JPH06228748A

JPH06228748A - 薄膜製造装置

Info

Publication number: JPH06228748A
Application number: JP3256993A
Authority: JP
Inventors: Yuichi Arizaka; 裕一蟻坂; Kenichi Sato; 研一佐藤; Yukari Yamada; ゆかり山田; Tsutomu Takeda; 勉武田; Takao Mori; 敬郎森; Kazunobu Chiba; 一信千葉
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1993-01-29
Filing date: 1993-01-29
Publication date: 1994-08-16

Abstract

(57)【要約】【構成】ターゲットの下方位置にマグネットを配し、ス
パッタにより薄膜の形成を行う薄膜製造装置において、
前記ターゲットの周囲にも補助マグネットを配する。【効果】ターゲット表面の磁界分布が均一化されるた
め、スパッタが均一に行われる。このため、歩留りが向
上し、形成される薄膜の膜厚も均一なものとなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、スパッタ法により薄膜
を形成する薄膜製造装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、真空薄膜成膜法として蒸着
法，スパッタ法，ＣＶＤ法等の検討がなされ、種々の分
野において実用化されている。蒸着法，ＣＶＤ法は成膜
速度が大きく、特に蒸着法ではＥＢガンを使用すること
によって高速成膜が可能であるという利点がある。しか
し、この蒸着法は金属を蒸気化して被着させる方法であ
るため、蒸気圧の異なる物質を同時に安定して蒸着する
ことが難しいという問題もある。

【０００３】一方、スパッタ法は、蒸気圧の異なる様々
な金属の合金成膜が可能であることから注目されてい
る。このスパッタ法は、例えば、金属磁性薄膜型の磁気
記録媒体の保護膜形成に適用すると、磁気記録媒体の耐
久性や耐蝕性が向上することが知られている。

【０００４】従来、上記スパッタ法は蒸着法に比べて成
膜速度に劣ることから生産性に欠けること、大量生産を
行うためには装置が大型化すること等の問題点があった
が、現在では、マグネトロンスパッタ法や対向ターゲッ
ト法等といったスパッタ法の開発により、成膜速度は高
速化しつつある。

【０００５】例えば、上記マグネトロンスパッタ法にお
いては、ターゲットの下方にマグネットを配し、その漏
れ磁界によって電子をトラップして放電を持続させる方
法をとっているため、ターゲットを効率的にスパッタす
ることが可能となり成膜速度は比較的大きなものとな
る。そして、上記成膜速度は、真空装置内に配置するタ
ーゲットの数を増やすこと、各ターゲットに供給する投
入電力量を大きくすること等によって向上させることが
できる。

【０００６】しかしながら、前者の方法によると、限ら
れた空間の中に配置できるターゲットの数には限度があ
るため大きな効果は望めず、後者の方法によると、スパ
ッタ時に発生する熱が大きくなるため、ターゲットとバ
ッキングプレートを接着しているハンダ等のボンディン
グ剤が溶けだしてしまい、電極をショートさせる等の問
題が起こる。

【０００７】このように、マグネトロンスパッタ法によ
っても、充分な成膜速度を得られていないのが実情であ
る。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】さらに、上記マグネト
ロンスパッタ法においては、ターゲットの下方に配置さ
れたマグネットによって磁界が偏りを生じており、ター
ゲット上に不均一な磁界分布を生じさせる。そして、上
記磁界が強い領域がスパッタされやすい状態となるの
で、いわゆるエロージョンが発生し、ターゲットが均一
にスパッタされず歩留りを劣化させることになる。

【０００９】また、上述のようなターゲットにおけるス
パッタ領域の偏りが可撓性支持体に被着する際にも反映
され、可撓性支持体に形成した薄膜を観察してみると、
幅方向の膜厚分布が不均一なものとなっていた。

【００１０】このように、マグネトロンスパッタ法にお
いて、上述したターゲット材料の歩留りの改善，均一な
膜厚の薄膜形成のためには、ターゲット下方に配置する
マグネットの形状や磁界強度の設計が重要な課題である
ことがわかる。

【００１１】そこで本発明は、かかる従来の実情に鑑み
て提案されたものであり、ターゲット表面の磁界分布を
改善することによって、成膜速度を向上させつつ、均一
な薄膜を生産性良く形成できるような薄膜製造装置を提
供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明は、上述の目的を
達成するために提案されたものであり、ターゲットの下
方位置にマグネットを配し、スパッタにより薄膜の形成
を行う薄膜製造装置において、前記ターゲットの周囲に
補助マグネットを配することを特徴とするものである。

【００１３】従来より薄膜を形成するための装置とし
て、ターゲットの下方にマグネットが配置されているマ
グネトロンスパッタ装置なるものがあったが、本発明の
薄膜製造装置は、上記装置のターゲットの周囲にさらに
補助マグネットを配したものであり、磁界分布の偏りを
改善できるようになっているものである。

【００１４】そして、上記装置によって製造される薄膜
が、導電性金属膜，金属磁性薄膜，耐摩耗性薄膜より選
ばれる少なくとも１種であることが好ましい。

【００１５】したがって、本発明の薄膜製造装置は、例
えば、非磁性支持体上に金属磁性薄膜，耐摩耗性薄膜
（保護膜）等を設けてなる金属薄膜型の磁気テープ（い
わゆる蒸着テープ）を製造するために使用されて好適で
ある。

【００１６】上記金属磁性薄膜の材料としては、通常の
蒸着テ−プに使用されるものであれば如何なるものであ
ってもよい。例示すれば、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の強磁性
金属材料、Ｆｅ−Ｃｏ，Ｃｏ−Ｎｉ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎ
ｉ，Ｆｅ−Ｃｕ，Ｃｏ−Ｃｕ，Ｃｏ−Ａｕ，Ｃｏ−Ｐ
ｔ，Ｍｎ−Ｂｉ，Ｍｎ−Ａｌ，Ｆｅ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｃ
ｒ，Ｎｉ−Ｃｒ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃ
ｒ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等の強磁性合金材料等が挙
げられる。

【００１７】上記金属磁性薄膜は、これらの単層膜であ
ってもよいし多層膜であってもよい。さらには、可撓性
支持体と金属磁性薄膜間、あるいは多層膜の場合には、
各層間の付着力向上、並びに抗磁力の制御等のため、下
地層または、中間層を設けてもよい。また、例えば磁性
層表面近傍が耐蝕性改善等のために酸化物となっていて
もよい。なお、上記下地層や中間層の形成に本発明の装
置を使用することも可能である。

【００１８】また、本発明を適用して耐摩耗性薄膜（保
護膜）を形成する場合、この材料としては一般に耐摩耗
性薄膜材料として使用されるものであればいかなるもの
であってもよく、例示するならば、カーボン、Ｃｒ
Ｏ₂，Ａｌ₂Ｏ₃，ＢＮ，Ｃｏ酸化物、ＭｇＯ，ＳｉＯ
₂，Ｓｉ₃Ｏ₄，ＳｉＮ_x，ＳｉＣ，ＳｉＮ_x−ＳｉＯ
₂，ＺｒＯ₂，ＴｉＯ₂，ＴｉＣ等が挙げられる。ま
た、かかる保護膜はこれらの単層膜であってもよいし多
層膜や金属との複合膜であってもよい。

【００１９】もちろん、本発明の装置によって作成され
る磁気テープの構成はこれに限定されるものではなく、
例えば必要に応じてバックコート層を形成したり、可撓
性支持体上に下塗層を形成したり、潤滑剤、防錆剤など
の層を形成することは何等差し支えない。この場合、バ
ックコート層に含まれる非磁性顔料、樹脂結合剤あるい
は潤滑剤、防錆剤層に含まれる材料としては従来公知の
ものがいずれも使用できる。

【００２０】なお、本発明の製造装置を適用して、その
他の金属薄膜の成膜も可能であり、例えば、基板に対し
てＡｕ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｃｕ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｂｉ，Ａｇ，
Ｐｔ等といった金属やこれらの合金の薄膜を成膜するた
めに用いてもよい。

【００２１】

【作用】ターゲットの下方にマグネットを配置すると、
上記マグネットからの漏れ磁界が電子をトラップして放
電を持続させる。よって、ターゲットを効率的にスパッ
タすることが可能となり成膜速度は比較的大きなものと
なる。さらに補助マグネットが配置されることによりタ
ーゲット表面の磁界分布が均一化されるため、ターゲッ
トを均一にスパッタすることができる。

【００２２】したがって、上述のような装置を用いて薄
膜形成を行うと、ターゲットの歩留りが向上し、成膜さ
れる薄膜の膜厚も均一なものとなる。

【００２３】

【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について説明
するが、本発明がこの実施例に限定されるものではな
い。

【００２４】実施例１本実施例においては、磁性薄膜の形成には真空蒸着法を
用い、その後、マグネトロンスパッタ法を適用して保護
膜を形成し磁気記録媒体を製造した。以下に、保護膜形
成のために使用した装置（マグネトロンスパッタ法によ
る磁気記録媒体製造装置）の構成について説明する。

【００２５】図１に示す様に、この製造装置において
は、上部と底部にそれぞれ設けられた排気口１ａ，１ｂ
から排気されて内部が真空状態となされた真空室２内
に、同図中の矢印ａ方向に定速回転する送りロール３
と、同様に同図中の矢印ｂ方向に定速回転する巻取りロ
ール４とが設けられ、これら送りロール３から巻取りロ
ール４にテープ状の可撓性支持体５が順次走行するよう
になされている。

【００２６】これら送りロール３から巻取りロール４側
に上記可撓性支持体５が走行する中途部には、上記各ロ
ール３、４の径よりも大径となされた円筒キャン６が設
けられている。この円筒キャン６は、上記可撓性支持体
５を図中下方に引き出す様に設けられ、同図中の矢印ｃ
で示す方向に定速回転する構成とされる。尚、上記送り
ロール３、巻取りロール４、及び円筒キャン６は、それ
ぞれ可撓性支持体５の幅と略同じ長さを有する円筒体で
あり、また上記円筒キャン６には、内部に図示しない冷
却装置が設けられ、上記可撓性支持体５の温度上昇によ
る変形等を抑制し得るようになされている。

【００２７】従って、上記可撓性支持体５は、送りロー
ル３から順次送り出され、さらに上記円筒キャン６の周
面に沿って走行し、巻取りロール４に巻取られていくよ
うになされている。尚、上記送りロール３と上記円筒キ
ャン６との間及び該円筒キャン６と上記巻取りロール４
との間にはそれぞれガイドロール７、８が配設され、上
記円筒キャン６に沿って走行する可撓性支持体５に所定
のテンションをかけ、該可撓性支持体５が円滑に走行す
るようになされている。

【００２８】なお、本実施例では、円筒キャン６は冷却
されているが、可撓性支持体と金属薄膜との接着強度を
上げるため、適宜加熱した状態でもよい。また、同様の
目的で成膜前に予めボンバード処理を施してもよい。

【００２９】また、上記真空室内には上記円筒キャン６
の下方にカソードユニット９があり、この表面に薄膜材
料であるターゲット材１０が接着されている。上記カソ
ードユニット９は、図２にその断面を示すように、電源
（図示せず。）に接続され負の電極となっているバッキ
ングプレート１１、前記バッキングプレート１１の下方
に配置されるマグネット１２及びマグネット１３、前記
マグネット１２，１３を収納するカソードケース１４よ
りなるものである。

【００３０】そして、上記バッキングプレート１１上に
は、これよりも面積の小さいターゲット材１０が図３に
示すように接着され、ターゲット材１０以外をスパッタ
イオンが攻撃しないように、ターゲット材１０が配置さ
れていない部分を覆うカソードカバー１５が設けられて
いる。なお、矢印ｃは可撓性支持体５の走行方向を示
し、矢印ｄは可撓性支持体５の幅方向を示している。

【００３１】また、上述のカソードユニット９には冷却
水の供給及び排出を行う冷却パイプ（図示せず。）が接
続され、冷却水を循環させることによりバッキングプレ
ート１１とこれに接着されたターゲット材１０が加熱さ
れるのを防止している。

【００３２】なお、マグネット１２，１３は、例えば図
４に示すように、マグネット１２の周囲をマグネット１
３が囲むように配置されている。そして、このような状
態でカソードケース１４に収められている。

【００３３】上記中央に位置するマグネット１２はその
上部１２ＡにおいてはＳ極を示すものであり、その周囲
に位置するマグネット１３は上部１３ＡがＮ極を示すも
のである。したがって、それぞれのマグネット１２，１
３の漏れ磁界により上記カソードユニット９の上面にお
いては図２中点線ａで示されるような向きの磁界が存在
する。かかる磁界の存在下でスパッタを行うと、図５中
ｂで示されるような磁界の強い領域にエロージョンが発
生することになる。

【００３４】そこで本実施例の装置においては、上述の
カソードユニット９に対してさらに補助マグネット１７
を配置し、ターゲット材１０近傍における磁界分布をよ
り均一なものとするような構成としている。すなわち、
本実施例においては、上記補助マグネット１７が例えば
カソードユニットの側方に２つ配置されている。

【００３５】図５はこのカソードユニット９を側面から
見た図であり、図６はこれを上面から見た図である。矢
印ｄで示される可撓性支持体５の幅方向に対応してカソ
ードユニット９の両端面に補助マグネット１７が１つず
つ走行方向ｃに平行に配置されている。

【００３６】そして、上記補助マグネット１７の磁極
は、対向するマグネット１３の極性とは反対の極性とさ
れている。ここでは、隣接するカソードユニット９内部
のマグネット１３は上部１３ＡがＮ極を示すので、補助
マグネット１７は上部１７ＡがＳ極とされている。した
がって、マグネット１３の上部１３Ａから補助マグネッ
ト１７の上部１７Ａへ向かう磁界が発生する。

【００３７】補助マグネット１７を配置する前のカソー
ドユニット９においては、上述したように、マグネット
１３とマグネット１２とによる図２中ａで示される向き
の磁界が、いわばリング状にしか存在しなかったが、補
助マグネット１７を配置して異なる向きの磁界を発生さ
せると、相互作用により磁界分布が均一化される。上述
のように補助マグネット１７を配置することにより、エ
ロージョン領域を図５中ｂで示される範囲からターゲッ
ト材１０の全面へと広げることになる。

【００３８】上記補助マグネット１７に必要な磁界強度
は、一般にターゲット材１０が磁性材料であるか否かに
よって異なり、磁性材料であった場合、カソードユニッ
ト９表面で８００ガウス程度、非磁性材料であった場
合、２００〜４００ガウス程度である。

【００３９】したがって、上記補助マグネット１７とし
て使用可能な硬質磁性材料としては、ＭｎＡｌ，アルニ
コ磁石，希土類Ｃｏ磁石，希土類Ｆｅ磁石，バリウムフ
ェライト磁石等が挙げられる。それぞれの保磁力Ｈｃ及
びエネルギー積（ＢＨ）maxの値を表１に示す。

【００４０】

【表１】

【００４１】ただし、補助マグネット１７をカソードユ
ニット９の側面に配置すると、カソードユニット９内に
配置されたマグネット１２，１３との距離は数十ｍｍ程
度離れていることが予想されるため、強磁性材料をター
ゲット材に用いる場合にはＳｍ−Ｃｏ系等強力なマグネ
ットを用いることが好ましい。逆に、非磁性材料をター
ゲット材に用いる場合にはフェライト系のマグネットを
カソードユニット９に近接させて配置させるか、又はＳ
ｍ−Ｃｏ系等のマグネットをカソードユニット９から離
して配置させればよい。

【００４２】その他、電磁石を使用することも可能であ
るが、この電磁石は投入電力によって磁界強度を調整で
きるという利点がある反面、外形が大きくなる等の問題
もある。

【００４３】そして、上述の装置においては、真空室２
を一定の真空度に保ち、カソードユニット９上のターゲ
ット材１０をスパッタリングし、走行する可撓性支持体
５表面に被着させることによって薄膜形成が行われる。

【００４４】上述のような構成を有する装置を、磁気記
録媒体の保護膜形成に適用し、以下のようにして磁気テ
ープを作成した。

【００４５】先ず、下塗が施された非磁性支持体上に、
一般的な連続巻取り式の斜方蒸着装置を用いて、Ｃｏ−
Ｎｉ系の金属磁性薄膜を被着させた。使用したベース、
下塗、蒸着条件は下記の通りである。

【００４６】非磁性支持体条件ベース：ポリエチレンテレフタレート１０μｍ厚１５０ｍｍ幅下塗：アクリルエステルを主成分とする
水溶性ラテックスを塗布突起密度約１０００万個／ｍｍ²

【００４７】蒸着条件インゴット：Ｃｏ80−Ｎｉ20（数字は各金属の
重量比）入射角：４５〜９０° テープ速度：０．１７ｍ/sec 磁性層厚：０．２μｍ真空度：７×１０^-2Ｐａ

【００４８】次に、先に説明したマグネトロンスパッタ
法を適用した装置によって、保護膜を形成した。スパッ
タ条件を下記に示す。

【００４９】スパッタ条件方式：ＤＣマグネトロンスパッタ法ターゲット材：カーボン，サイズ１５０ｍｍ×１
５０ｍｍ使用ガス：アルゴン装置内真空度：４×１０^-3Ｐａ成膜時真空度：２Ｐａテープ速度：０．１ｍ/sec 保護膜膜厚（目標）：１５ｎｍ投入電力：７ｗ／cm²

【００５０】さらに、下記の条件に従ってバックコー
ト、トップコートを施し所定のテープ幅に裁断して実施
例１のサンプルテープを作成した。バックコート：カーボン、及びウレタンバインダ
ーを混合したものを０．６μｍ厚塗布トップコート：パーフルオロポリエーテルを塗布スリット幅：８ｍｍ幅

【００５１】実施例２，３バッキングプレート１１への投入電力，ターゲット材１
０のサイズを表２に示される値に設定した以外は実施例
１と同様にしてサンプルテープを作成した。

【００５２】

【表２】

【００５３】実施例４本実施例では補助マグネット１７の配置が異なる装置を
用いた。すなわち、図８，９に示すように、カソードユ
ニット９表面において、カソードカバー１５上の４頂点
にそれぞれ補助マグネット１７を配置した。なお、上記
補助マグネット１７にはフェライトを使用した。

【００５４】補助マグネット１７の配置が上述のように
異なる装置を用いた以外は実施例１と同様にしてサンプ
ルテープを作成した。なお、投入電力，ターゲット材１
０のサイズは、表２に併せて示す。

【００５５】実施例５本実施例では補助マグネット１７の配置がさらに異なる
装置を用いた。すなわち、図１０，１１に示すように、
補助マグネット１７はカソードユニット９の上方（すな
わちカソードカバー上）において、可撓性支持体５の幅
方向の両端部に２本配置した。なお、上記補助マグネッ
ト１７にはフェライトを使用した。

【００５６】補助マグネット１７の配置が上述のように
異なる装置を用いた以外は実施例１と同様にしてサンプ
ルテープを作成した。なお、投入電力，ターゲット材１
０のサイズは、表２に併せて示す。

【００５７】比較例１，２カソードターゲット９の側面に補助マグネット１７が配
置されない装置を用いた以外は実施例１と同様にしてサ
ンプルテープを作成した。なお、投入電力，ターゲット
材のサイズは、表２に併せて示す。

【００５８】そして、以上のようにして作成された実施
例及び比較例のサンプルテープについて、形成された保
護膜の膜厚が均一であるか否か調べた。実際には、保護
膜をスパッタ法により成膜した後、可撓性支持体の有効
成膜幅１３０ｍｍに対して１０ｍｍ毎に保護膜の膜厚を
測定することによって調べ、測定された膜厚の最大値と
最小値を幅方向膜厚分布とした。なお、膜厚の測定は、
成膜された保護膜をエッチング等により剥離除去した
後、触針式段差計（デックタック）により行った。

【００５９】この結果は表２に併せて示す。

【００６０】表２より、補助マグネット１７を用いるこ
とによってターゲット材１０の幅を小さくしても、形成
された薄膜の幅方向膜厚分布が劣化しないことがわか
る。

【００６１】さらに、作成された各サンプルテープにつ
いて、スチル耐久性，耐錆性の測定を行った。スチル耐
久性の測定はソニー社製８ｍｍＶＴＲＥＶ−Ｓ９００
改造機を用いて、再生出力レベルから３ｄＢ以上の出力
落ちした時間をもとにしてスチル耐久性の時間とした。

【００６２】一方、耐錆性は、腐食試験前の測定値をφ
s 、腐食試験後の測定値をφs ’として磁気特性の劣化
率Δφs を式（１）によって求めることによって評価し
た。

【００６３】

【数１】

【００６４】なお、腐食試験はガス腐食試験機を用い、
ＳＯ₂ガス０．３ｐｐｍを含む雰囲気（温度３０℃，相
対湿度９０％）中で２４時間保存することによって行っ
た。表３にこれらの測定結果を示す。

【００６５】

【表３】

【００６６】表３より、どのサンプルテープについて
も、２４時間以上のスチル耐久時間を得られ、耐錆性に
も優れたものであったことがわかる。しかし、膜厚分布
が同じ値であった比較例１と実施例１とを比較すると、
実施例１のサンプルテープの方が耐錆性に優れており、
補助マグネット１７の有無以外は同じ条件で作成された
比較例２と実施例２とを比較しても、実施例２のサンプ
ルテープの方が耐錆性に優れたものとなっている。

【００６７】以上は、本発明のスパッタ装置を磁気記録
媒体の保護膜形成に適用した例について説明したもので
あるが、次のように支持体に導電性金属薄膜を形成する
ために用いることも可能である。

【００６８】実施例１で説明した装置を用いて、下記の
条件で可撓性支持体に導電性金属薄膜を形成したものを
サンプルＡとする。スパッタ条件可撓性支持体：ポリエチレンテレフタレート（厚
さ１０μｍ，幅１５０ｍｍ）ターゲット材：Ｃｒ，サイズ１５０ｍｍ×１５０
ｍｍ使用ガス：アルゴン装置内真空度：４×１０^-3Ｐａ成膜時真空度：２Ｐａテープ速度：０．４ｍ/sec 薄膜膜厚（目標）：５０ｎｍ投入電力：７ｗ／cm²

【００６９】また、補助マグネット１７を用いずにスパ
ッタを行ったこと以外は上記サンプルＡと同様にしてサ
ンプルＢを作成した。そして、上述のサンプルＡ，Ｂに
ついて、作成された金属薄膜の幅方向の膜厚分布を測定
した結果、サンプルＡにおいては、最大値／最小値が５
７／４２（ｎｍ）、サンプルＢでは６０／３５（ｎｍ）
となった。

【００７０】両者を比較してみると、補助マグネット１
７を用いてスパッタした場合の方が形成された薄膜の膜
厚が均一であることがわかる。

【００７１】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の薄膜製造装置においては、補助マグネットがターゲ
ット上の磁界分布を均一化している。これによって、タ
ーゲットが均一にスパッタされるため、歩留りが向上す
るとともに、成膜される薄膜の膜厚も均一なものとな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の薄膜製造装置の一構成例を示す模式図
である。

【図２】カソードユニットを模式的に示す断面図であ
る。

【図３】カソードユニットを模式的に示す平面図であ
る。

【図４】カソードユニット内のマグネットの配置を模式
的に示す平面図である。

【図５】エロージョン発生の様子を模式的に示す平面図
である。

【図６】両側に補助マグネットを配したカソードユニッ
トの一例を模式的に示す断面図である。

【図７】両側に補助マグネットを配したカソードユニッ
トの一例を模式的に示す平面図である。

【図８】四隅に補助マグネットを配したカソードユニッ
トの一例を模式的に示す断面図である。

【図９】四隅に補助マグネットを配したカソードユニッ
トの一例を模式的に示す平面図である。

【図１０】カソードカバーの上に２本の補助マグネット
を配したカソードユニットの一例を模式的に示す断面図
である。

【図１１】カソードカバーの上に２本の補助マグネット
を配したカソードユニットの一例を模式的に示す平面図
である。

【符号の説明】

１ａ，ｂ・・・排気口２・・・真空室３・・・送りロール４・・・巻取りロール５・・・可撓性支持体６・・・円筒キャン７，８・・・ガイドロール９・・・カソードユニット１０・・・ターゲット材１１・・・バッキングプレート１２，１３・・・マグネット１４・・・カソードケース１５・・・カソードカバー１７・・・補助マグネット

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者武田勉東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内 (72)発明者森敬郎東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内 (72)発明者千葉一信東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ターゲットの下方位置にマグネットを配
し、スパッタにより薄膜の形成を行う薄膜製造装置にお
いて、前記ターゲットの周囲に補助マグネットを配することを
特徴とする薄膜製造装置。
【請求項２】薄膜が、導電性金属膜，金属磁性薄膜，
耐摩耗性薄膜より選ばれる少なくとも１種であることを
特徴とする請求項１記載の薄膜製造方法。