JPH06306602A

JPH06306602A - 薄膜の製造方法

Info

Publication number: JPH06306602A
Application number: JP9338593A
Authority: JP
Inventors: Kazunobu Chiba; 一信千葉; Kenichi Sato; 研一佐藤
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1993-04-20
Filing date: 1993-04-20
Publication date: 1994-11-01

Abstract

(57)【要約】【目的】カソードユニット９に大きな電力を投入する
ことなく、成膜速度を向上させ、生産性の高い薄膜の製
造方法を提供する。【構成】スパッタ法により薄膜を形成するに際し、カ
ソードユニット９の近傍に一対の補助電極１７を配置
し、この補助電極１７を放電させながらスパッタを行
う。又は、ターゲット材１０に対してＥＢガンで電子を
供給しながらスパッタを行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、スパッタ法により薄膜
を形成する薄膜の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、真空薄膜成膜法として蒸着
法，スパッタ法，ＣＶＤ法等の検討がなされ、種々の分
野において実用化されている。蒸着法，ＣＶＤ法は成膜
速度が大きく、特に蒸着法では電子銃（ＥＢガン）を使
用することによって高速成膜が可能であるという利点が
ある。しかし、この蒸着法は金属を蒸気化して被着させ
る方法であるため、蒸気圧の異なる物質を同時に安定し
て蒸着することが難しいという問題もある。

【０００３】一方、スパッタ法は、蒸気圧の異なる様々
な金属の合金成膜が可能であることから注目されてい
る。このスパッタ法は、例えば、金属磁性薄膜型の磁気
記録媒体の保護膜形成に適用すると、磁気記録媒体の耐
久性や耐蝕性が向上することが知られている。

【０００４】従来、上記スパッタ法は蒸着法に比べて成
膜速度に劣ることから生産性に欠けること、大量生産を
行うためには装置が大型化すること等の問題点があった
が、現在では、マグネトロンスパッタ法や対向ターゲッ
ト法等といったスパッタ法の開発により、成膜速度は高
速化しつつある。

【０００５】例えば、上記マグネトロンスパッタ法にお
いては、ターゲットの下方にマグネットを配し、その漏
れ磁界によって電子をトラップして放電を持続させる
（サイクロトロン運動を行わせている）方法をとってい
るため、ターゲットを効率的にスパッタすることが可能
となり成膜速度は比較的大きなものとなる。そして、上
記成膜速度は、真空装置内に配置するターゲットの数を
増やすこと、各ターゲットに供給する投入電力量を大き
くすること等によって向上させることができる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、限られ
た空間の中に配置できるターゲットの数には限度がある
ため、ターゲット数の増加によって成膜速度を向上させ
ることは難しく、また、ターゲットに供給する投入電力
量を大きくすると、スパッタ時に発生する熱が大きくな
るため、ターゲットとバッキングプレートを接着してい
るハンダ等のボンディング剤が溶けだしてしまい、電極
をショートさせる等の問題が起こる。

【０００７】このように、マグネトロンスパッタ法によ
っても、充分な成膜速度を得られていないのが実情であ
る。

【０００８】そこで本発明は、かかる従来の実情に鑑み
て提案されたものであり、成膜速度を向上させ、生産性
に優れた薄膜の製造方法を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、上述の目的を
達成するために提案されたものであり、カソードユニッ
ト上に載置したターゲットをスパッタすることにより薄
膜を成膜する薄膜の製造方法において、前記カソードユ
ニットの近傍に電子供給手段又は放電電極を配し、カソ
ードユニットに対して電子を補助的に供給しながら又は
放電を行いながら成膜を行うことを特徴とするものであ
る。

【００１０】そして、上記電子供給手段が電子銃（ＥＢ
ガン）であることを特徴とするものである。

【００１１】本発明の薄膜の製造方法は、例えば、非磁
性支持体上に金属磁性薄膜，耐摩耗性薄膜（保護膜）等
を設けてなる金属薄膜型の磁気テープ（いわゆる蒸着テ
ープ）を製造するために使用されて好適である。

【００１２】上記金属磁性薄膜の材料としては、通常の
蒸着テ−プに使用されるものであれば如何なるものであ
ってもよい。例示すれば、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の強磁性
金属材料、Ｆｅ−Ｃｏ，Ｃｏ−Ｎｉ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎ
ｉ，Ｆｅ−Ｃｕ，Ｃｏ−Ｃｕ，Ｃｏ−Ａｕ，Ｃｏ−Ｐ
ｔ，Ｍｎ−Ｂｉ，Ｍｎ−Ａｌ，Ｆｅ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｃ
ｒ，Ｎｉ−Ｃｒ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃ
ｒ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等の強磁性合金材料等が挙
げられる。

【００１３】上記金属磁性薄膜は、これらの単層膜であ
ってもよいし多層膜であってもよい。さらには、可撓性
支持体と金属磁性薄膜間、あるいは多層膜の場合には、
各層間の付着力向上、並びに抗磁力の制御等のため、下
地層または、中間層を設けてもよい。また、例えば磁性
層表面近傍が耐蝕性改善等のために酸化物となっていて
もよい。なお、上記下地層や中間層の形成に本発明の装
置を使用することも可能である。

【００１４】また、本発明を適用して耐摩耗性薄膜（保
護膜）を形成する場合、この材料としては一般に耐摩耗
性薄膜材料として使用されるものであればいかなるもの
であってもよく、例示するならば、カーボン、Ｃｒ
Ｏ₂，Ａｌ₂Ｏ₃，ＢＮ，Ｃｏ酸化物、ＭｇＯ，ＳｉＯ
₂，Ｓｉ₃Ｏ₄，ＳｉＮ_x，ＳｉＣ，ＳｉＮ_x−ＳｉＯ
₂，ＺｒＯ₂，ＴｉＯ₂，ＴｉＣ等が挙げられる。ま
た、かかる保護膜はこれらの単層膜であってもよいし多
層膜や金属との複合膜であってもよい。

【００１５】もちろん、本発明の製造方法によって作成
される磁気テープの構成はこれに限定されるものではな
く、例えば必要に応じてバックコート層を形成したり、
可撓性支持体上に下塗層を形成したり、潤滑剤、防錆剤
などの層を形成することは何等差し支えない。この場
合、バックコート層に含まれる非磁性顔料、樹脂結合剤
あるいは潤滑剤、防錆剤層に含まれる材料としては従来
公知のものがいずれも使用できる。

【００１６】なお、本発明の製造方法を適用して、その
他の金属薄膜の成膜も可能であり、例えば、基板に対し
てＡｕ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｃｕ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｂｉ，Ａｇ，
Ｐｔ等といった金属やこれらの合金の薄膜を成膜するた
めに用いてもよい。

【００１７】

【作用】カソードユニット近傍に例えばＥＢガンのよう
な電子供給手段を配して、カソードユニット表面に多く
の電子を存在させるようにすると、スパッタガスがター
ゲットを攻撃しやすくなり、成膜速度を向上させること
ができる。また、同様にカソードユニット近傍に放電電
極を配して、放電させながらスパッタリングを行うこと
によっても効率的な成膜を行うことができる。

【００１８】これにより、カソードユニットに供給する
投入電力量を大きくしたのと同様な効果が得られること
となるが、カソードユニットに直接大きな電力を供給し
た場合のような大きな熱を生じることがないため、ター
ゲットとバッキングプレートを接着しているボンディン
グ剤が溶けだしたりすることがない。

【００１９】

【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について説明
するが、本発明がこの実施例に限定されるものではな
い。

【００２０】実験１先ず、本発明を適用して基板にＣｒ膜を形成した。以下
に、薄膜形成のために使用した適用した装置の構成につ
いて説明する。

【００２１】図１に示す様に、この薄膜製造装置におい
ては、上部と底部にそれぞれ設けられた排気口１ａ，１
ｂから排気されて内部が真空状態となされた真空室２内
に、同図中の矢印ａ方向に定速回転する送りロール３
と、同様に同図中の矢印ｂ方向に定速回転する巻取りロ
ール４とが設けられ、これら送りロール３から巻取りロ
ール４にテープ状の可撓性支持体５が順次走行するよう
になされている。

【００２２】これら送りロール３から巻取りロール４側
に上記可撓性支持体５が走行する中途部には、上記各ロ
ール３、４の径よりも大径となされた円筒キャン６が設
けられている。この円筒キャン６は、上記可撓性支持体
５を図中下方に引き出す様に設けられ、同図中の矢印ｃ
で示す方向に定速回転する構成とされる。尚、上記送り
ロール３、巻取りロール４、及び円筒キャン６は、それ
ぞれ可撓性支持体５の幅と略同じ長さを有する円筒体で
あり、また上記円筒キャン６には、内部に図示しない冷
却装置が設けられ、上記可撓性支持体５の温度上昇によ
る変形等を抑制し得るようになされている。

【００２３】従って、上記可撓性支持体５は、送りロー
ル３から順次送り出され、さらに上記円筒キャン６の周
面に沿って走行し、巻取りロール４に巻取られていくよ
うになされている。尚、上記送りロール３と上記円筒キ
ャン６との間及び該円筒キャン６と上記巻取りロール４
との間にはそれぞれガイドロール７、８が配設され、上
記円筒キャン６に沿って走行する可撓性支持体５に所定
のテンションをかけ、該可撓性支持体５が円滑に走行す
るようになされている。

【００２４】なお、本実施例では、円筒キャン６は冷却
されているが、可撓性支持体と金属薄膜との接着強度を
上げるため、適宜加熱した状態でもよい。また、同様の
目的で成膜前に予めボンバード処理を施してもよい。

【００２５】また、上記真空室内には上記円筒キャン６
の下方にカソードユニット９があり、この表面に薄膜材
料であるターゲット材１０が接着されている。上記カソ
ードユニット９は、図２にその断面を示すように、電源
（図示せず。）に接続され負の電極となっているバッキ
ングプレート１１、前記バッキングプレート１１の下方
に配置されるマグネット１２及びマグネット１３、前記
マグネット１２，１３を収納するカソードケース１４よ
りなるものである。

【００２６】上記バッキングプレート１１上には、これ
よりも面積の小さいターゲット材１０が接着され、スパ
ッタガスのガス導入管１８の供給口がこのターゲット材
１０に臨むようにして設けられている（図１参照）。そ
して、バッキングプレート１１においてターゲット材１
０に覆われていない部分をスパッタイオンが攻撃しない
ように、ターゲット材１０が配置されていない部分を覆
うカソードカバー１５が設けられている。なお、矢印ｃ
は可撓性支持体５の走行方向を示している。

【００２７】また、上述のカソードユニット９には冷却
水の供給及び排出を行う冷却パイプ１６が接続され、冷
却水を循環させることによりバッキングプレート１１と
これに接着されたターゲット材１０が加熱されるのを防
止している。

【００２８】なお、マグネット１２，１３は、例えばマ
グネット１２の周囲をマグネット１３が囲むように配置
されている。そして、このような状態でカソードケース
１４に収められており、それぞれのマグネット１２，１
３の漏れ磁界により上記カソードユニット９の上面にお
いて磁界が存在するようになされている。かかる磁界の
存在下でスパッタを行うと、その漏れ磁界によって電子
をトラップして放電を持続させるため、ターゲット材１
０を効率的にスパッタすることが可能となる。

【００２９】そして、この薄膜製造装置においては、ス
パッタリングの効率を向上させる目的で、上述のカソー
ドユニット９近傍に放電電極１７が配されていることを
特徴としている。すなわち、図２（カソードユニット９
を側面から見た図）、図３（カソードユニット９を上面
から見た図）に示されるように、一対の放電電極１７
ａ，１７ｂが、矢印ｄで示される可撓性支持体５の幅方
向に平行してカソードユニット９の側方に配置されてい
る。

【００３０】上記放電電極１７ａ，１７ｂは、図４に示
されるようにステンレス等よりなる放電部１９と絶縁部
２０から構成される円柱状の電極であり、上記放電部１
９内部には発熱を防止するため冷却水が循環するように
なっている。また、この放電部１９内部にはフェライト
やＳｍＣｏ等よりなるマグネット２１が配置され、この
マグネット２１の働きによって少ないガスの供給量でも
放電可能な構造となっている。

【００３１】また、本実施例においては、上記放電電極
１７ａ，１７ｂとして２０ｍｍ径のものを１５ｍｍ離し
て平行に配置した。一般的に放電電極間の間隔は、真空
室２の広さ等、種々の装置条件によって決定されるが、
６０ｍｍ程度以上離れると安定した放電が維持できな
い。

【００３２】なお、上記放電電極１７ａ，１７ｂに投入
する電力は、上記電極間距離や真空度、上述した電極内
部のマグネット２１の有無等により異なるが、安定した
放電が維持され、スパッタリングの効率を向上させるた
めには３００Ｖ，０．０５Ａ（１５Ｗ）程度以上が必要
であり、これ以下では放電の効果が発揮されない。逆に
１０００Ｖ，１Ａ（１ｋＷ）以上の電力を供給すると、
放電によって生じる熱が大きなものとなるため、円筒キ
ャン６の周面を走行する可撓性支持体５が上記熱によっ
てダメージを受けることがある。特に金属磁性膜等が形
成されているものに対しては使用できない。

【００３３】ここでは、１５Ｗ〜１ｋＷの電力を供給す
るのが好ましく、可撓性支持体５として１５０ｍｍ幅の
ものを使用したので、単位長さ当りに換算すると１５０
Ｗ／ｍ〜６６７０Ｗ／ｍの電力となる。

【００３４】そして、上記放電電極１７ａ，１７ｂは、
カソードユニット９に電力を供給する電源とは別の電源
（真空室２外に設置されるが、ここでは図示せず。）に
接続されることにより上述の電力が供給され、カソード
ユニット９とは独立で放電がなされるようになってい
る。

【００３５】上述のような薄膜製造装置においては、真
空室２を一定の真空度に保ち、上記放電電極１７ａ，１
７ｂによって放電を行いながら、カソードユニット９上
のターゲット材１０をスパッタリングし、走行する可撓
性支持体５表面に被着させることによって薄膜形成を行
う。

【００３６】上述の装置を用いて、下記の条件で可撓性
支持体にＣｒ膜を形成し、実施例１のサンプルを作成し
た。

【００３７】スパッタ条件可撓性支持体：ポリエチレンテレフタレート（厚さ１０μｍ，幅１５０ｍｍ）ターゲット材：Ｃｒ，サイズ１５０ｍｍ×１５０
ｍｍ使用ガス：アルゴン装置内真空度：４×１０^-3Ｐａ成膜時真空度：２Ｐａ薄膜膜厚：０．１μｍ

【００３８】なお、上記放電電極１７ａ，１７ｂにはＤ
Ｃ電源より３００Ｖ，０．２Ａの電力を供給し、カソー
ドユニット９のバッキングプレート１１には６Ｗ／cm²
の電力を投入した。また、可撓性支持体５の送り速度
は、上述のスパッタ条件において薄膜膜厚が上記０．１
μｍとなるように調整された。

【００３９】一般に可撓性支持体５と成膜される金属等
との接着性を向上させるために予め成膜直前にボンバー
ド処理を施すが、上述した放電電極１７はこのボンバー
ド処理の効果をも合わせ持っているため、本実施例にお
いてはこのボンバード処理を行わなかった。

【００４０】さらに、比較のために、上述の放電電極１
７を設置しない装置を用いた以外は実施例１と同様に成
膜が行われた比較例１のサンプルを作成した。なお、こ
の比較例１のサンプルも成膜に際しボンバード処理を行
っていない。また、比較例２としてボンバード処理を行
った後、比較例１同様放電電極１７を有しない装置によ
って成膜が行われたサンプルも作成した。

【００４１】以上のようにして作成された各サンプルに
ついて、成膜された薄膜の接着性を調べた。この接着性
は、成膜後の薄膜の表面を鋭く削った鉛筆の先で引っか
き、傷が付くもの或いは剥離があるものは×、傷及び剥
離のなかったものは○として評価した。そして、各サン
プルにおける評価結果を、ボンバード処理の有無、放電
電極１７の有無、可撓性支持体の送り速度と共に表１に
示す。

【００４２】

【表１】

【００４３】これより、実施例１と比較例１を比較する
と、放電電極１７を設けることによって速い送り速度で
成膜が可能となることがわかる。また、比較例１と比較
例２とを比較すると、ボンバード処理によって薄膜の接
着性が向上することがわかる。また、実施例１ではこの
ボンバード処理を行わずとも薄膜の接着性が良好である
ことから、放電電極１７がボンバード処理の効果をも合
わせ持っていることがわかる。

【００４４】実験２次に、先に説明した薄膜製造装置（図１に示される。）
を、磁気記録媒体の保護膜形成に適用した。

【００４５】先ず、下塗が施された非磁性支持体上に、
一般的な連続巻取り式の斜方蒸着装置を用いて、Ｃｏ−
Ｎｉ系の金属磁性薄膜を被着させた。使用したベース、
下塗、蒸着条件は下記の通りである。非磁性支持体条件ベース：ポリエチレンテレフタレート１０μｍ厚１５０ｍｍ幅下塗：アクリルエステルを主成分とする
水溶性ラテックスを塗布突起密度約１０００万個／ｍｍ² 蒸着条件インゴット：Ｃｏ80−Ｎｉ20（数字は各金属の
重量比）入射角：４５〜９０° テープ速度：０．１７ｍ/sec 磁性層厚：０．２μｍ酸素導入量：３．３×１０^-6ｍ³/sec 真空度：７×１０^-2Ｐａ

【００４６】なお、上記金属磁性薄膜の成膜時には、非
磁性支持体との接着性を高めるためにボンバード処理を
施した。

【００４７】次に、先に説明した図１の薄膜製造装置に
よって保護膜を形成した。スパッタ条件を下記に示す。スパッタ条件方式：ＤＣマグネトロンスパッタ法ターゲット材：カーボン使用ガス：アルゴン装置内真空度：４×１０^-3Ｐａ成膜時真空度：２Ｐａ保護膜膜厚：０．０１５μｍ

【００４８】なお、上記保護膜作成に際し、放電電極１
７にはＤＣ電源より３５０Ｖ，０．５Ａの電力を供給
し、カソードユニット９のバッキングプレート１１には
８Ｗ／cm²の電力を投入した。また、可撓性支持体５の
送り速度は、上述のスパッタ条件において薄膜膜厚が上
記０．０１５μｍとなるように調整された。

【００４９】さらに、上述の条件に従って保護膜を形成
した後、下記の条件に従ってバックコート、トップコー
トを施し所定のテープ幅に裁断してサンプルテープ（実
施例２）とした。バックコート：カーボン、及びウレタンバインダ
ーを混合したものを０．６μｍ厚塗布トップコート：パーフルオロポリエーテルを塗布スリット幅：８ｍｍ幅

【００５０】また、保護膜作成時、カソードユニット９
の近傍に放電電極１７が配置されなかった装置を用いた
以外は実施例２と同様にして比較例３のサンプルテープ
を作成した。なお、実施例２，比較例３ともに保護膜形
成時にはボンバード処理は行わなかった。

【００５１】実験３次に、上述した薄膜製造装置において放電電極１７が配
置されない代わりにＥＢガンが配置された装置を用い、
以下のようにして保護膜の形成を行った。

【００５２】ここで用いられた装置は、図５に示される
ように、放電電極１７が配置されない代わりにＥＢガン
２２の電子供給口がターゲット材１０表面に臨むように
して配されているものであり、このＥＢガン２２によっ
て、ターゲット材１０に電子が供給されるようになって
いる以外は、可撓性支持体６を走行させるための走行系
やカソードユニット９等、前述した図１の薄膜製造装置
と同様の構成を有するものである。

【００５３】上記ＥＢガン２２は、バルブ２３を介して
ターボ分子ポンプ２４と接続されており、真空室２内の
排気を行うポンプとは独立して局所排気が行えるように
なっている。そして、本装置においては、このような差
動排気を行うことにより、ＥＢガン２２内部と真空室２
内との真空度の差を２桁以上とすることができる。ＥＢ
ガン２２による電子供給は真空度が高いほど効率的に行
うことができるため、ＥＢガン２２を用いる場合には上
述の局所排気が行われる。

【００５４】ここではＥＢガン２２としては、ピアス式
（直進タイプ）を用いたが、一般に使用されている２７
０゜偏向タイプも使用可能である。

【００５５】そして、上記薄膜製造装置においては、真
空室２を排気口１ａ，１ｂより排気を行うことにより一
定の真空度に保ち、ターゲット材１０に対して上記ＥＢ
ガン２２によって電子を供給しながらスパッタリングを
行い、円筒キャン６の周面を走行する可撓性支持体５に
対して成膜が行われる。なお、一般に可撓性支持体５と
成膜される金属等との接着性を向上させるために予め成
膜直前にボンバード処理を施してもよいが、本実施例に
おいてはこのボンバード処理を行わなかった。

【００５６】このようにＥＢガンを用いた薄膜製造装置
によって保護膜の形成を行った以外は実施例２と全く同
様にして磁気テープを作成し実施例３とした。なお、こ
の実施例３のサンプルテープの保護膜を形成するに際
し、カソードユニット９に投入した電力は実施例２同様
８Ｗ／cm²であり、上記ＥＢガン２２に投入した電力は
２０ｋＶ，０．１Ａなるものである。

【００５７】特性の評価以上のようにして作成された実施例２，３、比較例３の
各サンプルテープについて、成膜された保護膜の接着性
を、保護膜成膜後に実験１で行ったのと同様にして評価
した。そして、各サンプルテープにおける評価結果を、
ボンバード処理の有無、放電電極１７の有無、可撓性支
持体の送り速度と共に表２に示す。

【００５８】

【表２】

【００５９】これより、どの製造装置によって作成した
保護膜も、接着性には問題がなかったが、カソードユニ
ット９の近傍に放電電極１７又はＥＢガン２２を配する
ことによって成膜速度が大幅に向上していることがわか
る。

【００６０】そして、上述の実施例２，３及び比較例３
のサンプルテープについて、スチル耐久性，耐錆性の測
定を行った。スチル耐久性の測定はソニー社製８ｍｍＶ
ＴＲＥＶ−Ｓ９００改造機を用いて、再生出力レベル
から３ｄＢ以上の出力落ちした時間をもとにしてスチル
耐久性の時間とした。

【００６１】一方、耐錆性は、腐食試験前の測定値をφ
s 、腐食試験後の測定値をφs ’として磁気特性の劣化
率Δφs を式（１）によって求めることによって評価し
た。 Δφs ＝（φs − φs ’）／φs ×１００（％）・・・（１）

【００６２】なお、腐食試験はガス腐食試験機を用い、
ＳＯ₂ガス０．３ｐｐｍを含む雰囲気（温度３０℃，相
対湿度９０％）中で２４時間保存することによって行っ
た。表３にこれらの測定結果を示す。

【００６３】

【表３】

【００６４】表３より、実施例２，３のサンプルテープ
は、表２に示されたように著しく速い成膜速度で成膜さ
れたものであるにもかかわらず、スチル耐久性及び防錆
性にも優れたものとなっていることがわかる。

【００６５】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の薄膜の製造方法を適用して、カソードユニットの近
傍にＥＢガン又は放電電極を配してスパッタリングを行
うと、成膜速度が向上する。また、磁気記録媒体の保護
膜形成に本発明を適用すると、生産性が向上するととも
に、耐久性に優れた磁気記録媒体とすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に用いられる薄膜製造装置の一構成例を
示す模式図である。

【図２】本発明に用いられる薄膜製造装置におけるカソ
ードユニットを模式的に示す断面図である。

【図３】本発明に用いられる薄膜製造装置におけるカソ
ードユニットを模式的に示す平面図である。

【図４】本発明に用いられる薄膜製造装置に配置された
放電電極を模式的に示す断面図である。

【図５】本発明に用いられる薄膜製造装置の他の構成例
を示す模式図である。

【符号の説明】

１ａ，ｂ・・・排気口２・・・真空室３・・・送りロール４・・・巻取りロール５・・・可撓性支持体６・・・円筒キャン７，８・・・ガイドロール９・・・カソードユニット１０・・・ターゲット材１１・・・バッキングプレート１２，１３・・・マグネット１４・・・カソードケース１５・・・カソードカバー１７・・・放電電極１８・・・ガス導入管１９・・・放電部２０・・・絶縁部２１・・・マグネット２２・・・ＥＢガン２３・・・バルブ２４・・・ターボ分子ポンプ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】カソードユニット上に載置したターゲッ
トをスパッタすることにより薄膜を成膜する薄膜の製造
方法において、前記カソードユニットの近傍に電子供給手段又は放電電
極を配し、カソードユニットに対して電子を補助的に供
給しながら又は放電を行いながら成膜を行うことを特徴
とする薄膜の製造方法。
【請求項２】電子供給手段が電子銃であることを特徴
とする請求項１記載の薄膜の製造方法。