JPH07334873A - 光記録媒体の製造方法 - Google Patents
光記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPH07334873A JPH07334873A JP12371894A JP12371894A JPH07334873A JP H07334873 A JPH07334873 A JP H07334873A JP 12371894 A JP12371894 A JP 12371894A JP 12371894 A JP12371894 A JP 12371894A JP H07334873 A JPH07334873 A JP H07334873A
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- JP
- Japan
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- aluminum
- tantalum
- optical recording
- target
- recording medium
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 イオンビームスパッタリング法を用いて、環
境による劣化が少ない、アルミニウム反射膜を有する光
記録媒体を製造する。 【構成】 不活性ガスを放電状態にして得られるプラス
イオンのみから構成されるビームを、少なくともアルミ
ニウムとタンタルとの双方を含むターゲットに衝突させ
た後、前記ターゲットから発生する粒子を樹脂基板に堆
積する。
境による劣化が少ない、アルミニウム反射膜を有する光
記録媒体を製造する。 【構成】 不活性ガスを放電状態にして得られるプラス
イオンのみから構成されるビームを、少なくともアルミ
ニウムとタンタルとの双方を含むターゲットに衝突させ
た後、前記ターゲットから発生する粒子を樹脂基板に堆
積する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はアルミニウムとタンタル
とを含む反射膜を有する光記録媒体の製造方法に関す
る。
とを含む反射膜を有する光記録媒体の製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ビデオディスクなどの光記録媒体は、例
えばアクリル樹脂やポリカーボネート樹脂等の樹脂基板
の面上に情報ピットを形成し、その上にアルミニウムま
たはアルミニウム合金の光学反射膜を設けている。樹脂
基板を用いた光記録媒体は、温度や湿度の変化に伴って
反り等が発生し易いので、２枚の樹脂基板を接着剤等で
背中合わせに貼り合わせることによって変形などの発生
を抑制するようにしている。
えばアクリル樹脂やポリカーボネート樹脂等の樹脂基板
の面上に情報ピットを形成し、その上にアルミニウムま
たはアルミニウム合金の光学反射膜を設けている。樹脂
基板を用いた光記録媒体は、温度や湿度の変化に伴って
反り等が発生し易いので、２枚の樹脂基板を接着剤等で
背中合わせに貼り合わせることによって変形などの発生
を抑制するようにしている。
【０００３】しかし貼り合わせ時の接着剤の塗布に際し
て反射膜が剥離する恐れがあり、また貼り合わせた後で
も樹脂基板が温度や湿度の変化に伴う繰り返し応力を受
けていると反射膜の剥離が起こる心配もある。そこで、
樹脂基板に対する膜の密着性が良い真空蒸着法が反射膜
を成膜する方法として使用されていた。
て反射膜が剥離する恐れがあり、また貼り合わせた後で
も樹脂基板が温度や湿度の変化に伴う繰り返し応力を受
けていると反射膜の剥離が起こる心配もある。そこで、
樹脂基板に対する膜の密着性が良い真空蒸着法が反射膜
を成膜する方法として使用されていた。
【０００４】上記真空蒸着法は大型のバッチ式装置を用
いる必要があるため、設備費用が嵩み、また、運転時無
人化ができないという欠点があった。
いる必要があるため、設備費用が嵩み、また、運転時無
人化ができないという欠点があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】これに対して、イオン
ビームをターゲットに衝突させてターゲットから生じる
スパッタ粒子を基体に堆積させるイオンビームスパッタ
リング法（以下、ＩＢＳ法と略す）は、連続式の装置と
することができるために装置が小型となり、運転時の無
人化も容易に可能となる。
ビームをターゲットに衝突させてターゲットから生じる
スパッタ粒子を基体に堆積させるイオンビームスパッタ
リング法（以下、ＩＢＳ法と略す）は、連続式の装置と
することができるために装置が小型となり、運転時の無
人化も容易に可能となる。
【０００６】また、ＩＢＳ法は成膜に最適なスパッタ粒
子エネルギーが得られるので、結晶性が高く、基板に対
して密着性が良い、高い反射率を有する反射膜を得るこ
とができる。
子エネルギーが得られるので、結晶性が高く、基板に対
して密着性が良い、高い反射率を有する反射膜を得るこ
とができる。
【０００７】しかしアルミニウムターゲットを用いてＩ
ＢＳ法により樹脂基板上に反射膜を形成しても、前述し
た樹脂基板を貼り合わせ後の環境の変化（例えば、温
度，湿度による樹脂基板の変形や、接着剤の流動等）の
影響を受け、反射膜の剥離，腐食等が生じていた。
ＢＳ法により樹脂基板上に反射膜を形成しても、前述し
た樹脂基板を貼り合わせ後の環境の変化（例えば、温
度，湿度による樹脂基板の変形や、接着剤の流動等）の
影響を受け、反射膜の剥離，腐食等が生じていた。
【０００８】そこで、本発明の目的はＩＢＳ法を用い
て、環境による劣化が少ない、アルミニウム反射膜を有
する光記録媒体の製造方法を提供することにある。
て、環境による劣化が少ない、アルミニウム反射膜を有
する光記録媒体の製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、不活性
ガスを放電状態にして得られるプラスイオンのみから構
成されるビームを、少なくともアルミニウムとタンタル
との双方を含むターゲットに衝突させた後、前記ターゲ
ットから発生する粒子を樹脂基板に堆積することを特徴
とする光記録媒体の製造方法である。
ガスを放電状態にして得られるプラスイオンのみから構
成されるビームを、少なくともアルミニウムとタンタル
との双方を含むターゲットに衝突させた後、前記ターゲ
ットから発生する粒子を樹脂基板に堆積することを特徴
とする光記録媒体の製造方法である。
【００１０】本発明に用いられる不活性ガスは、アルゴ
ンが好ましく用いられるがネオン，クリプトン，キセノ
ン，微量の窒素等とアルゴンとの混合物であっても良
い。
ンが好ましく用いられるがネオン，クリプトン，キセノ
ン，微量の窒素等とアルゴンとの混合物であっても良
い。
【００１１】反射率を満足させるためにターゲットの構
成は、アルミニウムが９５ａｔ％以上が好ましい。この
場合、タンタルの含有量は５ａｔ％以下である。ターゲ
ットに他の元素を添加した場合も、タンタルの含有量を
減少する。
成は、アルミニウムが９５ａｔ％以上が好ましい。この
場合、タンタルの含有量は５ａｔ％以下である。ターゲ
ットに他の元素を添加した場合も、タンタルの含有量を
減少する。
【００１２】
【実施例】以下、実施例を説明するが本発明はこれに限
定されるものではない。
定されるものではない。
【００１３】直径３０ｃｍ、厚さ１．２ｍｍのビデオデ
ィスク用ポリメチルメタアクリレート（以下、ＰＭＭＡ
と略す）基板をイオンビームスパッタリング（ＩＢＳ）
装置の中に取り付け、装置内を一旦１０-5Ｐａまで排気
した後、アルゴンガスを供給しながら装置内の圧力を１
０-2Ｐａ程度に維持し、フィラメントに電流を流し、放
電状態を作った。
ィスク用ポリメチルメタアクリレート（以下、ＰＭＭＡ
と略す）基板をイオンビームスパッタリング（ＩＢＳ）
装置の中に取り付け、装置内を一旦１０-5Ｐａまで排気
した後、アルゴンガスを供給しながら装置内の圧力を１
０-2Ｐａ程度に維持し、フィラメントに電流を流し、放
電状態を作った。
【００１４】イオンソースチャンバーとターゲット組成
がＡｌ95Ｔａ5 であるアルミニウム−タンタル合金ター
ゲットとの間に１５００ｅＶの電場を与え、５００ｍＡ
のアルゴンプラスイオン電流を得た。得られたアルゴン
プラスイオン電流をアルミニウム−タンタル合金ターゲ
ットに照射し、たたき出された合金粒子による膜厚３０
ｎｍである反射膜をＰＭＭＡ基板に形成して、実施例−
１の光記録媒体を製造した。さらに、ターゲット組成を
表１に示す値に変化して実施例２〜５の光記録媒体を製
造した。
がＡｌ95Ｔａ5 であるアルミニウム−タンタル合金ター
ゲットとの間に１５００ｅＶの電場を与え、５００ｍＡ
のアルゴンプラスイオン電流を得た。得られたアルゴン
プラスイオン電流をアルミニウム−タンタル合金ターゲ
ットに照射し、たたき出された合金粒子による膜厚３０
ｎｍである反射膜をＰＭＭＡ基板に形成して、実施例−
１の光記録媒体を製造した。さらに、ターゲット組成を
表１に示す値に変化して実施例２〜５の光記録媒体を製
造した。
【００１５】また、９９．９９％アルミニウムターゲッ
トを用いた以外は実施例−１と同様にして、比較例−１
を製造した。なお、実施例−４はアルミニウム−タンタ
ル−モリブデン合金ターゲットを、実施例−５はアルミ
ニウム−タンタル−クロム合金ターゲットを使用してい
る。
トを用いた以外は実施例−１と同様にして、比較例−１
を製造した。なお、実施例−４はアルミニウム−タンタ
ル−モリブデン合金ターゲットを、実施例−５はアルミ
ニウム−タンタル−クロム合金ターゲットを使用してい
る。
【００１６】さらに、蒸着装置に前述したＰＭＭＡ樹脂
基板とアルミニウムチップとを取り付けた。蒸着装置を
５×１０-4Ｐａまで排気した後、アルミニウムチップに
電子ビームを照射、溶融して真空蒸着法によるアルミニ
ウム反射膜を形成して、比較例−２の光記録媒体を製造
した。
基板とアルミニウムチップとを取り付けた。蒸着装置を
５×１０-4Ｐａまで排気した後、アルミニウムチップに
電子ビームを照射、溶融して真空蒸着法によるアルミニ
ウム反射膜を形成して、比較例−２の光記録媒体を製造
した。
【００１７】上述した実施例および比較例の光記録媒体
の反射率，反射膜と基板との密着力，耐久性試験結果，
膜中のタンタル含有量，膜の応力，Ｘ線回折結果から得
られたＡｌ（１１１）面の半値幅測定結果を表１に示
す。ただし、真空蒸着品についてはＡｌ（１１１）ピー
クがみられなかったので記載していない。ここで、反射
率は７８０ｎｍの赤外光を照射した場合の反射率であ
る。反射膜と基板との密着力は、粘着テープを用いた剥
離試験によってＡ（特に良い）、Ｂ（実用的な水準にあ
る）、Ｃ（不良）の３段階で示した。耐久性の結果は、
６０℃、６０％ＲＨの雰囲気中で１０００時間の加速劣
化試験を行い、発生した剥離、腐食痕を目視により調
べ、剥離試験と同様に３段階により評価した。膜中のタ
ンタル含有量は蛍光Ｘ線により得られた結果を示す。膜
の応力は基板の成膜前後の反りの変化から求めた。
の反射率，反射膜と基板との密着力，耐久性試験結果，
膜中のタンタル含有量，膜の応力，Ｘ線回折結果から得
られたＡｌ（１１１）面の半値幅測定結果を表１に示
す。ただし、真空蒸着品についてはＡｌ（１１１）ピー
クがみられなかったので記載していない。ここで、反射
率は７８０ｎｍの赤外光を照射した場合の反射率であ
る。反射膜と基板との密着力は、粘着テープを用いた剥
離試験によってＡ（特に良い）、Ｂ（実用的な水準にあ
る）、Ｃ（不良）の３段階で示した。耐久性の結果は、
６０℃、６０％ＲＨの雰囲気中で１０００時間の加速劣
化試験を行い、発生した剥離、腐食痕を目視により調
べ、剥離試験と同様に３段階により評価した。膜中のタ
ンタル含有量は蛍光Ｘ線により得られた結果を示す。膜
の応力は基板の成膜前後の反りの変化から求めた。
【００１８】
【表１】
【００１９】まず、反射率であるが、真空蒸着品の比較
例−２より僅かに劣るものの、実施例−１〜５の全てが
実用的な値である７０％を超える値を示した。密着性も
また実施例１〜５の全てが比較例−２より劣るものの、
やはり実用的な範囲である。耐久性は実施例−１〜５の
全てが実用的な範囲以上であり、特にタンタル含有量の
多い実施例−１，実施例−２が優れた耐久性を示した。
膜の応力は実施例−１〜３を比較するとわかるように、
アルミニウム−タンタル合金ではタンタル含有量と共に
応力が増加する。これはアルミニウムより大きな原子半
径のタンタルを含有するためと考えられる。三元合金の
場合は一層応力が増加している。なお、比較例−１と比
較例−２の差はスパッタ粒子の運動エネルギが蒸着粒子
の運動エネルギより大きいためと考えられる。一般に膜
の応力が大きいと、剥離や腐食などを生じ易く、耐久性
を劣化させ易い。経験的には、応力が一桁以上大きいと
耐久性に劣化がみられるが、この程度の応力（真空蒸着
膜の応力の３倍以内）では問題なかった。Ａｌ（１１
１）半値幅はタンタル含有量と共に大きくなっている。
Ａｌ（１１１）半値幅は大きいほど、平均結晶粒径が小
さいことを示しており、アルミニウム膜中へのタンタル
の混入により、Ａｌ（１１１）の結晶成長が妨げられて
いると推測できる。結晶粒径と密着性との関係は不明で
あるが、平均結晶粒径が小さいほど耐久性がよくなる傾
向があると考えられる。
例−２より僅かに劣るものの、実施例−１〜５の全てが
実用的な値である７０％を超える値を示した。密着性も
また実施例１〜５の全てが比較例−２より劣るものの、
やはり実用的な範囲である。耐久性は実施例−１〜５の
全てが実用的な範囲以上であり、特にタンタル含有量の
多い実施例−１，実施例−２が優れた耐久性を示した。
膜の応力は実施例−１〜３を比較するとわかるように、
アルミニウム−タンタル合金ではタンタル含有量と共に
応力が増加する。これはアルミニウムより大きな原子半
径のタンタルを含有するためと考えられる。三元合金の
場合は一層応力が増加している。なお、比較例−１と比
較例−２の差はスパッタ粒子の運動エネルギが蒸着粒子
の運動エネルギより大きいためと考えられる。一般に膜
の応力が大きいと、剥離や腐食などを生じ易く、耐久性
を劣化させ易い。経験的には、応力が一桁以上大きいと
耐久性に劣化がみられるが、この程度の応力（真空蒸着
膜の応力の３倍以内）では問題なかった。Ａｌ（１１
１）半値幅はタンタル含有量と共に大きくなっている。
Ａｌ（１１１）半値幅は大きいほど、平均結晶粒径が小
さいことを示しており、アルミニウム膜中へのタンタル
の混入により、Ａｌ（１１１）の結晶成長が妨げられて
いると推測できる。結晶粒径と密着性との関係は不明で
あるが、平均結晶粒径が小さいほど耐久性がよくなる傾
向があると考えられる。
【００２０】以上の結果を各実施例についてまとめると
以下のようになる。
以下のようになる。
【００２１】実施例−１，２はタンタルの添加により、
密着性の良い膜ができており、また、上記に加え、半値
幅から予想されるアルミニウムの平均の結晶粒径が小さ
いことおよびタンタルの効果により、耐久性も向上して
いる。応力は他と比較し大きいが、問題にならない程度
である。
密着性の良い膜ができており、また、上記に加え、半値
幅から予想されるアルミニウムの平均の結晶粒径が小さ
いことおよびタンタルの効果により、耐久性も向上して
いる。応力は他と比較し大きいが、問題にならない程度
である。
【００２２】実施例−３，４，５はタンタルの添加によ
り、密着性は向上しているものの、半値幅から予想され
るアルミニウムの平均結晶粒径が実施例−１，２ほど小
さくならなかったため、また、タンタルの含有量が少な
いため耐久性がＢであったと考えられる。
り、密着性は向上しているものの、半値幅から予想され
るアルミニウムの平均結晶粒径が実施例−１，２ほど小
さくならなかったため、また、タンタルの含有量が少な
いため耐久性がＢであったと考えられる。
【００２３】比較例−１のＩＢＳ法で作成した純アルミ
ニウム膜は、応力は小さいものの、実施例−１〜５と比
較し、密着性が良くないのと、半値幅から予想されるア
ルミニウムの平均結晶粒径が大きいため、耐久性がＣで
あったと考えられる。
ニウム膜は、応力は小さいものの、実施例−１〜５と比
較し、密着性が良くないのと、半値幅から予想されるア
ルミニウムの平均結晶粒径が大きいため、耐久性がＣで
あったと考えられる。
【００２４】このように、アルミニウム−タンタル合金
をターゲットとして用いてＩＢＳ法により得られた実施
例−１〜５の光記録媒体の反射膜は、アルミニウムをタ
ーゲットとして用いてＩＢＳ法により得られた比較例−
１より密着性および耐久性とも優れた性能を示し、さら
に、密着性および耐久性ともに従来使用されている比較
例−２に示す真空蒸着品とほぼ同等の性能を有してい
る。
をターゲットとして用いてＩＢＳ法により得られた実施
例−１〜５の光記録媒体の反射膜は、アルミニウムをタ
ーゲットとして用いてＩＢＳ法により得られた比較例−
１より密着性および耐久性とも優れた性能を示し、さら
に、密着性および耐久性ともに従来使用されている比較
例−２に示す真空蒸着品とほぼ同等の性能を有してい
る。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ＩＢＳ法を用いて密着性および耐久性に優れた光記録媒
体の反射膜を製造することができ、装置の小型化，省略
化，効率化が計れる。
ＩＢＳ法を用いて密着性および耐久性に優れた光記録媒
体の反射膜を製造することができ、装置の小型化，省略
化，効率化が計れる。
Claims (1)
- 【請求項１】 不活性ガスを放電状態にして得られるプ
ラスイオンのみから構成されるビームを、少なくともア
ルミニウムとタンタルとの双方を含むターゲットに衝突
させた後、前記ターゲットから発生する粒子を樹脂基板
に堆積することを特徴とする光記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12371894A JPH07334873A (ja) | 1994-06-06 | 1994-06-06 | 光記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12371894A JPH07334873A (ja) | 1994-06-06 | 1994-06-06 | 光記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07334873A true JPH07334873A (ja) | 1995-12-22 |
Family
ID=14867648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12371894A Pending JPH07334873A (ja) | 1994-06-06 | 1994-06-06 | 光記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07334873A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6748193B2 (en) | 2001-03-30 | 2004-06-08 | Fuji Photo Optical Co., Ltd. | Mechanism for retaining platen glass used to read original in course of being fed in image reader |
| US7018696B2 (en) | 2003-04-18 | 2006-03-28 | Target Technology Company Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7045188B2 (en) | 1998-06-22 | 2006-05-16 | Nee Han H | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7314660B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7314659B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7314657B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7316837B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-08 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7374805B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-05-20 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
-
1994
- 1994-06-06 JP JP12371894A patent/JPH07334873A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7045188B2 (en) | 1998-06-22 | 2006-05-16 | Nee Han H | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7291374B2 (en) | 1998-06-22 | 2007-11-06 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7384677B2 (en) | 1998-06-22 | 2008-06-10 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7314660B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7314659B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7314657B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7316837B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-08 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7374805B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-05-20 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US6748193B2 (en) | 2001-03-30 | 2004-06-08 | Fuji Photo Optical Co., Ltd. | Mechanism for retaining platen glass used to read original in course of being fed in image reader |
| US7018696B2 (en) | 2003-04-18 | 2006-03-28 | Target Technology Company Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
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