JPH0820865A

JPH0820865A - 薄膜形成装置

Info

Publication number: JPH0820865A
Application number: JP15764594A
Authority: JP
Inventors: Kenichi Sato; 研一佐藤; Yukihiro Kojika; 行広小鹿
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1994-07-08
Filing date: 1994-07-08
Publication date: 1996-01-23

Abstract

(57)【要約】【構成】バッキングプレート１１上のターゲット１０
をスパッタして、該ターゲット１０の上方にて走行する
可撓性支持体の表面に薄膜を形成する薄膜形成装置にお
いて、前記バッキングプレート１１表面のうちターゲッ
ト１０が配設されていない範囲がカソードマスク１５に
よりマスクされ、カソードマスク１５の上面１５ａはタ
ーゲット１０の表面１０ａより低くされる。なお、カソ
ードマスク１５のターゲット１０と近接する端部は、上
面が斜めに切り欠かれてもよい。【効果】薄膜材料のカソード電極上への落下が起こり
にくく、異常放電の発生が抑えられる。このため、本発
明の薄膜形成装置を磁気テープにおける保護膜形成に適
用すると、保護膜の膜厚および膜質を均一に保つことが
でき、耐摩耗性に優れた磁気テープを歩留まりよく製造
できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、スパッタ法により基体
表面に薄膜を形成する薄膜形成装置に関し、特に、異常
放電が抑制できる構造を有する薄膜形成装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、真空薄膜成膜法として蒸着
法，スパッタ法，ＣＶＤ法等の検討がなされ、種々の分
野において実用化されている。蒸着法，ＣＶＤ法は成膜
速度が大きく、特に蒸着法ではＥＢガンを使用すること
によって高速成膜が可能であるという利点がある。しか
し、この蒸着法は金属を蒸気化して被着させる方法であ
るため、蒸気圧の異なる物質を同時に安定して蒸着する
ことが難しいという問題もある。

【０００３】一方、スパッタ法は、蒸気圧の異なる様々
な金属の合金成膜が可能であることから注目され、例え
ば、ディジタルビデオテープレコーダー、業務用ビデオ
テープレコーダーに用いる磁気テープやデータストレー
ジ用の磁気テープ等、非常に高い耐久性を必要とする磁
気記録媒体における保護膜の成膜に適用することが検討
されている。具体的には、ＳｉＯ₂、ＳｉＮ_x、Ｃ、Ｓ
ｉＣ等の耐摩耗性材料を保護膜として成膜すると、磁気
記録媒体の走行耐久性や耐蝕性が向上することがわかっ
ている。

【０００４】従来、上記スパッタ法は蒸着法に比べて成
膜速度に劣ることから生産性に欠けること、大量生産を
行うためには装置が大型化すること等の問題点があった
が、現在では、マグネトロンスパッタ法や対向ターゲッ
ト法等といったスパッタ法の開発により、成膜速度は高
速化しつつある。図１に、マグネトロンスパッタ法を適
用した薄膜形成装置を示す。この薄膜形成装置において
は、排気口１ａ，１ｂを有する真空室２内に、可撓性支
持体５を走行させるための走行系と、該可撓性支持体５
に対して薄膜を形成する成膜系とが設けられてなる。上
記走行系は、送りロール３、巻取りロール４、円筒キャ
ン６、ガイドロール７，８よりなり、図中の矢印方向に
定速回転することにより、可撓性支持体５を送りロール
３から順次送り出し、円筒キャン６の周面に沿って走行
させた後、巻取りロール４に巻取るようになされてい
る。

【０００５】一方、成膜系は、仕切り板によって仕切ら
れた真空室２の下方側に設けられ、上記円筒キャン６の
下方に設けられたカソードユニット１０９、この表面に
配設された薄膜の原料よりなるターゲット１０、ガス導
入管より構成される。上記カソードユニット１０９は、
図５にその断面を示すように、電源（図示せず。）に接
続されカソード電極となっているバッキングプレート１
１、前記バッキングプレート１１の下方に配置されるマ
グネット１２及びマグネット１３、これらをを収納する
カソードケース１４よりなるものである。また、上記バ
ッキングプレート１１上には、これよりも面積の小さい
ターゲット１０が接着され、ターゲット１０が配置され
ていない範囲はカソードマスク１１５にて覆われ、イオ
ンの攻撃から防御されている。

【０００６】なお、上記カソードマスク１１５は、その
外周縁部はカソードケース１４に接着され、その下面は
バッキングプレート１１に接することなく、また、その
側面がターゲット１０に接することなく固定されてい
る。また、ターゲット１０に近接する端部においては、
その断面形状が略矩形状とされており、その上面１１５
ａはターゲット１０表面と略同じ高さとされている。

【０００７】そして、以上のような構成を有する装置に
よって薄膜を形成するには、上述の走行系にて可撓性支
持体５を走行させた状態にて、バッキングプレート１１
に所定の電力を供給する。これにより、円筒キャン６と
の間に放電が起こり、ガス導入管より供給されたガスが
イオン化されてターゲット１０を攻撃するため、可撓性
支持体５表面に薄膜材料が被着する。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、ターゲット
１０から叩き出された薄膜材料１１６は、可撓性支持体
５以外にも真空室２の内壁や仕切り板、カソードユニッ
ト１０９等にも被着するが、図５に示されるように、カ
ソードマスク１１５のターゲット１０と近接する端部に
は、該薄膜材料１１６が最も堆積しやすい。特に、カソ
ードマスク１１５の上面１１５ａとターゲット１０に対
向する側面とがなす稜線の付近においては、このように
して堆積した薄膜材料１１６がバッキングプレート１１
上方に迫り出すため、長時間に亘って堆積がなされる
と、該バッキングプレート１１上へ落下してしまうこと
となる。この薄膜材料１１６のバッキングプレート１１
へ落下は、異常放電を生じさせる原因となる。

【０００９】そして、異常放電が生じると、可撓性支持
体５に形成される薄膜の膜厚を不均一にしたり、膜質に
異常を発生させたりといった問題を引き起こしてしま
う。そこで本発明は、かかる従来の実情に鑑みて提案さ
れたものであり、異常放電を抑制することにより、均一
な膜厚，膜質にて薄膜形成が行える薄膜形成装置を提供
することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明に係る薄膜形成装
置は、上述の目的を達成するために提案されたものであ
り、カソード電極上に配設されたターゲットをスパッタ
して、該ターゲットの上方に対向させた基体の表面に薄
膜を形成させる薄膜形成装置において、前記カソード電
極表面のうち前記ターゲットが配設されていない範囲が
カソードマスクによりマスクされ、前記カソードマスク
の上面は、前記ターゲット表面よりも低くされているも
のである。

【００１１】このように、前記ターゲット表面よりも低
くされたカソードマスクには、ターゲットから叩き出さ
れた薄膜材料が被着しにくい。なお、該薄膜の被着を十
分に抑制するには、カソードマスクの上面をターゲット
表面よりも１ｍｍ以上後退させておくことが好ましい。
そして、該カソードマスクに薄膜材料が被着してもカソ
ード電極上に落下しにくくするため、前記カソードマス
クのターゲットと近接する端部は、上面が斜めに切り欠
かれた構成とされて好適である。具体的には、カソード
マスクの上面とターゲットと対向する側面とがなす稜の
近傍が、上面および側面とも稜線から２ｍｍ以上づつ切
り欠かれている、いわゆるＣ面取りでＣ２以上にて面取
りされていることが好ましい。

【００１２】ところで、本発明の薄膜形成装置によって
薄膜形成がなされる基体は、長尺のフィルム上に金属磁
性薄膜が成膜された可撓性支持体であって好適である。
即ち、形成される薄膜は、いわゆる蒸着テープにおける
金属磁性薄膜上に設けられる保護膜であって好適であ
る。保護膜の材料としては従来公知のものがいずれも使
用可能であり、ＣｒＯ₂，Ａｌ₂Ｏ₃，ＢＮ，Ｃｏ酸化
物、ＭｇＯ，ＳｉＯ₂，Ｓｉ₃Ｏ₄，ＳｉＮ_x，Ｓｉ
Ｃ，ＳｉＮ_x−ＳｉＯ₂，ＺｒＯ₂，ＴｉＯ₂，ＴｉＣ
等が挙げられるが、カーボンが代表的である。また、か
かる保護膜はこれらの単層膜であってもよいし多層膜や
金属との複合膜であってもよい。

【００１３】なお、本発明に係る薄膜形成装置を用いて
蒸着テープを製造する場合、上記金属磁性薄膜の材料も
従来公知のものがいずれも使用でき、例示するならば、
Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の強磁性金属材料、Ｆｅ−Ｃｏ，Ｃ
ｏ−Ｎｉ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ，Ｆｅ−Ｃｕ，Ｃｏ−Ｃ
ｕ，Ｃｏ−Ａｕ，Ｃｏ−Ｐｔ，Ｍｎ−Ｂｉ，Ｍｎ−Ａ
ｌ，Ｆｅ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｃｒ，Ｎｉ−Ｃｒ，Ｆｅ−Ｃｏ
−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等
の強磁性合金材料等が挙げられる。また、金属磁性薄膜
は、これらの単層膜であってもよいし多層膜であっても
よい。

【００１４】さらに、非磁性支持体と上記金属磁性薄膜
間、あるいは多層膜の場合には各層間に、付着力向上、
並びに抗磁力の制御等のため、下地層または、中間層を
設けてもよい。また、例えば磁性層表面近傍が耐蝕性改
善等のために酸化物となっていてもよい。なお、上記金
属磁性薄膜、下地層や中間層の形成に本発明の薄膜形成
装置を使用することも可能である。

【００１５】もちろん、本発明の薄膜形成装置によって
製造される磁気記録媒体の構成はこれに限定されるもの
ではなく、例えば必要に応じてバックコート層を形成し
たり、非磁性支持体上に下塗層を形成したり、潤滑剤、
防錆剤などの層を形成することは何等差し支えない。こ
の場合、バックコート層に含まれる非磁性顔料、樹脂結
合剤あるいは潤滑剤、防錆剤層に含まれる材料としては
従来公知のものがいずれも使用できる。

【００１６】また、本発明の薄膜形成装置を適用して、
その他の金属薄膜の成膜も可能であり、例えば、基板に
対してＡｕ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｃｕ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｂｉ，Ａ
ｇ，Ｐｔ等といった金属やこれらの合金の薄膜を成膜す
るために用いてもよい。なお、本発明に係る薄膜形成装
置は、マグネトロンスパッタ法や対向ターゲット法を用
いたスパッタ装置として適用可能である。特に、ターゲ
ットの下方にマグネットが配置されているマグネトロン
スパッタ装置であることが好ましく、上記マグネットか
らの漏れ磁界が電子をトラップして放電を持続させるた
め、ターゲットを効率的にスパッタすることが可能とな
り成膜速度が向上する。なお、上記装置のターゲットの
周囲にさらに補助マグネットを配して、磁界分布の偏り
を改善できるようにしてもよく、これにより、ターゲッ
トを均一にスパッタすることができ、ターゲットの歩留
まりを向上させることができる。

【００１７】

【作用】本発明に係る薄膜形成装置においては、カソー
ドマスクに薄膜材料が被着しにくい。これは、ターゲッ
トから叩き出された薄膜材料は上方に向かって飛び出す
ことから、前記ターゲット表面よりも下方に設けられた
カソードマスクには被着しにくいためである。そして、
該カソードマスクへの薄膜材料の被着量が減少すれば、
カソード電極上への落下も起こりにくい。

【００１８】カソードマスクのターゲット近傍における
端部の断面が略矩形状である場合、カソードマスクの上
面とターゲットに対向する側面とがなす稜線付近に堆積
した薄膜材料が最も脱落しやすいが、この稜を切り欠い
た構成とされれば、薄膜材料がカソード電極上に迫り出
して堆積することがなくなるため、脱落しにくくなる。
即ち、カソードマスク端部を切り欠くことにより、カソ
ード電極上への薄膜材料の落下が抑制され、異常放電が
抑制できる。そして、異常放電が抑制できると、均一な
膜厚，膜質にて薄膜を形成できる。

【００１９】このため、本発明に係る薄膜形成装置を磁
気テープにおける保護膜形成に適用すると、走行する可
撓性支持体に対して連続的に長時間に亘って保護膜を形
成しても、この保護膜の膜厚および膜質を均一に保つこ
とができる。このため、耐摩耗性に優れた磁気テープを
歩留まりよく製造することが可能となる。

【００２０】

【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について説明
するが、本発明がこの実施例に限定されるものではな
い。ここでは、薄膜形成装置としてマグネトロンスパッ
タ装置を用い、いわゆる蒸着テープにおける保護膜形成
を行った。実施例１本実施例では、カソードマスクの上面をターゲット表面
よりも１ｍｍ低くした薄膜形成装置を用いた。

【００２１】図１に薄膜形成装置の構成例を示す。この
装置においては、排気口１ａ，１ｂを有する真空室２内
に、可撓性支持体５を走行させるための走行系と、該可
撓性支持体５に対して薄膜を形成する成膜系とが設けら
れてなる。上記走行系は、同図中の矢印ａ方向に定速回
転する送りロール３と、同様に同図中の矢印ｂ方向に定
速回転する巻取りロール４とが設けられ、これら送りロ
ール３から巻取りロール４にテープ状の可撓性支持体５
が順次走行するようになされている。

【００２２】これら送りロール３から巻取りロール４側
に上記可撓性支持体５が走行する中途部には、上記各ロ
ール３、４の径よりも大径となされた円筒キャン６が設
けられている。この円筒キャン６は、上記可撓性支持体
５を図中下方に引き出す様に設けられ、同図中の矢印ｃ
で示す方向に定速回転する構成とされる。なお、上記送
りロール３、巻取りロール４、及び円筒キャン６は、そ
れぞれ可撓性支持体５の幅と略同じ長さを有する円筒体
であり、また上記円筒キャン６には、内部に図示しない
冷却装置が設けられ、上記可撓性支持体５の温度上昇に
よる変形等を抑制し得るようになされている。

【００２３】したがって、上記可撓性支持体５は、送り
ロール３から順次送り出され、さらに上記円筒キャン６
の周面に沿って走行し、巻取りロール４に巻取られてい
くようになされている。なお、上記送りロール３と上記
円筒キャン６との間及び該円筒キャン６と上記巻取りロ
ール４との間にはそれぞれガイドロール７、８が配設さ
れ、上記円筒キャン６に沿って走行する可撓性支持体５
に所定のテンションをかけ、該可撓性支持体５が円滑に
走行するようになされている。

【００２４】なお、本実施例では、円筒キャン６は冷却
されているが、可撓性支持体と薄膜との接着強度を上げ
るため、適宜加熱した状態でもよい。また、同様の目的
で成膜前に予めボンバード処理を施してもよい。一方、
成膜系は、仕切り板によって仕切られた真空室２の下方
側に設けられ、上記円筒キャン６の下方に設けられたカ
ソードユニット９、この表面に配設された薄膜の原料よ
りなるターゲット１０、ガス導入管より構成される。上
記カソードユニット９は、図２にその断面を示すよう
に、電源（図示せず。）に接続されカソード電極となっ
ているバッキングプレート１１、前記バッキングプレー
ト１１の下方に配置されるマグネット１２及びマグネッ
ト１３、前記マグネット１２，１３を収納するカソード
ケース１４よりなる。

【００２５】上記バッキングプレート１１表面は、ター
ゲット１０よりも大きな面積を有しているが、ターゲッ
ト１０が配設された範囲以外には、カソードマスク１５
により被覆されている。カソードユニット９を上面から
見た図を図３に示すように、上記カソードマスク１５
は、ターゲット１０の周囲を取り囲んでバッキングプレ
ート１１をマスクしている。なお、この外周端部はカソ
ードケース１４に接着され、その下面はバッキングプレ
ート１１に接することなく、また、その側面がターゲッ
ト１０に接することなく固定されている。また、ターゲ
ット１０に近接する端部においては、その断面形状が略
矩形状とされており、その上面１５ａはターゲット１０
の表面１０ａよりも低くなるように設けられている。な
お、本実施例においては、カソードマスク１５の上面１
５ａとターゲット１０の表面１０ａとの差ｄが１ｍｍと
された。

【００２６】上述のカソードユニット９には冷却水の供
給及び排出を行う冷却パイプ（図示せず。）が接続さ
れ、冷却水を循環させることによりバッキングプレート
１１とこれに接着されたターゲット１０の加熱を防止で
きるようになされている。また、マグネット１２，１３
は、マグネット１２の周囲をマグネット１３が囲むよう
に配置されており、中央に位置するマグネット１２はそ
の上部１２ＡにおいてはＳ極を示すものであり、その周
囲に位置するマグネット１３は上部１３ＡがＮ極を示す
ものとされる。

【００２７】したがって、上述の薄膜形成装置におい
て、真空室２を一定の真空度に保った状態にて、バッキ
ングプレート１１に電力を供給し、ガス導入管からガス
を供給すると、円筒キャン６との間に放電が起こってガ
スがイオン化され、ターゲット１０を攻撃することによ
って、走行する可撓性支持体５表面に薄膜材料が被着す
る。なお、マグネット１２，１３による漏れ磁界は、電
子をトラップして放電を持続させ、効率的なスパッタを
可能とする。また、バッキングプレート１１におけるタ
ーゲット１０が配設されていない範囲は、カソードマス
ク１５によりイオンの攻撃から遮断されている。

【００２８】上述のような構成を有する装置を、磁気記
録媒体の保護膜形成に適用し、以下のようにして磁気テ
ープを作成した。先ず、下塗が施された非磁性支持体上
に、一般的な連続巻取り式の斜方蒸着装置を用いて、Ｃ
ｏ−Ｎｉ系の金属磁性薄膜を被着させた。使用したベー
ス、下塗、蒸着条件は下記の通りである。

【００２９】非磁性支持体条件ベース：ポリエチレンテレフタレート１０μｍ厚１５０ｍｍ幅下塗：アクリルエステルを主成分とする
水溶性ラテックスを塗布突起密度約１０００万個／ｍｍ² 蒸着条件インゴット：Ｃｏ80−Ｎｉ20（数字は各金属の
重量比）入射角：４５〜９０° テープ速度：０．１７ｍ/sec 磁性層厚：０．２μｍ真空度：７×１０^-2Ｐａ次に、先に説明した薄膜形成装置によって保護膜を形成
した。スパッタ条件を下記に示す。

【００３０】スパッタ条件方式：ＤＣマグネトロンスパッタ法ターゲット：カーボン，サイズ１５０ｍｍ×１
５０ｍｍ使用ガス：アルゴン真空度：０．６Ｐａテープ速度：０．１ｍ/sec 保護膜膜厚：１５ｎｍ投入電力：１０ｗ／cm² さらに、下記の条件に従ってバックコート、トップコー
トを施し所定のテープ幅に裁断して磁気テープとした。

【００３１】バックコート：カーボン、及びウレ
タンバインダーを混合したものを０．６μｍ厚塗布トップコート：パーフルオロポリエーテルを塗布スリット幅：８ｍｍ幅実施例２本実施例では、ターゲット１０の表面１０ａに対するカ
ソードマスク１５の上面１５ａの位置が、実施例１より
もさらに低くなされた薄膜形成装置を用いた。

【００３２】具体的には、カソードマスク１５の上面１
５ａとターゲット１０の表面１０ａとの差ｄが３ｍｍと
された以外は実施例１と同様の構成を有する薄膜形成装
置を用いた。そして、これにより保護膜形成を行い、実
施例１と同様にして磁気テープを作製した。実施例３本実施例では、カソードマスク１５の上面１５ａとター
ゲット１０の表面１０ａとの差ｄが実施例２と同様であ
り、さらに、カソードマスク１５のターゲット１０と近
接する端部においては、上面１５ａが斜めに切り欠かれ
た薄膜形成装置を用いた。

【００３３】具体的には、図４に示されるように、カソ
ードマスク１５の上面１５ａとターゲット１０の表面１
０ａとの差ｄが３ｍｍとされ、カソードマスク１５の上
面１５ａとターゲット１０と対向する側面１５ｂとがな
す稜の近傍が、上面１５ａおよび側面１５ｂとも稜線か
ら２ｍｍづつ切り欠かれている、いわゆるＣ２にて面取
りされた断面形状とされている。そして、これにより、
カソードマスク１５の端部においては斜面１５ｃが形成
される。

【００３４】なお、これ以外は実施例１と同様の構成を
有する薄膜形成装置を保護膜形成に用い、実施例１と同
様にして磁気テープを作製した。実施例４本実施例では、カソードマスク１５のターゲット１０と
近接する端部における切欠きが実施例３よりも大きくな
された薄膜形成装置を用いた。

【００３５】具体的には、カソードマスク１５の上面１
５ａとターゲット１０の表面１０ａとの差ｄが３ｍｍと
され、カソードマスク１５の上面１５ａとターゲット１
０と対向する側面１５ｂとがなす稜の近傍が、上面１５
ａおよび側面１５ｂとも稜線から５ｍｍづつ切り欠かれ
ている、いわゆるＣ５にて面取りされた断面形状とされ
ている。なお、これ以外は実施例１と同様の構成を有す
る薄膜形成装置を保護膜形成に用いて、実施例１と同様
にして磁気テープを作製した。比較例１本比較例では、ターゲット１０の表面１０ａとカソード
マスク１１５の上面１１５ａが同じ高さとされ、さら
に、カソードマスク１１５のターゲット１０と近接する
端部には切欠きが設けられない薄膜形成装置を用いた。

【００３６】具体的には、図５に示されるように、カソ
ードマスク１１５の上面１１５ａはターゲット１０の表
面１０ａと同じ高さ、即ち、カソードマスク１１５の上
面１１５ａとターゲット１０の表面１０ａとの差ｄが０
ｍｍとされた。さらに、ターゲット１０に近接する端部
においては、切欠きが設けられず、断面形状が略矩形状
とされた。なお、これ以外は実施例１と同様の構成を有
する薄膜形成装置を保護膜形成に用いて、実施例１と同
様にして磁気テープを作製した。特性の評価以上のように構成の異なる薄膜形成装置を用いて、保護
膜の成膜を１０時間に亘って連続して行った時、カソー
ドマスク１５，１１５に付着する保護膜材料の厚みを測
定すると共に、異常放電の発生回数を調べた。なお、該
異常放電の発生回数は、１分あたりの電圧または電流が
２０％以上変動した回数とした。また、各薄膜形成装置
を用いて作製された磁気テープをソニー社製，ＥＶ−Ｓ
９００なる記録再生装置に搭載して、白５０％の信号を
記録し、１分当り−１６ｄＢ，１０μｓｅｃ以上のドロ
ップアウトが発生した数をカウントした。これらの結果
を表１に示す。

【００３７】

【表１】

【００３８】なお、表１中、「ｄ」にて示される数値
は、各薄膜形成装置におけるカソードマスク１５の上面
１５ａとターゲット１０の表面１０ａとの差であり、
「切欠きの有無」の欄では、カソードマスク１５端部に
おいて上面１５ａが切り欠かれているか否か、また切欠
きが設けられいる場合にはその面取りの種類を記載して
いる。また、「付着物の厚み」にて示される数値は、カ
ソードマスク１５，１１５に付着する保護膜材料の厚み
である。

【００３９】表１より、比較例１の薄膜形成装置を用い
た成膜に比して、実施例１〜実施例４の薄膜形成装置を
用いた成膜は、カソードマスク１５に付着する保護膜材
料の厚みが低減されると共に、異常放電の回数も大幅に
低減していることがわかる。また、各薄膜形成装置を用
いて作製された磁気テープにおけるドロップアウト数も
大幅に低減されていることがわかる。なお、各実施例同
士を比較すると、カソードマスク１５の上面１５ａとタ
ーゲット１０の表面１０ａとの差ｄが大きいほど、カソ
ードマスク１５端部における切欠きが大きいほど、良好
な結果が得られていることがわかる。

【００４０】これより、カソードマスク１５の上面１５
ａがターゲット１０の表面１０ａより低くなされ、さら
に、カソードマスク１５のターゲット１０に近接する端
部に切欠きが設けられた薄膜形成装置を用いることによ
って、異常放電を低減し、膜質に優れた保護膜を成膜で
きることがわかった。以上、本発明に係る薄膜形成装置
を磁気記録媒体の保護膜形成に適用した例について説明
したが、本発明は上述の実施例に限定されるものではな
く、種々の変形変更が可能である。例えば、薄膜形成装
置においては、ターゲットの材料、マグネットの配置等
の変更が可能であり、該薄膜形成装置によって成膜され
る薄膜も保護膜に限られず、金属磁性薄膜や導電性金属
薄膜であってもよい。

【００４１】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の薄膜形成装置においては、薄膜材料のカソード電極
上への落下が起こりにくいため、異常放電の発生が抑え
られ、均一な膜厚および膜質の薄膜が形成できる。この
ため、本発明に係る薄膜形成装置を磁気テープにおける
保護膜形成に適用すると、走行する可撓性支持体に対し
て連続的に長時間に亘って保護膜を形成しても、この保
護膜の膜厚および膜質を均一に保つことができ、耐摩耗
性に優れた磁気テープを歩留まりよく製造することが可
能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】薄膜形成装置の一構成例を示す模式図である。

【図２】本発明に係る薄膜形成装置におけるカソードユ
ニットの構成例を模式的に示す断面図である。

【図３】図２のカソードユニットの上面を示す平面図で
ある。

【図４】本発明に係る薄膜形成装置におけるカソードユ
ニットの他の構成例を模式的に示す拡大断面図である。

【図５】従来の薄膜形成装置におけるカソードユニット
を模式的に示す断面図である。

【符号の説明】

１ａ，ｂ排気口２真空室３送りロール４巻取りロール５可撓性支持体６円筒キャン７，８ガイドロール９カソードユニット１０ターゲット１１バッキングプレート１２，１３マグネット１４カソードケース１５カソードマスク

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】カソード電極上に配設されたターゲット
をスパッタして、該ターゲットの上方に対向させた基体
の表面に薄膜を形成させる薄膜形成装置において、前記カソード電極表面のうち前記ターゲットが配設され
ていない範囲がカソードマスクによりマスクされ、前記カソードマスクの上面は、前記ターゲット表面より
低くされていることを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項２】前記カソードマスクの前記ターゲットと
近接する端部は、上面が斜めに切り欠かれていることを
特徴とする請求項１記載の薄膜形成装置。
【請求項３】前記基体が長尺のフィルム上に金属磁性
薄膜が成膜された可撓性支持体であることを特徴とする
請求項１または請求項２記載の薄膜形成装置。
【請求項４】形成する薄膜が、カーボンよりなる保護
膜であることを特徴とする請求項３記載の薄膜形成装
置。