JPH06309921A - チップ型電子部品用導電性ペースト - Google Patents
チップ型電子部品用導電性ペーストInfo
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- JPH06309921A JPH06309921A JP10077793A JP10077793A JPH06309921A JP H06309921 A JPH06309921 A JP H06309921A JP 10077793 A JP10077793 A JP 10077793A JP 10077793 A JP10077793 A JP 10077793A JP H06309921 A JPH06309921 A JP H06309921A
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- mol
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Abstract
(57)【要約】
【目的】金属粉末とガラスフリットと不活性有機ビヒク
ルとを含む導電性ペーストであって、セラミック焼成体
からなるベアチップの表面に塗布した後、焼付けで端子
電極を形成するチップ型電子部品の端子電極用導電性ペ
ーストにおいて、耐めっき液性、耐湿性を改善し、ベア
チップへの端子電極の接着強度を高める。 【構成】 ガラスフリットは、ＺｎＯ２〜４０ｍｏｌ％
と、Ｂ2 Ｏ3 １５〜４０ｍｏｌ％と、ＳｉＯ2 １０〜４
０ｍｏｌ％と、ＰｂＯ５〜４０ｍｏｌ％とを含むホウケ
イ酸鉛亜鉛系ガラスとし、金属粉末に対して、ガラスフ
リットを１〜１５重量％配合する。 【効果】 めっき膜の形成が容易でめっき液の端子電極
内部への浸入がない。ベアチップとの接着強度が高い。
めっき後の電気特性劣化がない。耐湿性に優れ高い信頼
性を有する。
ルとを含む導電性ペーストであって、セラミック焼成体
からなるベアチップの表面に塗布した後、焼付けで端子
電極を形成するチップ型電子部品の端子電極用導電性ペ
ーストにおいて、耐めっき液性、耐湿性を改善し、ベア
チップへの端子電極の接着強度を高める。 【構成】 ガラスフリットは、ＺｎＯ２〜４０ｍｏｌ％
と、Ｂ2 Ｏ3 １５〜４０ｍｏｌ％と、ＳｉＯ2 １０〜４
０ｍｏｌ％と、ＰｂＯ５〜４０ｍｏｌ％とを含むホウケ
イ酸鉛亜鉛系ガラスとし、金属粉末に対して、ガラスフ
リットを１〜１５重量％配合する。 【効果】 めっき膜の形成が容易でめっき液の端子電極
内部への浸入がない。ベアチップとの接着強度が高い。
めっき後の電気特性劣化がない。耐湿性に優れ高い信頼
性を有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はチップ型電子部品用導電
性ペーストに係り、特に、チップインダクター、チップ
抵抗、チップコンデンサ、チップサーミスタ等のチップ
型電子部品の端子電極を形成するための導電性ペースト
に関する。更に詳しくは、本発明はチップ型電子部品用
導電性ペーストのガラスフリット成分の改良に関するも
のである。
性ペーストに係り、特に、チップインダクター、チップ
抵抗、チップコンデンサ、チップサーミスタ等のチップ
型電子部品の端子電極を形成するための導電性ペースト
に関する。更に詳しくは、本発明はチップ型電子部品用
導電性ペーストのガラスフリット成分の改良に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】チップインダクター、チップ抵抗、チッ
プコンデンサ、チップサーミスタ等のチップ型電子部品
において、チップ型電子部品を構成するセラミック材料
からなるベアチップの表面には端子電極が形成される。
この端子電極の形成には、まず、金属粉末とガラスフリ
ットと不活性有機ビヒクルとを混練して調製された導電
性ペーストを、ベアチップの表面に塗布して乾燥した
後、６００〜８５０℃程度の温度で焼成する。その後、
電解バレルめっき或いは無電解めっき法でＮｉ，Ｃｕ，
Ｓｎ，Ｓｎ／Ｐｂ合金等のめっき膜を形成する。このよ
うにして作製されたチップ型電子部品は、その端子電極
を基板にはんだ付けして使用される。
プコンデンサ、チップサーミスタ等のチップ型電子部品
において、チップ型電子部品を構成するセラミック材料
からなるベアチップの表面には端子電極が形成される。
この端子電極の形成には、まず、金属粉末とガラスフリ
ットと不活性有機ビヒクルとを混練して調製された導電
性ペーストを、ベアチップの表面に塗布して乾燥した
後、６００〜８５０℃程度の温度で焼成する。その後、
電解バレルめっき或いは無電解めっき法でＮｉ，Ｃｕ，
Ｓｎ，Ｓｎ／Ｐｂ合金等のめっき膜を形成する。このよ
うにして作製されたチップ型電子部品は、その端子電極
を基板にはんだ付けして使用される。
【０００３】従来、チップ型電子部品用導電性ペースト
のガラスフリットには、ホウケイ酸鉛、ホウケイ酸ビス
マス、ホウ酸亜鉛、ホウ酸鉛、ホウ酸カドミウム系のガ
ラスが用いられている。
のガラスフリットには、ホウケイ酸鉛、ホウケイ酸ビス
マス、ホウ酸亜鉛、ホウ酸鉛、ホウ酸カドミウム系のガ
ラスが用いられている。
【０００４】ガラスフリットは主として金属粉末の焼結
を促進し、ベアチップと端子電極との界面の接合力を高
めるために用いられている。そのため、ガラスフリット
の特性としては、軟化点が金属粉末の焼結温度と適合す
ること、焼結金属のベアチップに対する接着強度を高め
ることができ、また、耐水性があること、めっき液と接
触しても侵食されない耐めっき液性があること、熱膨張
率が過度に大きくないこと等が要求される。
を促進し、ベアチップと端子電極との界面の接合力を高
めるために用いられている。そのため、ガラスフリット
の特性としては、軟化点が金属粉末の焼結温度と適合す
ること、焼結金属のベアチップに対する接着強度を高め
ることができ、また、耐水性があること、めっき液と接
触しても侵食されない耐めっき液性があること、熱膨張
率が過度に大きくないこと等が要求される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の上記金
属酸化物よりなるガラスフリットを用いて導電性ペース
トを作製し、このペーストで端子電極を形成した場合、
端子電極の耐めっき液性に問題があり、めっき後の端子
電極接着強度が劣化してしまうという問題点があった。
属酸化物よりなるガラスフリットを用いて導電性ペース
トを作製し、このペーストで端子電極を形成した場合、
端子電極の耐めっき液性に問題があり、めっき後の端子
電極接着強度が劣化してしまうという問題点があった。
【０００６】本発明は上記従来の問題点を解決し、耐め
っき液性に優れ、めっき後の接着強度が劣化することな
くこれを高く維持することができ、耐湿性に優れ、しか
もめっき膜形成性が良好なチップ型電子部品の端子電極
形成用導電性ペーストを提供することを目的とする。
っき液性に優れ、めっき後の接着強度が劣化することな
くこれを高く維持することができ、耐湿性に優れ、しか
もめっき膜形成性が良好なチップ型電子部品の端子電極
形成用導電性ペーストを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１のチップ型電子
部品用導電性ペーストは、金属粉末とガラスフリットと
不活性有機ビヒクルとを含む導電性ペーストであって、
セラミック焼成体からなるベアチップの表面に塗布した
後、焼付けで端子電極を形成するチップ型電子部品の端
子電極用導電性ペーストにおいて、前記ガラスフリット
は、ＺｎＯ２〜４０ｍｏｌ％と、Ｂ2 Ｏ3 １５〜４０ｍ
ｏｌ％と、ＳｉＯ2 １０〜４０ｍｏｌ％と、ＰｂＯ５〜
４０ｍｏｌ％とを含むホウケイ酸鉛亜鉛系ガラスであっ
て、前記金属粉末に対して、該ガラスフリットが１〜１
５重量％配合されていることを特徴とする。
部品用導電性ペーストは、金属粉末とガラスフリットと
不活性有機ビヒクルとを含む導電性ペーストであって、
セラミック焼成体からなるベアチップの表面に塗布した
後、焼付けで端子電極を形成するチップ型電子部品の端
子電極用導電性ペーストにおいて、前記ガラスフリット
は、ＺｎＯ２〜４０ｍｏｌ％と、Ｂ2 Ｏ3 １５〜４０ｍ
ｏｌ％と、ＳｉＯ2 １０〜４０ｍｏｌ％と、ＰｂＯ５〜
４０ｍｏｌ％とを含むホウケイ酸鉛亜鉛系ガラスであっ
て、前記金属粉末に対して、該ガラスフリットが１〜１
５重量％配合されていることを特徴とする。
【０００８】請求項２のチップ型電子部品用導電性ペー
ストは、請求項１の導電性ペーストにおいて、ガラスフ
リットは、更に、ＣａＯ２〜４０ｍｏｌ％を含むことを
特徴とする。
ストは、請求項１の導電性ペーストにおいて、ガラスフ
リットは、更に、ＣａＯ２〜４０ｍｏｌ％を含むことを
特徴とする。
【０００９】請求項３のチップ型電子部品用導電性ペー
ストは、請求項１又は２の導電性ペーストにおいて、ガ
ラスフリットは、更に、Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 及びＺｒ
Ｏ2よりなる群から選ばれる１種又は２種以上１〜１０
ｍｏｌ％を含むことを特徴とする。
ストは、請求項１又は２の導電性ペーストにおいて、ガ
ラスフリットは、更に、Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 及びＺｒ
Ｏ2よりなる群から選ばれる１種又は２種以上１〜１０
ｍｏｌ％を含むことを特徴とする。
【００１０】請求項４のチップ型電子部品用導電性ペー
ストは、請求項１ないし３のいずれか１項の導電性ペー
ストにおいて、チップ型電子部品がチップインダクタ
ー、チップサーミスタ又はチップ抵抗であることを特徴
とする。
ストは、請求項１ないし３のいずれか１項の導電性ペー
ストにおいて、チップ型電子部品がチップインダクタ
ー、チップサーミスタ又はチップ抵抗であることを特徴
とする。
【００１１】以下に本発明を詳細に説明する。
【００１２】本発明のチップ型電子部品用導電性ペース
トにおいて使用されるガラスフリットは、ホウケイ酸鉛
亜鉛系ガラスであって、 ＺｎＯ ： ２〜４０ｍｏｌ％ Ｂ2 Ｏ3 ：１５〜４０ｍｏｌ％ ＳｉＯ2 ：１０〜４０ｍｏｌ％ ＰｂＯ ： ５〜４０ｍｏｌ％ の組成比からなり、更に必要に応じて ＣａＯ：２〜４０ｍｏｌ％ 及び／又は Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 及びＺｒＯ2 のうちの少なくとも
１種：１〜１０ｍｏｌ％ を含む。
トにおいて使用されるガラスフリットは、ホウケイ酸鉛
亜鉛系ガラスであって、 ＺｎＯ ： ２〜４０ｍｏｌ％ Ｂ2 Ｏ3 ：１５〜４０ｍｏｌ％ ＳｉＯ2 ：１０〜４０ｍｏｌ％ ＰｂＯ ： ５〜４０ｍｏｌ％ の組成比からなり、更に必要に応じて ＣａＯ：２〜４０ｍｏｌ％ 及び／又は Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 及びＺｒＯ2 のうちの少なくとも
１種：１〜１０ｍｏｌ％ を含む。
【００１３】以下にガラスフリットの各成分組成の限定
理由について説明する。
理由について説明する。
【００１４】ＺｎＯは焼結金属のベアチップに対する接
着強度を高めるために添加するが、その割合が２ｍｏｌ
％未満ではその効果がなく、４０ｍｏｌ％を超えるとガ
ラスフリットの融点が高くなり、ガラス化し難くなる。
従って、ＺｎＯは２〜４０ｍｏｌ％とする。
着強度を高めるために添加するが、その割合が２ｍｏｌ
％未満ではその効果がなく、４０ｍｏｌ％を超えるとガ
ラスフリットの融点が高くなり、ガラス化し難くなる。
従って、ＺｎＯは２〜４０ｍｏｌ％とする。
【００１５】Ｂ2 Ｏ3 はガラス形成酸化物として用いら
れ、熱膨張率をあまり大きくすることなくガラス化温度
を下げるように作用し、ガラス化を容易とするが、その
割合が１５ｍｏｌ％未満ではその効果が十分でなく、４
０ｍｏｌ％を超えると得られるガラスフリットの耐めっ
き液性が乏しくなる。従って、Ｂ2 Ｏ3 は１５〜４０ｍ
ｏｌ％とする。
れ、熱膨張率をあまり大きくすることなくガラス化温度
を下げるように作用し、ガラス化を容易とするが、その
割合が１５ｍｏｌ％未満ではその効果が十分でなく、４
０ｍｏｌ％を超えると得られるガラスフリットの耐めっ
き液性が乏しくなる。従って、Ｂ2 Ｏ3 は１５〜４０ｍ
ｏｌ％とする。
【００１６】ＳｉＯ2 は主たるガラス形成酸化物として
用いられ、耐めっき液性を高めるために添加するが、そ
の割合が１０ｍｏｌ％未満では得られるガラスフリット
の耐めっき液性に乏しく、４０ｍｏｌ％を超えると融点
が上がり、ガラス化し難くなる。従って、ＳｉＯ2 は１
０〜４０ｍｏｌ％とする。
用いられ、耐めっき液性を高めるために添加するが、そ
の割合が１０ｍｏｌ％未満では得られるガラスフリット
の耐めっき液性に乏しく、４０ｍｏｌ％を超えると融点
が上がり、ガラス化し難くなる。従って、ＳｉＯ2 は１
０〜４０ｍｏｌ％とする。
【００１７】ＰｂＯはガラス形成中間酸化物として添加
するが、その割合が５ｍｏｌ％未満では得られるガラス
フリットの軟化点が高すぎ、４０ｍｏｌ％を超えると耐
めっき液性に乏しくなる。従って、ＰｂＯは５〜４０ｍ
ｏｌ％とする。
するが、その割合が５ｍｏｌ％未満では得られるガラス
フリットの軟化点が高すぎ、４０ｍｏｌ％を超えると耐
めっき液性に乏しくなる。従って、ＰｂＯは５〜４０ｍ
ｏｌ％とする。
【００１８】このような４成分よりなるガラス組成で
も、耐めっき液性は十分に高く、実用上何等問題はない
が、更に耐めっき液性を高め、焼結金属のベアチップに
対する接着強度を高くするため、ＣａＯと、Ａｌ2 Ｏ
3 、ＴｉＯ2 及びＺｒＯ2 のうちの１種以上とを添加す
ることも可能である。
も、耐めっき液性は十分に高く、実用上何等問題はない
が、更に耐めっき液性を高め、焼結金属のベアチップに
対する接着強度を高くするため、ＣａＯと、Ａｌ2 Ｏ
3 、ＴｉＯ2 及びＺｒＯ2 のうちの１種以上とを添加す
ることも可能である。
【００１９】ＣａＯはアルカリ土類金属成分であり、ガ
ラスの中間生成物となり、ＺｎＯと共に焼結金属のベア
チップとの接着強度を高める作用を奏するが、その割合
が２ｍｏｌ％未満ではその効果が現れず、４０ｍｏｌ％
を超えると得られるガラスフリットの融点が上がり、ガ
ラス化しにくくなる。従って、ＣａＯは２〜４０ｍｏｌ
％とするのが好ましい。
ラスの中間生成物となり、ＺｎＯと共に焼結金属のベア
チップとの接着強度を高める作用を奏するが、その割合
が２ｍｏｌ％未満ではその効果が現れず、４０ｍｏｌ％
を超えると得られるガラスフリットの融点が上がり、ガ
ラス化しにくくなる。従って、ＣａＯは２〜４０ｍｏｌ
％とするのが好ましい。
【００２０】Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 は、ガラ
スの耐めっき液性をより高める効果を有するが、その割
合が１ｍｏｌ％未満ではその効果はみられず、１０ｍｏ
ｌ％を超えるとガラス融液中に不溶物として残存してし
まう。従って、Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 及びＺｒＯ2 のう
ちの１種又は２種以上は１〜１０ｍｏｌ％とするのが好
ましい。
スの耐めっき液性をより高める効果を有するが、その割
合が１ｍｏｌ％未満ではその効果はみられず、１０ｍｏ
ｌ％を超えるとガラス融液中に不溶物として残存してし
まう。従って、Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 及びＺｒＯ2 のう
ちの１種又は２種以上は１〜１０ｍｏｌ％とするのが好
ましい。
【００２１】本発明のチップ型電子部品用導電性ペース
トにおいて、金属粉末としては、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｐ
ｔ等の貴金属、Ｃｕ，Ｎｉ等の卑金属、又はこれらを混
合した粉末が使用される。金属粉末は焼結して端子電極
に導電性を与える。
トにおいて、金属粉末としては、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｐ
ｔ等の貴金属、Ｃｕ，Ｎｉ等の卑金属、又はこれらを混
合した粉末が使用される。金属粉末は焼結して端子電極
に導電性を与える。
【００２２】不活性有機ビヒクルとしては、メチルセル
ロース、エチルセルロース等をブチルカルビトール、テ
ルピネオール等の有機溶剤に溶解したものが用いられ
る。一般に、上記セルロース類は上記有機溶剤に対して
５〜３０重量％の割合で混合される。有機ビヒクルは、
得られる導電性ペーストの粘度を調整し、ベアチップ表
面への塗布を容易にするために用いられる。
ロース、エチルセルロース等をブチルカルビトール、テ
ルピネオール等の有機溶剤に溶解したものが用いられ
る。一般に、上記セルロース類は上記有機溶剤に対して
５〜３０重量％の割合で混合される。有機ビヒクルは、
得られる導電性ペーストの粘度を調整し、ベアチップ表
面への塗布を容易にするために用いられる。
【００２３】本発明の導電性ペーストは、ペースト重量
を１００重量％とするとき、好ましくは６５〜８０重量
％の金属粉末と、この金属粉末に対して１〜１５重量％
のガラスフリットと、残部が有機ビヒクルとにより構成
される。金属粉末が６５重量％未満であると、形成され
る端子電極の導電性に劣り、８０重量％を超えると導電
性ペーストの粘度特性が劣化する。
を１００重量％とするとき、好ましくは６５〜８０重量
％の金属粉末と、この金属粉末に対して１〜１５重量％
のガラスフリットと、残部が有機ビヒクルとにより構成
される。金属粉末が６５重量％未満であると、形成され
る端子電極の導電性に劣り、８０重量％を超えると導電
性ペーストの粘度特性が劣化する。
【００２４】本発明において、導電性ペースト中のガラ
スフリットの好適な配合比はベアチップを構成するセラ
ミック焼成体の種類によって異なるが、金属粉末に対す
るガラスフリットの配合割合が１重量％未満であると、
端子電極の形成時、金属の焼結が進まず、焼結金属が多
孔質となってしまうことから、めっき液の浸入を容易な
ものとし、端子電極とベアチップとの接着強度が低下
し、端子電極の耐湿性が劣化する。特に、チップインダ
クターの場合にはインピーダンス（Ｚ）が劣化する。逆
に、このガラスフリット配合割合が１５重量％を超える
と、焼付け時に電極層の表面にガラスフリットが浮き出
して、焼付け電極層の表面に更にめっき層を設ける際に
めっき膜の形成が阻害されてしまう。従って、導電性ペ
ーストに含まれるガラスフリットの配合割合は金属粉末
に対して１〜１５重量％とする。
スフリットの好適な配合比はベアチップを構成するセラ
ミック焼成体の種類によって異なるが、金属粉末に対す
るガラスフリットの配合割合が１重量％未満であると、
端子電極の形成時、金属の焼結が進まず、焼結金属が多
孔質となってしまうことから、めっき液の浸入を容易な
ものとし、端子電極とベアチップとの接着強度が低下
し、端子電極の耐湿性が劣化する。特に、チップインダ
クターの場合にはインピーダンス（Ｚ）が劣化する。逆
に、このガラスフリット配合割合が１５重量％を超える
と、焼付け時に電極層の表面にガラスフリットが浮き出
して、焼付け電極層の表面に更にめっき層を設ける際に
めっき膜の形成が阻害されてしまう。従って、導電性ペ
ーストに含まれるガラスフリットの配合割合は金属粉末
に対して１〜１５重量％とする。
【００２５】本発明のチップ型電子部品用導電性ペース
トは、チップインダクター、チップコンデンサ、チップ
抵抗、チップサーミスタ等のチップ型電子部品の端子電
極形成に用いられ、特に、チップインダクターの端子電
極形成に好適に用いられる。この場合、インダクターの
ベアチップを構成するフェライト焼成体にはＦｅ2 Ｏ3
−ＮｉＯ−ＺｎＯ、Ｆｅ2 Ｏ3 −ＮｉＯ−ＣａＯ−Ｚｎ
Ｏ等が挙げられる。
トは、チップインダクター、チップコンデンサ、チップ
抵抗、チップサーミスタ等のチップ型電子部品の端子電
極形成に用いられ、特に、チップインダクターの端子電
極形成に好適に用いられる。この場合、インダクターの
ベアチップを構成するフェライト焼成体にはＦｅ2 Ｏ3
−ＮｉＯ−ＺｎＯ、Ｆｅ2 Ｏ3 −ＮｉＯ−ＣａＯ−Ｚｎ
Ｏ等が挙げられる。
【００２６】
【作用】ＺｎＯ、Ｂ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＰｂＯの各成分
を所定の割合で配合したガラスフリット、或いは、この
組成に更にＣａＯ、Ａｌ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 及びＺｒＯ2
のうちの１種又は２種以上を所定の割合で添加したガラ
スフリットを所定の配合割合で用いた導電性ペースト
を、ベアチップ表面に焼付けて形成した端子電極は、 めっき膜の形成が容易でめっき液の端子電極内部へ
の浸入がない。 ベアチップとの接着強度が高い。 めっき後の電気特性劣化がない。 耐湿性に優れ高い信頼性を有する。 等の優れた特性を有する。
を所定の割合で配合したガラスフリット、或いは、この
組成に更にＣａＯ、Ａｌ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 及びＺｒＯ2
のうちの１種又は２種以上を所定の割合で添加したガラ
スフリットを所定の配合割合で用いた導電性ペースト
を、ベアチップ表面に焼付けて形成した端子電極は、 めっき膜の形成が容易でめっき液の端子電極内部へ
の浸入がない。 ベアチップとの接着強度が高い。 めっき後の電気特性劣化がない。 耐湿性に優れ高い信頼性を有する。 等の優れた特性を有する。
【００２７】
【実施例】次に実施例及び比較例を挙げて、本発明をよ
り具体的に説明する。
り具体的に説明する。
【００２８】実施例１〜１０ チップ型電子部品として、図１に示すチップインダクタ
ー１０を作製し、その特性を調べることにより各種導電
性ペーストの評価を行なった。図１に示すインダクター
１０は、ベアチップ１１と、このチップ１１の両端部に
形成された端子電極１２とを備える。チップ１１はＦｅ
2 Ｏ3 −ＮｉＯ−ＺｎＯ系セラミック焼結体よりなり、
貴金属のＰｔ１００からなるスパイラル状内部電極１３
を有し、長さ３．２ｍｍ、幅１．６ｍｍ、厚み０．８５
ｍｍのサイズを有する。
ー１０を作製し、その特性を調べることにより各種導電
性ペーストの評価を行なった。図１に示すインダクター
１０は、ベアチップ１１と、このチップ１１の両端部に
形成された端子電極１２とを備える。チップ１１はＦｅ
2 Ｏ3 −ＮｉＯ−ＺｎＯ系セラミック焼結体よりなり、
貴金属のＰｔ１００からなるスパイラル状内部電極１３
を有し、長さ３．２ｍｍ、幅１．６ｍｍ、厚み０．８５
ｍｍのサイズを有する。
【００２９】端子電極は次の条件により形成した。導電
性ペーストを１００重量％とするとき、７５重量％の金
属粉末と、この金属成分に対して表１に示す配合比のガ
ラスフリットと、残部不活性有機ビヒクルとを混練して
導電性ペーストを調製した。ここで金属粉末はＡｇ１０
０であり、ガラスフリットはＺｎＯとＢ2 Ｏ3 とＳｉＯ
2 とＰｂＯとの４種、或いは、ＺｎＯとＢ2 Ｏ3 とＳｉ
Ｏ2 とＰｂＯとＣａＯとＡｌ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 及び／又
はＺｒＯ2 との計５種〜７種の成分よりなり、表１に示
す組成比で調製した。また、有機ビヒクルはエチルセル
ロースをブチルカルビトールとテルピネオールに混合し
たものを用いた。
性ペーストを１００重量％とするとき、７５重量％の金
属粉末と、この金属成分に対して表１に示す配合比のガ
ラスフリットと、残部不活性有機ビヒクルとを混練して
導電性ペーストを調製した。ここで金属粉末はＡｇ１０
０であり、ガラスフリットはＺｎＯとＢ2 Ｏ3 とＳｉＯ
2 とＰｂＯとの４種、或いは、ＺｎＯとＢ2 Ｏ3 とＳｉ
Ｏ2 とＰｂＯとＣａＯとＡｌ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 及び／又
はＺｒＯ2 との計５種〜７種の成分よりなり、表１に示
す組成比で調製した。また、有機ビヒクルはエチルセル
ロースをブチルカルビトールとテルピネオールに混合し
たものを用いた。
【００３０】この導電性ペーストを焼付け後の厚さが９
０μｍになるようにベアチップの両端にディップ方式で
塗布し、大気圧下、１６０℃で１０分間乾燥し、その
後、チップを２５℃／分の速度で、大気圧下、７８０℃
まで昇温し、この温度で５分間保持した後、２０℃／分
の速度で室温まで降温してＡｇからなる下地電極を得
た。次いで、Ｎｉめっき層及びＳｎ／Ｐｂめっき層を次
の条件により形成した。
０μｍになるようにベアチップの両端にディップ方式で
塗布し、大気圧下、１６０℃で１０分間乾燥し、その
後、チップを２５℃／分の速度で、大気圧下、７８０℃
まで昇温し、この温度で５分間保持した後、２０℃／分
の速度で室温まで降温してＡｇからなる下地電極を得
た。次いで、Ｎｉめっき層及びＳｎ／Ｐｂめっき層を次
の条件により形成した。
【００３１】ｐＨ４．０、温度５０℃のスルファミン酸
ニッケル（Ｎｉ（ＮＨ2 ＳＯ3 ）2・４Ｈ2 Ｏ）１２０
ｇ／ｌの組成の浴を用い、電解バレルめっき法で下地電
極の表面に２μｍ厚のＮｉめっき層を形成した。更に、
ｐＨ４．５、温度２５℃の錫（Ｓｎ）と鉛（Ｐｂ）が
９：１の組成の浴を用い、電解バレルめっき法でＮｉめ
っき層の表面に６μｍ厚のＳｎ／Ｐｂめっき層を形成し
た。これにより、下地電極の上に更に２層のめっき層を
形成したチップインダクターを得た。
ニッケル（Ｎｉ（ＮＨ2 ＳＯ3 ）2・４Ｈ2 Ｏ）１２０
ｇ／ｌの組成の浴を用い、電解バレルめっき法で下地電
極の表面に２μｍ厚のＮｉめっき層を形成した。更に、
ｐＨ４．５、温度２５℃の錫（Ｓｎ）と鉛（Ｐｂ）が
９：１の組成の浴を用い、電解バレルめっき法でＮｉめ
っき層の表面に６μｍ厚のＳｎ／Ｐｂめっき層を形成し
た。これにより、下地電極の上に更に２層のめっき層を
形成したチップインダクターを得た。
【００３２】得られたチップインダクターについて、次
のＡ〜Ｄの特性を、また２層のめっき層を施さない以外
は同様のチップインダクターについても次のＡ，Ｂの特
性を測定し、結果を表１に示した。なお、括弧内の数値
ｎは試験した試料数である。
のＡ〜Ｄの特性を、また２層のめっき層を施さない以外
は同様のチップインダクターについても次のＡ，Ｂの特
性を測定し、結果を表１に示した。なお、括弧内の数値
ｎは試験した試料数である。
【００３３】Ａ インピーダンス ｜Ｚ｜（ｎ＝３０） １０ＭＨｚ、１Ｖｒｍｓで測定した。
【００３４】Ｂ 引張強度（ｎ＝１０） チップインダクターの端子電極に０．８ｍｍのはんだ引
き鋼線を２３０℃のホットプレート上で共晶クリームは
んだ（千住金属社製ＳＰＴ−５５−２０６２−Ｍ１０）
により接着し、この鋼線を引っ張ることにより、引張強
度を測定した。
き鋼線を２３０℃のホットプレート上で共晶クリームは
んだ（千住金属社製ＳＰＴ−５５−２０６２−Ｍ１０）
により接着し、この鋼線を引っ張ることにより、引張強
度を測定した。
【００３５】Ｃ 信頼性（プレッシャークッカー）（ｎ
＝２０） ＋１５１℃、相対湿度１００％（約５気圧）の環境下に
２０時間放置後、インピーダンスの劣化の有無を調べ
た。
＝２０） ＋１５１℃、相対湿度１００％（約５気圧）の環境下に
２０時間放置後、インピーダンスの劣化の有無を調べ
た。
【００３６】Ｄ 信頼性（耐湿性試験）（ｎ＝２０） ＋８５℃、相対湿度８５％の環境下で２０００時間放置
後、インピーダンスの劣化の有無を調べた。
後、インピーダンスの劣化の有無を調べた。
【００３７】比較例１〜４ 表１に示すように、ガラスフリットのＰｂＯの組成比を
４０ｍｏｌ％以上に増やすか（比較例４）、ＰｂＯを配
合しないか（比較例１，２）、或いは、Ｂ2 Ｏ3 の組成
比を４０ｍｏｌ％以上に増やしＳｉＯ2 の組成比を１０
ｍｏｌ％以下に減らす（比較例３）以外は実施例と同様
にしてチップインダクターを得、同様に諸特性を調べ、
結果を表１に示した。
４０ｍｏｌ％以上に増やすか（比較例４）、ＰｂＯを配
合しないか（比較例１，２）、或いは、Ｂ2 Ｏ3 の組成
比を４０ｍｏｌ％以上に増やしＳｉＯ2 の組成比を１０
ｍｏｌ％以下に減らす（比較例３）以外は実施例と同様
にしてチップインダクターを得、同様に諸特性を調べ、
結果を表１に示した。
【００３８】
【表１】
【００３９】表１より次のことが明らかである。即ち、
ガラスフリットの組成比が本発明の範囲外の比較例１〜
４の導電性ペーストを使用したチップインダクターは、
めっき層の有無により、インピーダンス、接着強度の値
が大きく変動し、更にプレッシャークッカー試験や耐湿
性試験においても、インピーダンスの劣化がみられた。
ガラスフリットの組成比が本発明の範囲外の比較例１〜
４の導電性ペーストを使用したチップインダクターは、
めっき層の有無により、インピーダンス、接着強度の値
が大きく変動し、更にプレッシャークッカー試験や耐湿
性試験においても、インピーダンスの劣化がみられた。
【００４０】これに対して、実施例１〜１０のチップイ
ンダクターは、めっき層の有無に拘らずインピーダン
ス、接着強度の変動は極めて小さく、信頼性試験による
インピーダンスの劣化もみられなかった。
ンダクターは、めっき層の有無に拘らずインピーダン
ス、接着強度の変動は極めて小さく、信頼性試験による
インピーダンスの劣化もみられなかった。
【００４１】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明のチップ型電
子部品用導電性ペーストによれば、耐めっき液性に優
れ、ベアチップに対する焼結金属の接着強度の向上に有
効に作用する導電性ペーストが提供される。
子部品用導電性ペーストによれば、耐めっき液性に優
れ、ベアチップに対する焼結金属の接着強度の向上に有
効に作用する導電性ペーストが提供される。
【００４２】従って、本発明のチップ型電子部品用導電
性ペーストによれば、 めっき膜の形成が容易でめっき液の端子電極内部へ
の浸入がない。 ベアチップとの接着強度が高い。 めっき後の電気特性劣化がない。 耐湿性に優れ高い信頼性を有する。 等の高特性端子電極を形成することができ、工業的に極
めて有利である。
性ペーストによれば、 めっき膜の形成が容易でめっき液の端子電極内部へ
の浸入がない。 ベアチップとの接着強度が高い。 めっき後の電気特性劣化がない。 耐湿性に優れ高い信頼性を有する。 等の高特性端子電極を形成することができ、工業的に極
めて有利である。
【００４３】請求項２、３、４のチップ型電子部品用導
電性ペーストによれば、より一層優れた効果が奏され
る。
電性ペーストによれば、より一層優れた効果が奏され
る。
【図１】実施例及び比較例で作製したチップインダクタ
ーの断面図である。
ーの断面図である。
【図２】実施例及び比較例で作製したチップインダクタ
ーの斜視図である。
ーの斜視図である。
１０ チップインダクター １１ ベアチップ １２ 端子電極 １３ 内部電極
Claims (4)
- 【請求項１】 金属粉末とガラスフリットと不活性有機
ビヒクルとを含む導電性ペーストであって、セラミック
焼成体からなるベアチップの表面に塗布した後、焼付け
で端子電極を形成するチップ型電子部品の端子電極用導
電性ペーストにおいて、 前記ガラスフリットは、ＺｎＯ２〜４０ｍｏｌ％と、Ｂ
2 Ｏ3 １５〜４０ｍｏｌ％と、ＳｉＯ2 １０〜４０ｍｏ
ｌ％と、ＰｂＯ５〜４０ｍｏｌ％とを含むホウケイ酸鉛
亜鉛系ガラスであって、前記金属粉末に対して、該ガラ
スフリットが１〜１５重量％配合されていることを特徴
とするチップ型電子部品用導電性ペースト。 - 【請求項２】 請求項１の導電性ペーストにおいて、ガ
ラスフリットは、更に、ＣａＯ２〜４０ｍｏｌ％を含む
ことを特徴とするチップ型電子部品用導電性ペースト。 - 【請求項３】 請求項１又は２の導電性ペーストにおい
て、ガラスフリットは、更に、Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 及
びＺｒＯ2 よりなる群から選ばれる１種又は２種以上１
〜１０ｍｏｌ％を含むことを特徴とするチップ型電子部
品用導電性ペースト。 - 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれか１項の導電
性ペーストにおいて、チップ型電子部品がチップインダ
クター、チップサーミスタ又はチップ抵抗であることを
特徴とするチップ型電子部品用導電性ペースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10077793A JP3291831B2 (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | チップ型電子部品用導電性ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10077793A JP3291831B2 (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | チップ型電子部品用導電性ペースト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06309921A true JPH06309921A (ja) | 1994-11-04 |
| JP3291831B2 JP3291831B2 (ja) | 2002-06-17 |
Family
ID=14282911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10077793A Expired - Fee Related JP3291831B2 (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | チップ型電子部品用導電性ペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3291831B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5707555A (en) * | 1994-11-24 | 1998-01-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Conductive paste and external electrodes for electronic product formed using same |
| WO2006003755A1 (ja) * | 2004-07-06 | 2006-01-12 | Murata Manufacturing.Co., Ltd. | 導電性ペースト及びそれを用いたセラミック電子部品 |
| JP2009530845A (ja) * | 2006-03-20 | 2009-08-27 | フエロ コーポレーション | アルミニウム−ボロン太陽電池コンタクト |
| WO2015045721A1 (ja) * | 2013-09-27 | 2015-04-02 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品 |
| WO2016002362A1 (ja) * | 2014-06-30 | 2016-01-07 | 株式会社村田製作所 | 導電性ペースト、及びガラス物品 |
-
1993
- 1993-04-27 JP JP10077793A patent/JP3291831B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5707555A (en) * | 1994-11-24 | 1998-01-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Conductive paste and external electrodes for electronic product formed using same |
| WO2006003755A1 (ja) * | 2004-07-06 | 2006-01-12 | Murata Manufacturing.Co., Ltd. | 導電性ペースト及びそれを用いたセラミック電子部品 |
| JPWO2006003755A1 (ja) * | 2004-07-06 | 2008-04-17 | 株式会社村田製作所 | 導電性ペースト及びそれを用いたセラミック電子部品 |
| US7510673B2 (en) | 2004-07-06 | 2009-03-31 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electroconductive paste and ceramic electronic component including electroconductive paste |
| JP4645594B2 (ja) * | 2004-07-06 | 2011-03-09 | 株式会社村田製作所 | 導電性ペースト及びそれを用いたセラミック電子部品 |
| JP2009530845A (ja) * | 2006-03-20 | 2009-08-27 | フエロ コーポレーション | アルミニウム−ボロン太陽電池コンタクト |
| WO2015045721A1 (ja) * | 2013-09-27 | 2015-04-02 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品 |
| US10008326B2 (en) | 2013-09-27 | 2018-06-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer ceramic electronic component having an inorganic matter at an interface between an external electrode and the ceramic body |
| US10522287B2 (en) | 2013-09-27 | 2019-12-31 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer ceramic electronic component having inorganic matter at an interface between an external electrode and the ceramic body |
| WO2016002362A1 (ja) * | 2014-06-30 | 2016-01-07 | 株式会社村田製作所 | 導電性ペースト、及びガラス物品 |
| JP6098858B2 (ja) * | 2014-06-30 | 2017-03-22 | 株式会社村田製作所 | 導電性ペースト、及びガラス物品 |
| US10052690B2 (en) | 2014-06-30 | 2018-08-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Conductive paste and glass article |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3291831B2 (ja) | 2002-06-17 |
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