JPH04127596A - 高周波用配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、高密度配線を有する高周波配線用基板の製造
方法に関するものである。

〈従来の技術〉 高周波用配線基板の製造は、第２図（ｉ）ないしく　ｉ
ｖ　）の製造工程図に示す方法で行われていた。

この製造方法は、第２図（ｉ）に示す如く、基板３１上
にパラジウム（Ｐｄ）等の触媒３２を付与し、さらにレ
ジスト膜３３を形成して、ホトリソグラフィー技術とエ
ツチング技術とにより後述する導体配線を形成する部分
のレジスト膜３３を除去する。前記触媒３２の付与は、
触媒３２で導体膜が形成されない程度に、蒸着法または
湿式法によって行う。

次に、第２図（ｉｉ　）に示す如く、レジスト膜３３を
除去した部分に無電解銅メッキ法により無電解銅を堆積
させた導体配線３４を形成する。

続いて、レジスト膜３３を除去して、第２図（ｉｉｉ　
）に示すように、ポリイミド樹脂の中間誘電体膜３５で
前記配線導体３４を覆う。

続いて、第２図（ｉｖ　）に示す如く、配線導体３４の
表面が露出するまで中間誘電体膜３５の表面を機械的に
研磨する。そして、第１層の配線が終了する。

さらに、多層配線を行う場合には、第１層の配線が終了
した基板を前記基板３１として、上記工程を繰り返す。

〈発明が解決しようとする課題〉 しかしながら、上記製造方法によって、信号の伝播速度
を向上させるために中間誘電体膜をポリテトラフルオロ
エチレン（ＰＴＦＥ）　等のフッ素樹脂で形成した場合
には、フッ素樹脂表面に接着性がないことにより触媒の
密着性が極めて悪くなる。このため、フッ素樹脂表面に
導体配線を形成することが困難なので、中間誘電体膜に
フッ素樹脂を用いることが不可能になる。この結果、中
間誘電体膜が十分に小さい誘電率を有する材料で形成で
きなくなり、高周波信号の伝播速度の向上が図れない。

また、機械的な研磨によって、導体配線を中間誘電体膜
中まり露出させるために、製造工程が複雑になる。

本発明は、上記課題を解決するために成されたもので、
製造が容易で、高周波信号の伝播速度に優れた高周波用
配線基板の製造方法を提供することを目的とする。

く課題を解決するための手段〉 本発明は、上記目的を達成するために成されたものであ
る。

すなわち、基板上に誘電体下地膜を形成して、さらに形
成した誘電体下地膜の表面処理を行って導体下地膜の接
着性を向上させ、その後誘電体下地膜上に導体下地膜を
形成する０次に導体下地膜で配線下地パターンを形成す
る。続いて配線下地パターン側の全面に中間誘電体膜を
形成した後、中間誘電体膜の表面処理を行って導体下地
膜の接着性を向上させる。その後配線下地パターン上の
中間誘電体膜を除去して、無電解メッキ法により、中間
誘電体膜を除去した部分に導体配線を形成する製造方法
である。

〈作用〉 上記した高周波用配線基板の製造方法では、表面処理を
行った誘電体下地膜上に真空成膜法を用いて導体下地膜
を形成したことにより、誘電体下地膜の表面の接着性が
向上するので、誘電体下地膜は低誘電率の材料で形成さ
れる。また、導体下地膜で配線下地パターンを形成し、
その後配線下地パターン側に中間誘電体膜を形成してか
ら中間誘電体膜の表面処理を行うことにより、中間誘電
体膜の表面の接着性が向上するので、中間誘電体膜も低
誘電率の材料で形成される。この結果、中間誘電体膜は
低誘電率を有する材料で形成されるので、高周波信号の
伝播速度は高まる。

さらに配線下地パターン上の中間誘電体膜を除去し、そ
の後無電解メッキ法により導体配線を形成したことによ
り、導体配線の表面は平面に形成される。

〈実施例〉 本発明の実施例を第１図■ないし■に示す製造工程図に
より説明する。

第１図■に示す如く、基板１１上に誘電体下地膜１２を
形成する。この誘電体下地膜１２にはフッ素樹脂または
ポリイミド樹脂等の低誘電率を有する樹脂を用いる。ま
た、誘電体下地膜１２の形成には、誘電体下地膜１２に
なる樹脂を基板１１上に塗布して熱硬化させる。または
誘電体下地膜１２になる樹脂のフィルムを基板１１に貼
り付ける。

その後、誘電体下地膜１２の表面処理を行って、後述す
る導体下地膜の密着性を良くする。この表面処理の方法
には、エツチングによって表面を粗化する方法またはプ
ラズマ処理によって表面の化学的性質を変える方法があ
る。

そして、真空成膜法によって、誘電体下地膜１２上に無
電解銅メッキの触媒になる金属、例えば！Ｍ（Ｃｕ）の
導体下地膜１３を形成する。真空成膜法には、真空蒸着
法またはスパッタ法等を用いる。また、誘電体下地膜１
２と導体下地膜１３との密着性が良（ない場合には、誘
電体下地膜１２上に誘電体下地膜１２との密着性に優れ
た金属膜、例えばクロム（Ｃｒ）膜またはチタニウム（
Ｔｉ）膜を形成してから導体下地膜１３を形成する。

次に、導体下地膜１３上にレジスト膜を形成する。その
後第１図■に示すように、ホトリソグラフィー技術によ
りレジスト膜でレジストパターン１４を形成し、このレ
ジストパターン１４をエツチングマスクにして導体下地
膜（１３）のエツチングを行う。そして、配線下地パタ
ーン１５を形成する。

その後第１図■に示す如く、配線下地パターン１５例の
全面に中間誘電体膜１６を形成する。この中間誘電体膜
１６は、前記下地誘電体膜１２と同様の方法により形成
する。そして、この中間誘電体膜１６の表面処理を前記
誘電体下地膜１２の表面処理と同様の方法により行う。

次に、中間誘電体膜１６の表面にレジスト膜を形成し、
第１図■に示すように、ホトリソグラフィー技術により
配線下地パターン１５上のレジスト膜を除去して、レジ
ストパターン１７を形成する。その後、レジストパター
ン１７をエツチングマスクにし、アンダーカットを防止
するために異方性エツチング技術を用いて、配線下地パ
ターン１５上の中間誘電体膜１６（２点鎖線部）を除去
する。

そして第１図■に示す如く、前記中間誘電体膜１６を除
去した部分に、無電解銅メッキ法により配線下地パター
ン１５上に銅を析出させて導体配線１−８を形成する。

この析出表面は平面になり、銅の析出は中間誘電体膜１
６の表面と同一平面を形成する高さまで行う。

このように、無電解メッキ法によって導体配線１８の表
面は平面に形成されるので、従来の製造方法のように機
械的な研磨によって導体配線１８の上面を中間誘電体膜
１６より露出させる工程を行う必要がない。

以上のようにして、基板１１上に第１層目の配線が形成
される。

さらに多層配線を行う場合には、前記第１図■で説明し
た工程が終了した後に、中間誘電体膜１６と導体配線１
８との上面に前述したと同様の導体下地膜を形成する。

そして、前記第１図■で説明した工程より前記第１図■
で説明した工程まで順に行うことにより、第２Ｎ目の配
線を形成する。

第３Ｎ目以降の配線を形成するには、第２Ｊ！目の配線
を形成した工程を繰り返せばよい。

〈発明の効果〉 以上、説明したように本発明の製造方法によれば、表面
処理を行った誘電体下地股上に真空成膜法によって導体
下地膜を形成し、さらに、導体下地膜で配線下地パター
ンを形成し、その後配線下地パターン側に中間誘電体膜
を形成してから中間誘電体膜の表面処理を行ったので、
導体下地膜または中間誘電体膜と導体配線との接着性が
良くなる。この結果、導体下地膜と中間誘電体膜とは低
誘電率材料で形成できるので、高周波信号の伝播速度の
向上が図れる。

また、無電解めっき法により導体配線を形成したので、
導体配線の上面が平面で形成されるために機械的研磨工
程が省略できる。この結果、配線基板の製造が容易にな
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は、実施例の製造工程図、 第２図は、従来例の製造工程図である。 １１・・・配線基板、　　１２・・・誘電体下地膜。 １３・・・導体下地膜、　　１５・・・導体下地パター
ン。 １６・・・中間誘電体膜、　　１８・・・導体配線。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 基板上に誘電体下地膜を形成し、その後前記誘電体下地
   膜の表面処理を行い、続いて真空成膜法により前記誘電
   体下地膜上に導体下地膜を形成する工程と、 前記導体下地膜で配線下地パターンを形成する工程と、 前記配線下地パターン側の全面に中間誘電体膜を形成し
   、その後前記中間誘電体膜の表面処理を行う工程と、 前記配線下地パターン上の前記中間誘電体膜を除去する
   工程と、 前記中間誘電体膜を除去した部分に無電解メッキ法によ
   り導体配線を形成する工程とにより構成されたことを特
   徴とする高周波用配線基板の製造方法。