JPH0630342B2 - 縦型炉 - Google Patents
縦型炉Info
- Publication number
- JPH0630342B2 JPH0630342B2 JP59271855A JP27185584A JPH0630342B2 JP H0630342 B2 JPH0630342 B2 JP H0630342B2 JP 59271855 A JP59271855 A JP 59271855A JP 27185584 A JP27185584 A JP 27185584A JP H0630342 B2 JPH0630342 B2 JP H0630342B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cap
- reaction tube
- vertical furnace
- ring
- wall
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造用のＣＶＤ（気相成長）炉
に関するものである。
に関するものである。
〔従来の技術〕 従来より基板に単結晶半導体やSiO2，Si3N4，Al2O3など
の絶縁膜を成長させるためにＣＶＤ炉が用いられてい
る。第３図は縦型のＣＶＤ炉の概略を示す図である。こ
れは、ウェハを収容したバスケット１をキャップ２の上
に固定して反応管３の下方より装入し、キャップ２をＯ
リング４を介して下部マニホールド５に押し当て、その
状態で上部のガス供給孔６から反応ガスを供給しながら
反応管３の温度を上げ、反応ガスを分解させてウェハ上
に所定の物質を気相成長させるようになっている。な
お、キャップ２は全周が平均した力で下部マニホールド
５に押圧できるように、その支持部分７は自在接手とな
っている。
の絶縁膜を成長させるためにＣＶＤ炉が用いられてい
る。第３図は縦型のＣＶＤ炉の概略を示す図である。こ
れは、ウェハを収容したバスケット１をキャップ２の上
に固定して反応管３の下方より装入し、キャップ２をＯ
リング４を介して下部マニホールド５に押し当て、その
状態で上部のガス供給孔６から反応ガスを供給しながら
反応管３の温度を上げ、反応ガスを分解させてウェハ上
に所定の物質を気相成長させるようになっている。な
お、キャップ２は全周が平均した力で下部マニホールド
５に押圧できるように、その支持部分７は自在接手とな
っている。
上記の構成のものにあっては、キャップ２が自在接手７
で押圧されるようになっているため、処理が終り、反応
管内からバスケット１を取出すときにキャップ２を下げ
ると該キャップはＯリング４とのくっつきにより平行に
下がらない。そのためキャップ２に固定されているバス
ケット１は斜になり反応管内壁に接触し、バスケット類
の破損，接触による異物の発生等が生ずるという問題が
あった。
で押圧されるようになっているため、処理が終り、反応
管内からバスケット１を取出すときにキャップ２を下げ
ると該キャップはＯリング４とのくっつきにより平行に
下がらない。そのためキャップ２に固定されているバス
ケット１は斜になり反応管内壁に接触し、バスケット類
の破損，接触による異物の発生等が生ずるという問題が
あった。
本発明は、上記問題点を解消した半導体装置の製造装置
を提供するもので、その手段は、反応管の下方よりＯリ
ングを介してキャップを気密に装着する構造を有する縦
型炉において、反応管の下部に伸縮性をもった壁を設け
たことを特徴とする縦型炉によってなされる。
を提供するもので、その手段は、反応管の下方よりＯリ
ングを介してキャップを気密に装着する構造を有する縦
型炉において、反応管の下部に伸縮性をもった壁を設け
たことを特徴とする縦型炉によってなされる。
また反応管の下方よりＯリングを介してキャップを気密
に装着する構造を有する縦型炉において、キャップを二
層構造とし、その上層板と下層板の中心を自由接手を有
する連結棒で連結すると共に、外周を多数個のばねで接
続したことを特徴とする縦型炉によってなされる。
に装着する構造を有する縦型炉において、キャップを二
層構造とし、その上層板と下層板の中心を自由接手を有
する連結棒で連結すると共に、外周を多数個のばねで接
続したことを特徴とする縦型炉によってなされる。
上記縦型炉は、反応管の下方よりＯリングを介してキャ
ップを気密に装着する構造を有する縦型炉において、反
応管の下部に伸縮性をもった壁を設け且つキャップを平
行移動する構造としたことにより、キャップの反応管に
対する押圧力を平均させ、且つキャップの平行移動によ
りその上に固定されたバスケットが傾くことはなく、反
応管内壁との接触は防止される。またキャップを二重構
造とし、その上下層部間を多数個のばねで接続すること
により下層部に対する上層部の傾きを制限し、その上に
固定されたバスケットの傾きを防止し、且つ反応管に対
する押圧力を平均化することができる。
ップを気密に装着する構造を有する縦型炉において、反
応管の下部に伸縮性をもった壁を設け且つキャップを平
行移動する構造としたことにより、キャップの反応管に
対する押圧力を平均させ、且つキャップの平行移動によ
りその上に固定されたバスケットが傾くことはなく、反
応管内壁との接触は防止される。またキャップを二重構
造とし、その上下層部間を多数個のばねで接続すること
により下層部に対する上層部の傾きを制限し、その上に
固定されたバスケットの傾きを防止し、且つ反応管に対
する押圧力を平均化することができる。
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明す
る。
る。
第１図に本発明の第１の実施例の要部を断面図として示
す。同図において、１０は炉の反応管、１１は下部マニ
ホールド、１２は伸縮性を有する壁、１３はＯリング、
１４はキャップ、１５はキャップ支持アーム、１６はキ
ャップガイド棒をそれぞれ示している。
す。同図において、１０は炉の反応管、１１は下部マニ
ホールド、１２は伸縮性を有する壁、１３はＯリング、
１４はキャップ、１５はキャップ支持アーム、１６はキ
ャップガイド棒をそれぞれ示している。
本実施例は、図に示す如く反応管１０下部に設けられた
下部マニホールド１１の下部に伸縮性のある壁１２を設
け、その下端を、ガイド棒を上下に摺動できるキャップ
支持アーム１５に固定されたキャップ１４によりＯリン
グ１３を介して封止できるようにしている。
下部マニホールド１１の下部に伸縮性のある壁１２を設
け、その下端を、ガイド棒を上下に摺動できるキャップ
支持アーム１５に固定されたキャップ１４によりＯリン
グ１３を介して封止できるようにしている。
このように構成された本実施例は、キャップ１４が反応
管１０を封止するときは、伸縮性のある壁１２が撓み、
Ｏリング１３にかかる力を平均化させ、密封を確実にす
ることができる。またキャップ１４を開放するときは、
キャップ１４はガイド棒１６上を摺動するキャップ支持
アーム １５に固定であるので傾きに対する自由度はな
く、従ってキャップ１４上に固定したバスケット等が傾
くことはない。
管１０を封止するときは、伸縮性のある壁１２が撓み、
Ｏリング１３にかかる力を平均化させ、密封を確実にす
ることができる。またキャップ１４を開放するときは、
キャップ１４はガイド棒１６上を摺動するキャップ支持
アーム １５に固定であるので傾きに対する自由度はな
く、従ってキャップ１４上に固定したバスケット等が傾
くことはない。
次に本発明の第２の実施例を第２図により説明する。同
図において、２０は反応管、２１は下部マニホールド、
２２はＯリング、２３は２層構造のキャップ、２４はそ
の上層板、２５は下層板、２６は自由接手、２７は連結
棒、２８はばね、２９はキャップ支持アーム、３０はガ
イド棒をそれぞれ示している。
図において、２０は反応管、２１は下部マニホールド、
２２はＯリング、２３は２層構造のキャップ、２４はそ
の上層板、２５は下層板、２６は自由接手、２７は連結
棒、２８はばね、２９はキャップ支持アーム、３０はガ
イド棒をそれぞれ示している。
本実施例は第２図に示す如く、反応管２０の下部に設け
られた下部マニホールド２１にＯリング２２を介して押
圧封止するキャップ２３を上層板２５と下層板２６とよ
りなる二層構造とし、両層板の中心を自由接手２６を有
する連結棒２７で連結すると共に外周を多数本のばね２
８で連結し、下層板２５を、ガイド棒３０を上下に摺動
できるキャップ支持アーム２９に固定している。
られた下部マニホールド２１にＯリング２２を介して押
圧封止するキャップ２３を上層板２５と下層板２６とよ
りなる二層構造とし、両層板の中心を自由接手２６を有
する連結棒２７で連結すると共に外周を多数本のばね２
８で連結し、下層板２５を、ガイド棒３０を上下に摺動
できるキャップ支持アーム２９に固定している。
このように構成された本実施例は、キャップ２３が開放
の際に上層板２４がＯリング２２のくっつきにより傾こ
うとしても連結棒２７が中心として対向するばね２８の
一方が延び、他方が圧縮されるようになるため、その傾
きは制限される。従ってばね２８の強さを適当に設定し
ておけば反応管内壁に対するバスケットの接触は防止さ
れる。
の際に上層板２４がＯリング２２のくっつきにより傾こ
うとしても連結棒２７が中心として対向するばね２８の
一方が延び、他方が圧縮されるようになるため、その傾
きは制限される。従ってばね２８の強さを適当に設定し
ておけば反応管内壁に対するバスケットの接触は防止さ
れる。
以上説明したように本発明によれば、反応管の下部に伸
縮性を有する壁を設けるか、またはキャップを二層構造
とし、その上下層板を自由接手を有する連結棒及び多数
個のばねで連結することにより、キャップ開放時のキャ
ップの傾きを抑えることができ、反応管内壁に対するバ
スケットの接触を防止可能にした効果大なるものであ
る。
縮性を有する壁を設けるか、またはキャップを二層構造
とし、その上下層板を自由接手を有する連結棒及び多数
個のばねで連結することにより、キャップ開放時のキャ
ップの傾きを抑えることができ、反応管内壁に対するバ
スケットの接触を防止可能にした効果大なるものであ
る。
第１図は本発明の縦型炉の第１の実施例を示す要部断面
図、第２図は本発明の第２の実施例を示す要部断面図、
第３図は従来の縦型炉を示す要部断面図である。 図中、10，20は反応管、11，21は下部マニホールド、１
２は伸縮性を有する壁、13，22はＯリング、14，23はキ
ャップ、15，29はキャップ支持アーム、16，30はガイド
棒、２４はキャップの上層板、２５はキャップの下層
板、２７は連結棒、２８はばねをそれぞれ示す。
図、第２図は本発明の第２の実施例を示す要部断面図、
第３図は従来の縦型炉を示す要部断面図である。 図中、10，20は反応管、11，21は下部マニホールド、１
２は伸縮性を有する壁、13，22はＯリング、14，23はキ
ャップ、15，29はキャップ支持アーム、16，30はガイド
棒、２４はキャップの上層板、２５はキャップの下層
板、２７は連結棒、２８はばねをそれぞれ示す。
Claims (2)
- 【請求項１】縦型の反応管の下方よりＯリングを介して
キャップを気密に装着する構造を有する縦型炉におい
て、反応管の下部に伸縮性をもった壁を設けたことを特
徴とする縦型炉。 - 【請求項２】反応管の下方よりＯリングを介してキャッ
プを気密に装着する構造を有する縦型炉において、キャ
ップを二層構造とし、その上層板と下層板の中心を自由
接手を有する連結棒で連結すると共に、外周を多数個の
ばねで接続したことを特徴とする縦型炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59271855A JPH0630342B2 (ja) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | 縦型炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59271855A JPH0630342B2 (ja) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | 縦型炉 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61150320A JPS61150320A (ja) | 1986-07-09 |
| JPH0630342B2 true JPH0630342B2 (ja) | 1994-04-20 |
Family
ID=17505817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59271855A Expired - Lifetime JPH0630342B2 (ja) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | 縦型炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0630342B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55102224A (en) * | 1979-01-31 | 1980-08-05 | Hitachi Ltd | Heat treatment apparatus |
| JPS567440A (en) * | 1979-06-29 | 1981-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | Heat treatment device |
| JPS5691417A (en) * | 1979-12-26 | 1981-07-24 | Fujitsu Ltd | Heating treatment device for wafer |
| JPS6311719Y2 (ja) * | 1981-03-09 | 1988-04-05 | ||
| JPS58138334U (ja) * | 1982-03-12 | 1983-09-17 | 富士通株式会社 | ウエハ自動給材機構 |
-
1984
- 1984-12-25 JP JP59271855A patent/JPH0630342B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61150320A (ja) | 1986-07-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |