JPH06302988A

JPH06302988A - 電磁波遮蔽体

Info

Publication number: JPH06302988A
Application number: JP9034493A
Authority: JP
Inventors: Yuji Yamamoto; 裕司山本
Original assignee: Nippon Sheet Glass Co Ltd
Current assignee: Nippon Sheet Glass Co Ltd
Priority date: 1993-04-19
Filing date: 1993-04-19
Publication date: 1994-10-28

Abstract

(57)【要約】【目的】優れた電磁波遮蔽性能と透明性を有し、低コ
ストにて製造可能な電磁波遮蔽体を提供する。【構成】一対の透明基板間に中間膜が挟持された電磁
波遮蔽体であって、対向する透明基板上の少なくとも一
方にフッ素ドープ酸化錫膜が被着されてなる電磁波遮蔽
体である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、合わせ構造を有する電
磁波遮蔽体に関するものである。この電磁波遮蔽体は、
優れた耐久性及び透明性を有しており、例えば建築用の
窓ガラス等として有用である。

【０００２】

【従来の技術】現在市販されている電磁波遮蔽ガラスに
は、銀（Ａｇ）膜を使用した複層型や導電性メッシュを
使用した合わせ型等がある。銀膜を使用した電磁波遮蔽
ガラスは、銀膜の耐久性が悪いために複層ガラス構造に
する必要があり、サッシの厚みが厚くなるため通常のサ
ッシが使用できず、高価となる欠点がある。また導電性
メッシュを使用した電磁波遮蔽ガラスは、メッシュのた
めに透視性の点でやや難点がある。

【０００３】そこで近年、ガラス基板上に透明導電膜
（錫を含む酸化インジウム、フッ素又はアルミニウムを
含む酸化錫、フッ素又はアルミニウムを含む酸化亜
鉛）、その上に保護膜（クロムとホウ素を含む窒化膜）
を形成した透明導電ガラスが開発されている（特開平２
−２１７３３９号公報参照）。あるいは、透明基体上に
チタン、ジルコニウム、ハフニウムの窒化物、ホウ窒化
物、炭化物、ホウ炭化物の導電性膜を有する層を形成し
た電磁波遮蔽体等も提案されている（特開平４−５８５
９８号公報参照）。これらは単板使用が可能であり、熱
線反射性能も優れている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、前者の透明導
電ガラスは、最低限の電磁波遮蔽性能を発現させるため
には、どうしても厚さ数千Ａ以上の透明導電膜を形成す
る必要がある。ところが、このような厚さ数千Ａ以上の
透明導電膜を形成することは成膜コストが高くなる欠点
があり、また特殊な高速成膜設備を必要とする問題があ
る。更に後者の電磁波遮蔽体は、膜厚を薄くできるもの
の、開示されているような導電性膜では２０ｄＢ程度の
電磁波遮蔽性能しか得られない。

【０００５】ところで、近年フロートガラスのオンライ
ン製造設備において、熱分解法によりフッ素ドープ酸化
錫（ＳｎＯ₂：Ｆ）膜を形成したガラスが製造されるよ
うになった。前記フッ素ドープ酸化錫膜は、銀膜に比較
して優れた耐久性を有しており、例えばガラス上に厚さ
１５００〜２５００Ａ程度の膜を形成した場合、１５〜
２０Ω／□の表面抵抗値が得られ、またヘーズ値も３以
下で透明性が良好である。

【０００６】電磁波遮蔽ガラスとしての遮蔽性能を発現
させるためには、ガラス上に形成されるフッ素ドープ酸
化錫膜が表面抵抗値１０Ω／□以下の膜であることが必
要であり、この表面抵抗値を有する膜を得るためには、
フッ素ドープ酸化錫膜の膜厚を数千程度に形成すれば
良い。

【０００７】ところが、膜厚を増すにつれて前記フッ素
ドープ酸化錫膜の結晶粒が大きくなり、膜表面が粗面化
されていく。このため、数千Ａ程度の膜厚ではヘーズ値
が大きくて曇ったものとなり、著しく美観を損なうため
に建築用の窓ガラスとしては不適であった。

【０００８】本発明の目的は、前記低抵抗値を有する膜
を形成した透明基板を有効利用して、電磁波遮蔽体の本
来の重要な機能を確実に発揮させながら透明性向上を図
り、しかも低コストで製造できる合わせ構造の電磁波遮
蔽体を提供することである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、一対の透明基
板間に中間膜が挟持された電磁波遮蔽体であって、該対
向する透明基板上の少なくとも一方にフッ素ドープ酸化
錫膜が被着されていることを特徴とする電磁波遮蔽体で
ある。本発明において、前記フッ素ドープ酸化錫膜の表
面抵抗値は、８〜１２Ω／□の範囲であることが好まし
い。また、前記透明基板上に形成されるフッ素ドープ酸
化錫膜は、その厚さが４０００〜５０００Ａ程度である
ことが好ましい。

【００１０】また本発明は、前述の電磁波遮蔽体と、金
属酸化物膜の被着された別の透明基板とが、中間膜を介
して積層されている電磁波遮蔽体であってもよい。

【００１１】さらに、前述の電磁波遮蔽体と、該電磁波
遮蔽体との対向面に金属膜、窒化物膜または酸化物膜か
らなる１層または２層以上の膜が被着された別の透明基
板とが、中間膜を介して積層されている電磁波遮蔽体で
あってもよい。

【００１２】本発明に係る透明基板としては、特に限定
されるものではないが、透明フロートガラス板等のガラ
ス基板が好ましい。

【００１３】前記中間膜についても特に限定はなく、例
えばポリビニルブチラール（ＰＶＢ）、エチレン酢酸ビ
ニル系の樹脂膜等が用いられ、フッ素ドープ酸化錫膜を
被着させて透明基板を一体的に結合する機能、及び透明
基板の損傷時の飛散防止機能とを有している。

【００１４】前記金属酸化物膜としては、例えば錫やチ
タニウム、クロム等の酸化物膜を用いることができ、そ
の膜厚として３００〜８００Ａの範囲が好ましく、とり
わけ４００〜６００Ａの範囲であることが望ましい。ま
た、前記金属膜としては例えばクロムやステンレス、タ
ンタル等、前記窒化物としては例えばチタンや、クロ
ム、タンタル等の窒化物膜、前記酸化物としては例えば
チタンや錫、ジルコニウム、タンタル等の酸化物膜を用
いることができ、これらの群から１種または２種以上を
選択して１層または２層以上の膜を形成することができ
る。その膜厚は、単層及び複数層のいずれの場合も全体
として２００〜１０００Ａの範囲にあることが好まし
い。

【００１５】

【作用】透明基板上に形成されたフッ素ドープ酸化錫膜
は、優れた耐久性能を有する。しかし、高い遮蔽性能を
得るには膜厚を厚くすることが必要であり、ヘーズ値が
大きくなって透明性が損なわれる。

【００１６】本発明のように、少なくとも一方の面にフ
ッ素ドープ酸化錫膜を被着した２枚の透明基板を中間膜
を介して合わせ構造とすることにより、電磁波遮蔽体と
しての機能を発揮するとともに、中間膜との接着により
中間膜が変形してフッ素ドープ酸化錫膜表面の凹凸を埋
め、さらに中間膜とフッ素ドープ酸化錫膜との屈折率の
差が比較的小さいため、ヘーズ値が小さくなり透明性向
上を図ることが可能である。特に、フッ素ドープ酸化錫
膜の表面抵抗値が８〜１２Ω／□の範囲となるよう構成
すれば、電磁波遮蔽体としてより優れた機能を発揮す
る。

【００１７】また、この電磁波遮蔽体と金属酸化物膜、
金属膜、窒化物膜または酸化物膜の被着された透明基板
を組み合わせた構成としたため、さらに熱線反射性能も
付与することが可能である。

【００１８】

【実施例】以下に、本発明を実施例に基づいて説明す
る。図２は、本発明の電磁波遮蔽体の断面図であり、一
対の透明ガラス基板１０、１０の対向面上に各々フッ素
ドープ酸化錫膜１２、１２が被着され、ＰＶＢ膜１４を
介して積層されている。

【００１９】（実施例１）フロート板ガラスの製造ライ
ンにおいて、熱分解法により透明ガラス基板１０（厚さ
３ｍｍ）の表面に厚さ５０００Ａのフッ素ドープ酸化錫
膜１２を成膜した。成膜された前記フッ素ドープ酸化錫
膜１２の表面抵抗値は、１０Ω／□であった。また、フ
ッ素ドープ酸化錫膜１２の成膜された透明ガラス基板１
０のヘーズ値を測定したところ５．４であった。

【００２０】一対の透明ガラス基板１０、１０を、フッ
素ドープ酸化錫膜１２、１２側を対向させて、ＰＶＢ膜
１４を介して貼り合わせ、オートクレープ中で加熱圧着
して、電磁波遮蔽体３０を得た。

【００２１】この電磁波遮蔽体３０の平面波の電磁波遮
蔽効果の測定結果を、図３に示す。測定は、ＭＩＬ−Ｓ
ＴＤ−２８５法により行った。この結果から、電磁波遮
蔽体３０は周波数１００〜１０００ＭＨｚで２９．０〜
３５．０ｄＢの電磁波遮蔽効果を有することが分かっ
た。

【００２２】また、電磁波遮蔽体３０のヘーズ値を測定
したところ２．４であった。前記透明ガラス基板１０の
ヘーズ値５．４に比較して大幅に小さくなっており、透
明性の向上したことが確認された。

【００２３】（実施例２）本発明に係る電磁波遮蔽体の
他の実施例を図４に示す。実施例１で用いた設備によ
り、透明ガラス基板１０の表面に厚さ４５００Ａのフッ
素ドープ酸化錫膜１２を成膜した。次に、前記フッ素ド
ープ酸化錫膜１２、１２側を対向させた一対の透明ガラ
ス基板１０、１０と、厚さ５００Ａの酸化チタン膜１８
を成膜した透明ガラス基板１６とを、各々ＰＶＢ膜を介
して貼り合わせ、加熱圧着して合わせガラス構造とし、
電磁波遮蔽体４０を得た。

【００２４】この電磁波遮蔽体４０の電磁波遮蔽効果を
測定したところ、図３に示す実施例１とほぼ同様の結果
が得られた。また、電磁波遮蔽体４０のヘーズ値は２．
５でった。これは、前記透明ガラス基板１０のフッ素ド
ープ酸化錫膜１２を形成した状態のヘーズ値５．４に比
較して大幅に小さくなっており、透明性が向上したこと
が確認された。

【００２５】なお、本実施例では酸化チタン膜１８を電
磁波遮蔽体４０の最外面に形成したが、透明ガラス基板
１６の内側面に形成してもよい。

【００２６】（実施例３）図５に、本発明に係る電磁波
遮蔽体のさらに他の実施例を示す。まず、透明ガラス基
板１６の表面上に厚さ３００Ａの窒化チタン膜２０をス
パッタリング法により成膜した。そして、前記透明ガラ
ス基板１６の窒化チタン膜２２と実施例１で得た電磁波
遮蔽体３０とを対向させ、ＰＶＢ膜１４を介して貼り合
わせ、加熱圧着して電磁波遮蔽体５０を得た。

【００２７】この電磁波遮蔽体５０の電磁波遮蔽効果を
測定したところ、図３に示す実施例１とほぼ同様の結果
が得られた。また、電磁波遮蔽体５０のヘーズ値は２．
６であった。これは、前記透明ガラス基板１０のフッ素
ドープ酸化錫膜１２を形成した状態のヘーズ値５．４に
比較して大幅に小さくなっており、実施例２と同様に透
明性が向上したことが確認された。

【００２８】なお、本実施例では透明ガラス基板１６の
表面上に形成される窒化物膜として窒化チタン膜の１層
のみの構成としたが、複数層を形成してもよい。

【００２９】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明は一対の透
明基板の対向面に各々表面抵抗値８〜１２Ω／□のフッ
素ドープ酸化錫膜が被着されており、中間膜を介して積
層された合わせ構造であるため、優れた電磁波遮蔽性能
と透明性を呈する。しかも、この性能を発現させるに
は、通常のフロートガラスのオンライン製造設備を用い
て熱分解法により製造することができるため、製造が容
易で特別の成膜設備を必要とせず、製造コストを低減で
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る電磁波遮蔽体の一部断面図

【図２】本発明に係る電磁波遮蔽体の一実施例を示す断
面図

【図３】図２に示す電磁波遮蔽体の平面波の電磁波遮蔽
効果を示すグラフ

【図４】本発明に係る電磁波遮蔽体の他の実施例を示す
断面図

【図５】本発明に係る電磁波遮蔽体の他の実施例を示す
断面図

【符号の説明】

１０透明ガラス基板１２フッ素ドープ酸化錫膜１４ＰＶＢ膜１６透明ガラス基板１８金属酸化物膜２０ＰＶＢ膜２２窒化チタン膜３０、４０、５０電磁波遮蔽体

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一対の透明基板間に中間膜が挟持された
電磁波遮蔽体であって、該対向する透明基板上の少なく
とも一方にフッ素ドープ酸化錫膜が被着されていること
を特徴とする電磁波遮蔽体。
【請求項２】前記フッ素ドープ酸化錫膜の表面抵抗値
が８〜１２Ω／□の範囲である請求項１に記載の電磁波
遮蔽体。
【請求項３】請求項１又は２に記載の電磁波遮蔽体
と、金属酸化物膜の被着された別の透明基板とが、中間
膜を介して積層されていることを特徴とする電磁波遮蔽
体。
【請求項４】請求項１又は２に記載の電磁波遮蔽体
と、該電磁波遮蔽体との対向面に金属膜、窒化物膜また
は酸化物膜からなる１層または２層以上の膜が被着され
た別の透明基板とが、中間膜を介して積層されているこ
とを特徴とする電磁波遮蔽体。