JPH0630322B2 - コンデンサアレイ - Google Patents
コンデンサアレイInfo
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- JPH0630322B2 JPH0630322B2 JP63011577A JP1157788A JPH0630322B2 JP H0630322 B2 JPH0630322 B2 JP H0630322B2 JP 63011577 A JP63011577 A JP 63011577A JP 1157788 A JP1157788 A JP 1157788A JP H0630322 B2 JPH0630322 B2 JP H0630322B2
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- Japan
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- electrodes
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- capacitor electrodes
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、１つの誘電体基板に複数のコンデンサを構成
してなるコンデンサアレイに関し、特に隣接するコンデ
ンサ電極の間隔を浮遊容量を増大させることなく狭める
ことにより、部品の小型化，コスト低減を実現できるよ
うにしたコンデンサアレイの構造に関する。
してなるコンデンサアレイに関し、特に隣接するコンデ
ンサ電極の間隔を浮遊容量を増大させることなく狭める
ことにより、部品の小型化，コスト低減を実現できるよ
うにしたコンデンサアレイの構造に関する。
従来から、コンデンサは、抵抗やコイル等と組み合わせ
て、電子回路のなかで基本的な機能を果たす部品として
多用されている。このようなコンデンサの一例として、
従来、第４図に示すコンデンサアレイがある。このコン
デンサアレイ１は、セラミックス製誘電体基板２の上面
に所定間隔をあけて３個の第１コンデンサ電極３を形成
し、上記誘電体基板２の下面の略全面に上記第１コンデ
ンサ電極３と該基板２を挟んで対向する共通電極として
の第２コンデンサ電極４を形成するとともに、上記それ
ぞれの第１，第２コンデンサ電極３，４にリード端子５
を半田付け接続して構成されている。これにより１つの
部品素子内に３個のコンデンサが構成されている。
て、電子回路のなかで基本的な機能を果たす部品として
多用されている。このようなコンデンサの一例として、
従来、第４図に示すコンデンサアレイがある。このコン
デンサアレイ１は、セラミックス製誘電体基板２の上面
に所定間隔をあけて３個の第１コンデンサ電極３を形成
し、上記誘電体基板２の下面の略全面に上記第１コンデ
ンサ電極３と該基板２を挟んで対向する共通電極として
の第２コンデンサ電極４を形成するとともに、上記それ
ぞれの第１，第２コンデンサ電極３，４にリード端子５
を半田付け接続して構成されている。これにより１つの
部品素子内に３個のコンデンサが構成されている。
また、上記コンデンサアレイ１は、誘電体基板２上に複
数のコンデンサ電極３を並列させることから、できるだ
け該電極３間の距離ｌを接近させることにより誘電体基
板２の面積を小さくして、部品の小型化の要請に応える
ようにしている。
数のコンデンサ電極３を並列させることから、できるだ
け該電極３間の距離ｌを接近させることにより誘電体基
板２の面積を小さくして、部品の小型化の要請に応える
ようにしている。
しかしながら、上記従来のコンデンサアレイ１において
は、一般的に静電容量を大きくするために、上記誘電体
基板２に高い誘電率のＢａＴｉＯ３系セラミックスを採
用している。そのため上記隣合うコンデンサ電極３，３
間が高誘電率の物質で充填された構造となることから、
上記コンデンサ電極３間の距離ｌが近づくほど該電極３
間の浮遊容量Ｃが増大し、その結果コンデンサ同士を交
流的に分離できなくなるという問題点がある。即ち、上
記コンデンサアレイ１の理想の等価回路（第５図(a)参
照）に対して、実際の等価回路（第５図(b)参照）には
余分の浮遊容量Ｃが存在していることになり、特性に悪
影響を与える場合がある。従って、上記コンデンサ同士
の分離をはかるために上記浮遊容量Ｃの発生を抑えられ
る距離ｌを確保する必要があることから、それだけ上記
誘電体基板２の面積が大きくなり、結局、部品の小型化
の要請に十分応えられていない。また、上記誘電体基板
は面積が増大した分割れやすくなるとともに、部品コス
トが上昇するという問題点もある。
は、一般的に静電容量を大きくするために、上記誘電体
基板２に高い誘電率のＢａＴｉＯ３系セラミックスを採
用している。そのため上記隣合うコンデンサ電極３，３
間が高誘電率の物質で充填された構造となることから、
上記コンデンサ電極３間の距離ｌが近づくほど該電極３
間の浮遊容量Ｃが増大し、その結果コンデンサ同士を交
流的に分離できなくなるという問題点がある。即ち、上
記コンデンサアレイ１の理想の等価回路（第５図(a)参
照）に対して、実際の等価回路（第５図(b)参照）には
余分の浮遊容量Ｃが存在していることになり、特性に悪
影響を与える場合がある。従って、上記コンデンサ同士
の分離をはかるために上記浮遊容量Ｃの発生を抑えられ
る距離ｌを確保する必要があることから、それだけ上記
誘電体基板２の面積が大きくなり、結局、部品の小型化
の要請に十分応えられていない。また、上記誘電体基板
は面積が増大した分割れやすくなるとともに、部品コス
トが上昇するという問題点もある。
本発明の目的は、上記浮遊容量を増大させることなくコ
ンデンサ電極を近接して配置でき、ひいては部品の小型
化を実現できるとともに、部品コストを低減できるコン
デンサアレイを提供することにある。
ンデンサ電極を近接して配置でき、ひいては部品の小型
化を実現できるとともに、部品コストを低減できるコン
デンサアレイを提供することにある。
そこで本発明は、セラミスク製誘電体基板の表面に所定
の間隔をあけて複数の第１コンデンサ電極が、裏面に上
記第１コンデンサ電極と上記基板を挟んで対向する第２
コンデンサ電極がそれぞれ形成されたコンデンサアレイ
において、上記誘電体基板の上記隣合う第１コンデンサ
電極の間の部分に、還元性雰囲気中でレーザー照射する
ことにより、誘電体基板を溶融させてなる空隙部と、誘
電体基板中の導電性金属を溶融析出させてなり、上記空
隙部を充填する導電体とを同時に形成し、該導電体が上
記第２コンデンサ電極に接続されていることを特徴とし
ている。ここで上記レーザー照射によって、例えば基板
のＢａＴｉＯ３が金属Ｂａ，Ｔｉになり、これが導電体
となるものである。
の間隔をあけて複数の第１コンデンサ電極が、裏面に上
記第１コンデンサ電極と上記基板を挟んで対向する第２
コンデンサ電極がそれぞれ形成されたコンデンサアレイ
において、上記誘電体基板の上記隣合う第１コンデンサ
電極の間の部分に、還元性雰囲気中でレーザー照射する
ことにより、誘電体基板を溶融させてなる空隙部と、誘
電体基板中の導電性金属を溶融析出させてなり、上記空
隙部を充填する導電体とを同時に形成し、該導電体が上
記第２コンデンサ電極に接続されていることを特徴とし
ている。ここで上記レーザー照射によって、例えば基板
のＢａＴｉＯ３が金属Ｂａ，Ｔｉになり、これが導電体
となるものである。
本発明に係るコンデンサアレイによれば、隣合う第１コ
ンデンサ電極間の誘電体基板に形成された空隙部内に、
導電体を第２コンデンサ電極に接続されるよう形成した
ので、上記隣合う第１コンデンサ電極間に、容量結合を
遮断するシールドが形成されることになり、その結果上
記コンデンサ電極同士を近接させても浮遊容量の増大を
回避でき、コンデンサ同士の分離ができる。従って、従
来のものよりコンデンサ電極間の距離を狭めることがで
きる分、誘電体基板の面積を小さくでき、ひいては部品
の小型化を実現できるとともに、割れの発生を回避で
き、しかも部品コストを低減できる。
ンデンサ電極間の誘電体基板に形成された空隙部内に、
導電体を第２コンデンサ電極に接続されるよう形成した
ので、上記隣合う第１コンデンサ電極間に、容量結合を
遮断するシールドが形成されることになり、その結果上
記コンデンサ電極同士を近接させても浮遊容量の増大を
回避でき、コンデンサ同士の分離ができる。従って、従
来のものよりコンデンサ電極間の距離を狭めることがで
きる分、誘電体基板の面積を小さくでき、ひいては部品
の小型化を実現できるとともに、割れの発生を回避で
き、しかも部品コストを低減できる。
また、誘電体基板の第１コンデンサ電極間部分に、還元
性雰囲気中でレーザーを照射し、誘電体基板を溶融させ
るとともに、誘電体基板中の導体金属を析出させるよう
にしたので、誘電体基板の第１コンデンサ電極間部分
に、空隙部と導電体とからなる容量結合遮断シールドを
容易確実に形成できる。
性雰囲気中でレーザーを照射し、誘電体基板を溶融させ
るとともに、誘電体基板中の導体金属を析出させるよう
にしたので、誘電体基板の第１コンデンサ電極間部分
に、空隙部と導電体とからなる容量結合遮断シールドを
容易確実に形成できる。
以下、本発明の実施例について説明する。
第１図は本発明の一実施例によるコンデンサアレイを説
明するための図であり、図中、第４図と同一符号は同一
又は相当部分を示す。
明するための図であり、図中、第４図と同一符号は同一
又は相当部分を示す。
本実施例のコンデンサアレイ１は、例えばＢａＴｉＯ３
系セラミックスを主成分とする誘電体基板２の上面，下
面に、それぞれＡｇ厚膜ペースト等をスクリーン印刷し
て複数の第１コンデンサ電極３，共通電極としての第２
コンデンサ電極４を形成するとともに、これらの第１，
第２コンデンサ電極３，４にリード端子（図示せず）を
半田付け接続して構成されており、基本的構造は従来と
同様である。なお、必要により、前記誘電体基板２の外
表面を絶縁性樹脂により被覆してもよい。
系セラミックスを主成分とする誘電体基板２の上面，下
面に、それぞれＡｇ厚膜ペースト等をスクリーン印刷し
て複数の第１コンデンサ電極３，共通電極としての第２
コンデンサ電極４を形成するとともに、これらの第１，
第２コンデンサ電極３，４にリード端子（図示せず）を
半田付け接続して構成されており、基本的構造は従来と
同様である。なお、必要により、前記誘電体基板２の外
表面を絶縁性樹脂により被覆してもよい。
そして、本実施例の上記隣合う第１コンデンサ電極３の
間には空隙部６が形成されている。この空隙部６は、上
記誘電体基板２に、幅方向に延びる第１コンデンサ電極
３の縁部３ａに沿って等間隔ごとに形成されたミシン目
状の孔部７により構成されており、該孔部７は上記基板
２を貫通して形成されている。また、上記孔部７内に
は、導電体としての電極１２が形成されており、該電極
１２は上記第２コンデンサ電極４に接続されている。上
記孔部７は還元性雰囲気中でレーザーを照射することに
よって誘電体基板２を溶融させてなるものであり、また
上記電極１２は上記レーザーの照射によってＢａ，Ｔｉ
を析出させてなるものである。
間には空隙部６が形成されている。この空隙部６は、上
記誘電体基板２に、幅方向に延びる第１コンデンサ電極
３の縁部３ａに沿って等間隔ごとに形成されたミシン目
状の孔部７により構成されており、該孔部７は上記基板
２を貫通して形成されている。また、上記孔部７内に
は、導電体としての電極１２が形成されており、該電極
１２は上記第２コンデンサ電極４に接続されている。上
記孔部７は還元性雰囲気中でレーザーを照射することに
よって誘電体基板２を溶融させてなるものであり、また
上記電極１２は上記レーザーの照射によってＢａ，Ｔｉ
を析出させてなるものである。
次に本実施例の作用効果について説明する。
本実施例のコンデンサアレイ１によれば、隣接する第１
コンデンサ電極３間の誘電体基板２に、複数の孔部７に
より空隙部６を構成し、該空隙部６内に第２コンデンサ
電極４に接続された電極１２を形成したので、上記各孔
部７内の電極１２によって、上記隣合うコンデンサ電極
３同士の容量結合がシールドされることとなり、その結
果浮遊容量を減少できるから、上記コンデンサ電極３同
士を近接させても浮遊容量の増大を抑制でき、コンデン
サ同士を分離してチャンネルセパレーションを良好にで
きる。従って、従来のものよりコンデンサ電極間の距離
を狭めることができる分、誘電体基板２の面積を小さく
できるから、ひいては部品の小型化の要請に応じられる
とともに、部品コストを低減できる。しかもこの場合、
上記第１，第２コンデンサ電極３，４間では、高誘電率
の誘電体基板２により大きな静電容量が確保されてお
り、コンデンサ機能を損なうことはない。
コンデンサ電極３間の誘電体基板２に、複数の孔部７に
より空隙部６を構成し、該空隙部６内に第２コンデンサ
電極４に接続された電極１２を形成したので、上記各孔
部７内の電極１２によって、上記隣合うコンデンサ電極
３同士の容量結合がシールドされることとなり、その結
果浮遊容量を減少できるから、上記コンデンサ電極３同
士を近接させても浮遊容量の増大を抑制でき、コンデン
サ同士を分離してチャンネルセパレーションを良好にで
きる。従って、従来のものよりコンデンサ電極間の距離
を狭めることができる分、誘電体基板２の面積を小さく
できるから、ひいては部品の小型化の要請に応じられる
とともに、部品コストを低減できる。しかもこの場合、
上記第１，第２コンデンサ電極３，４間では、高誘電率
の誘電体基板２により大きな静電容量が確保されてお
り、コンデンサ機能を損なうことはない。
第２図は上記実施例の変形例を示し、これは上記誘電体
基板２の第２コンデンサ電極４側に、還元性雰囲気での
レーザー照射によって、幅方向に延びる溝部８を形成し
て上記空隙部６を構成するとともに、該空隙部６内に第
２コンデンサ電極４に接続されるよう電極１３を形成し
た例である。この場合においても、隣合うコンデンサ電
極３間をシールドできるので、上記実施例と同様の効果
が得られるとともに、上記孔部７に比べ折れ損に対する
強度を向上できる効果がある。
基板２の第２コンデンサ電極４側に、還元性雰囲気での
レーザー照射によって、幅方向に延びる溝部８を形成し
て上記空隙部６を構成するとともに、該空隙部６内に第
２コンデンサ電極４に接続されるよう電極１３を形成し
た例である。この場合においても、隣合うコンデンサ電
極３間をシールドできるので、上記実施例と同様の効果
が得られるとともに、上記孔部７に比べ折れ損に対する
強度を向上できる効果がある。
また、第３図は上記実施例の他の変形例を示し、これ
は、例えばＮ２，Ｎ２等の還元性雰囲気中において、レ
ーザー１０を照射することにより、誘電体基板２に幅方
向に延びる切り欠き部９を溶融形成すると同時に金属Ｂ
ａ，Ｔｉの導電体１１を析出させたものである。
は、例えばＮ２，Ｎ２等の還元性雰囲気中において、レ
ーザー１０を照射することにより、誘電体基板２に幅方
向に延びる切り欠き部９を溶融形成すると同時に金属Ｂ
ａ，Ｔｉの導電体１１を析出させたものである。
この例においても、上記第１コンデンサ電極３間にシー
ルドが設けられ、これにより、浮遊容量の増大を防止で
き、上記実施例と同様の効果が得られる。この場合、上
記レーザー１０による照射は、誘電体基板２上に第１コ
ンデンサ電極３を形成した後、また該電極３を形成する
前のどちらでもよい。
ルドが設けられ、これにより、浮遊容量の増大を防止で
き、上記実施例と同様の効果が得られる。この場合、上
記レーザー１０による照射は、誘電体基板２上に第１コ
ンデンサ電極３を形成した後、また該電極３を形成する
前のどちらでもよい。
また、上記照射する際に、導電体１１が析出しやすいよ
うに、誘電体基板２に、あらかじめ添加物を塗布しても
よい。さらに、上記切り欠き部９にかえて、ミシン目状
の孔部としてもよい。さらにまた、上記レーザー１０は
上記誘電体基板２の裏面側から照射してもよく、この場
合は上記基板２の途中までの深さにすることにより溝部
を形成できる。
うに、誘電体基板２に、あらかじめ添加物を塗布しても
よい。さらに、上記切り欠き部９にかえて、ミシン目状
の孔部としてもよい。さらにまた、上記レーザー１０は
上記誘電体基板２の裏面側から照射してもよく、この場
合は上記基板２の途中までの深さにすることにより溝部
を形成できる。
なお、上記実施例では、ＢａＴｉＯ３からなる誘電体基
板を例にとって説明したが、本発明は勿論、ＳｒＴｉＯ
３を主成分とするもの等他のセラミックス製基板にも採
用できる。
板を例にとって説明したが、本発明は勿論、ＳｒＴｉＯ
３を主成分とするもの等他のセラミックス製基板にも採
用できる。
以上のように本発明に係るコンデンサアレイによれば、
隣合う第１コンデンサ電極間に形成された空隙部内に、
第２コンデンサ電極に接続された導電体を形成したの
で、該導電体のシールド効果により、隣接するコンデン
サ電極間の浮遊容量の増大を防止できるから該電極間を
狭めることができ、ひいては部品の小型化を実現できる
とともに、部品コストを低減できる効果がある。また上
記空隙部，導電体をレーザー照射によって同時に形成し
たので、この空隙部，導電体の形成が容易である。
隣合う第１コンデンサ電極間に形成された空隙部内に、
第２コンデンサ電極に接続された導電体を形成したの
で、該導電体のシールド効果により、隣接するコンデン
サ電極間の浮遊容量の増大を防止できるから該電極間を
狭めることができ、ひいては部品の小型化を実現できる
とともに、部品コストを低減できる効果がある。また上
記空隙部，導電体をレーザー照射によって同時に形成し
たので、この空隙部，導電体の形成が容易である。
第１図は本発明の一実施例によるコンデンサアレイを説
明するための図であり、第１図(a)はその平面図、第１
図(b)はその断面図、第２図は上記実施例の変形例を示
す断面図、第３図(a)，(b)はそれぞれ上記実施例の他の
変形例を示す断面図、第４図(a)，(b)はそれぞれ従来の
コンデンサアレイを示す平面図，正面図、第５図(a)，
(b)はそれぞれ上記コンデンサアレイの等価回路図であ
る。 図において、１はコンデンサアレイ、２は誘電体基板、
３は第１コンデンサ電極、４は第２コンデンサ電極、６
は空隙部、７は孔部、８は溝部、９は切り欠き部、１１
は導電体、１２，１３は電極（導電体）である。
明するための図であり、第１図(a)はその平面図、第１
図(b)はその断面図、第２図は上記実施例の変形例を示
す断面図、第３図(a)，(b)はそれぞれ上記実施例の他の
変形例を示す断面図、第４図(a)，(b)はそれぞれ従来の
コンデンサアレイを示す平面図，正面図、第５図(a)，
(b)はそれぞれ上記コンデンサアレイの等価回路図であ
る。 図において、１はコンデンサアレイ、２は誘電体基板、
３は第１コンデンサ電極、４は第２コンデンサ電極、６
は空隙部、７は孔部、８は溝部、９は切り欠き部、１１
は導電体、１２，１３は電極（導電体）である。
Claims (1)
- 【請求項１】セラミクス製誘電体基板の一主面に所定の
間隔をあけて複数の第１コンデンサ電極を形成し、他主
面に上記第１コンデンサ電極と上記基板を挟んで対向す
る第２コンデンサ電極を形成してなるコンデンサアレイ
において、上記誘電体基板の上記隣合う第１コンデンサ
電極の間の部分に、還元性雰囲気中でレーザー照射する
ことにより、誘電体基板を溶融させてなる空隙部と、誘
電体基板中の導電性金属を溶融析出させてなり、上記空
隙部を充填する導電体とを同時に形成し、該導電体が上
記第２コンデンサ電極に接続されていることを特徴とす
るコンデンサアレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63011577A JPH0630322B2 (ja) | 1988-01-21 | 1988-01-21 | コンデンサアレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63011577A JPH0630322B2 (ja) | 1988-01-21 | 1988-01-21 | コンデンサアレイ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01185912A JPH01185912A (ja) | 1989-07-25 |
| JPH0630322B2 true JPH0630322B2 (ja) | 1994-04-20 |
Family
ID=11781769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63011577A Expired - Fee Related JPH0630322B2 (ja) | 1988-01-21 | 1988-01-21 | コンデンサアレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0630322B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5367430A (en) * | 1992-10-21 | 1994-11-22 | Presidio Components, Inc. | Monolithic multiple capacitor |
| JP2016174068A (ja) * | 2015-03-17 | 2016-09-29 | 株式会社東芝 | 並列キャパシタおよび高周波半導体装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3124803A1 (de) * | 1981-06-19 | 1983-01-13 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Hochspannungs-leistungsschalter |
| JPS6020925U (ja) * | 1983-07-21 | 1985-02-13 | 株式会社クボタ | 農機用エンジンカバ−構造 |
| JPS60231312A (ja) * | 1984-04-28 | 1985-11-16 | 日本メクトロン株式会社 | 複合コンデンサ |
| JPS614420U (ja) * | 1984-06-12 | 1986-01-11 | 株式会社村田製作所 | 複合貫通コンデンサ |
-
1988
- 1988-01-21 JP JP63011577A patent/JPH0630322B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01185912A (ja) | 1989-07-25 |
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