JPH01185912A - コンデンサアレイ - Google Patents
コンデンサアレイInfo
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- JPH01185912A JPH01185912A JP63011577A JP1157788A JPH01185912A JP H01185912 A JPH01185912 A JP H01185912A JP 63011577 A JP63011577 A JP 63011577A JP 1157788 A JP1157788 A JP 1157788A JP H01185912 A JPH01185912 A JP H01185912A
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- Japan
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- capacitor
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- capacitor electrodes
- electrode
- electrodes
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、1つの誘電体基板に複数のコンデンサを構成
してなるコンデンサアレイに関し、特に隣接するコンデ
ンサ電極の間隔を浮遊容量を増大させることな(狭める
ことにより、部品の小型化。
してなるコンデンサアレイに関し、特に隣接するコンデ
ンサ電極の間隔を浮遊容量を増大させることな(狭める
ことにより、部品の小型化。
コスト低減を実現できるようにしたコンデンサアレイの
構造に関する。
構造に関する。
従来から、コンデンサは、抵抗やコイル等と組み合わせ
て、電子回路のなかで基本的な機能を果たす部品として
多用されている。このようなコンデンサの一例として、
従来、第4図に示すコンデンサアレイがある。このコン
デンサアレイ1は、セラミックス製誘電体基板2の上面
に所定間隔をあけて3個の第1コンデンサ電極3を形成
し、上記誘電体基板2の下面の略全面に上記第1コンデ
ンサ電pi3と該基板2を挟んで対向する共通!極とし
ての第2コンデンサ電極4を形成するとともに、上記そ
れぞれの第1.第2コンデンサ電極3゜4にリード端子
5を半田付は接続して構成されている。これにより1つ
の部品素子内に3個のコンデンサが構成されている。
て、電子回路のなかで基本的な機能を果たす部品として
多用されている。このようなコンデンサの一例として、
従来、第4図に示すコンデンサアレイがある。このコン
デンサアレイ1は、セラミックス製誘電体基板2の上面
に所定間隔をあけて3個の第1コンデンサ電極3を形成
し、上記誘電体基板2の下面の略全面に上記第1コンデ
ンサ電pi3と該基板2を挟んで対向する共通!極とし
ての第2コンデンサ電極4を形成するとともに、上記そ
れぞれの第1.第2コンデンサ電極3゜4にリード端子
5を半田付は接続して構成されている。これにより1つ
の部品素子内に3個のコンデンサが構成されている。
また、上記コンデンサアレイ1は、誘電体基板2上に複
数のコンデンサ電極3を並列させることから、できるだ
け該電極3間の距離2を接近させることにより誘電体基
板2の面積を小さくして、部品の小型化の要請に応える
ようにしている。
数のコンデンサ電極3を並列させることから、できるだ
け該電極3間の距離2を接近させることにより誘電体基
板2の面積を小さくして、部品の小型化の要請に応える
ようにしている。
しかしながら、上記従来のコンデンサアレイ1において
は、−船釣に静電容量を大きくするために、上記誘電体
基板2に高い誘電率のBaTiO3系セラミックスを採
用している。そのため上記隣合うコンデンサ電i3.3
間が高誘電率の物質で充填された構造となることから、
上記コンデンサ電極3間の距離βが近づくほど該電極3
間の浮遊容量Cが増大し、その結果コンデンサ同士を交
流的に分離できなくなるという問題点がある。即ち、上
記コンデンサアレイ1の理想の等価回路(第5図(al
参照)に対して、実際の等価回路(第5図(bl参照)
には余分の浮遊容tcが存在していることになり、特性
に悪影響を与える場合がある。
は、−船釣に静電容量を大きくするために、上記誘電体
基板2に高い誘電率のBaTiO3系セラミックスを採
用している。そのため上記隣合うコンデンサ電i3.3
間が高誘電率の物質で充填された構造となることから、
上記コンデンサ電極3間の距離βが近づくほど該電極3
間の浮遊容量Cが増大し、その結果コンデンサ同士を交
流的に分離できなくなるという問題点がある。即ち、上
記コンデンサアレイ1の理想の等価回路(第5図(al
参照)に対して、実際の等価回路(第5図(bl参照)
には余分の浮遊容tcが存在していることになり、特性
に悪影響を与える場合がある。
従って、上記コンデンサ同士の分離をはかるために上記
浮遊容量Cの発生を抑えられる距離iを確保する必要が
あることから、それだけ上記誘電体基板2の面積が大き
くなり、結局、部品の小型化の要請に十分応えられてい
ない。また、上記誘電体基板は面積が増大した分割れや
すくなるとともに、部品コストが上昇するという問題点
もある。
浮遊容量Cの発生を抑えられる距離iを確保する必要が
あることから、それだけ上記誘電体基板2の面積が大き
くなり、結局、部品の小型化の要請に十分応えられてい
ない。また、上記誘電体基板は面積が増大した分割れや
すくなるとともに、部品コストが上昇するという問題点
もある。
本発明の目的は、上記浮遊容量を増大させることな(コ
ンデンサ電極を近接して配置でき、ひいては部品の小型
化を実現できるとともに、部品コストを低減できるコン
デンサアレイを提供することにある。
ンデンサ電極を近接して配置でき、ひいては部品の小型
化を実現できるとともに、部品コストを低減できるコン
デンサアレイを提供することにある。
そこで本発明は、誘電体基板の表面に所定の間隔をあけ
て複数の第1コンデンサ電極が、裏面に上記第1コンデ
ンサ電極と上記基板を挟んで対向する第2コンデンサ電
極がそれぞれ形成されたコンデンサアレイにおいて、上
記誘電体基板の上記隣合う第1コンデンサ電極の間に空
隙部を形成し、該空隙部内に、導電体を上記第2コンデ
ンサ電極に接続されるよう形成したことを特徴としてい
る。
て複数の第1コンデンサ電極が、裏面に上記第1コンデ
ンサ電極と上記基板を挟んで対向する第2コンデンサ電
極がそれぞれ形成されたコンデンサアレイにおいて、上
記誘電体基板の上記隣合う第1コンデンサ電極の間に空
隙部を形成し、該空隙部内に、導電体を上記第2コンデ
ンサ電極に接続されるよう形成したことを特徴としてい
る。
ここで、本発明の空隙部は、例えば、上記誘電体基板に
幅方向の所定間隔ごとに貫通形成された複数の孔部、又
は上記誘電体基板の他主面側に切り欠き形成された幅方
向の溝部により構成することができる。また、上記孔部
の深さは、表面に貫通させないで途中まで形成した場合
であっても、その深さに応じた効果が得られる。さらに
還元性雰囲気中でレーザーを照射し、上記誘電体基板を
溶融することにより形成することもできる。
幅方向の所定間隔ごとに貫通形成された複数の孔部、又
は上記誘電体基板の他主面側に切り欠き形成された幅方
向の溝部により構成することができる。また、上記孔部
の深さは、表面に貫通させないで途中まで形成した場合
であっても、その深さに応じた効果が得られる。さらに
還元性雰囲気中でレーザーを照射し、上記誘電体基板を
溶融することにより形成することもできる。
また、上記導電体は、例えば上記貫通孔部、溝部内に上
記第2コンデンサ電極と同一の材料により、かつ該電極
と同時に形成してもよく、また導電ペーストを塗布して
もよい。上記レーザー照射の場合は、基板のB a T
i Oyが金属Ba、′riになり、これが導電体と
なるものである。
記第2コンデンサ電極と同一の材料により、かつ該電極
と同時に形成してもよく、また導電ペーストを塗布して
もよい。上記レーザー照射の場合は、基板のB a T
i Oyが金属Ba、′riになり、これが導電体と
なるものである。
本発明に係るコンデンサアレイによれば、隣合う第1コ
ンデンサ電極間の誘電体基板に形成された空隙部内に、
導電体を第2コンデンサ電橿に接続されるよう形成した
ので、上記隣合う第1コンデンサ電掻間に、容量結合を
遮断するシールドが形成されることになり、その結果上
記コンデンサ電極同士を近接させても浮遊容量の増大を
回避でき、コンデンサ同士の分離ができる。従って、従
来のものよりコンデンサ電極間の距離を狭めることがで
きる分、誘電体基板の面積を小さくでき、ひいては部品
の小型化を実現できるとともに、割れの発生を回避でき
、しかも部品コストを低減できる。
ンデンサ電極間の誘電体基板に形成された空隙部内に、
導電体を第2コンデンサ電橿に接続されるよう形成した
ので、上記隣合う第1コンデンサ電掻間に、容量結合を
遮断するシールドが形成されることになり、その結果上
記コンデンサ電極同士を近接させても浮遊容量の増大を
回避でき、コンデンサ同士の分離ができる。従って、従
来のものよりコンデンサ電極間の距離を狭めることがで
きる分、誘電体基板の面積を小さくでき、ひいては部品
の小型化を実現できるとともに、割れの発生を回避でき
、しかも部品コストを低減できる。
以下、本発明の実施例について説明する。
第1図は本発明の一実施例によるコンデンサアレイを説
明するための図であり、図中、第4図と同一符号は同−
又は相当部分を示す。
明するための図であり、図中、第4図と同一符号は同−
又は相当部分を示す。
本実施例のコンデンサアレイ1は、例えばBaT r
O3系セラミツクスを主成分とする誘電体基板2の上面
、下面に、それぞれAg厚膜ペースト等をスクリーン印
刷して複数の第1コンデンサ電橿3.共通電極としての
第2コンデンサ電極4を形成するとともに、これらの第
1.第2コンデンサ1ii3.4にリード端子(図示せ
ず)を半田付は接続して構成されており、基本的構造は
従来と同様である。なお、必要により、前記誘電体基板
2の外表面を絶縁性樹脂により被覆してもよい。
O3系セラミツクスを主成分とする誘電体基板2の上面
、下面に、それぞれAg厚膜ペースト等をスクリーン印
刷して複数の第1コンデンサ電橿3.共通電極としての
第2コンデンサ電極4を形成するとともに、これらの第
1.第2コンデンサ1ii3.4にリード端子(図示せ
ず)を半田付は接続して構成されており、基本的構造は
従来と同様である。なお、必要により、前記誘電体基板
2の外表面を絶縁性樹脂により被覆してもよい。
そして、本実施例の上記隣合う第1コンデンサ電掻3の
間には空隙部6が形成されている。この空隙部6は、上
記誘電体基板2に、幅方向に延びる第1コンデンサ電極
3の縁部3aに沿って等間隔ごとに形成されたミシン目
状の孔部7により構成されており、該孔部7は上記基板
2を貫通して形成されている。また、上記孔部7内には
、導電体としての電極12が形成されており、該電極1
2は上記第2コンデンサ電極4に接続されている。
間には空隙部6が形成されている。この空隙部6は、上
記誘電体基板2に、幅方向に延びる第1コンデンサ電極
3の縁部3aに沿って等間隔ごとに形成されたミシン目
状の孔部7により構成されており、該孔部7は上記基板
2を貫通して形成されている。また、上記孔部7内には
、導電体としての電極12が形成されており、該電極1
2は上記第2コンデンサ電極4に接続されている。
この電極12は、ペースト状のAgを塗布して形成して
もよく、また上記第2コンデンサ電掻4の形成時に該電
極4と同時に形成してもよい。
もよく、また上記第2コンデンサ電掻4の形成時に該電
極4と同時に形成してもよい。
次に本実施例の作用効果について説明する。
本実施例のコンデンサアレイ1によれば、隣接する第1
コンデンサ電掻3間の誘電体基板2に、複数の孔部7に
より空隙部6を構成し、該空隙部6内に第2コンデンサ
電極4に接続された電極12を形成したので、上記各孔
部7内の電極12によって、上記隣合うコンデンサ電極
3間士の容量結合がシールドされることとなり、その結
果浮遊容量を減少できるから、上記コンデンサ電極3間
士を近接させても浮遊容量の増大を抑制でき、コンデン
サ同士を分離してチャン皐ルセバレーションを良好にで
きる。従って、従来のものよりコンデンサ電極間の距離
を狭めることができる分、誘電体基板2の面積を小さく
できるから、ひいては部品の小型化の要請に応じられる
とともに、部品コストを低減できる。しかもこの場合、
上記第1゜第2コンデンサ電極3.4間では、高誘電率
の誘電体基板2により大きな静電容量が確保されており
、コンデンサ機能を損なうことはない。
コンデンサ電掻3間の誘電体基板2に、複数の孔部7に
より空隙部6を構成し、該空隙部6内に第2コンデンサ
電極4に接続された電極12を形成したので、上記各孔
部7内の電極12によって、上記隣合うコンデンサ電極
3間士の容量結合がシールドされることとなり、その結
果浮遊容量を減少できるから、上記コンデンサ電極3間
士を近接させても浮遊容量の増大を抑制でき、コンデン
サ同士を分離してチャン皐ルセバレーションを良好にで
きる。従って、従来のものよりコンデンサ電極間の距離
を狭めることができる分、誘電体基板2の面積を小さく
できるから、ひいては部品の小型化の要請に応じられる
とともに、部品コストを低減できる。しかもこの場合、
上記第1゜第2コンデンサ電極3.4間では、高誘電率
の誘電体基板2により大きな静電容量が確保されており
、コンデンサ機能を損なうことはない。
第2図は上記実施例の変形例を示し、これは上記誘電体
基板2の第2コンデンサ電極4側に、幅方向に延びる溝
部8を切り欠き形成して上記空隙部6を構成するととも
に、該空隙部6内に第2コンデンサ電極4の形成と同時
に、これに接続されるよう電極13を形成した例である
。この場合においても、隣合うコンデンサ電極3間をシ
ールドできるので、上記実施例と同様の効果が得られる
とともに、上記孔部7に比べ折れ損に対する強度を向上
できる効果がある。
基板2の第2コンデンサ電極4側に、幅方向に延びる溝
部8を切り欠き形成して上記空隙部6を構成するととも
に、該空隙部6内に第2コンデンサ電極4の形成と同時
に、これに接続されるよう電極13を形成した例である
。この場合においても、隣合うコンデンサ電極3間をシ
ールドできるので、上記実施例と同様の効果が得られる
とともに、上記孔部7に比べ折れ損に対する強度を向上
できる効果がある。
また、第3図は上記実施例の他の変形例を示し、これは
、例えばHz 、Nz等の還元性雰囲気中において、レ
ーザー10を照射することにより、誘電体基板2に幅方
向に延びる切り欠き部9を溶融形成すると同時に金属B
a、Tiの導電体重1を析出させたものである。
、例えばHz 、Nz等の還元性雰囲気中において、レ
ーザー10を照射することにより、誘電体基板2に幅方
向に延びる切り欠き部9を溶融形成すると同時に金属B
a、Tiの導電体重1を析出させたものである。
この例においても、上記第1コンデンサ電極3間にシー
ルドが設けられ、これにより、浮遊容量の増大を防止で
き、上記実施例と同様の効果が得られる。こ、の場合、
上記レーザー10による照射は、誘電体基板2上に第1
コンデンサ電極3を形成した後、また該電極3を形成す
る前のどちらでもよい。
ルドが設けられ、これにより、浮遊容量の増大を防止で
き、上記実施例と同様の効果が得られる。こ、の場合、
上記レーザー10による照射は、誘電体基板2上に第1
コンデンサ電極3を形成した後、また該電極3を形成す
る前のどちらでもよい。
また、上記照射する際に、導電体11が析出しやすいよ
うに、誘電体基板2に、あらかじめ添加物を塗布しても
よい、さらに、上記切り欠き部9にかえて、ミシン目状
の孔部としてもよい。さらにまた、上記レーザー10は
上記誘電体基板2の裏面側から照射してもよく、この場
合は上記基板2の途中までの深さにすることにより溝部
を形成できる。また、上記レーザー照射に代わるものと
して、マイクロトーチを採用し、これによりH2炎を吹
き付けて切り欠き部等を形成することもでき、この場合
も還元作用により、切り欠き部形成時に導電体が形成さ
れる。
うに、誘電体基板2に、あらかじめ添加物を塗布しても
よい、さらに、上記切り欠き部9にかえて、ミシン目状
の孔部としてもよい。さらにまた、上記レーザー10は
上記誘電体基板2の裏面側から照射してもよく、この場
合は上記基板2の途中までの深さにすることにより溝部
を形成できる。また、上記レーザー照射に代わるものと
して、マイクロトーチを採用し、これによりH2炎を吹
き付けて切り欠き部等を形成することもでき、この場合
も還元作用により、切り欠き部形成時に導電体が形成さ
れる。
なお、上記実施例では、BaTi0.からなる誘電体基
板を例にとって説明したが、本発明は勿論、5rTiO
sを主成分とするもの等憶のセラミックス製基板にも採
用できる。
板を例にとって説明したが、本発明は勿論、5rTiO
sを主成分とするもの等憶のセラミックス製基板にも採
用できる。
以上のように本発明に係るコンデンサアレイによれば、
隣合う第1コンデンサ電極間に形成された空隙部内に、
第2コンデンサ電極に接続された導電体を形成したので
、該導電体のシールド効果により、隣接するコンデンサ
電極間の浮遊容量の増大を防止できるからgMN極間を
狭めることができ、ひいては部品の小型化を実現できる
とともに、部品コストを低減できる効果がある。
隣合う第1コンデンサ電極間に形成された空隙部内に、
第2コンデンサ電極に接続された導電体を形成したので
、該導電体のシールド効果により、隣接するコンデンサ
電極間の浮遊容量の増大を防止できるからgMN極間を
狭めることができ、ひいては部品の小型化を実現できる
とともに、部品コストを低減できる効果がある。
第1図は本発明の一実施例によるコンデンサプレイを説
明するための図であり、第1図falはその平面図、第
1図(blはその断面図、第2図は上記実施例の変形例
を示す断面図、第3図(al、 (blはそれぞれ上記
実施例の他の変形例を示す断面図、第4図(a)、 (
blはそれぞれ従来のコンデンサアレイを示す平面図、
正面図、第5図+711. Qllはそれぞれ上記コン
デンサアレイの等価回路図である。 図において、1はコンデンサアレイ、2は誘電体基板、
3は第1コンデンサ電極、4は第2コンデンサ電極、6
は空隙部、7は孔部、8は溝部、9は切り欠き部、11
は導電体、12.13は電極(導電体)である。
明するための図であり、第1図falはその平面図、第
1図(blはその断面図、第2図は上記実施例の変形例
を示す断面図、第3図(al、 (blはそれぞれ上記
実施例の他の変形例を示す断面図、第4図(a)、 (
blはそれぞれ従来のコンデンサアレイを示す平面図、
正面図、第5図+711. Qllはそれぞれ上記コン
デンサアレイの等価回路図である。 図において、1はコンデンサアレイ、2は誘電体基板、
3は第1コンデンサ電極、4は第2コンデンサ電極、6
は空隙部、7は孔部、8は溝部、9は切り欠き部、11
は導電体、12.13は電極(導電体)である。
Claims (4)
- (1)誘電体基板の一主面に所定の間隔をあけて複数の
第1コンデンサ電極を形成し、他主面に上記第1コンデ
ンサ電極と上記基板を挟んで対向する第2コンデンサ電
極を形成してなるコンデンサアレイにおいて、上記誘電
体基板の上記隣合う第1コンデンサ電極の間に空隙部を
形成し、該空隙部内に導電体を上記第2コンデンサ電極
に接続されるように形成したことを特徴とするコンデン
サアレイ。 - (2)上記空隙部が、上記誘電体基板の幅方向に穿設さ
れた複数の孔部により構成されていることを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載のコンデンサアレイ。 - (3)上記空隙部が、上記誘電体基板の他主面側に切り
欠き形成された幅方向に延びる溝部により構成されてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のコンデ
ンサアレイ。 - (4)上記空隙部及び導電体が、還元雰囲気中でのレー
ザー照射により上記誘電体基板を溶融することにより形
成されていることを特徴とする特許請求の範囲第1項記
載のコンデンサアレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63011577A JPH0630322B2 (ja) | 1988-01-21 | 1988-01-21 | コンデンサアレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63011577A JPH0630322B2 (ja) | 1988-01-21 | 1988-01-21 | コンデンサアレイ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01185912A true JPH01185912A (ja) | 1989-07-25 |
| JPH0630322B2 JPH0630322B2 (ja) | 1994-04-20 |
Family
ID=11781769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63011577A Expired - Fee Related JPH0630322B2 (ja) | 1988-01-21 | 1988-01-21 | コンデンサアレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0630322B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5367430A (en) * | 1992-10-21 | 1994-11-22 | Presidio Components, Inc. | Monolithic multiple capacitor |
| JP2016174068A (ja) * | 2015-03-17 | 2016-09-29 | 株式会社東芝 | 並列キャパシタおよび高周波半導体装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS584223A (ja) * | 1981-06-19 | 1983-01-11 | シ−メンス・アクチエンゲゼルシヤフト | 高電圧しや断器 |
| JPS6020925U (ja) * | 1983-07-21 | 1985-02-13 | 株式会社クボタ | 農機用エンジンカバ−構造 |
| JPS60231312A (ja) * | 1984-04-28 | 1985-11-16 | 日本メクトロン株式会社 | 複合コンデンサ |
| JPS614420U (ja) * | 1984-06-12 | 1986-01-11 | 株式会社村田製作所 | 複合貫通コンデンサ |
-
1988
- 1988-01-21 JP JP63011577A patent/JPH0630322B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
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| JP2016174068A (ja) * | 2015-03-17 | 2016-09-29 | 株式会社東芝 | 並列キャパシタおよび高周波半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0630322B2 (ja) | 1994-04-20 |
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