |
| CN102693054A (zh) * | 2011-02-25 | 2012-09-26 | 绿点高新科技股份有限公司 | 触控机壳及其制造方法 |
| CN103477725A (zh) * | 2011-02-25 | 2013-12-25 | 绿点高新科技股份有限公司 | 在非导电性基板表面建立连续导电线路的无害技术 |
| US9474161B2 (en) | 2010-03-12 | 2016-10-18 | Taiwan Green Point Enterprises Co., Ltd. | Circuit substrate having a circuit pattern and method for making the same |
| US9678532B2 (en) | 2010-03-12 | 2017-06-13 | Taiwan Green Point Enterprises Co., Ltd. | Capacitive touch sensitive housing and method for making the same |
| CN108882541A (zh) * | 2018-08-03 | 2018-11-23 | 珠海元盛电子科技股份有限公司 | 一种基于激光反向打印的印刷电路方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0766533A (ja) * | 1993-08-26 | 1995-03-10 | Matsushita Electric Works Ltd | 回路板の製造方法 |
| JPH07150366A (ja) * | 1993-11-25 | 1995-06-13 | Matsushita Electric Works Ltd | 選択めっき方法および回路板の製造方法 |
| JPH07193357A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Polyplastics Co | レーザーによる多面回路パターン形成方法及び回路基板 |
| JPH07212008A (ja) * | 1994-01-25 | 1995-08-11 | Matsushita Electric Works Ltd | 回路板の形成方法 |
-
1997
- 1997-01-23 JP JP9010618A patent/JPH10209607A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0766533A (ja) * | 1993-08-26 | 1995-03-10 | Matsushita Electric Works Ltd | 回路板の製造方法 |
| JPH07150366A (ja) * | 1993-11-25 | 1995-06-13 | Matsushita Electric Works Ltd | 選択めっき方法および回路板の製造方法 |
| JPH07193357A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Polyplastics Co | レーザーによる多面回路パターン形成方法及び回路基板 |
| JPH07212008A (ja) * | 1994-01-25 | 1995-08-11 | Matsushita Electric Works Ltd | 回路板の形成方法 |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009081209A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-16 | Panasonic Electric Works Co Ltd | プリント配線板の製造方法 |
| JP2011017069A (ja) * | 2009-07-10 | 2011-01-27 | Sankyo Kasei Co Ltd | 成形回路部品の製造方法 |
| US9295162B2 (en) | 2010-03-12 | 2016-03-22 | Taiwan Green Point Enterprises Co., Ltd. | Non-deleterious technique for creating continuous conductive circuits upon the surfaces of a non-conductive substrate |
| US9420699B2 (en) | 2010-03-12 | 2016-08-16 | Taiwan Green Point Enterprises Co., Ltd. | Non-deleterious technique for creating continuous conductive circuits upon the surfaces of a non-conductive substrate |
| US9474161B2 (en) | 2010-03-12 | 2016-10-18 | Taiwan Green Point Enterprises Co., Ltd. | Circuit substrate having a circuit pattern and method for making the same |
| US9678532B2 (en) | 2010-03-12 | 2017-06-13 | Taiwan Green Point Enterprises Co., Ltd. | Capacitive touch sensitive housing and method for making the same |
| US9933811B2 (en) | 2010-03-12 | 2018-04-03 | Taiwan Green Point Enterprises Co., Ltd. | Capacitive touch sensitive housing and method for making the same |
| CN102693054A (zh) * | 2011-02-25 | 2012-09-26 | 绿点高新科技股份有限公司 | 触控机壳及其制造方法 |
| CN103477725A (zh) * | 2011-02-25 | 2013-12-25 | 绿点高新科技股份有限公司 | 在非导电性基板表面建立连续导电线路的无害技术 |
| JP2014506737A (ja) * | 2011-02-25 | 2014-03-17 | タイワン グリーン ポイント エンタープライジーズ カンパニー リミテッド | 非導電性基板の表面上に連続導電性回路を作製するための無害技法 |
| CN102693054B (zh) * | 2011-02-25 | 2015-08-19 | 绿点高新科技股份有限公司 | 触控机壳及其制造方法 |
| CN108882541A (zh) * | 2018-08-03 | 2018-11-23 | 珠海元盛电子科技股份有限公司 | 一种基于激光反向打印的印刷电路方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3493703B2 (ja) | 回路板の形成方法 | |
| JP3153682B2 (ja) | 回路板の製造方法 | |
| JP2852896B2 (ja) | 基板表面にパターン化された金属被覆を形成する方法 | |
| US4870751A (en) | Method of manufacturing printed circuit boards | |
| US5891528A (en) | Printed circuit board process using plasma spraying of conductive metal | |
| EP0677985A1 (en) | Method of manufacturing printed circuit boards | |
| JPH02128492A (ja) | 印刷配線板の製造方法 | |
| US4165394A (en) | Method of preparation of a substrate made of plastic material for its subsequent metallization | |
| US4718972A (en) | Method of removing seed particles from circuit board substrate surface | |
| JP3159841B2 (ja) | レーザーによる回路形成方法及び導電回路形成部品 | |
| US5192581A (en) | Protective layer for preventing electroless deposition on a dielectric | |
| JPH10209607A (ja) | 回路板の製造方法 | |
| JP2007180089A (ja) | 回路導体パターンを有する樹脂成形部品の製造方法 | |
| KR20020031178A (ko) | 유전 기층 상의 전도성 패턴의 제조 방법 | |
| JPH035078B2 (ja) | ||
| JPH07231154A (ja) | 立体回路の形成方法 | |
| JP4337313B2 (ja) | 回路板の製造方法 | |
| JPH10168577A (ja) | 成形回路部品などのめっき部品の製法 | |
| JP3645926B2 (ja) | 回路形成方法及び導電回路形成部品 | |
| JP4332795B2 (ja) | 無電解めっき方法 | |
| JPH11214838A (ja) | 回路板の製造方法 | |
| JP3843686B2 (ja) | 回路基板の製造方法 | |
| JP3159840B2 (ja) | 回路形成方法及び導電回路形成部品 | |
| JP3071733B2 (ja) | 多層印刷配線板の製造方法 | |
| JP2002076573A (ja) | プリント基板およびプリント基板の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20031021 |