JPH06306579A - 金属膜形成方法 - Google Patents
金属膜形成方法Info
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 金属膜形成方法は、ポリメチルメタクリレー
トまたはメチルメタクリレートの共重合物が主成分であ
る光ディスク基板上に、反射膜として金属膜をスパッタ
リング法により形成する際、前処理としてまたは／およ
び成膜中に基板表面温度が、基板のガラス転移温度（Ｔ
ｇ）より５０゜低い温度と基板のガラス転移温度（Ｔ
ｇ）より１５゜高い温度との範囲内に加熱するものであ
る。 【効果】 メタクリル系樹脂基板上にスパッタリング法
でアルミニウム等の金属の反射膜形成が可能となり、従
来の真空蒸着法による成膜方法に比べ、生産性を向上さ
せコストを低減することができる。
トまたはメチルメタクリレートの共重合物が主成分であ
る光ディスク基板上に、反射膜として金属膜をスパッタ
リング法により形成する際、前処理としてまたは／およ
び成膜中に基板表面温度が、基板のガラス転移温度（Ｔ
ｇ）より５０゜低い温度と基板のガラス転移温度（Ｔ
ｇ）より１５゜高い温度との範囲内に加熱するものであ
る。 【効果】 メタクリル系樹脂基板上にスパッタリング法
でアルミニウム等の金属の反射膜形成が可能となり、従
来の真空蒸着法による成膜方法に比べ、生産性を向上さ
せコストを低減することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光ディスク基板との付
着力に優れた金属反射膜形成に関する。
着力に優れた金属反射膜形成に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、光ディスク基板用材料としてガラ
スとプラスチック（樹脂）が用いられているが、軽量・
加工の容易さ・量産性などの理由から後者の利用が主と
なっている。その中でも、メタクリル系樹脂は光学的特
性が極めて優れており、現在、レーザーディスク等に使
用されている。
スとプラスチック（樹脂）が用いられているが、軽量・
加工の容易さ・量産性などの理由から後者の利用が主と
なっている。その中でも、メタクリル系樹脂は光学的特
性が極めて優れており、現在、レーザーディスク等に使
用されている。
【０００３】レーザーディスクなどの光ディスクは、表
面にピットを持った樹脂基板上に反射膜としてアルミニ
ウムやアルミニウム合金等の金属膜を付けたものであ
る。この金属膜を形成する方法としては、光ディスク用
樹脂基板上に金属反射膜を形成する方法は、主として真
空蒸着法とスパッタリング法がある。
面にピットを持った樹脂基板上に反射膜としてアルミニ
ウムやアルミニウム合金等の金属膜を付けたものであ
る。この金属膜を形成する方法としては、光ディスク用
樹脂基板上に金属反射膜を形成する方法は、主として真
空蒸着法とスパッタリング法がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、スパッ
タリング法は、生産性がよいなどの利点を持つが、メタ
クリル系樹脂基板を用いた場合、スパッタリング法で
は、密着性良好な反射膜を得ることができない。そのた
めに、メタクリル系樹脂基板を用いた場合、従来から、
真空蒸着法が基板上への金属反射膜形成に用いられてい
る。
タリング法は、生産性がよいなどの利点を持つが、メタ
クリル系樹脂基板を用いた場合、スパッタリング法で
は、密着性良好な反射膜を得ることができない。そのた
めに、メタクリル系樹脂基板を用いた場合、従来から、
真空蒸着法が基板上への金属反射膜形成に用いられてい
る。
【０００５】この発明は、上述の背景に基づきなされた
ものであり、その目的とするところは、軽量・加工の容
易さ・量産性に優れたメタクリル系樹脂基板に、生産性
が良好なスパッタリング法により、密着性良好な反射膜
を得ることができる金属膜形成方法を提供することであ
る。
ものであり、その目的とするところは、軽量・加工の容
易さ・量産性に優れたメタクリル系樹脂基板に、生産性
が良好なスパッタリング法により、密着性良好な反射膜
を得ることができる金属膜形成方法を提供することであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題は、この発明に
より解決される。すなわち、この発明による金属膜形成
方法は、ポリメチルメタクリレートまたはメチルメタク
リレートの共重合物が主成分である光ディスク基板上
に、反射膜として反射膜用金属、好ましくは、アルミニ
ウムまたはアルミニウム合金の金属膜をスパッタリング
法により形成する際、前処理としてまたは／および成膜
中に基板表面温度が、基板のガラス転移温度（Ｔｇ）よ
り５０゜低い温度（Ｔｇ−５０）℃と基板のガラス転移
温度（Ｔｇ）より１５゜高い温度（Ｔｇ＋１５）℃との
範囲内に、好ましくは、（Ｔｇ−４０）℃〜（Ｔｇ＋１
０）℃との範囲内に加熱することを特徴とするものであ
る。
より解決される。すなわち、この発明による金属膜形成
方法は、ポリメチルメタクリレートまたはメチルメタク
リレートの共重合物が主成分である光ディスク基板上
に、反射膜として反射膜用金属、好ましくは、アルミニ
ウムまたはアルミニウム合金の金属膜をスパッタリング
法により形成する際、前処理としてまたは／および成膜
中に基板表面温度が、基板のガラス転移温度（Ｔｇ）よ
り５０゜低い温度（Ｔｇ−５０）℃と基板のガラス転移
温度（Ｔｇ）より１５゜高い温度（Ｔｇ＋１５）℃との
範囲内に、好ましくは、（Ｔｇ−４０）℃〜（Ｔｇ＋１
０）℃との範囲内に加熱することを特徴とするものであ
る。
【０００７】この発明において用いられるスパッタリン
グ法とは、真空容器内に導入したアルゴンなどの不活性
ガスをイオン化し、それをターゲットと呼ばれる固体表
面に衝突させ固体粒子を叩き出し基板上に膜を形成する
方法であり、プラズマ中でイオンを利用するプラズマ方
式、高真空領域にイオンを引き出して利用するイオンビ
ーム方式などがある。
グ法とは、真空容器内に導入したアルゴンなどの不活性
ガスをイオン化し、それをターゲットと呼ばれる固体表
面に衝突させ固体粒子を叩き出し基板上に膜を形成する
方法であり、プラズマ中でイオンを利用するプラズマ方
式、高真空領域にイオンを引き出して利用するイオンビ
ーム方式などがある。
【０００８】一般的にプラズマ方式は基板を設置した真
空容器内雰囲気を膜形成時に１０-1Torr〜１０-3Torr程
度とし、スパッタ電圧は２００V〜２KVとして用いられ
るが、用途やスパッタリング装置等に応じて適宜変更し
記述した範囲外で用いてもかまわない。また、真空容器
内にはアルゴンなどの不活性ガス、不活性ガスと酸素、
窒素等の活性ガスとの混合ガスを導入するのが好まし
い。
空容器内雰囲気を膜形成時に１０-1Torr〜１０-3Torr程
度とし、スパッタ電圧は２００V〜２KVとして用いられ
るが、用途やスパッタリング装置等に応じて適宜変更し
記述した範囲外で用いてもかまわない。また、真空容器
内にはアルゴンなどの不活性ガス、不活性ガスと酸素、
窒素等の活性ガスとの混合ガスを導入するのが好まし
い。
【０００９】イオンビーム方式は一般的に、基板を設置
した真空容器内雰囲気を膜形成時に１０-4Torr台より高
真空にし、スパッタ電圧５KV以下で用いられるが、上述
のプラズマ方式と同様、用途などに応じて適宜変更し記
述した範囲外としてもかまわない。
した真空容器内雰囲気を膜形成時に１０-4Torr台より高
真空にし、スパッタ電圧５KV以下で用いられるが、上述
のプラズマ方式と同様、用途などに応じて適宜変更し記
述した範囲外としてもかまわない。
【００１０】この発明において、基板表面は、反射膜と
して金属膜をスパッタリング法により形成する前に、ま
たは／および、その形成（成膜）中に、所定の温度範囲
内になるように加熱される。前処理として加熱するか、
成膜中に加熱するかは、用途、条件等に応じて適宜変更
できる。
して金属膜をスパッタリング法により形成する前に、ま
たは／および、その形成（成膜）中に、所定の温度範囲
内になるように加熱される。前処理として加熱するか、
成膜中に加熱するかは、用途、条件等に応じて適宜変更
できる。
【００１１】この発明における加熱方法は、接触加熱、
転写加熱、雰囲気加熱、誘電加熱などがある。好ましく
は、加熱は、基板表面およびその近傍にのみ加熱する。
転写加熱、雰囲気加熱、誘電加熱などがある。好ましく
は、加熱は、基板表面およびその近傍にのみ加熱する。
【００１２】この発明における基板表面温度は、（Ｔｇ
−５０）℃〜（Ｔｇ＋１５）℃、好ましくは、（Ｔｇ−
４０）℃〜（Ｔｇ＋１０）℃との範囲内に加熱される。
これは、基板表面温度が（Ｔｇ−５０）℃未満の場合、
耐スパッタリング性を向上させるのに要する処理時間が
長くなり生産性に影響を与えてしまうからである。ま
た、（Ｔｇ＋１５）℃を越えた場合、ピット形状に影響
を与え再生信号特性が悪くなるからである。
−５０）℃〜（Ｔｇ＋１５）℃、好ましくは、（Ｔｇ−
４０）℃〜（Ｔｇ＋１０）℃との範囲内に加熱される。
これは、基板表面温度が（Ｔｇ−５０）℃未満の場合、
耐スパッタリング性を向上させるのに要する処理時間が
長くなり生産性に影響を与えてしまうからである。ま
た、（Ｔｇ＋１５）℃を越えた場合、ピット形状に影響
を与え再生信号特性が悪くなるからである。
【００１３】
【作用】上記構成を有するこの発明により、以下の作用
・機能を発揮する。理論的に必ずしも明らかではない
が、基板表面のみ、若しくはその近傍を加熱することに
より、基板表面から低分子物質を除去され、また、基板
や基板表面から表面加熱により、強制的にガス分を放出
させ、その結果、基板樹脂と金属膜との間の、化学的・
物理的結合を強くして、耐スパッタリング性（密着性）
を向上させると考えられる。
・機能を発揮する。理論的に必ずしも明らかではない
が、基板表面のみ、若しくはその近傍を加熱することに
より、基板表面から低分子物質を除去され、また、基板
や基板表面から表面加熱により、強制的にガス分を放出
させ、その結果、基板樹脂と金属膜との間の、化学的・
物理的結合を強くして、耐スパッタリング性（密着性）
を向上させると考えられる。
【００１４】
【実施例】この発明を以下の実施例により、具体的に説
明する。 実施例１ ガラス転移温度Ｔｇ（測定方法：示差走査熱量測定、昇
温５℃／分）が９５℃のメタクリル系樹脂の光ディスク
基板を用いて、基板表面温度が７５℃になるよう、赤外
線ランプヒーターで、成膜直前に加熱した。引き続き、
スパッタリング装置（日本真空技術株式会社製）で、ア
ルゴンガス雰囲気中、φ４インチアルミニウムターゲッ
トにより、光ディスク基板上に膜厚６００オングストロ
ームのアルミニウム反射膜を成膜した。
明する。 実施例１ ガラス転移温度Ｔｇ（測定方法：示差走査熱量測定、昇
温５℃／分）が９５℃のメタクリル系樹脂の光ディスク
基板を用いて、基板表面温度が７５℃になるよう、赤外
線ランプヒーターで、成膜直前に加熱した。引き続き、
スパッタリング装置（日本真空技術株式会社製）で、ア
ルゴンガス雰囲気中、φ４インチアルミニウムターゲッ
トにより、光ディスク基板上に膜厚６００オングストロ
ームのアルミニウム反射膜を成膜した。
【００１５】得られた金属膜について密着性を、以下の
ように、評価した。粘着テープの粘着面をアルミニウム
膜に密着させ、すばやく引きはがす剥離テストにより評
価した結果、いずれの膜厚でも、アルミニウム膜は剥離
せず、密着性が良好であり、反射率も十分であった。
ように、評価した。粘着テープの粘着面をアルミニウム
膜に密着させ、すばやく引きはがす剥離テストにより評
価した結果、いずれの膜厚でも、アルミニウム膜は剥離
せず、密着性が良好であり、反射率も十分であった。
【００１６】実施例２ Ｔｇが８５℃のメタクリル系樹脂の光ディスク基板を用
いて、基板表面温度が１００℃に加熱処理した以外、実
施例１と同様に、成膜して評価した。この結果、膜厚９
００オングストロームの金属膜でも、良好な密着性と反
射率を示した。
いて、基板表面温度が１００℃に加熱処理した以外、実
施例１と同様に、成膜して評価した。この結果、膜厚９
００オングストロームの金属膜でも、良好な密着性と反
射率を示した。
【００１７】比較例１ 加熱処理を行わない従来の方法で上記実施例１の樹脂基
板を用い、同様にアルミニウム膜を形成し、密着性を評
価した。その結果、膜厚３００オングストローム以下で
は剥離しなかったが、それ以上の膜厚で全面剥離した。
なお、アルミニウム膜厚３００オングストロームでは反
射率は充分でなかった。
板を用い、同様にアルミニウム膜を形成し、密着性を評
価した。その結果、膜厚３００オングストローム以下で
は剥離しなかったが、それ以上の膜厚で全面剥離した。
なお、アルミニウム膜厚３００オングストロームでは反
射率は充分でなかった。
【００１８】比較例２ 上記実施例２の樹脂基板を用い、基板表面温度が（Ｔｇ
−５０）℃〜（Ｔｇ＋１５）℃の範囲外である１０５℃
になるよう加熱処理をし、スパッタリングによりアルミ
ニウム膜を形成した。上記と同様の剥離テストで評価し
た結果、膜厚９００オングストローム以下のアルミニウ
ム膜は剥離せず密着性は充分であったが、再生信号特性
が良好ではなかった。
−５０）℃〜（Ｔｇ＋１５）℃の範囲外である１０５℃
になるよう加熱処理をし、スパッタリングによりアルミ
ニウム膜を形成した。上記と同様の剥離テストで評価し
た結果、膜厚９００オングストローム以下のアルミニウ
ム膜は剥離せず密着性は充分であったが、再生信号特性
が良好ではなかった。
【００１９】
【発明の効果】上記実施例から実証されるように、この
発明により、メタクリル系樹脂基板上にスパッタリング
法でアルミニウムまたはアルミニウム合金等の金属の反
射膜形成が可能となり、従来の真空蒸着法による成膜方
法に比べ、生産性を向上させコストを低減することがで
きる。
発明により、メタクリル系樹脂基板上にスパッタリング
法でアルミニウムまたはアルミニウム合金等の金属の反
射膜形成が可能となり、従来の真空蒸着法による成膜方
法に比べ、生産性を向上させコストを低減することがで
きる。
Claims (3)
- 【請求項１】 ポリメチルメタクリレートまたはメチル
メタクリレートの共重合物が主成分である光ディスク基
板上に、反射膜として反射膜用金属の金属膜をスパッタ
リング法により形成する際、前処理としてまたは／およ
び成膜中に基板表面温度が、基板のガラス転移温度（Ｔ
ｇ）より５０゜低い温度（Ｔｇ−５０）℃と基板のガラ
ス転移温度（Ｔｇ）より１５゜高い温度（Ｔｇ＋１５）
℃との範囲内に加熱することを特徴とする金属膜形成方
法。 - 【請求項２】 前処理によるまたは成膜中の基板表面温
度が、（Ｔｇ−４０）℃〜（Ｔｇ＋１０）℃との範囲内
に設定される請求項１記載の金属膜形成方法。 - 【請求項３】 反射膜用金属が、アルミニウムまたはア
ルミニウム合金である請求項１または２記載の金属膜形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10298693A JPH06306579A (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 金属膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10298693A JPH06306579A (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 金属膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06306579A true JPH06306579A (ja) | 1994-11-01 |
Family
ID=14342039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10298693A Pending JPH06306579A (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 金属膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06306579A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004024804A1 (ja) * | 2002-09-10 | 2004-03-25 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | ポリメチルメタクリレート−金属クラスター複合体の製造方法 |
| JP2017082291A (ja) * | 2015-10-29 | 2017-05-18 | 株式会社島津製作所 | 成膜方法および成膜装置 |
-
1993
- 1993-04-28 JP JP10298693A patent/JPH06306579A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004024804A1 (ja) * | 2002-09-10 | 2004-03-25 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | ポリメチルメタクリレート−金属クラスター複合体の製造方法 |
| GB2408738A (en) * | 2002-09-10 | 2005-06-08 | Nat Inst Of Advanced Ind Scien | Method for producing poly(methyl methacrylate)-metal cluster composite |
| GB2408738B (en) * | 2002-09-10 | 2006-12-06 | Nat Inst Of Advanced Ind Scien | Method for producing Poly(Methyl Methacrylate)-metal cluster composite |
| KR100851790B1 (ko) * | 2002-09-10 | 2008-08-13 | 도꾸리쯔교세이호진 상교기쥬쯔 소고겡뀨죠 | 폴리메틸메타크릴레이트-금속 클러스터 복합체의 제조 방법 |
| JP2017082291A (ja) * | 2015-10-29 | 2017-05-18 | 株式会社島津製作所 | 成膜方法および成膜装置 |
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